Влияние электрического поля на движение электрона в многослойных квантовых наноструктурах

Συγγραφείς: Nasirov, M.Z., Matbabaeva, S.D., Aliev, R.

Πηγή: Электронная обработка материалов (1) 65-72

Θεματικοί όροι: electron, Schrödingerequation, transmission and reflection coefficients, электрон, коэффициентыпрохождения и отражения, потенциальный барьер, уравнение Шредингера, potential barrier

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://ibn.idsi.md/vizualizare_articol/222759

Влияние атомов поверхности грани (001) Au на коэффициент ионного распыления: сравнение с теорией Зигмунда ; Influence of atoms of the (001) Au face on the ion sputtering yield: Comparison with Sigmund theory

Συγγραφείς: Мусин, Артем Игоревич, Самойлов, Владимир Николаевич

Πηγή: Известия высших учебных заведений. Физика. 2025. Т. 68, № 7. С. 103-105

Θεματικοί όροι: поверхностные модели распыления, молекулярная динамика, коэффициент распыления, плоский потенциальный барьер, Зигмунда теория, ионное распыление

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: http_0026-80960. Известия высших учебных заведений. Физика; koha:001265205; https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001265205

Διαθεσιμότητα: https://doi.org/10.17223/00213411/68/7/13
https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001265205

ELECTROMAGNETIC COMPATIBILITY OF SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH A TWO-DIMENSIONAL ELECTRON LAYER

Συγγραφείς: Kravchenko, Volodymyr, Knyazev, Volodymyr, Serkov, Aleksandr, Breslavets, Vitaliy, Yakovenko, Igor

Πηγή: Сучасні інформаційні системи, Vol 3, Iss 4 (2019)
Сучасні інформаційні системи; Том 3 № 4 (2019): Сучасні інформаційні системи; 132-136
Advanced Information Systems; Vol. 3 No. 4 (2019): Advanced Information Systems; 132-136
Современные информационные системы-Sučasnì ìnformacìjnì sistemi; Том 3 № 4 (2019): Современные информационные системы; 132-136

Θεματικοί όροι: electromagnetic fields, потік заряджених частинок, напівпровідник, Information theory, електромагнітні поля, 0211 other engineering and technologies, поток заряженных частиц, 02 engineering and technology, колебания, кінетичні нестійкості, 01 natural sciences, потенциальный барьер, potential barrier, vibrations, генерация, QA76.75-76.765, generation, 0103 physical sciences, kinetic instabilities, Computer software, Q350-390, кинетические неустойчивости, электромагнитные поля, полупроводник, потенційний бар'єр, flow of charged particles, semiconductor, 621.3, энергия излучения, коливання, генерація, radiation energy, енергія випромінювання

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://ais.khpi.edu.ua/article/download/2522-9052.2019.4.20/188278
https://doaj.org/article/aac571b5d9a14e2bb3f3b4b2624abdb4
http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/43610
http://ais.khpi.edu.ua/article/view/2522-9052.2019.4.20

ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКОСЛОЙНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР n-CdS/p-CeF3 И ИССЛЕДОВАНИЕ ИХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ

Συγγραφείς: Давронов Шахбос Эркин ўғли

Πηγή: Results of National Scientific Research International Journal, 1(7), 326-338, (2022-11-04)

Θεματικοί όροι: Технология получения тонкослойных гетероструктур, n-CdS/p-CeF3, электрические свойства, механизм передачи тока, многоступенчатая туннельная рекомбинация, процессы связанные с состояниями поверхности, механизм переноса носителей заряда, эмиссия Френкеля-Пулла, туннелирование, потенциальный барьер и др

Relation: https://doi.org/10.5281/zenodo.7292667; https://doi.org/10.5281/zenodo.7292668; oai:zenodo.org:7292668

Διαθεσιμότητα: https://doi.org/10.5281/zenodo.7292668

High-Sensitive Two-Layer Photoresistors Based on p-Cd x Hg1–xTe with a Converted Near-Surface Layer

Συγγραφείς: Ismailov, N. D., Talipov, Niyaz Kh., Voytsekhovskiy, Alexander V.

