Структура, свойства и практическое применение высокоэнтропийных сплавов

Συγγραφείς: Salishchev, G. A.

Θεματικοί όροι: STRUCTURE, КОРРОЗИЯ, DUCTILITY, РАДИАЦИОННАЯ СТОЙКОСТЬ, CORROSION, HIGH-ENTROPY ALLOYS, MAGNETIC PROPERTIES, PROPERTIES, ВЫСОКОЭНТРОПИЙНЫЕ СПЛАВЫ, RADIATION RESISTANCE, ИЗНОСОСТОЙКОСТЬ, HEAT RESISTANCE, СТРУКТУРА, STRENGTH, ПРОЧНОСТЬ, ЖАРОПРОЧНОСТЬ, МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА, WEAR RESISTANCE, ПЛАСТИЧНОСТЬ, СВОЙСТВА

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://elar.urfu.ru/handle/10995/142280

Study of the Influence of the Voltage Regulator Integrated Circuit Topology on its Radiation Hardness ; Исследование влияния топологии интегральной микросхемы стабилизатора напряжения на его радиационную стойкость

Συγγραφείς: Е. A. Кulchenkov, A. A. Demidov, S. B. Rybalka, Е. А. Кульченков, А. А. Демидов, С. Б. Рыбалка

Συνεισφορές: The results of the Research and Development have been achieved during the implementation of the project ''Integrated microcircuits of analog signal converters in metal-polymeric package of various types: development and mastering of technology, replacement of imported analogs and organization of serial production'' (agreement with the Russian Ministry of Science and High Education of 9 February 2023 No. 075-11-2023-008) using state support measures provided by the Russian Federation Government's Decree of 9 April, 2010 No. 218., Результаты НИОКР получены в ходе реализации проекта «Интегральные микросхемы преобразователей аналоговых сигналов в металлополимерных корпусах различных типов: разработка и освоение технологии, замена импортных аналогов и организация серийного производства» (соглашение с Минобрнауки России от 9 февраля 2023 г. № 075-11-2023-008) с использованием мер государственной поддержки, предусмотренных постановлением Правительства Российской Федерации от 9 апреля 2010 г. № 218.

Πηγή: Devices and Methods of Measurements; Том 16, № 1 (2025); 63-68 ; Приборы и методы измерений; Том 16, № 1 (2025); 63-68 ; 2414-0473 ; 2220-9506 ; 10.21122/2220-9506-2025-16-1

Θεματικοί όροι: радиационная стойкость, total ionizing dose effects, ionizing radiation, radiation hardness, эффекты поглощенной дозы, ионизирующее излучение

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://pimi.bntu.by/jour/article/view/929/719; Patrick DRS, Fardo W, Richardson RE, Chandra V. Electronic Devices and Circuit Fundamentals. New York: River Publishers. 2023:1078. DOI:10.1201/9781003393139; Gurevich V. Power Supply Devices and Systems of Relay Protection. Boca Raton: CRC Press 2014:260. DOI:10.1201/b15015; Geytenko EN. Secondary power supplies. Circuit technique and Calculation. Moscow: Solon Press. 2008:448. (In Russ.).; Belous AI, Solodukha VA, Shvedov SV. Space Electronics. Moscow: Tekhnosphera. 2015:696. (In Russ.).; Zebrev GI. Radiation Effects in Highly Integrated Silicon Integrated Circuits. Moscow: NIYAU MIFI. 2010:148. (In Russ.).; Iniewski K. Radiation Effects in Semiconductors. CRC Press: Boca Raton. 2011:422. DOI:10.1201/9781315217864; Tapero KI, Didenko SI. Fundamentals of Radiation Resistance of Electronic Products: Radiation Effects in Electronic Products. Moscow: Izd. dom MISiS. 2013:349. (In Russ.).; JSC "GRUPPA KREMNY EL". Access mode: https://group-kremny.ru/. Access date: 27.10.2024. (In Russ.).; JSC "Specialized electronic systems" (SPELS). Access mode: http://www.spels.ru. Access date: 27.10.2024.; Rybalka SB, Demidov AA, Kulchenkov EA. Study of radiation hardness of linear voltage regulator. Advances in Applied Physics. 2023;5:446. DOI:10.51368/2307-4469-2023-11-5-446-454; Rybalka SB, Demidov AA, Kulchenkov EA, Pilipenko KS. Radiation behaviour study of linear voltage regulator. Saint-Petersburg OPEN 2024: Book of Abstract 11th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures "Saint-Petersburg OPEN 2024". St. Petersburg: HSE University. 2024: 284-285. (In Russ.).; LT1963A Series Low Noise, Fast Transient Response LDO Regulators, Analog Devices. Access mode: http://www.linear.com/LT1963A. Access date: 27.10.2024.; Tapero KI, Ulimov VN, Chlenov AM. Radiation effects in silicon integrated circuits for space applications. Moscow: Laboratoriya Znaniy. 2020:304. (In Russ.).; Chumakov AI. Radiation hardness of electronic components base products. Moscow: NIYAU MIFI. 2015:512. (In Russ.).; Ke-Horng Chen. Power Management Techniques for Integrated Circuit Design. Singapore: Wiley. 2016:552. DOI:10.1002/9781118896846; https://pimi.bntu.by/jour/article/view/929

