Search Results - "ПРОСТРАНСТВЕННЫЙ ЗАРЯД"

Source: Scientific Herald of Uzhhorod University.Series Physics; Том 6 (2000); 27-31
Научный вестник Ужгородского университета. Серия Физика; Том 6 (2000); 27-31
Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика; Том 6 (2000); 27-31

Subject Terms: Просторовий заряд, Фотострум, Дрейфова рухливість, Space charge, Photocurrent, Drift mobility, 7. Clean energy, Пространственный заряд, Фототок, Дрейфовая подвижность

File Description: application/pdf

Access URL: http://fizyka-visnyk.uzhnu.edu.ua/article/view/143065

View record at OpenAIRE

8

Academic Journal

Бічні планарні діодні переходи на листі графену з різними областями функціоналізації

Subject Terms: Кулонівські потенціали, Бічні планарні переходи, Хлорографен, Chlorographene, Density of electronic states, Расчеты из первых принципов, Fluorographene, Пространственный заряд, Флюрографен, Spatial charge, Calculations from the first principles, Графен, Густини електронних станів, Плотности электронных состояний, Графан, Lateral planar junctions, Coulomb potentials, Кулоновские потенциалы, Graphene, Просторовий заряд, Розрахунки із перших принципів, Боковые планарные переходы, Graphane

File Description: application/pdf

Access URL: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/66050

View record at OpenAIRE

9

Academic Journal

INFLUENCE OF SILICON LAYER PROPERTIES ON CAPACITANCE PARAMETERS OF MIS/SOS-STRUCTURES ; ВЛИЯНИЕ СВОЙСТВ СЛОЯ КРЕМНИЯ НА ЕМКОСТНЫЕ ПАРАМЕТРЫ МДП/КНС–СТРУКТУР

Authors: K. L. Enisherlova, V. G. Goriachev, E. M. Temper, S. A. Kapilin, К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, Э. М. Темпер, С. А. Капилин

Source: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; № 1 (2013); 53-60 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; № 1 (2013); 53-60 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2013-1

Subject Terms: донорные глубокие уровни, recrystallization layer, deep compensate levels, перекристаллизованный слой, эквивалентная схема, емкостные характеристики, частотно−емкостная зависимость, пространственный заряд

File Description: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/49/44; Nakamura, T. Silicon on sapphire (SOS) device technology / T. Nakamura, H. Matsuhashi, Y. Nagatomo // Oki Techn. Rev. – 2004. – Iss. 200. – V. 71, N 4. – Р. 66—69.; Мустафаев, Aб. Г. Исследование гетероэпитаксии кремния на сапфире при создании транзисторных структур / Aб. Г. Мустафаев, Г. А. Мустафаев, Ар. Г. Мустафаев // Нано-и микросистемная техника. – 2011. – № 8. – С. 41—43.; Александров, П. А. Особенности процесса твердофазной рекристаллизации аморфизированных ионами кислорода структур кремний-на-сапфире / П. А. Александров, К. Д. Демаков, С. Г. Шемардов, Ю. Ю. Кузнецов // Физика и техника полупроводников. – 2009. – Т. 43, вып. 5. – С. 627—629.; Jaron, G. Application of laser annealing techniques to increase channel mobility in silicon on sapphire transistors / G. Jaron, L. D. Hess // Appl. Phys. Lett. – 1980. – V. 36, N 3. – Р. 220.; Алябьев, И. В. Состояние и проблемы КНС−технологии / И. В. Алябьев, Н. И. Блецкан, В. С. Папков // Электронная промышленность. – 1983. – Вып. 1(118). – С. 47—51.; Сhristoloveanu, S. Electrical characterization techniques for silicon on iInsulator materials and devices / G. Сhristoloveanu // NATO ASI Ser. – 1995. – V. 4. – P. 109—132.; Енишерлова, К. Л. Влияние облучения на электрические параметры границы раздела кремний-сапфир в КНС-структурах / К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, Е. Л. Шоболов // Электрон. техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. – 2011. – Вып. 2(227). – C. 70—80.; Тихов, С. В. Электрофизические свойства тонких слоев кремния на сапфире, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии / С. В. Тихов, В. Г. Шенгуров, Д. А. Павлов, П. А. Шиляев, Е. А. Питиримова, В. Н. Трушин, Е. В. Коротков, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков // Вестн. Нижегородского университета им. Н. И. Лобачевского, Физика твердого тела. – 2010. – № 2(1). – С. 60—65.; Neaman, D. Silicon sapphire interface charge trapping-effects of sppphire type and epi growth conditijns / D. Neaman, W. Shedd, B. Buchanan // IEEE Trans. Nucl. Sci. – 1976. – V. NS – 23, N 6. – Р. 1590—1593.; Linda, F. H. JFET/SOS Devices−Pawrt II: Gamma-Radiation Induced effects / F. H. Linda, G. Thomas, Z. Zietlow, C. Barnts // IEEE Transactions on Electron Devicts, – 1988. – V. 35, N 3. – P. 359—364.; Шулаков, А. С. Свойства межфазовой границы Al2O3/Si / А. С. Шулаков, А. П. Брайко, С. В. Букин, В. Е. Дрозд // ФТТ. – 2004. – Т. 46, вып. 10. – С. 1868—1875.; Schwank, J. Tоtal dose effects in MOS devices / J. Schwank // Short Course notebook: Radiation Effects - From Particles to Payloads. IEEE NSREC. – 2002. – Ch. 3. – P. 1—123.; Сaгоян, А. В. Особенности формирования и релаксации заряда в КНС-структурах при воздействии ионизирующего излучения / А. В. Сaгоян, Г. Г. Давыдов // Микроэлектроника. – 2011. – Т. 40, № 3. – С. 209—223.; https://met.misis.ru/jour/article/view/49

Availability: https://met.misis.ru/jour/article/view/49
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-1-53-60

View record from BASE

10

Academic Journal

Входная ионная оптика квадрупольных масс-спектрометров с индуктивно связанной плазмой. Часть 1. Системы цилиндрической симметрии с прямолинейной осью

Authors: Surikov, V. T., Pupyshev, A. A.