Πηγή: Russian physics journal. 2018. Vol. 60, № 12. P. 2186-2192

Θεματικοί όροι: фоторезисторы, конвертированные слои, фоточувствительность, 0103 physical sciences, время релаксации, 7. Clean energy, 01 natural sciences, потенциальный барьер

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://ui.adsabs.harvard.edu/abs/2018RuPhJ..60.2186I/abstract
https://link.springer.com/article/10.1007/s11182-018-1344-3
https://link.springer.com/content/pdf/10.1007%2Fs11182-018-1344-3.pdf
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000724005

Спин-зависимое многоканальное туннелирование электрона в квантовой проволоке в продольном магнитном поле ; Spin-dependent multichannel tunneling of electron in a quantum wire in a longitudinal magnetic field

Συγγραφείς: Мурадян, Атом Жораевич, Бадалян, Давид Айрапетович

Πηγή: Известия высших учебных заведений. Физика. 2024. Т. 67, № 7. С. 5-14

Θεματικοί όροι: квантовая проволoка, многоканальное туннелирование, магнитное поле, потенциальный барьер дефекта

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: koha:001144330; https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001144330

Διαθεσιμότητα: https://doi.org/10.17223/00213411/67/7/1
https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001144330

Описание строения микросхем с последующим моделированием работы выпрямительного диода 1n1202с в программе multisim

Πηγή: Вопросы устойчивого развития общества.

Θεματικοί όροι: полупроводник, rectifier diode, semiconductor, диод Шоттки, Программа Multisim, потенциальный барьер, potential barrier, ширина запрещенной зоны, band gap, выпрямительный диод, Multisim program, doping of semiconductors, Schottky diode, легирование полупроводников

Calculation of the grain potential barrier in the poly− and nanocrystalline semiconductors ; Расчет потенциального барьера на границах кристаллитов в поли− и нанокристаллических полупроводниках

Συγγραφείς: A. S. Ilin, V. M. Gololobov, E. A. Forsh, P. A. Forsh, P. K. Kashkarov, А. С. Ильин, В. М. Гололобов, Е. А. Форш, П. А. Форш, П. К. Кашкаров

Συνεισφορές: This work was supported by the Russian Foundation for Basic Research (projects No. 16-32-60060 mol_a_dk and No. 15-29-01185 ofi_m)., Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (проекты № 16−32−60060 мол_а_дк и № 15−29−01185 офи_м).

Πηγή: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 20, № 2 (2017); 122-128 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 20, № 2 (2017); 122-128 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2017-2

Θεματικοί όροι: газовые сенсоры, spherical crystall, energy zone bending, potential barrier, electrical transport, electric properties, gas sensor, сферический кристаллит, изгиб энергетических зон, потенциальный барьер, электронный транспорт, электрические свойства