Διαθεσιμότητα: https://pimi.bntu.by/jour/article/view/929
https://doi.org/10.21122/2220-9506-2025-16-1-63-68

Effect of the Content of Silicon on the Optical Properties of Al–Si–N Coatings Irradiated with Carbon Ions in the Short-Pulse Implantation Mode

Συγγραφείς: Konusov, Fedor V., Pavlov, S. K., Lauk, A. L., Tarbokov, V. A., Remnev, Gennady E., Gadirov, Ruslan M.

Πηγή: Journal of surface investigation: X-ray, synchrotron and neutron techniques. 2022. Vol. 16, № 5. P. 702-711

Θεματικοί όροι: запрещенная зона, коэффициент поглощения, радиационно-индуцированные дефекты, радиационная стойкость, 0103 physical sciences, 02 engineering and technology, облучение, 0210 nano-technology, межзонное поглощение, локализованные состояния, 01 natural sciences, нитрид алюминия

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000998292

Оценка влияния ионизирующего излучения на эксплуатационные свойства полиуретановых лакокрасочных покрытий

Θεματικοί όροι: ионизирующее излучение, полиуретановые лакокрасочные покрытия, радиационная стойкость, пленкообразующая система, лакокрасочные покрытия, полиуретановые покрытия

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://elib.belstu.by/handle/123456789/64262

Оценка радиационной стойкости фторопласта-4МБ-К

Συνεισφορές: Бондалетов, Владимир Григорьевич

Θεματικοί όροι: теплофизические свойства, прочность, фторопласты, полимерные материалы, радиационная стойкость, воздушные среды, физико-механические свойства, гамма-излучения

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/76805

ski S. V. Influence of gamma irradiation on the reverse current-voltage characteristics of silicon photomultipliers ; Влияние гамма-облучения на обратные вольт-амперные характеристики кремниевых фотоумножителей

Συγγραφείς: D. A. Aharodnikau, S. B. Lastovskii, Yu. V. Bogatyrev, A. M. Lemeshevskaya, U. S. Tsymbal, S. V. Shpakovski, Д. А. Огородников, С. Б. Ластовский, Ю. В. Богатырев, А. М. Лемешевская, В. С. Цымбал, С. В. Шпаковский

Συνεισφορές: This work was supported by Belarusian Republican Foundation for Fundamental Research (grant no. Т23МЭ-024)., Работа выполнена при поддержке Белорусского республиканского фонда фундаментальных исследований (грант № Т23МЭ-024).

Πηγή: Proceedings of the National Academy of Sciences of Belarus. Physics and Mathematics Series; Том 60, № 3 (2024); 252-262 ; Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук; Том 60, № 3 (2024); 252-262 ; 2524-2415 ; 1561-2430 ; 10.29235/1561-2430-2024-60-3

Θεματικοί όροι: радиационная стойкость, volt-ampere characteristic, avalanche breakdown, gamma radiation, radiation hardness, вольт-амперная характеристика, лавинный пробой, гамма-излучение

