Электрофизический метод исследования коллоидных полимерных систем

Θεματικοί όροι: Поляризационный заряд, Isothermal depolarization, Время релаксации, Relaxation time, Коллоидные полимерные системы, Изотермическая деполяризация, Магнитный наполнитель, Colloidal polymer systems, Polarization charge, Magnetic filler

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://elib.gstu.by/handle/220612/27693

Modeling the processes of formation of defects that form deep levels in SiON/AlGaN/GaN ; Процессы образования дефектов, формирующих глубоких уровни в структурах SiON/AlGaN/GaN

Συγγραφείς: K. L. Еnisherlova, I. A. Mikhaylov, L. A. Seidman, E. P. Kirilenko, Yu. V. Kolkovsky, К. Л. Енишерлова, И. А. Михайлов, Л. А. Сейдман, Е. П. Кириленко, Ю. В. Колковский

Συνεισφορές: The authors express their deep gratitude to senior researcher E.M. Temper for assistance in conducting experimental work and for participation in the discussion of the results obtained, as well as engineer S.A. Kapilin for assistance in preparing the article., Авторы выражают глубокую признательность за помощь в проведении экспериментальных работ и за участие в обсуждении полученных результатов старшему научному сотруднику Э.М. Темпер, а также за помощь в оформлении статьи инженеру С.А. Капилину.

Πηγή: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 26, № 3 (2023); 204-216 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 26, № 3 (2023); 204-216 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2023-3

Θεματικοί όροι: Оже-исследования, low-energy nitrogen plasma, polarization charge, connection of central electron channels, Auger studies, низкоэнергетическая азотная плазма, поляризационный заряд, глубокие центры канальные электроны

