-
1Academic Journal
Subject Terms: арсенид галлия, рентгеновская топография, crystal lattice defects, silicon, монокристалл, метод Чохральского, single crystal, Czochralski method, X-ray topography, дефекты кристаллической решетки, gallium arsenide, кремний
Access URL: https://research-journal.org/physics-mathematics/issledovanie-gradienta-raspredeleniya-defektov-v-monokristallicheskix-plastinax-kremniya-i-arsenida-galliya-s-pomoshhyu-rentgenovskoj-topografii/
https://research-journal.org/wp-content/uploads/2021/04/4-106-1.pdf#page=26 -
2Academic Journal
Authors: V. E. Asadchikov, I. G. Dyachkova, D. A. Zolotov, Yu. S. Krivonosov, V. T. Bublik, A. I. Shikhov, В. Е. Асадчиков, И. Г. Дьячкова, Д. А. Золотов, Ю. С. Кривоносов, В. Т. Бублик, А. И. Шихов
Contributors: The authors of the article are grateful to Senior Researcher Nikolai V. Kuznetsov, Research Institute of Nuclear Physics, Moscow State University, for irradiating samples at the KG–500 accelerator. This work was supported by the Ministry of Science and Higher Education as part of the work on the State assignment of the FSRC «Crystallography and Photonics» RAS., Авторы статьи выражают благодарность Кузнецову Николаю Викторовичу, с.н.с. НИИ ядерной физики МГУ, за облучение образцов на ускорителе КГ-500. Работа выполнена при поддержке Министерства науки и высшего образования в рамках выполнения работ по Государственному заданию ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН.
Source: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 22, № 1 (2019); 18-26 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 22, № 1 (2019); 18-26 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2019-1
Subject Terms: метод интегральных характеристик, implantation of protons, thermal annealing, X-ray diffraction, X-raytopography, the method of integral characteristics, имплантация протонов, термический отжиг, рентгеновская дифрактометрия, рентгеновская топография
File Description: application/pdf
Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/263/267; Козловский В. В. Модифицирование полупроводников пучками протонов. СПб: Наука, 2003. 268 с.; Смирнов И. С., Кузнецов Н. В., Соловьев Г. Г. Формирование слоев с особыми свойствами в кремнии путем имплантации протонов и термообработки // XVI Всесоюзная конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллом. М.: МГУ, 1988. С. 78—81.; Bruel M. Silicon on insulator material technology // Electronics Lett. 1995. V. 31, N 14. P. 1201—1202. DOI:10.1049/el:19950805; Губарев В., Семенов А., Сурма А., Столбунов В. Технология протонного облучения и возможности ее применения для улучшения характеристик силовых диодов и тиристоров // Силовая электроника. 2011. № 5. С. 108—111.; Смирнов И. С., Соловьев Г. Г., Новоселова Е. Г., Гуринов Д. Э. Формирование слоев с особыми свойствами в кремнии путем имплантации протонов и термообработки // VII Межнациональное совещание «Радиационная физика твердого тела». М.: МГИЭМ, 1997. С. 230—231.; Irmscher K., Klose H., Maass K. Hydrogen-related deep levels in proton-bombarded silicon // J. Phys. C: Solid State Phys. 1984. V. 17, N 35. P. 6317—6329. DOI:10.1088/0022-3719/17/35/007; Kirnstötter S., Faccinelli M., Jelinek M., Schustereder W., Laven J. G., Schulze H. J., Hadley P. Multiple proton implantations into silicon: A combined EBIC and SRP study // Solid State Phenomena. 2014. V. 205-206. P. 311—316. DOI:10.4028/www.scientific.net/SSP.205-206.311; Безродных И. П., Тютнев А. П., Семёнов В. Т. Радиационные эффекты в космосе. Ч. 3. Влияние ионизирующего излучения на изделия электронной техники. М.: АО «Корпорация «ВНИИЭМ», 2017. 64 с.; Дьячкова И. Г., Новоселова Е. Г., Смирнов И. С. Имплантация пластин кремния протонами в условиях механически напряженного поверхностного слоя// XXIV Международная конференция «Радиационная физика твердого тела». М.: ФГБНУ «НИИ ПМТ», 2014. С. 512—518.; Дьячкова И. Г., Новоселова Е. Г., Смирнов И. С. Влияние температуры на формирование нарушенных слоев в кремнии при протонном облучении // XXV Международной конференции «Радиационная физика твердого тела». М.: ФГБНУ «НИИ ПМТ», 2015. С. 539—549.; Смирнов И. С., Новоселова Е. Г., Дьячкова И. Г. Влияние температуры на формирование дефектов в кристаллах кремния при имплантации протонов // Седьмой международный научный семинар и Пятая международная молодежная научная школа-семинар «Современные методы анализа дифракционных данных и актуальные проблемы рентгеновской оптики». В. Новгород, 2015. С. 222—225.; Дьячкова И. Г., Новоселова Е. Г., Смирнов И. С. Трансформация радиационных дефектов в кремнии, имплантированном протонами, при низкотемпературной термообработке //XXIV Международная конференция «Радиационная физика твердого тела». М.: ФГБНУ «НИИ ПМТ», 2016. С. 362—370.; Дьячкова И. Г., Новоселова Е. Г., Смирнов И. С., Монахов И. С. Влияние механических напряжений на дефектообразование в кремнии при облучении протонами // 12 Международная конференция «Взаимодействие излучений с твердым телом». Минск, 2017. С. 140—141.; Dyachkova I. G., Novoselova E. G., Smirnov I. S. On the implantation of protons into silicon plates in the case of a mechanically stressed surface layer // Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2018. V. 12, N 3. P. 613—618. DOI:10.1134/S1027451018030278; Дьячкова И. Г. Формирование нарушенных слоев в кристаллах кремния, имплантированных протонами. Дисс. … канд. физ.