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://vestifm.belnauka.by/jour/article/view/800/613; Гулаков, И. Р. Фотоприемники квантовых систем / И. Р. Гулаков, А. О. Зеневич. – Минск: УО ВГКС, 2012. – 276 c.; Dinu, N. Silicon photomultipliers (SiPM) / N. Dinu // Photodetectors: Materials, Devices and Applications. – Elsevier, 2016. – P. 255–294. https://doi.org/10.1016/b978-1-78242-445-1.00008-7; Silicon photomultiplier and its possible applications / P. Buzhan [et al.] // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. A. – 2003. – Vol. 504, № 1–3. – P. 48–52. https://doi.org/10.1016/s0168-9002(03)00749-6; Lecoq, P. SiPM applications in positron emission tomography: toward ultimate PET time-of-flight resolution / P. Lecoq, S. Gundacker // Eur. Phys. J. Plus. – 2021. – Vol. 136, № 3. – Art. ID 292. https://doi.org/10.1140/epjp/s13360-021-01183-8; A short wavelength GigaHertz clocked fiber-optic quantum key distribution system / K. J. Gordon [et al.] // IEEE J. Quantum Electron. – 2004. – Vol. 40, № 7. – P. 900–908. https://doi.org/10.1109/jqe.2004.830182; Lidar with SiPM: Some capabilities and limitations in real environment / R. Agishev [et al.] // Optics & Laser Technology. – 2013. – Vol. 49. – P. 86–90. https://doi.org/10.1016/j.optlastec.2012.12.024; Silicon Photomultipliers and SPAD imagers in biophotonics: Advances and perspectives / M. Caccia [et al.] // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. A. – 2019. – Vol. 926. – P. 101–117. https://doi.org/10.1016/j.nima.2018.10.204; Optical crosstalk in SiPMs / M. R. Hampel [et al.] // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. A. – 2020. – Vol. 976. – Art. ID 164262. https://doi.org/10.1016/j.nima.2020.164262; The cross-talk problem in SiPMs and their use as light sensors for imaging atmospheric Cherenkov telescopes / Е. Popova [et al.] // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. A. – 2009. – Vol. 610, № 1. – P. 131–134. https://doi.org/10.1016%2Fj.nima.2009.05.150.; Optical crosstalk in single photon avalanche diode arrays: a new complete model / I. Rech [et al.] // Opt. Express. – 2008. – Vol. 16, № 12. – P. 8381–8394. https://doi.org/10.1364/oe.16.008381; Грехов, И. В. Лавинный пробой р–n-перехода в полупроводниках / И. В. Грехов, Ю. Н. Сережкин. – Л.: Энергия, 1980. – 152 с.; Mirzoyan, R. Light emission in Si avalanches / R. Mirzoyan, R. Kosyra, H. G. Moser // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. A. – 2009. – Vol. 610, № 1. – P. 98–100. https://doi.org/10.1016/j.nima.2009.05.081; On the bremsstrahlung origin of hot-carrier-induced photons in silicon devices / A. L. Lacaita [et al.] // IEEE Trans. Electron Devices. – 1993. – Vol. 40, № 3. – P. 577–582. https://doi.org/10.1109/16.199363; Optical crosstalk photon penetration depth in Silicon Photomultipliers / C. Zhang [et al.] // Optik. – 2021. – Vol. 239. – P. 166864. https://doi.org/10.1016/j.ijleo.2021.166864; Kindt, W. J. Optical Cross Talk in Geiger Mode Avalanche Photodiode Arrays: Modeling, Prevention and Measurement / W. J. Kindt, H. W. van Zeijl, S. Middelhoek // 28th European Solid-State Device Research Conference. – Bordeaux, 1998. – P. 192–195.; Кремниевые фотоприемники с внутренним усилением широкого спектра применения / С. А. Сорока [и др.] // Приборостроение-2020: материалы 13-й Междунар. науч.-техн. конф., 18–20 нояб. 2020 г., Минск, Респ. Беларусь / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск, 2020. – С. 393–394.; Огородников, Д. А. Моделирование накопления заряда в кремниевых фотоэлектронных умножителях под воздействием мягкого рентгеновского излучения / Д. А. Огородников // Вес. Нац. акад. навук Беларусі. Сер. фіз.-мат. навук. – 2022. – Т. 58, № 3. – С. 337–343. https://doi.org/10.29235/1561-2430-2022-58-3-337-343; Garutti, E. Characterization and X-Ray damage of Silicon Photomultipliers / E. Garutti // Proceedings of Technology and Instrumentation in Particle Physics 2014 – PoS(TIPP2014). – Amsterdam, 2014. https://doi.org/10.22323/1.213.0070; Garutti, E. Radiation Damage of SiPMs / E. Garutti, Yu. Musienko // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. A. – 2019. – Vol. 926. – P. 69–84. https://doi.org/10.1016/j.nima.2018.10.191.; Radiation hardness of silicon photomultipliers under 60Co γ-ray irradiation / R. Pagano [et al.] // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. A. – 2014. – Vol. 767. – P. 347–352. https://doi.org/10.1016/j.nima.2014.08.028; Nakamura, I. Radiation damage of pixilated photon detector by neutron irradiation / I. Nakamura // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. A. – 2009. – Vol. 610, № 1. – P. 110–113. https://doi.org/10.1016/j.nima.2009.05.086; Engelmann, Е. Dark Count Rate of Silicon Photomultipliers / E. Engelmann. – Cuvillier, 2018. – 194 р.; Sze, S. M. Semiconductor Devices: Physics and Technology / S. M. Sze, M.-K. Lee. – John Wiley & Sons Singapore Pte. Limited, 2012. – 582 p.; Коршунов, Ф. П. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах / Ф. П. Коршунов, Г. В. Гатальский, Г. М. Иванов. – Минск: Наука и техника, 1978. – 232 с.; Таперо, К. И. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения / К. И. Таперо, В. Н. Улимов, А. М. Членов. – М.: БИНОМ, 2012. – 304 с.; Блихер, А. Физика силовых биполярных и полевых транзисторов: пер. с англ. / А. Блихер. – Л.: Энергоатомиздат, 1986. – 248 с.; Grove, A. S. Physics and Technology of Semiconductor Devices / A. S. Grove. – Wiley, 1967. – 366 p.; Никифоров, А. Ю. Радиационные эффекты в КМОП ИС / А. Ю. Никифоров, В. А. Телец, А. И. Чумаков. – М.: Радио и связь, 1994. – 164 с.; Росадо, Л. Физическая электроника и микроэлектроника: пер. с исп. / Л. Росадо. – М.: Высш. шк., 1991. – 351 с.; Першенков, В. С. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем / В. С. Першенков, В. Д. Попов, А. В. Шальнов. – М.: Энергоатомиздат; 1988. – 256 с.; https://vestifm.belnauka.by/jour/article/view/800