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/556/445; Morkoç H. Handbook of nitride semiconductors and devices: materials properties, physics and growth. In 3 vol. Wiley-VCH Verlag GmbH & Co.; 2009. Vol. 1. P. 111—812. http://dx.doi.org/10.1002/9783527628438; Lyons J.L., Wickramaratne D., Van de Walle C. A first-principles understanding of point defects and impurities in GaN. Journal of Applied Physics. 2021; 129(11): 111101. http://doi.org/10.1063/5.0041506; Asubar J., Yatabe Z., Gregusova D., Hashizume T. Controlling surface / interface states in GaN-based transistors: Surface model, insulated gate, and surface passivation. Journal of Applied Physics. 2021; 129(12): 121102. http://doi.org/10.1063/5.0039564; Chan Ch.-Y., Hsu Sh.S.H., Lin Y.-S., Chen L. Impacts of gate recess and passivation on AlGaN/GaN high electron mobility transistor. Japanese Journal of Applied Physics. 2007; 46(2): 478—484. http://doi.org/10.1143/JJAP.46.478; Zhang A., Zhang S.L., Tang Z., Cheng X., Wang Y., Chen K.J., Chan M. Modeling of capacitances for GaN HEMTs, including parasitic components. IEEE Transactions on Electron Devices. 2014; 61(3): 755—761. http://doi.org/10.1109/TED.2014.2298255; Енишерлова К.Л., Сейдман Л.А., Темпер Э.М., Концевой Ю.А. Влияние особенностей PECVD процессов осаждения SiNx на электрические параметры структур SiNx/AlGaN/GaN. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2021; 24(2): 107—118. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2021-2-107-118; Ganguly S., Verma J., Li G., Zimmermann T., Xing H., Jena D. Presence and origin of interface charges at atomic-layer deposited Al2O3/III-nitride heterojunctions. Applied Physics Letters. 2011; 99(24): 193504. https://doi.org/10.1063/1.3671324; Cai Y., Zhou Y., Lau K.M., Chen K.J. Control of threshold voltage of AlGaN/GaN HEMTs by fluoride-based plasma treatment: From depletion mode to enhancement mode. IEEE Transactions on Electron Devices. 2006; 53(9): 2207—2215. https://doi.org/0.1109/TED.2006.881054; Yamaji K., Noborio M., Suda J., Kimoto T. Improvement of channel mobility in inversion-type n-channel GaN metal-oxide-semiconductor field-effect transistor by high-temperature annealing. Japanese Journal of Applied Physics. 2008; 47(10): 7784—7787. https://doi.org/10.1143/JJAP.47.7784; Enisherlova K.L., Seidman L.A., Bogolyubova S.Yu. Effect of treatment in nitrogen plasma on the electrical parameters of AlGaN/GaN heterostructures. Russian Microelectronics. 2022; 51(8): 686—695. https://doi.org/10.1134/S1063739722080133; Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Под ред. Д. Бриггса и М.П. Сиха. М.: Мир; 1987. 598 с.; Hofmann S. Auger- and X-ray photoelectron spectroscopy in materials science: a user-oriented guide. Springer Science & Business Media; 2013. Vol. 49. 528 p. https://doi.org/10.1007/978-3-642-27381-0; Matsunaga F., Kakibayashi H., Mishima T., Kawase S. Influence of ion sputtering on Auger electron spectroscopy depth-profiling of GaAs/AlGaAs superstructure. Japanese Journal of Applied Physics. 1988; 27(1R): 149—150. https://doi.org/10.1143/JJAP.27.149; Mroczkowski S., Lichtman D. Calculated Auger sensitivity factors compared to experimental handbook values. Surface Science. 1983; 131(1): 159—166.; Монахова Ю.Б., Муштакова С.П. Математическая обработка спектров при анализе смесей методом независимых компонент: идентификация и количественный анализ. Журнал аналитической химии. 2012; 67(12): 1044—1051. https://elibrary.ru/pddpip; Enisherlova K.L., Temper E.M., Kolkovskij Yu.V., Medvedev B.K., Kapilin S.A. The ALD films of Al2O3, SiNx, and SiON as passivation coatings in AlGaN/GaN HEMT. Russian Microelectronics. 2020; 49(8): 603—611. https://doi.org/10.1134/S106373972008003X; Greco G., Giannazzo F., Frazzetto A., Raineri V., Roccaforte F. Near-surface processing on AlGaN/GaN. Nanoscale Research Letters. 2011; 6(1): 132. https://doi.org/10.1186/1556-276X-6-132; Liu X., Wang X., Zhang Y., Wei K., Zheng Y., Kang X., Jiang H., Li J., Wang W., Wu X., Wang X.P., Huang S. Insight into the near-conduction band states at the crystallized interface between GaN and SiNx grown by low-pressure chemical vapor deposition. ACS Applied Materials & Interfaces. 2018; 10(25): 21078—21103. https://doi.org/10.1021/acsami.8b04694.s001; https://met.misis.ru/jour/article/view/556

Διαθεσιμότητα: https://met.misis.ru/jour/article/view/556
https://doi.org/10.17073/1609-3577j.met202306.556

Effect of treatment in nitrogen plasma on the electrical parameters of AlGaN/GaN heterostructures ; Влияние обработки в азотной плазме на электрические параметры гетероструктур AlGaN/GaN

Συγγραφείς: K. L. Еnisherlova, L. A. Seidman, S. Yu. Bogolyubova, К. Л. Енишерлова, Л. А. Сейдман, С. Ю. Боголюбова

Συνεισφορές: he authors are grateful for the discussion of the results of V.G. Goryachev and E.M. Temper., Авторы выражают благодарность за обсуждение результатов В.Г. Горячеву и Э.М. Темпер

Πηγή: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 25, № 3 (2022); 227-237 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 25, № 3 (2022); 227-237 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2022-3

Θεματικοί όροι: поляризационный заряд, collapse, dispersion, deep levels, point defects, density and mobility of free carriers, band diagrams, polarization charge, коллапс, дисперсия, глубокие уровни, точечные дефекты плотность и подвижность свободных носителей, зонные диаграммы