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/309/246; Zhang J., Liu X., Neri G., Pinna N. Nanostructured materials for room−temperature gas sensors // Adv. Mater. 2016. V. 28. P. 795—831. DOI:10.1002/adma.201503825; Kirillin M. Y., Sergeeva E. A., Agrba P. D., Krainov A. D., Ezhov A. A., Shuleiko D. V., Kashkarov P. K., Zabotnov S. V. Laser− ablated silicon nanoparticles: optical properties and perspectives in optical coherence tomography // Laser Physics. 2015. V. 25. P. 75604. DOI:10.1088/1054−660X/25/7/075604; Polster S., Jank M. P. M., Frey L. Correlation of film morphology and defect content with the charge−carrier transport in thin−film transistors based on ZnO nanoparticles // J. Appl. Phys. 2016. V. 119. P. 024504. DOI:10.1063/1.4939289; Kashaev F. V., Kaminskaya T. P., Zabotnov S. V., Golovan L. A. Structural properties of silicon nanoparticles obtained via femtosecond laser ablation in gases at different pressures // Optical and Quantum Electronics. 2016. V. 48. P. 348. DOI:10.1007/s11082− 016−0617−8; Korotcenkov G., Brinzari V., Cho B. K. In2O3− and SnO2− Based Thin Film Ozone Sensors: Fundamentals // J. Sensors. 2016. V. 2016. Article 3816094 (31 p). DOI:10.1155/2016/3816094; Marques V. P. B., Cilense M., Bueno P. R., Orlandi M. O., Varela J. A., Longo E. Qualitative evaluation of active potential barriers in SnO2−based polycrystalline devices by electrostatic force microscopy // Appl. Phys. A. 2007. V. 87. P. 793—796. DOI:10.1007/ s00339−007−3922−z; Tsurekawa S., Kido K., Watanabe T. Measurements of potential barrier height of grain boundaries in polycrystalline silicon by Kelvin probe force microscopy // Philosophical Magazine Letters. 2005. V. 85. P. 41—49. DOI:10.1080/09500830500153859; Lecomber P. G., Willeke G., Spear W. E. Some new results on transport and density of state distribution in glow discharge microcrystalline silicon // J. Non−Crystalline Solids. 1983. V. 59–60. P. 795—798. DOI:10.1016/0022−3093(83)90290−9; Seto J. Y. W. The electrical properties of polycrystalline silicon films// J. Appl. Phys. 1975. V. 46. P. 5247—5254. DOI:10.1063/1.321593; Ni J., Arnold E. Electrical conductivity of semi−insulating polycrystalline silicon and its dependence upon oxygen content // Appl. Phys. Lett. 1981. V. 39. P. 554—556. DOI:10.1063/1.92791; Weis T., Lipperheide R., Wille U., Brehme S., Kanschat P., Fuhs W. Barrier−limited carrier transport in highly n−doped mc− Si:H thin films // J. Non−Crystalline Solids. 2002. V. 299. P. 380—384. DOI:10.1016/S0022−3093(01)00954−1; Kara I., Atilgan A., Serin T., Yildiz A. Effects of Co and Cu dopants on the structural, optical, and electrical properties of ZnO nanocrystals // J. Materials Science: Materials in Electronics. 2017. V. 28. P. 6088—6092. DOI:10.1007/s10854−016−6285−4; Ilin A., Forsh E., Fantina N., Martyshov M., Forsh P., Kashkarov P. Influence of In2O3 Nanocrystal Size on the Conductivity and Photoconductivity in the NO2 Atmosphere // J. Nanoelectronics and Optoelectronics. 2015. V. 10. P. 680—682. DOI:10.1166/ jno.2015.1731; Grossmann K., Weimar U., Barsan N. Semiconducting Metal Oxides Based Gas Sensors, Tuebingen, Germany, Elsevier Inc., 2013, 477 p. DOI:10.1016/B978−0−12−396489−2.00008−4; Lu F., Liu Y., Dong M., Wang X. Nanosized tin oxide as the novel material with simultaneous detection towards CO, H2 and CH4 // Sensors and Actuators B: Chemical. 2000. V. 66. − P. 225—227. DOI:10.1016/S0925−4005(00)00371−3; Белышева Т. В., Иким М. И., Ильин А. С., Кашкаров П. К., Мартышов М. Н., Paltiel Y., Трахтенберг Л. И., Фантина Н. П., Форш П. А. Особенности электрических и фотоэлектрических свойств пленок нанокристаллических оксидов индия и цинка // Химическая Физика. 