Διαθεσιμότητα: https://vestifm.belnauka.by/jour/article/view/800
https://doi.org/10.29235/1561-2430-2024-60-3-252-262

Сalculation of local dose loads radio-electronic on-board apparatus for the spacecraft with a nuclear power plant

Πηγή: Вестник НПО им. С.А. Лавочкина. :45-49

Θεματικοί όροι: radiation resistance, nuclear power plant, радиационная стойкость, spacecraft, лучевая модель, gamma radiation, гамма-излучение, radiation model, 7. Clean energy, космический аппарат, ядерная энергетическая установка

Исследование стойкости светодиодов на основе гетероструктур AlGaAs к воздействию нейтронного излучения

Θεματικοί όροι: гетероструктуры, светодиоды, радиационная стойкость, стойкость, нейтронные излучения

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/74502

Bragg peak effect on the electrical characteristics of Si detectors irradiated with medium energy 40Ar ions

Συγγραφείς: Mitina, Daria, Verbitskaya, Elena, Fadeeva, Nadezda, Eremin, Igor

Θεματικοί όροι: current simulation, silicon detectors, дефекты, облучение ионами, радиационная стойкость, ion irradiation, симуляция тока, radiation hardness, defects, кремниевые детекторы

ВЛИЯНИЕ РАЗЛИЧНЫХ ВИДОВ РАДИАЦИИ И ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР

Συγγραφείς: Саидов Сафо Олимович, Насуллаев Бахтиёр

Θεματικοί όροι: Кремниевые структуры, фоточувствительность, термочувствительность, деформационная чувствительность и радиационная стойкость, параметры и свойства легированного кристалла, диффузия, рекомбинационные свойства кремния, легирование переходными элементами, термическое дефектообразование, ВАХ и ВФХ структур, нанокластерные структуры на рекристаллизованном нанокристаллическом кремнии, ионное легирование, исследования влияния гамма-излучения на свойства пористого кремния и др

Relation: https://zenodo.org/records/7934815; oai:zenodo.org:7934815; https://doi.org/10.5281/zenodo.7934815

Διαθεσιμότητα: https://doi.org/10.5281/zenodo.7934815
https://zenodo.org/records/7934815

Оценка радиационной стойкости фторопласта-4МБ-К

Συγγραφείς: Клюкин, Н. М., Теляшкин, Д. С.