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/491/391; Hashizume T., Nishiguchi K., Kaneki S., Kuzmik J., Yatabe Z. State of the art on gate insulation and surface passivation for GaN-based power HEMTs. Materials Science in Semiconductor Processing. 2018; 78: 85—95. https://doi.org/10.1016/j.mssp.2017.09.028; Васильев А.Г., Колковский Ю.В., Концевой Ю.А. СВЧ-приборы и устройства на широкозонных полупроводниках. М.: Техносфера; 2011. 415 с.; Chan C.Y., Lee T.C., Hsu S.S., Chen L., Lin Y.S. Impacts of gate recess and passivation on AlGaN/GaN high electron mobility transistors. Japanese Journal of Applied Physics. 2007; 46(2R): 478. https://doi.org/10.1143/JJAP.46.478; Zhang A., Zhang L., Tang Z., Cheng X., Wang Y., Chen K.J., Chan M. Analytical modeling of capacitances for GaN HEMTs, including parasitic components. IEEE Transactions on Electron Devices. 2014; 61(3): 755—761. https://doi.org/10.1109/TED.2014.2298255; Asubar J.T., Yatabe Z., Gregusova D., Hashizume T. Controlling surface/interface states in GaN-based transistors: surface model, insulated gate, and surface passivation. Journal of Applied Physics. 2021; 129(12): 121102. https://doi.org/10.1063/5.0039564; Lyons J.L., Wickramaratne D., Van de Walle C.G. A first-principles understanding of point defects and impurities in GaN. Journal of Applied Physics. 2021; 129(11): 111101. https://doi.org/10.1063/5.0041506; Enisherlova K.L., Kulikauskas V.S., Seidman L.A., Pishchagin V.V., Konovalov A.M., Korneev V.I. Plasma-chemical treatment effect observed during the fabrication of AlGaN/GaN devices. Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2015; 9(4): 684—693. https://doi.org/10.1134/S102745101504008; Берлин Е.В., Григорьев В.Ю., Сейдман Л.А. Индуктивные источники высокоплотной плазмы и их технологические применения. М.: Техносфера; 2018. 461 с.; Enisherlova K.L., Seidman L.A., Temper E.M., Kontsevoy Y.A. Effect of PECVD SiNx deposition process parameters on electrical properties of SiNx/AlGaN/GaN structures. Modern Electronic Materials. 2021; 7(2): 63—72. https://doi.org/10.3897/j. moem.7.2.73293; Сейдман Л.А., Концевой Ю.А., Енишерлова К.Л., Миннебаев С.В. Пленки SiNx, полученные методом PECVD, в качестве пассивации AlGaN/GaN HEMT. Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы. 2020; (3(258)): 22—33. https://doi.org/10.36815/2073-8250-2020-258-3-22-33; Груздов В.В., Колковский Ю.А., Концевой Ю.А. Входной и технологический контроль материалов и структур твердотельной СВЧ электроники. М.: Техносфера; 2017. 93 с.; Nguyen D., Hogan K., Blew A., Cordes M. Improved process control, lowered costs and reduced risks through the use of non-destructive mobility and sheet carrier density measurements on GaAs and GaN wafers. Journal of Crystal Growth. 2004; 272(1-4): 59—64. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.08.046; Миннебаев С.В., Сейдман Л.А. Результаты воздействия предварительной обработки ионами плазмы азота гетероструктур AlGaN/GaN перед осаждением на них защитного покрытия SiNx методом PEСVD. Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы. 2021; (1(260)): 20—33. https://doi.org/10.36845/2073-8250-2021-260-1-20-33; Батавин В.В., Концевой Ю.А., Федорович Ю.В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь; 1985. 264 с.; Куэй Р. Электроника на основе нитрида галлия / пер. с англ. М.: Техносфера; 2011. 587 с.; Ganguly S., Verma J., Li G., Zimmermann T., Xing H., Jena D. Presence and origin of interface charges at atomic-layer deposited Al2O3/III-nitride heterojunctions. Applied Physics Letters. 2011; 99(19): 193504. https://doi.org/10.1063/1.3658450; Braga N., Mickevicius R., Gaska R., Shur M.S., Khan M.A., Simin G. Simulation of gate lag and current collapse in gallium nitride field-effect transistors. Applied Physics Letters. 2004; 85(20): 4780—4782. https://doi.org/10.1063/1.1823018; Yamaji K., Noborio M., Suda J., Kimoto T. Improvement of channel mobility in inversion-type n-channel GaN metal–oxide–semiconductor field-effect transistor by high-temperature annealing. Japanese Journal of Applied Physics. 2008; 47(10R): 7784. https://doi.org/10.1143/JJAP.47.7784; Кошкин А.В., Миннебаев С.В., Сейдман Л.А. Особенности измерения слоевого сопротивления на установке LEI-1610. Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы. 2022; (1(264)): 30—36. https://doi.org/10.36845/2073-8259-2022-264-1-30-36; Сейдман Л.А. Влияния подачи ВЧ смещения на подложку AlGaN/GaN в процессе плазмохимического осаждения защитного покрытия SiNx. Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы. 2021; (2(261)): 19—28. https://doi.org/10.36845/2073-8250-2021-261-2-19-28; https://met.misis.ru/jour/article/view/491