2016. Т. 35. С. 42—48. DOI:10.7868/ S0207401X16100046; Ilin A., Martyshov M., Forsh E., Forsh P., Rumyantseva M., Abakumov A., Gaskov A., Kashkarov P. UV effect on NO2 sensing properties of nanocrystalline In2O3 // Sensors and Actuators B: Chemical. 2016. V. 231. P. 491—496. DOI:10.1016/j.snb.2016.03.051; Ильин А. С., Фантина Н. П., Мартышов М. Н., Форш П. А., Воронцов А. С., Румянцева М. Н., Гаськов А. М., Кашкаров П. К. Влияние напряжения на чувствительность нанокристаллического оксида индия к диоксиду азота в условиях ультрафиолетовой подсветки // Письма в ЖТФ. 2015. Т. 41, № 5. С. 97—102.; Forsh E. A., Abakumov A. M., Zaytsev V. B., Konstantinova E. A., Forsh P. A., Rumyantseva M. N., Gaskov A. M., Kashkarov P. K. Optical and photoelectrical properties of nanocrystalline indium oxide with small grains // Thin Solid Films. 2015. V. 595. P. 25—31. DOI:10.1016/j.tsf.2015.10.053; Khiabani P. S., Marzbanrad E., Zamani C., Riahifar R., Raissi B. Fabrication of In2O3 based NO2 gas sensor through AC−electrophoretic deposition// Sensors and Actuators B: Chemical. 2012. V. 166–167. P. 128—134. DOI:10.1016/j.snb.2012.01.028; Ayeshamariam A., Bououdina M., Sanjeeviraja C. Optical, electrical and sensing properties of In2O3 nanoparticles// Materials Science in Semiconductor Processing. 2013. V. 16. P. 686—695. DOI:10.1016/j.mssp.2012.12.009; Rumyantseva M. N., Gaskov A. M., Rosman N., Pagnier T., Morante J. R. Raman surface vibration modes in nanocrystalline SnO2: correlation with gas sensing performances // Chemistry of Materials. 2005. V. 17. P. 893—901. DOI:10.1021/cm0490470; Chizhov A. S., Rumyantseva M. N., Vasiliev R. B., Filatova D. G., Drozdov K. A., Krylov I. V., Marchevsky A. V., Karakulina O. M., Abakumov A. M., Gaskov A. M. Visible light activation of room temperature NO2 gas sensors based on ZnO, SnO2 and In2O3 sensitized with CdSe quantum dots // Thin Solid Films. 2016. V. 618. P. 253—262. DOI:10.1016/j.tsf.2016.09.029; Белышева Т. В., Гатин А. К., Гришин М. В., Иким М. И., Матюк В. М., Сарвадий С. Ю., Трахтенберг Л. И., Шуб Б. Р. Структура и физико−химические свойства наноструктурированных пленок оксидов металлов — чувствительного слоя газовых сенсоров // Химическая Физика. 2015. Т. 34. С. 56—67. DOI:10.7868/ S0207401X15090046; Бонч−Бруевич В. Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников. − М.: Наука, 1977.; Korotcenkov G. The role of morphology and crystallographic structure of metal oxides in response of conductometric− type gas sensors // Materials Science and Engineering R: Reports. 2008. V. 61. P. 1—39. DOI:10.1016/j.mser.2008.02.001; Bierwagen O. Indium oxide — a transparent, wide−band gap semiconductor for (opto)electronic applications // Semiconductor Science and Technology. 2015. V. 30. P. 24001. DOI:10.1088/0268− 1242/30/2/024001; Barsan N., Weimar U. Conduction Model of Metal Oxide Gas Sensors // J. Electroceramics. 2001. V. 7. P. 143—167. DOI:10.1023/A:1014405811371; Gerasimov G. N., Gromov V. F., Ilegbusi O. J., Trakhtenberg L. I. The mechanisms of sensory phenomena in binary metal−oxide nanocomposites // Sensors and Actuators B: Chemical. 2017. V. 240. P. 613—624. DOI:10.1016/j.snb.2016.09.007; Ansari S. G., Boroojerdian P., Sainkar S. R., Karekar R. N., Aiyer R. C., Kulkarni S. K. Grain size effects on H2 gas sensitivity of thick film resistor using SnO2 nanoparticles // Thin Solid Films. 1997. V. 295. P. 271—276. DOI:10.1016/S0040-6090(96)09152-3; https://met.misis.ru/jour/article/view/309