Συνεισφορές: Бондалетов, Владимир Григорьевич

Θεματικοί όροι: радиационная стойкость, фторопласты, гамма-излучения, воздушные среды, физико-механические свойства, теплофизические свойства, полимерные материалы, прочность

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: Химия и химическая технология в XXI веке : материалы XXIV Международной научно-практической конференции студентов и молодых ученых имени выдающихся химиков Л. П. Кулёва и Н. М. Кижнера, посвященной 85-летию со дня рождения профессора А. В. Кравцова, Томск, 15-19 мая 2023 г. Т. 2; http://earchive.tpu.ru/handle/11683/76805

Διαθεσιμότητα: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/76805

ВЛИЯНИЕ РАЗЛИЧНЫХ ВИДОВ РАДИАЦИИ И ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР

Θεματικοί όροι: Кремниевые структуры, фоточувствительность, термочувствительность, деформационная чувствительность и радиационная стойкость, параметры и свойства легированного кристалла, диффузия, рекомбинационные свойства кремния, легирование переходными элементами, термическое дефектообразование, ВАХ и ВФХ структур, нанокластерные структуры на рекристаллизованном нанокристаллическом кремнии, ионное легирование, исследования влияния гамма-излучения на свойства пористого кремния и др

Radiation-Resistant Memory Device Based on Chalcogenide Glassy Semiconductor

Συγγραφείς: Kychak, V. M., Slobodyan, I. V., Vovk, V. L.

Πηγή: Vìsnik Nacìonalʹnogo Tehnìčnogo Unìversitetu Ukraïni Kììvsʹkij Polìtehnìčnij Ìnstitut: Serìâ Radìotehnìka, Radìoaparatobuduvannâ, Iss 80 (2020)
Visnyk NTUU KPI Seriia-Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; 80; 79-84
Вестник НТУУ" КПИ ". Серия радиотехника Радиоаппаратостроение; 80; 79-84
Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування; 80; 79-84

Θεματικοί όροι: аморфний напівпровідник, халькогенідні склоподібні напівпровідники, радіаційна стійкість, комірка пам'яті, доза опромінення, γ – кванти, плівковий польовий транзистор, перехід Шотткі, аморфный полупроводник, халькогенидние стеклообразние полупроводники, радиационная стойкость, ячейка памяти, доза облучения, γ - кванты, пленочный полевой транзистор, переход Шоттки, 621.3.04977.001, amorphous semiconductor, chalcogenide glassy semiconductors, radiation resistance, memory cell, irradiation dose, γ - quanta, film transistor, Schottky junction, Telecommunication, TK5101-6720, 7. Clean energy

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://doaj.org/article/131316fbf3bb4460b05db940ebdbc379
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/1626
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/download/1626/1446
http://doi.radap.kpi.ua/article/view/221487

Features of Radiation Changes in Electrical Properties of InAlN/GaN Hemts

Συγγραφείς: Brudnyi, Valentin N., Brudnyi, P. A., Velikovskii, L. E., Afonin, A. G.

Πηγή: Russian physics journal. 2020. Vol. 62, № 9. P. 1656-1662

Θεματικοί όροι: радиационная стойкость, уровень зарядовой нейтральности, транзисторы с высокой подвижностью электронов, 0103 physical sciences, 01 natural sciences

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://link.springer.com/article/10.1007/s11182-020-01888-w
https://link.springer.com/content/pdf/10.1007/s11182-020-01888-w.pdf
http://ui.adsabs.harvard.edu/abs/2020RuPhJ..62.1656A/abstract
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000794752

УСТОЙЧИВОСТЬ ЭЛЕКТРОНИКИ К АГРЕССИВНЫМ СРЕДАМ

Θεματικοί όροι: radiation resistance, микропроцессоры, агрессивные среды, asynchronous circuits, thermal stabilization, асинхронные схемы, microprocessors, отказоустойчивость, aggressive environments, радиационная стойкость, защитные покрытия, protective coatings, fault tolerance, термостабилизация

Оптические свойства и радиационная стойкость печатного покрытия на основе серебра

Πηγή: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 10. С. 23-30

Θεματικοί όροι: радиационная стойкость, спектры диффузного отражения, серебро, экспериментальные исследования, терморегулирующие покрытия

