Search Results - "ПОРОГОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ"

1

Academic Journal

Mathematical modelling of tri-layer dielectric OTFT based on pentacene semiconductor for enhancing the electrical characteristics

Authors: D. Panghal, R. Yadav

Source: Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики, Vol 23, Iss 3, Pp 473-482 (2024)

Subject Terms: otft, sio2, pei-ep, pom-h, подвижность, пороговое напряжение, Information technology, T58.5-58.64

File Description: electronic resource

Relation: https://ntv.elpub.ru/jour/article/view/7; https://doaj.org/toc/2226-1494; https://doaj.org/toc/2500-0373

Access URL: https://doaj.org/article/2aa1287dadb44fec88bdbbb72fae314c

View record in DOAJ Full Text Finder

2

Academic Journal

Improvement of approaches to the composition, diagnosis and operation of solar modules under ununiform lighting conditions ; Совершенствование подходов к составлению, диагностике и эксплуатации солнечных модулей в условиях неоднородного освещения

Authors: V. V. Zinovev, O. M. Mirsaetov, S. B. Kolesova, O. A. Bartenev, В. В. Зиновьев, О. М. Мирсаетов, С. Б. Колесова, О. A. Бартенев

Source: Alternative Energy and Ecology (ISJAEE); № 2 (2023); 19-26 ; Альтернативная энергетика и экология (ISJAEE); № 2 (2023); 19-26 ; 1608-8298

Subject Terms: W-функция Ламберта, PV cell, variegated lighting of solar modules, threshold voltage of the reverse I–V characteristic, power losses, bypass diodes, Lambert W-function, фотоэлектрический преобразователь, неоднородное освещение, пороговое напряжение обратной ветви ВАХ, потери мощности, байпасный диод

File Description: application/pdf

Relation: https://www.isjaee.com/jour/article/view/2199/1795; Возобновляемые источники энергии России: ГИС [Электр. ресурс]. Режим доступа: gisre.ru. Дата обращ.: 01.11.2022.; Энергетическая стратегия Российской Федерации на период до 2035 года [Электр. ресурс]. Режим доступа: minenergo.gov.ru/node/1026. Дата обращ.: 01.11.2022.; Garcia-Sanchez, Francisco & Romero, Beatriz & Lugo, Denise & Del Pozo, Gonzalo & Arredondo, Belen & Liou, Jane & Ortiz-Conde, Adelmo. (2017). Modelling solar cell S-shaped I-V characteristics with DC lumped-parameter equivalent circuits a review. FACTA UNIVERSITATIS Series Electronics and Energetics. 30. 327-350.; Xiankun Gao, Yan Cui, Jianjun Hu, Guangyin Xu, Yongchang Yu. Lambert W-function based exact representation for double diode model of solar cells: Comparison on fitness and parameter extraction. Energy Conversion and Management, Volume 127, 2016, Pages 443-460.; Shu-xian Lun, Shuo Wang, Gui-hong Yang, Ting-ting Guo. A new explicit double-diode modeling method based on Lambert W-function for photovoltaic arrays. Solar Energy, Volume 116, 2015, Pages 69-82.; Bishop, J.W. Computer simulation of the effects of electrical mismatches in photovoltaic cell interconnection circuits // Bishop, J.W. / Solar Cells 25. – 1988. –P. 73-89.; Зиновьев, В.В. Математическая модель фотоэлектрического преобразователя с использованием W-функции Ламберта / В.В. Зиновьев, А.П. Бельтюков, О.А. Бартенев // Известия Института математики и информатики Удмуртского государственного университета. – 2016. – №2 (48). – С. 22-30.; Зиновьев, В.В. Моделирование солнечных преобразователей при неравномерной освещённости / В.В. Зиновьев, О.А. Бартенев, А.П. Бельтюков // Промышленная энергетика. - 2018. - Вып. 7. С. 58-67.; Зиновьев В.В. Диагностика промышленных солнечных модулей в областях прямой и обратной ветвей вольт-амперной характеристики при неоднородном освещении / В.В. Зиновьев, О.А. Бартенев // Промышленная энергетика. – 2020. – № 1. С. 56-62.; Зиновьев В.В. Двухдиодная модель солнечных преобразователей на основе W-функции Ламберта для прямой и обратной ветви вольт-амперной характеристики / В.В. Зиновьев, О.А. Бартенев // Промышленная энергетика. - 2020. - № 12. С. 33-39.; Fertig, Fabian & Rein, Stefan & Schubert, Martin & Warta, Wilhelm. (2011). Impact of junction break-down in multi-crystalline silicon solar cells on hot spot formation and module performance. Conference: 26th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition. 5-9 September 2011, Hamburg, Germany.; Способ составления солнечного модуля из фотоэлектрических преобразователей: заявка 2022128214 Рос. Федерация; приоритет 01.11.2022.; Солнечный модуль с блоком диагностики: заявка 2022128218 Рос. Федерация; приоритет 01.11.2022.; https://www.isjaee.com/jour/article/view/2199

