Εμφανίζονται 1 - 20 Αποτελέσματα από 56 για την αναζήτηση '"ПРОБИВНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ"', χρόνος αναζήτησης: 1,16δλ Περιορισμός αποτελεσμάτων
  1. 1
  2. 2
    Academic Journal

    Πηγή: Bulletin of the National Technical University "KhPI". Series: Energy: Reliability and Energy Efficiency; No. 1 (2020); 105-114
    Вестник Национального технического университета «ХПИ». Серия: Энергетика: надежность и энергоэффективность; № 1 (2020); 105-114
    Вісник Національного технічного університету «ХПІ». Серія: Енергетика: надійність та енергоефективність; № 1 (2020); 105-114

    Περιγραφή αρχείου: application/pdf

    Σύνδεσμος πρόσβασης: http://eree.khpi.edu.ua/article/view/230169

  3. 3
    Academic Journal

    Συγγραφείς: V. S. Kotov, N. F. Golubev, V. E. Borisenko

    Πηγή: Doklady Belorusskogo gosudarstvennogo universiteta informatiki i radioèlektroniki, Vol 0, Iss 5, Pp 12-16 (2019)

    Περιγραφή αρχείου: electronic resource

    Σύνδεσμος πρόσβασης: https://doaj.org/article/efe5228614db45dbb154a392fcdd96dd

  4. 4
    Report

    Συνεισφορές: Леонов, Андрей Петрович

    Περιγραφή αρχείου: application/pdf

    Relation: Пунченко Д. О. Оценка влияния испытательного напряжения на пробивное напряжение пленочной изоляции : магистерская диссертация / Д. О. Пунченко; Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Инженерная школа энергетики (ИШЭ), Отделение электроэнергетики и электротехники (ОЭЭ); науч. рук. А. П. Леонов. — Томск, 2022.; http://earchive.tpu.ru/handle/11683/71653

    Διαθεσιμότητα: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/71653

  5. 5
    Report

    Συνεισφορές: Леонов, Андрей Петрович

    Περιγραφή αρχείου: application/pdf

    Relation: Антюфьева Е. А. Исследование электрофизических свойств изоляции кабельных изделий : магистерская диссертация / Е. А. Антюфьева; Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Инженерная школа энергетики (ИШЭ), Отделение электроэнергетики и электротехники (ОЭЭ); науч. рук. А. П. Леонов. — Томск, 2022.; http://earchive.tpu.ru/handle/11683/70958

    Διαθεσιμότητα: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/70958

  6. 6
    Academic Journal

    Πηγή: Proceedings of the National Academy of Sciences of Belarus. Physical-technical series; Том 65, № 1 (2020); 97-103 ; Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-технических наук; Том 65, № 1 (2020); 97-103 ; 2524-244X ; 1561-8358 ; 10.29235/1561-8358-2020-65-1

    Περιγραφή αρχείου: application/pdf

    Relation: https://vestift.belnauka.by/jour/article/view/584/478; Шахмаева, А. Р. Конструктивно-технологические методы улучшения параметров полупроводниковых приборов / А. Р. Шахмаева, П. Р. Захарова // Вестн. Саратов. гос. техн. ун-та. – 2012. – № 1, вып. 1. – С. 36–40.; Лагунович, Н. Л. Усовершенствованный технологический маршрут формирования биполярного транзистора со статической индукцией / Н. Л. Лагунович // Наука и техника. – 2018. – Т. 17, № 1. – С. 72–78. https://doi.org/10.21122/2227-1031-2018-17-1-72-78; Лоренц, Л. Состояние и направления дальнейшего развития в сфере разработки производства и применения силовых полупроводниковых приборов / Л. Лоренц // Электротехника. – 2001. – № 12. – С. 2–12.; Моделирование кремниевого мощного вертикального n-канального ДМОП-транзистора / Н. Л. Дудар [и др.] // Докл. Нац. акад. наук Беларуси. – 2006. – Т. 50, № 5. – С. 93–97.; Avset, B. S. The effect of metal field plates on multiguard structures with floating p + guard rings / B. S. Avset, L. Evensen // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. A. – 1996. – Vol. 377, iss. 2–3. – P. 397–403. https://doi.org/10.1016/0168-9002(96)00194-5; Зедгинидзе, И. Г. Планирование эксперимента для исследования многокомпонентных систем / И. Г. Зедгинидзе. – М.: Наука., 1976. – 390 с.; Шеффе, Г. Дисперсионный анализ / Г. Шеффе. – М.: Наука, 1980. – 512 с.; https://vestift.belnauka.by/jour/article/view/584

  7. 7
    Academic Journal

    Πηγή: Bulletin of the National Technical University "KhPI". Series: Energy: Reliability and Energy Efficiency; No. 1 (2020); 105-114 ; Вісник Національного технічного університету «ХПІ». Серія: Енергетика: надійність та енергоефективність; № 1 (2020); 105-114 ; 2224-0349