-мат. наук. М., 2004. 172 c.; Сорокин К.В. Исследование и разработка методов защиты поверхности кремниевых фотодиодов с применением ионной имплантации. Дисс. … канд. техн. наук. М., 2000. 145 с.; Александров П. А., Баранова Е. К., Баранова И. В., Бударагин В. В., Литвинов В. Л. Влияние температуры отжига на выход имплантированного водорода из блистеров в кремнии // XII Международное совещание «Радиационная физика твердого тела». М.: НИИ ПМТ МГИЭМ (ТУ), 2002. С. 149—160.; Буренков А. Ф., Комаров Ф. Ф., Кумахов М. А., Темкин М. М. Таблицы параметров пространственного распределения ионно-имплантированных примесей. Минск: БГУ, 1980. 352 с.; Posselt M. Crystal-TRIM and its application to investigations on channeling effects during ion implantation // Radiation Effects and Defects in Solids. 1994. N 1. P. 87—119. DOI:10.1080/10420159408219774; Афанасьев А. М., Александров П. А., Имамов Р. М. Рентгенодифракционная диагностика субмикронных слоев. М.: Наука, 1989. 152 с.; Пинскер З. Г. Динамическое рассеяние рентгеновских лучей в идеальных кристаллах. М.: Наука, 1974. 368 с.; Боуэн Д. К., Таннер Б. К. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография. СПб: Наука, 2002. 274 с.; Вавилов В. С., Киселев В. Ф., Мукашев Б. Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности. М.: Наука, 1990. 216 с.; Грехов И. В., Костина Л. С., Ломасов В. Н., Юсупова Ш. А., Белякова Е. И. Формирование профилей распределения мелких доноров при протонном облучении кремния // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40, Вып. 23. С. 67—73.; Емцев В. В., Иванов А. М., Козловский В. В., Лебедев А. А., Оганесян Г. А., Строкан Н. Б. Сравнительной изучение изменения электрических свойств кремния и карбида кремния при облучении протонами // ФТП. 2010. Т. 44. № 5. С. 706—712.; https://met.misis.ru/jour/article/view/263
-
3Academic Journal
Authors: D. V. Roshchupkin, D. V. Irzhak, E. V. Emelin, R. R. Fahrtdinov, O. A. Buzanov, S. A. Sakharov, Д. В. Рощупкин, Д. В. Иржак, Е. В. Емелин, Р. Р. Фахртдинов, О. А. Бузанов, С. А. Сахаров
Source: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; № 3 (2012); 25-28 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; № 3 (2012); 25-28 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2012-3
Subject Terms: рентгеновская дифрактометрия, surface acoustic waves, bulk acoustic waves, x−ray topography, X−ray diffraction, поверхностные акустические волны, объемные акустические волны, рентгеновская топография
File Description: application/pdf
Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/33/29; Da Cunda, M. P. Investigation on recent quartz−like materials for SAW applications / M. P. Da Cunda, S. A. Fagundes // IEEE Trans. Ultrason. Ferroelectr. Freq. Control. − 1999. − V. 46. − P. 1583—1594.; Smythe, R. C. Langasite, langanite, and langatate bulk− wave Y−cut resonators / R. C. Smythe, R. C. Helmbold, G. E. Hague, K. A. Snow // Ibid. − 2000. − V. 47. − P. 355—361.; Fritze, H. Langasite for high−temperature bulk acoustic wave applications / H. Fritze, H. L. Tuller // Appl. Phys. Lett. − 2001. − V. 78. − P. 976—983.; Naumenko, N. Optimal cuts of langasite, La3Ga5SiO14 for SAW devices / N. Naumenko // IEEE Trans. Ultrason. Ferroelectr. Freq. Control. − 2001. − V. 48. − P. 530—538.; Roshchupkin, D. V. X−ray Bragg diffraction from langasite crystal modulated by surface acoustic wave / D. V. Roshchupkin, D. V. Irzhak, R. Tucoulou, O. A. Buzanov // J. Appl. Phys. − 2003. − V. 94. − P. 6692—6692.; Roshchupkin, D. V. X−ray topography analysis of acoustic wave fields in the SAW−resonators structures / D. V. Roshchupkin, H. D. Roshchupkina, D. V. Irzhak // IEEE Transaction on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control. − 2005. − V. 52. − P. 2081— 2087.; Roshchupkin, D. Diffraction of a focused x−ray beam from La3Ga5SiO14 crystal modulated by surface acoustic waves / D. Roshchupkin, D. Irzhak, A. Snigirev, I. Snigireva, L. Ortega, A. Sergeev // J. Appl. Phys. − 2011. − V. 110. − P. 124902(7).; Roshchupkin, D. V. X−ray diffraction analysis of the surface acoustic wave propagation in langatate crystal / D. V. Roshchupkin, A. I. Erko, L. Ortega, D. V. Irzhak // J. Appl. Phys. A. − 2009. − V. 94. − P. 477—485.; Roshchupkin, D. V. Investigation of structural perfection and acoustic properties of La3Ga5SiO14 crystals by high resolution x−ray diffraction, topography, and microfluorescence analysis / D. V. Roshchupkin, D. V. Irzhak, E. D. Roshchupkina, O. A. Buzanov // Crystallography Rep. − 2004. − V. 49. − P. S80—S88.; Sakharov, S. High−temperature sensor based on SAW−modulated langasite crystal / S. Sakharov, D. Roshchupkin, E. Emelin, D. Irzhak, O. Buzanov, A. Zabelin // Proc. Eng. − 2011. − V. 25. − P. 1020—1023.; https://met.misis.ru/jour/article/view/33
-
4Academic Journal
Authors: ВЕРОЗУБОВА Г.А., ОКУНЕВ А.О., СТАЩЕНКО В.А.