Διαθεσιμότητα: https://met.misis.ru/jour/article/view/309
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2017-2-122-128

Возбуждение колебаний двумерного электронного слоя токами, наведенными внешним излучением ; Excitation of oscillations of two-dimensional electron layer by currents induced by external radiation

Συγγραφείς: Кравченко, Владимир Иванович, Яковенко, Игорь Владимирович

Θεματικοί όροι: электромагнитное поле, поток заряженных частиц, электронный газ, черенковское излучение, потенциальный барьер, electromagnetic field, electron gas, Cherenkov radiation, potential barrier, flow of charged particles

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: Кравченко В. И. Возбуждение колебаний двумерного электронного слоя токами, наведенными внешним излучением / В. И. Кравченко, И. В. Яковенко // Вісник Нац. техн. ун-ту "ХПІ" : зб. наук. пр. Сер. : Техніка та електрофізика високих напруг = Bulletin of the National Technical University "KhPI" : coll. sci. papers. Ser. : Technique and Electrophysics of High Voltage. – Харків : НТУ "ХПІ", 2018. – № 14 (1290). – С. 44-48.; http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/36421

Διαθεσιμότητα: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/36421

Dirac, Majorana and Weyl particles in the oscillating de Sitter universe, reflection from the cosmological barrier ; Отражение от космологического барьера в осциллирующей вселенной де Ситтера частиц Дирака, Майораны и Вейля

Συγγραφείς: Е. M. Оvsiyuk, A. A. Golub, A. D. Koralkov, Е. М. Овсиюк, А. А. Голуб, А. Д. Коральков

Συνεισφορές: V. M. Redkov, В.М. Редьков

Πηγή: Proceedings of the National Academy of Sciences of Belarus. Physics and Mathematics Series; Том 54, № 3 (2018); 300-315 ; Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук; Том 54, № 3 (2018); 300-315 ; 2524-2415 ; 1561-2430 ; 10.29235/1561-2430-2018-54-3

Θεματικοί όροι: полное отражение частиц, Dirac, Majorana and Weyl equations, oscillating de Sitter universe, effective potential barrier, complete reflection of the particles, уравнения Дирака, Майораны, Вейля, осциллирующая Вселенная де Ситтера, эффективный потенциальный барьер

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://vestifm.belnauka.by/jour/article/view/334/313; Maxwell equations in Riemannian space-time, geometry effect on material equations in media / V. M. Red’kov [et al.] // Nonlinear Phenomena in Complex Systems. – 2009. – Vol. 12, № 3. – P. 232–250.; Овсиюк, Е. М. О решениях уравнений Максвелла в квазидекартовых координатах в пространстве Лобачевского / Е. М. Овсиюк, В. М. Редьков // Вес. Нац. акад. навук Беларусi. Сер. фiз.-мат. навук. – 2009. – № 4. – С. 99–105.; Новые задачи квантовой механики и уравнение Гойна / Е. М. Овсиюк [и др.] // Науч.-техн. ведомости СПбГПУ. Сер. физ.-мат. науки. – 2012. – № 1 (141). – С. 137–145.; Овсиюк, Е. М. О моделировании потенциального барьера в теории Шредингера геометрией пространства Лобачевского / Е. М. Овсиюк, О. В. Веко // Весн. Брэсц. ун-та. Сер. 4, Фiзiка, матэматыка. – 2011. – № 2. – C. 30–36.; Овсиюк, Е. М. Решения типа плоских волн для частицы со спином 1/2 в пространстве Лобачевского / Е. М. Овсиюк, О. В. Веко // Вес. Нац. акад. навук Беларусi. Сер. фiз.-мат. навук. – 2012. – № 4. – С. 80–83.; Ovsiyuk, E. M. On simulating a medium with special reflecting properties by Lobachevsky geometry / E. M. Ovsiyuk, O. V. Veko, V. M. Red’kov // Nonlinear Phenomena in Complex Systems. – 2013. – Vol. 16, № 4. – P. 331–344.; Овсиюк, Е. М. О моделировании среды со свойствами идеального зеркала по отношению к свету и частицам со спином 1/2 / Е. М. Овсиюк, О. В. Веко, В. М. Редьков. // Вес. Нац. акад. навук Беларусi. Сер. фiз.-мат. навук. – 2015. – № 1. – C. 76–85.; Овсиюк, Е. М. Скалярное поле в осциллирующей Вселенной де Ситтера и отражение от космологического барьера / E. M. Овсиюк, А. Д. Коральков // Докл. Нац. акад. наук Беларуси. – 2017. – Т. 61, № 3. – C. 18–25.; Red'kov, V. M. Parabolic coordinates and the hydrogen atom in spaces H3 and S3 / V. M. Red'kov, E. M. Ovsiyuk // Nonlinear Phenomena in Complex Systems. – 2011. – Vol. 14, № 2. – P. 1–20.; Редьков, В. М. Частица в магнитном поле: 2-мерное сферическое пространство Римана и комплексный аналог полуплоскости Пуанкаре / В. М. Редьков, Е. М. Овсиюк, А. М. Ишханян // Докл. Нац. акад. наук Беларуси. – 2013. – Т. 57, № 1. – С. 55–62.; Бейтмен, Г. Высшие трансцендентные функции / Г. Бейтмен, А. Эрдеи. – М.: Наука, 1973. – Т. 1: Гипергеометрическая функция, функции Лежандра. – 294 c.; Редьков, В. М. Поля частиц в римановом пространстве и группа Лоренца / В. М. Редьков. – Минск: Белорус. наука, 2009. – 496 с.; https://vestifm.belnauka.by/jour/article/view/334