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001009309

Радиационная стойкость двухслойных полых частиц SiO2/ZnO при облучении протонами

Πηγή: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 7. С. 117-125

Θεματικοί όροι: двухслойные частицы, деградация, дефекты, диоксид кремния, оптические свойства, радиационная стойкость, оксид цинка, протоны, облучение, полые частицы

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001005376

Оптические свойства и радиационная стойкость жидкого стекла Li2SiO3, модифицированного наночастицами SiO2

Πηγή: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 1. С. 143-144

Θεματικοί όροι: жидкое стекло, оптические свойства, наночастицы диоксида кремния, радиационная стойкость, модифицирование

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000998336

МЕТОД ДИАГНОСТИКИ РАДИАЦИОННОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ СЛОЕВ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ В КМОП-МИКРОСХЕМАХ НА ОСНОВЕ АНАЛИЗА ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК

Θεματικοί όροι: method of diagnostics, Poole-Frenkel effect, термический диоксид кремния, радиационная стойкость, silicon on insulator, метод диагностики, кремний-на-изоляторе, radiation hardness, эффект Пула-Френкеля, thermal silicon dioxide, charge carrier injection, инжекция носителей заряда

Influence of ionizing radiation on the parameters of p-channel MOS transistors ; Влияние ионизирующего излучения на параметры p-канальных МОП-транзисторов

Συγγραφείς: Yu. V. Bogatyrev, D. A. Aharodnikau, S. B. Lastovsky, A. V. Ket’ko, M. M. Krechko, S. V. Shpakovsky, P. V. Rubanov, G. A. Protopopov, P. A. Chubunov, Ю. В. Богатырев, Д. А. Огородников, С. Б. Ластовский, А. В. Кетько, М. М. Кречко, С. В. Шпаковский, П. В. Рубанов, Г. А. Протопопов, П. А. Чубунов

Πηγή: Proceedings of the National Academy of Sciences of Belarus. Physical-technical series; Том 67, № 4 (2022); 402-408 ; Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-технических наук; Том 67, № 4 (2022); 402-408 ; 2524-244X ; 1561-8358 ; 10.29235/1561-8358-2022-67-4

Θεματικοί όροι: электрический режим, gamma radiation, radiation resistance, radiation dose, electrical mode, гамма-излучение, радиационная стойкость, доза облучения

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://vestift.belnauka.by/jour/article/view/767/616; Белоус, А. И. Космическая электроника / А. И. Белоус, В. А. Солодуха, С. В. Шведов. – М.: Техносфера, 2015. – Кн. 2. – 732 с.; Радиационная стойкость изделий ЭКБ / под ред. А. И. Чумакова. – М.: Нац. исслед. ядер. ун-т «МИФИ», 2015. – 512 с.; Ионизирующие излучения космического пространства и их воздействие на бортовую аппаратуру космических аппаратов / под ред. Г. Г. Райкунова. – М.: Физматлит, 2013. – 256 с.; Першенков, В. С. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем / В. С. Першенков, В. Д. Попов, А. В. Шальнов. – М.: Энергоатомиздат, 1988. – 256 с.; Коршунов, Ф. П. Воздействие радиации на интегральные микросхемы / Ф. П. Коршунов, Ю. В. Богатырев, В. А. Вавилов. – Минск: Наука и техника, 1986. – 254 c.; Ма, Т. Р. Ionizing Radiation Effects in MOS Devices and Circuits / Т. Р. Ма, P. V. Dressendorfer. – New York: John Wiley & Sons, 1989. – 587 p. https://doi.org/10.1148/radiology.174.3.886; Чумаков, А. И. Действие космической радиации на интегральные схемы / А. И. Чумаков. – М.: Радио и связь, 2004. – 320 с.; Claeys, C. Radiation Effects in Advanced Semiconductor Materials and Devices / С. Claeys, Е. Simoen. – Berlin: Springer, 2002. – 402 p. https://doi.org/10.1007/978-3-662-04974-7; Таперо, К. И. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения / К. И. Таперо, В. Н. Улимов, А. М. Членов. – М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2012. – 304 с.; Baliga, B. J. Silicon RF Power MOSFETS / B. J. Baliga. – N. Y.: World Scientific. 2005. – 302 p.; https://vestift.belnauka.by/jour/article/view/767

Διαθεσιμότητα: https://vestift.belnauka.by/jour/article/view/767
https://doi.org/10.29235/1561-8358-2022-67-4-402-408