    Περιγραφή αρχείου: application/pdf

  8. 8
  9. 9
  10. 10
  11. 11
    Report

    Συνεισφορές: Леонов, Андрей Петрович

    Περιγραφή αρχείου: application/pdf

    Relation: Лихачёва М. А. Исследование влияния внешних факторов на изоляцию нефтепогружных кабелей : магистерская диссертация / М. А. Лихачёва; Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Инженерная школа энергетики (ИШЭ), Отделение электроэнергетики и электротехники (ОЭЭ); науч. рук. А. П. Леонов. — Томск, 2020.; http://earchive.tpu.ru/handle/11683/61243

    Διαθεσιμότητα: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/61243

  12. 12
  13. 13
  14. 14
  15. 15
    Academic Journal

    Περιγραφή αρχείου: application/pdf

    Relation: Колиушко Г. М. Создание установки для испытания масла УИМ – 90, этапы ее модернизации / Г. М. Колиушко, А. В. Пличко, Е. Г. Понуждаева // Вісник Нац. техн. ун-ту "ХПІ" : зб. наук. пр. Темат. вип. : Техніка та електрофізика високих напруг = Bulletin of National Technical University "KhPI" : coll. of sci. papers. Ser. : Techniques and electrophysics of high voltage. – Харків : НТУ "ХПІ", 2016. – № 36 (1208). – С. 37-41.; http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/25673

  16. 16
  17. 17
    Academic Journal

    Πηγή: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 18, № 1 (2015); 16-22 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 18, № 1 (2015); 16-22 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; undefined

    Περιγραφή αρχείου: application/pdf

    Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/150/142; Shinohara, K. Nano−gate transistor — world’s fastest InP−HEMT / K. Shinohara, T. Matsui // J. National Institute of Information and Communications Technol. − 2004. − V. 51, N 1/2. − P. 95—102.; Waldron, N. A self−fligned InGaAs HEMT architecture for logic applications / N. Waldron, D.−H. Kim, J. A. del Alamo // IEEE Transactions on Electron Devices. − 2010. − V. 57, N 1. − P. 297—304.; Kim, D.−H. fT = 688 GHz and fmax = 800 GHz in Lg = 40 nm In0.7Ga0.3As MHEMTs with gm_max > 2.7 mS/μm / D.−H. Kim, B. Brar,J.A.delAlamo//2011.IEEEInternationalElectronDevices Meeting. − 2011. − P. 13.6.1—13.6.4.; Lee, D. S. GaN high electron mobility transistors for sub− millimeter wave applications / D. S. Lee, Z. Liu, T. Palacios // Jap. J. Appl. Phys. − 2014. − V. 53, N 10. − P. 100212.; Huang, T. DC and RF performance of gate−last AlN/GaN MOSHEMTs on Si with regrown source/drain / T. Huang, Z. J. Liu, X. Zhu, J. Ma, X. Lu, K. M. Lau // IEEE Transactions on Electron Devices. − 2013. − V. 60, N 10. − P. 3019—3024.; Jessen, G. H. Short−channel effect limitations on high− frequency operation of AlGaN/GaN HEMTs for T−gate devices / G. H. Jessen, R. C. Fitch, J. K. Gillespie, G. Via, A. Crespo, D. Langley, D. J. Denninghoff, M. Trejo, E. R. Heller // IEEE Transactions on Electron Devices. − 2007. − V. 54, N 10. − P. 2589—2597.; Shinohara, K. Scaling of GaN HEMTs and Schottky diodes forsubmillimeter−waveMMICapplications/K.Shinohara,D. C. Regan, Y. Tang, A. L. Corrion, D. F. Brown, J. C. Wong, J. F. Robinson, H. H. Fung, A. Schmitz, T. C. Oh, S. J. Kim, P. S. Chen, R. G. Nagele, A. D. Margomenos, M. Micovic // IEEE Transactions on Electron Devices. − 2013. − V. 60, N 10. − P. 2982—2996.; Egard, M. High transconductance self−aligned gate−last surface channel In0.53Ga0.47As MOSFET / M. Egard, L. Ohlsson, B. M. Borg, F. Lenrick, R. Wallenberg, L.−E. Wernersson, E. Lind // 2011. IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). − 2011. − P. 13.2.1—13.2.4.; Kim, T.−W. ETB−QW InAs MOSFET with scaled body for improved electrostatics / T.−W. Kim, D.−H. Kim, D.−H. Koh, R. J. W. Hill, R. T. P. Lee, M. H. Wong, T. Cunningham, J. A. del Alamo, S. K. Banerjee, S. Oktyabrsky, A. Greene, Y. Ohsawa, Y. Trickett, G. Nakamura, Q. Li, K. M. Lau, C. Hobbs, P. D. Kirsch, R. Jammy // 2012 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). − 2012. − P. 32.3.1−32.3.4.; https://met.misis.ru/jour/article/view/150

  18. 18
  19. 19
  20. 20