Διαθεσιμότητα: https://vestifm.belnauka.by/jour/article/view/334
https://doi.org/10.29235/1561-2430-2018-54-3-300-315

Indukovani potencijal između interaktivnih čestica u nano nivoima / Induced potential between interacting particles at nanolevels / Наведенный потенциал между взаимодействующими частицами на наноуровне

Συγγραφείς: Leonid I. Gretchihin / Леонид И. Гречихин, Svetlana D. Latushkina / Светлана Д. Латушкина, Viktoryia M. Kamarouskaya / Виктория М. Комаровская

Πηγή: Vojnotehnički Glasnik, Vol 63, Iss 3, Pp 029-041 (2015)

Θεματικοί όροι: binarna interakcija, potencijalna barijera, vezana energija, binary interaction, potential barrier, binding energy, бинарное взаимодействие, потенциальный барьер, энергия связи, Military Science, Engineering (General). Civil engineering (General), TA1-2040

Περιγραφή αρχείου: electronic resource

Relation: http://aseestant.ceon.rs/index.php/vtg/article/view/7721; https://doaj.org/toc/0042-8469; https://doaj.org/toc/2217-4753

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://doaj.org/article/02276acfdd714545aea81d6ec9dc8b6a

electron gas parameters change inside langmuir layer in electric propulsion devices

Συγγραφείς: Roshanpur, Shahram

Πηγή: Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 4, № 5(64) (2013): Applied physics; 36-39
Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 4, № 5(64) (2013): Прикладная физика; 36-39
Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 4, № 5(64) (2013): Прикладна фізика; 36-39

Θεματικοί όροι: электроракетные двигатели, потенциальный барьер, интеграл Ландау, граничные условия, електроракетні двигуни, потенційний бар'єр, інтеграл Ландау, граничні умови, 7. Clean energy, electric propulsion thrusters, potential barrier, Landau integral, boundary conditions, УДК 533.9.07

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://cyberleninka.ru/article/n/electron-gas-parameters-change-inside-langmuir-layer-in-electric-propulsion-devices
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/16675
https://cyberleninka.ru/article/n/electron-gas-parameters-change-inside-langmuir-layer-in-electric-propulsion-devices.pdf
https://www.neliti.com/publications/305400/%D0%B7%D0%BC%D1%96%D0%BD%D0%B5%D0%BD%D0%BD%D1%8F-%D0%BF%D0%B0%D1%80%D0%B0%D0%BC%D0%B5%D1%82%D1%80%D1%96%D0%B2-%D0%B5%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD%D0%BD%D0%BE%D0%B3%D0%BE-%D0%B3%D0%B0%D0%B7%D1%83-%D1%83-%D0%BB%D0%B5%D0%BD%D0%B3%D0%BC%D1%8E%D1%80%D1%96%D0%B2%D1%81%D1%8C%D0%BA%D0%BE%D0%BC%D1%83-%D0%BF%D1%80%D0%BE%D1%88%D0%B0%D1%80%D0%BA%D1%83-%D0%B2-%D0%B5%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D1%80%D0%B0%D0%BA%D0%B5%D1%82%D0%BD
http://journals.uran.ua/eejet/article/download/16675/14165
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/16675