Διαθεσιμότητα: https://met.misis.ru/jour/article/view/491
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2022-3-227-237

Электрофизический метод исследования коллоидных полимерных систем ; Electrophysical Method of Investigation of Colloidal Polymer Systems

Συγγραφείς: Ухарцева, И. Ю., Кадолич, Ж. В.

Θεματικοί όροι: Коллоидные полимерные системы, Изотермическая деполяризация, Магнитный наполнитель, Поляризационный заряд, Время релаксации, Colloidal polymer systems, Isothermal depolarization, Magnetic filler, Polarization charge, Relaxation time

Θέμα γεωγραφικό: Гомель

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://elib.gstu.by/handle/220612/27693; 537.29:541.182.4.6

Διαθεσιμότητα: https://elib.gstu.by/handle/220612/27693

Применение метода изотермической деполяризации в пищевой промышленности

Θεματικοί όροι: Поляризационный заряд, Isothermal depolarization, Время релаксации, Relaxation time, Изотермическая деполяризация, Дисперсные системы, Dispersions, Polarization charge

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://elib.gstu.by/handle/220612/38768

Применение метода изотермической деполяризации в пищевой промышленности

Συγγραφείς: Ухарцева, И. Ю., Цветкова, Е. А., Кадолич, Ж. В.

Θεματικοί όροι: Изотермическая деполяризация, Дисперсные системы, Поляризационный заряд, Время релаксации, Isothermal depolarization, Dispersions, Polarization charge, Relaxation time

Θέμα γεωγραφικό: Гомель

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: Ухарцева, И. Ю. Применение метода изотермической деполяризации в пищевой промышленности / И. Ю. Ухарцева, Е. А. Цветкова, Ж. В. Кадолич // Потребительская кооперация. – 2016. – № 2. – С. 77–81.; https://elib.gstu.by/handle/220612/38768; 537.29:541.182.4/6

Διαθεσιμότητα: https://elib.gstu.by/handle/220612/38768

Применение метода изотермической деполяризации в пищевой промышленности

Συγγραφείς: Ухарцева, И.Ю., Цветкова, Е.А., Кадолич, Ж.В.

Θεματικοί όροι: Изотермическая деполяризация, Дисперсные системы, Поляризационный заряд, Время релаксации

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: 24.6

Διαθεσιμότητα: http://lib.i-bteu.by/handle/22092014/2110