Availability: https://www.isjaee.com/jour/article/view/2199
https://doi.org/10.15518/isjaee.2023.02.019-026

View record from BASE

3

Academic Journal

ВЛИЯНИЕ ЭФФЕКТИВНОЙ ДЛИНЫ КАНАЛА НА СДВИГ ПОРОГОВОГО НАПРЯЖЕНИЯ И ПЛОТНОСТЬ ПОВЕРХНОСТНОГО СОСТОЯНИЯ: STUDY OF THE INFLUENCE OF THE EFFECTIVE CHANNEL LENGTH ON THE SHIFT OF THE THRESHOLD VOLTAGE AND THE DENSITY OF THE SURFACE STATE DEPENDING ON THE VALVE MATERIAL

Source: Вестник Академии наук Чеченской Республики.

Subject Terms: деградация, мышьяк, пороговое напряжение, инжекция, горячие носители, длина канала, кремний

4

Academic Journal

Assessment of the Influence of External Factors on the Parameters of Bistable Switching Devices Based on Amorphous Semiconductors ; Оценка влияния внешних факторов на параметры бистабильных переключающих устройств на базе аморфных полупроводников ; ОЦІНЮВАННЯ ВПЛИВУ ЗОВНІШНІХ ФАКТОРІВ НА ПАРАМЕТРИ БІСТАБІЛЬНИХ ПЕРЕМИКАЛЬНИХ ПРИСТРОЇВ НА БАЗІ АМОРФНИХ НАПІВПРОВІДНИКІВ

Authors: Кичак, В. М., Вовк, В. Л., Барабан, І. О.

Source: Visnyk of Vinnytsia Politechnical Institute; No. 3 (2021); 113-119 ; Вестник Винницкого политехнического института; № 3 (2021); 113-119 ; Вісник Вінницького політехнічного інституту; № 3 (2021); 113-119 ; 1997-9274 ; 1997-9266 ; 10.31649/1997-9266-2021-156-3

Subject Terms: radiation resistance, amorphous semiconductors, delay time, mobility of charge carriers, threshold voltage, радиационная стойкость, аморфные полупроводники, время задержки, подвижность носителей заряда, пороговое напряжение, радіаційна стійкість, аморфні напівпровідники, час затримки, рухливість носіїв заряду, порогова напруга

File Description: application/pdf

Relation: https://visnyk.vntu.edu.ua/index.php/visnyk/article/view/2636/2496; https://visnyk.vntu.edu.ua/index.php/visnyk/article/view/2636

Availability: https://visnyk.vntu.edu.ua/index.php/visnyk/article/view/2636
https://doi.org/10.31649/1997-9266-2021-156-3-113-119

View record from BASE

5

Academic Journal

Диагностика промышленных солнечных модулей в областях прямой и обратной ветвей вольт-амперной характеристики при неоднородном освещении

Subject Terms: W-функция Ламберта, байпасные диоды, неоднородное освещение солнечных модулей, цифровое устройство автоматической записи кривой ВАХ, потери мощности, солнечная энергетика, пороговое напряжение обратной ветви ВАХ

6

Academic Journal

СНИЖЕНИЕ ВЛИЯНИЯ ЭФФЕКТОВ ГОРЯЧИХ НОСИТЕЛЕЙ НА ПАРАМЕТРЫ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ: REDUCING THE INFLUENCE OF HOT CARRIERS EFFECTS ON TIR TRANSISTOR PARAMETERS

Source: Вестник Академии наук Чеченской Республики.