Subject Terms: INTERFACE, INDUCTIVELY COUPLED PLASMA MASS SPECTROMETRY, ИОННАЯ ОПТИКА, ФОТОСТОП, SPACE CHARGE, ИНТЕРФЕЙС, PHOTON-STOP, ЦИЛИНДРИЧЕСКАЯ СИММЕТРИЯ, ПРОСТРАНСТВЕННЫЙ ЗАРЯД, CYLINDRICAL SYMMETRY, ION OPTICS, МАСС-СПЕКТРОМЕТРИЯ С ИНДУКТИВНО СВЯЗАННОЙ ПЛАЗМОЙ

File Description: application/pdf

Access URL: http://elar.urfu.ru/handle/10995/42493

11

Academic Journal

Математическая модель переноса ионов через границу раздела: ионообменая мембрана/сильный электролит

Source: Политематический сетевой электронный научный журнал Кубанского государственного аграрного университета.

Subject Terms: МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ,ПРОЦЕСС ПЕРЕНОСА,ГРАНИЦА РАЗДЕЛА,МОРФОЛОГИЯ ПОВЕРХНОСТИ,МИКРОРЕЛЬЕФ ПОВЕРХНОСТИ ПРОСТРАНСТВЕННЫЙ ЗАРЯД,ДИССОЦИАЦИЯ МОЛЕКУЛ ВОДЫ,MATHEMATICAL MODELING,TRANSPORT PROCESSES,INTERFACE,SURFACE MORPHOLOGY,MICRORELIEFE SURFACE,SPACE CHARGE,DISSOCIATION WATER MOLECYLS

File Description: text/html

Access URL: http://cyberleninka.ru/article/n/matematicheskaya-model-perenosa-ionov-cherez-granitsu-razdela-ionoobmenaya-membrana-silnyy-elektrolit
http://cyberleninka.ru/article_covers/16949226.png

View record at OpenAIRE

12

Academic Journal

CHARGE CARRIERS TRANSPORT MECHANISM IN A-TNF THIN LAYERS

Authors: KASHIRSKIY I.M.

Subject Terms: АМОРФНЫЕ ТВЁРДЫЕ ТЕЛА,AMORPHOUS SOLIDS,ELECTRONIC TRANSPORT,ЛОВУШКИ ЗАРЯДОВ,CHARGE TRAPS,ИМПУЛЬСНАЯ ФОТОПРОВОДИМОСТЬ,TRANSIENT PHOTOCONDUCTIVITY,ПРОСТРАНСТВЕННЫЙ ЗАРЯД,SPACE CHARGE,ТЕРМОСТИМУЛИРОВАННЫЙ ТОК,THERMALLY STIMULATED CURRENT,ЭНЕРГИЯ АКТИВАЦИИ,ACTIVATION ENERGY,ПЕРЕНОС ЭЛЕКТРОНОВ

File Description: text/html

Availability: http://cyberleninka.ru/article/n/charge-carriers-transport-mechanism-in-a-tnf-thin-layers
http://cyberleninka.ru/article_covers/16416460.png

View record from BASE

13

Academic Journal

ВЛИЯНИЕ ЭЛЕМЕНТОВ ЭЛЕКТРОДИНАМИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ НА ДИНАМИКУ РЕЛЯТИВИСТСКОГО ЭЛЕКТРОННОГО ПОТОКА В СКРЕЩЕННЫХ ПОЛЯХ

Authors: Ковтун, Д., Чесноков, С.

Subject Terms: РЕЛЯТИВИСТСКИЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ ПОТОК, УРАВНЕНИЯ МАКСВЕЛЛА, ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЕ ПОЛЕ, СЕТОЧНЫЙ МЕТОД, ПРОСТРАНСТВЕННЫЙ ЗАРЯД, ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ, MAXWELL’S EQUATION

File Description: text/html

Availability: http://cyberleninka.ru/article/n/vliyanie-elementov-elektrodinamicheskoy-sistemy-na-dinamiku-relyativistskogo-elektronnogo-potoka-v-skreschennyh-polyah
http://cyberleninka.ru/article_covers/15396602.png

View record from BASE

14

Academic Journal

Усиление и нелинейное взаимодействие волн пространственного заряда миллиметрового диапазона в неоднородных пленках нитрида галлия

Authors: Кошевая, Светлана Владимировна, Гримальский, Владимир Всеволодович, Гарсия-Бариентос, Абель, Диаз-Аяла, Фернанда

Source: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Radioelektronika; Vol. 55 No. 7 (2012); 3-13 ; Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника; Том 55 № 7 (2012); 3-13 ; Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка; Том 55 № 7 (2012); 3-13 ; 2307-6011 ; 0021-3470

Subject Terms: пространственный заряд, отрицательная дифференциальная проводимость, неоднородная пленка, поперечная неоднородность, нитрид галлия

File Description: application/pdf

Relation: https://radio.kpi.ua/article/view/S0021347012070011/11010; https://radio.kpi.ua/article/view/S0021347012070011

Availability: https://radio.kpi.ua/article/view/S0021347012070011
https://doi.org/10.20535/S0021347012070011

View record from BASE

15

Academic Journal