Термодинамічні властивості монокристалів кремнію, легованих домішкою бора

Subject Terms: Monocrystals of silicon, Impurity of boron, Энергия Гиббса, Енергія Гіббса, Конфигурационная энтропия, Parameter of complexformation, Домішка бору, Configuration entropy, Параметр комплексообразования, Монокристали кремнію, Монокристаллы кремния, Примесь бора, Конфігураційна ентропія, Gibbs energy, Параметр комплексоутворення

File Description: application/pdf

Access URL: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/65762

Термодинамічні властивості монокристалів кремнію, легованих домішкою бора ; Thermodynamic Properties of Monocrystals of Silicon Doped Boron Impurity ; Термодинамические свойства монокристаллов кремния, легированных примесью бора

Authors: Панченко, О.В.

Subject Terms: Монокристали кремнію, Конфігураційна ентропія, Енергія Гіббса, Параметр комплексоутворення, Домішка бору, Monocrystals of silicon, Configuration entropy, Gibbs energy, Parameter of complexformation, Impurity of boron, Монокристаллы кремния, Конфигурационная энтропия, Энергия Гиббса, Параметр комплексообразования, Примесь бора

File Description: application/pdf

Relation: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/65762

Availability: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/65762