Subject Terms: isolated gate field effect transistors, деградация, МДП-транзистор, азотирование, oxidation, окисление, hot carriers, 7. Clean energy, пороговое напряжение, nitriding, горячие носители, threshold voltage, degradation

7

Academic Journal

Improvement of Radiation Stability of Energy-dependent Storage Devices Based on Chalcogenide Glassy Semiconductors ; Повышение радиационной устойчивости энергонезависимых запоминающих устройств на базе халькогенидных стеклообразных полупроводников ; ПІДВИЩЕННЯ РАДІАЦІЙНОЇ СТІЙКОСТІ ЕНЕРГОНЕЗАЛЕЖНИХ ЗАПАМ’ЯТОВУВАЛЬНИХ ПРИСТРОЇВ НА БАЗІ ХАЛЬКОГЕНІДНИХ СКЛОПОДІБНИХ НАПІВПРОВІДНИКІВ

Authors: Кичак, В. М., Слободян, І. В., Вовк, В. Л.

Source: Visnyk of Vinnytsia Politechnical Institute; No. 4 (2019); 116-123 ; Вестник Винницкого политехнического института; № 4 (2019); 116-123 ; Вісник Вінницького політехнічного інституту; № 4 (2019); 116-123 ; 1997-9274 ; 1997-9266 ; 10.31649/1997-9266-2019-145-4

Subject Terms: chalcogenide glassy semiconductors, radiation stability, dose of irradiation, non-volatile storage, access memory, phase transition, amorphus semiconductors, threshold voltage, physical model of the memory cell, switching delay time, халькогенидные стекловидные полупроводники, радиационная устойчивость, энергонезависимая память, фазовые переходы, аморфные полупроводники, доза облучения, пороговое напряжение, физическая модель ячейки памяти, время задержки переключения, халькогенідні склоподібні напівпровідники, радіаційна стійкість, енергонезалежна пам'ять, фазові переходи, аморфні напівпровідники, доза опромінення, порогова напруга, фізична модель комірки пам’яті, час затримки перемикання

File Description: application/pdf

Relation: https://visnyk.vntu.edu.ua/index.php/visnyk/article/view/2394/2313; https://visnyk.vntu.edu.ua/index.php/visnyk/article/view/2394

Availability: https://visnyk.vntu.edu.ua/index.php/visnyk/article/view/2394
https://doi.org/10.31649/1997-9266-2019-145-4-116-123

View record from BASE

8

Academic Journal

IMPROVED PROCESS FLOW FOR FORMATION OF BIPOLAR STATIC INDUCTION TRANSISTOR ; УСОВЕРШЕНСТВОВАННЫЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ МАРШРУТ ФОРМИРОВАНИЯ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА СО СТАТИЧЕСКОЙ ИНДУКЦИЕЙ

Authors: N. L. Lagunovich, Н. Л. Лагунович

Source: Science & Technique; Том 17, № 1 (2018); 72-78 ; НАУКА и ТЕХНИКА; Том 17, № 1 (2018); 72-78 ; 2414-0392 ; 2227-1031 ; 10.21122/2227-1031-2018-17-1

Subject Terms: пороговое напряжение, process flow, physic-topological simulation, device-process simulation, “virtual production”, channel stopper, metal contact, threshold voltage, технологический маршрут, физико-топологическое моделирование, приборно-технологическое моделирование, «виртуальное производство», охранное кольцо, металлический контакт