Переходное излучение токов, наведенных внешним излучением, на неоднородных границах раздела сред ; Transition radianion of currents inductd by external radiation on inhomogeneous border of surroundings separation

Συγγραφείς: Кравченко, Владимир Иванович, Бреславец, Виталий Сергеевич, Князев, Владимир Владимирович, Яковенко, Игорь Владимирович

Θεματικοί όροι: электромагнитные поля, колебания, плазма, полупроводник, кинетические неустойчивости, потенциальный барьер, поток заряженных частиц, энергия излучения

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: Переходное излучение токов, наведенных внешним излучением, на неоднородных границах раздела сред / В. И. Кравченко [и др.] // Вісник Нац. техн. ун-ту "ХПІ" : зб. наук. пр. Сер. : Техніка та електрофізика високих напруг = Bulletin of National Technical University "KhPI" : coll. works. Ser. : Technique and Electrophysics of High Voltage. – Харків : НТУ "ХПІ", 2017. – № 15 (1237). – С. 67-72.; http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/29086

Διαθεσιμότητα: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/29086

Study deformation effect of nanocrystalline photosensitivity activated thin films p-CdTe ; Изучение деформационных эффектов в нанокристаллических фоточувствительных активированных тонких пленках p-CdTe ; Вивчення деформаційних ефектів в нанокристалічних фоточутливих активованих тонких плівках p-CdTe

Συγγραφείς: Алимов, Н. Э., Ботиров, К., Мовлонов, П., Отажонов, С. М., Халилов, М. М., Эргашев, О., Якубова, Ш.

Συνεισφορές: Министерство высшего и среднего специального образования Республики Узбекистан

Πηγή: Физическая инженерия поверхности; Том 1, № 2 (2016): Журнал фізики та інженерії поверхні; 140-144 ; Фізична інженерія поверхні; Том 1, № 2 (2016): Журнал фізики та інженерії поверхні; 140-144 ; 1999-8112 ; 1999-8074

Θεματικοί όροι: photosensitivity, tensosensitivity, short circuit current, micro-potential barrier, deformation tension, stress, spectral sensitivity, potential barrier, deep level, фоточувствительность, тензочувствительность, ток короткого замыкания, микропотенциальный барьер, деформация растяжения, напряжения, спектральная чувствительность, потенциальный барьер, глубокий уровень, фоточутливість, тензочутливість, струм короткого замикання, мікро потенціальний бар’єр, деформація розтягування, напруги, спектральна чутливість, потенційний бар’єр, глибокий рівень

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: http://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/7906/7382; http://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/7906

Διαθεσιμότητα: http://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/7906

Возбуждение колебаний двумерного электронного слоя токами, наведенными внешним излучением

Θεματικοί όροι: электронный газ, electromagnetic field, Cherenkov radiation, flow of charged particles, поток заряженных частиц, электромагнитное поле, потенциальный барьер, potential barrier, черенковское излучение, electron gas

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/36421

Електричні та фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних структур МоOх/n-Si

Θεματικοί όροι: потенціальний бар'єр, charge transport mechanisms, МoOx, энергетическая диаграмма, механізми струмопереносу, Si, механизмы токопереноса, heterostructure, енергетична діаграма, потенциальный барьер, potential barrier, гетероструктура, energy diagram

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/68684

Елемент пам’яті на основі молекули пероксиду

Συγγραφείς: Кондратенко, П.O., Lopatkin, Yurii Mykhailovych

Θεματικοί όροι: дипольний момент, молекулярный переключатель, nanophysics, potential surfacep, dipole moment, influence of electric field, молекулярний перемикач, потенціальний бар'єр, потенциальная поверхность, potential barrier, потенциальный барьер, molecular switch, влияние электрического поля, вплив електричного поля, нанофізика, потенціальна поверхню, нанофизика