Subject Terms: СИНТЕЗ, МОНОКРИСТАЛЛ, ПОЛУПРОВОДНИК, МЕТОД БРИДЖМЕНА, РЕНТГЕНОВСКАЯ ТОПОГРАФИЯ, ЭФФЕКТ БОРМАНА, КОНТРАСТ, ДЕФЕКТ, ДИСЛОКАЦИЯ
File Description: text/html
-
5Academic Journal
Authors: Окунев, А., Верозубова, Г., Стащенко, В., Янг, Ч.
Subject Terms: ПОЛЯРИЗАЦИОННО-ОПТИЧЕСКИЙ МЕТОД, МЕТОД ФОТОУПРУГОСТИ, ДВОЙНОЕ ЛУЧЕПРЕЛОМЛЕНИЕ, КОНТРАСТ, МОНОКРИСТАЛЛ, ПОЛУПРОВОДНИК, ДЕФЕКТ, ДИСЛОКАЦИЯ, РЕНТГЕНОВСКАЯ ТОПОГРАФИЯ, ЭФФЕКТ БОРМАНА, ТОПОГРАММА
File Description: text/html
-
6Academic Journal
Authors: Окунев, А., Верозубова, Г., Стащенко, В.
File Description: text/html
-
7Academic Journal
Authors: Верозубова, Г. А., Филиппов, М. М., Грибенюков, А. И., Трофимов, А. Ю., Окунев, А. О., Стащенко, В. А.
Source: Известия Томского политехнического университета
Subject Terms: метод Бриджмена, кристаллы, эффект Бормана, дифосфид цинка-германия, рентгеновская топография, включения, дислокации, кристаллизация, монокристаллы, выращивание, структурные дефекты, фронт кристаллизации, численные оценки
File Description: application/pdf
Relation: Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. 2012. Т. 321, № 2 : Математика и механика. Физика; http://earchive.tpu.ru/handle/11683/4380
Availability: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/4380
-
8Academic Journal
Authors: Верозубова, Галина, Филиппов, Максим, Грибенюков, Александр, Трофимов, Андрей, Окунев, Алексей, Стащенко, Владимир
File Description: text/html
-
9Academic Journal
Source: Известия Томского политехнического университета
Subject Terms: рентгеновская топография, дифосфид цинка-германия, структурные дефекты, эффект Бормана, кристаллизация, численные оценки, метод Бриджмена, кристаллы, дислокации, включения, фронт кристаллизации, монокристаллы, выращивание
File Description: application/pdf
Access URL: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/4380
-
10Academic Journal
Source: Вестник Новгородского государственного университета им. Ярослава Мудрого.
Subject Terms: СИНТЕЗ, МОНОКРИСТАЛЛ, ПОЛУПРОВОДНИК, МЕТОД БРИДЖМЕНА, РЕНТГЕНОВСКАЯ ТОПОГРАФИЯ, ЭФФЕКТ БОРМАНА, КОНТРАСТ, ДЕФЕКТ, ДИСЛОКАЦИЯ
File Description: text/html
-
11Academic Journal
Source: Вестник Новгородского государственного университета им. Ярослава Мудрого.
Subject Terms: РЕНТГЕНОВСКАЯ ТОПОГРАФИЯ, ЭФФЕКТ БОРМАНА, КОНТРАСТ, МОНОКРИСТАЛЛ, ПОЛУПРОВОДНИК, ДЕФЕКТ, ДИСЛОКАЦИЯ, МОДЕЛИРОВАНИЕ
File Description: text/html
-
12Academic Journal
Source: Вестник Новгородского государственного университета им. Ярослава Мудрого.
File Description: text/html
-
13Academic Journal
Source: Известия Томского политехнического университета.
File Description: text/html