File Description: application/pdf

Relation: https://sat.bntu.by/jour/article/view/1317/1236; Дудар, Н. Л. Моделирование кремниевого транзистора со статической индукцией / Н. Л. Дудар // Доклады Белор. гос. ун-та информатики и радиоэлектроники. 2005. № 2 (10). C. 79–85.; Исмаилов, Т. А. Технологическое решение по улучшению параметров кристалла биполярного со статической индукцией транзистора / Т. А. Исмаилов, А. Р. Шахмаева, П. Р. Захарова // Вестник Дагест. гос. техн. ун-та. 2011. Т. 20, № 1. С. 6–11.; Silvaco [Electronic Resource]. Mode of access: http://www.silvaco.com/products/tcad.html.; Компьютерная программа MOD-1D: св-во о гос. рег. № 742 Респ. Беларусь / Н. Л. Лагунович; заявитель ОАО «ИНТЕГРАЛ», № t 20140041; зап. в Реестре, зарегистрированных в Нац. центре интеллект. собств. комп. программ 10.03.2015.; МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов / под ред. П. Антонетти [и др.]: пер. с англ. М.: Радио и связь, 1988. 490 с.; Gummel, H. K. A Self Consistent Iterative Scheme for One-Dimentional Steady State Transistor Calculations / H. K. Gummel // IEEE Trans. Electron. Dev. 1964. Vol. ED-11, No 10. P. 455–465. DOI:10.1109/t-ed.1964.15364.; Польский, Б. С. Численное моделирование полупроводниковых приборов / Б. С. Польский. Рига: Зинатне, 1986. 168 с.; Автоматизация проектирования БИС: в 6 кн. / под ред. Г. Г. Казеннова. М.: Высш. шк., 1990. Кн. 5: Физикотопологическое моделирование структур элементов БИС / В. Я. Кремлев. 144 с.; Нелаев, В. В. Основы САПР в микроэлектронике / В. В. Нелаев, В. Р. Стемпицкий. Минск: БГУИР, 2008. 220 с.; Самарский, А. А. Методы решения сеточных уравнений / А. А. Самарский, Е. С. Николаев. М.: Наука, 1978. 532 с.; https://sat.bntu.by/jour/article/view/1317

Availability: https://sat.bntu.by/jour/article/view/1317
https://doi.org/10.21122/2227-1031-2018-17-1-72-78

View record from BASE

9

Academic Journal

СООТНОШЕНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ОРГАНИЗМА ЧЕЛОВЕКА ПО НАИБОЛЕЕ ВЕРОЯТНЫМ ПУТЯМ ТОКА

Subject Terms: electrical current path, threshold current, frequency of current, electrical parameters, пороговый ток, электрические параметры, 7. Clean energy, путь тока, пороговое напряжение, threshold voltage, частота тока

Access URL: https://research-journal.org/technical/sootnoshenie-elektricheskix-parametrov-organizma-cheloveka-po-naibolee-veroyatnym-putyam-toka/
https://research-journal.org/wp-content/uploads/2018/06/6-1-72.pdf#page=33
https://cyberleninka.ru/article/n/sootnoshenie-elektricheskih-parametrov-organizma-cheloveka-po-naibolee-veroyatnym-putyam-toka

10

Report

Акустический скважинный глубиномер

Authors: Терентьева, Оксана Юрьевна

Contributors: Шульгина, Юлия Викторовна

Subject Terms: акустический глубиномер, эхо-импульс, глубина скважины, двухчастотный метод прихода импульса, пороговое напряжение компаратора, acoustic depth gauge, echo-pulse, hole depth, dual-frequency sensing method, comparator threshold voltage, 11.03.04, 622.016.25:531.719.35.082.4

File Description: application/pdf

Relation: Терентьева О. Ю. Акустический скважинный глубиномер : бакалаврская работа / О. Ю. Терентьева; Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Инженерная школа неразрушающего контроля и безопасности (ИШНКБ), Отделение электронной инженерии (ОЭИ); науч. рук. Ю. В. Шульгина. — Томск, 2018.; http://earchive.tpu.ru/handle/11683/48917

Availability: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/48917

View record from BASE

11

Academic Journal