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/67445

Моделирование процесса переноса ионов через мембраны клеток под воздействием внешнего электромагнитного поля ; Modeling of transfer ions across cell membranes by an external electromagnetic field

Συγγραφείς: Бородай, Ирина Ивановна

Θεματικοί όροι: хранение фруктов, движение ионов, потенциальный барьер, вероятность, марковский процесс, membrane, ion motion, potential barrier, electromagnetic field, probability, Markov process

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: Бородай И. И. Моделирование процесса переноса ионов через мембраны клеток под воздействием внешнего электромагнитного поля / И. И. Бородай // Вісник Нац. техн. ун-ту "ХПІ" : зб. наук. пр. Сер. : Системний аналіз, управління та інформаційні технології. – Харків : НТУ "ХПІ", 2016. – № 45 (1217). – С. 18-21.; http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/27089

Διαθεσιμότητα: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/27089

Changes of potential barriers of low-dimensional thin film p-CdTe conditions of external influences ; Изменение потенциальных барьеров низкоразмерных тонких пленок p-CdTe в условиях внешних воздействий ; Змінювання потенційних бар’єрів низькорозмірних тонких плівок p-CdTe в умовах зовнішніх впливів

Συγγραφείς: Алимов, Н. Э., Зайнолобиддинова, С. М., Отажонов, С. М., Халилов, М. М., Юсупова, Д. А., Якубова, Ш.

Συνεισφορές: Министерство высшего и среднего специального образования Республики Узбекистан

Πηγή: Физическая инженерия поверхности; Том 1, № 1 (2016): Журнал фізики та інженерії поверхні; 52–56 ; Фізична інженерія поверхні; Том 1, № 1 (2016): Журнал фізики та інженерії поверхні; 52–56 ; 1999-8112 ; 1999-8074

Θεματικοί όροι: photosensitivity, short circuit current, potential barrier, the photo-EMF, corona discharge, electric conductivity deeper level, built-in field, фоточувствительность, ток короткого замыкания, потенциальный барьер, фото-ЭДС, коронный разряд, электропроводность, глубокий уровень, встроенное поле, фоточутливість, струм короткого замикання, потенційний бар’єр, фото-ЕРС, коронний розряд, електропровідність, глибокий рівень, вбудоване поле

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: http://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/6093/5632; http://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/6093

Διαθεσιμότητα: http://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/6093

МЕТОДОЛОГИЧЕСКАЯ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОСТЬ ПРИ РАССМОТРЕНИИ ОСНОВНЫХ ВОПРОСОВ МИКРОМИРА

Συγγραφείς: АБЕКОВА Ж.А., ОРАЛБАЕВ А.Б., АЙДАРБЕКОВ Н., БАУБЕКОВА М.К.

Θεματικοί όροι: ЧАСТИЦА В ПОТЕНЦИАЛЬНОЙ ЯМЕ,A PARTICLE IN A POTENTIAL HOLE,ВОЛНЫ ДЕ БРОЙЛЯ,DE BROGLIE'S WAVES,ВОЛНОВАЯ ФУНКЦИЯ,WAVE FUNCTION,УРАВНЕНИЕ ШРЕДИНГЕРА,SCHR?DINGER'S EQUATION,ПОТЕНЦИАЛЬНЫЙ БАРЬЕР,POTENTIAL BARRIER,ТОЧКИ ПОВОРОТА,TURN POINTS,КВАЗИКЛАССИЧЕСКОЕ ПРИБЛИЖЕНИЕ,МИКРОЧАСТИЦА,MICROPARTICLE,СОБСТВЕННЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ЭНЕРГИИ,OWN VALUES OF ENERGY,QUASICLASSICAL APPROACH

Περιγραφή αρχείου: text/html

Διαθεσιμότητα: http://cyberleninka.ru/article/n/metodologicheskaya-posledovatelnost-pri-rassmotrenii-osnovnyh-voprosov-mikromira
http://cyberleninka.ru/article_covers/16531617.png