-
1
-
2Academic Journal
Source: Высшая школа: научные исследования.
Subject Terms: линейно-циркулярный дихроизм, поглощение поляризованно- го света, когерентное насыщение, узкозонный полупроводник
-
3
-
4
-
5Academic Journal
Authors: Rzaev, R., Geru, I.I., Sucman, N.S., Macaev, F.Z., Makaev, F.Z.
Source: Integrare prin cercetare și inovare. (SNE)
Subject Terms: полупроводник, проводящие полимеры, поли-1, 4-диаминнафталин, окислительная полимеризация
File Description: application/pdf
Access URL: https://ibn.idsi.md/vizualizare_articol/220674
-
6Academic Journal
Authors: Nailya Qardashbeyova Adem, Mammadova, Nazakat
Subject Terms: phonon, semiconductor, acoustic, concentration, electron, quantum wires, spontaneous, relaxation, фонон, полупроводник, акустика, концентрация, электрон, квантовые провода, спонтанная, релаксация
Relation: https://zenodo.org/records/13952058; oai:zenodo.org:13952058; https://doi.org/10.5281/zenodo.13952058
-
7Academic Journal
Authors: D. A. Belorusov, E. I. Goldman, M. S. Afanasyev, G. V. Chucheva, Д. А. Белорусов, Е. И. Гольдман, М. С. Афанасьев, Г. В. Чучева
Contributors: The study was carried out at the expense of the grant of the Russian Science Foundation, No. 22-19-00493, https://rscf.ru/en/project/22-19-00493/, Исследование выполнено за счет гранта Российского научного фонда № 22-19-00493, https://rscf.ru/project/22-19-00493/
Source: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 27, № 3 (2024); 278-282 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 27, № 3 (2024); 278-282 ; 2413-6387 ; 1609-3577
Subject Terms: высокочастотная вольт-фарадная характеристика, metal-ferroelectric-semiconductor structure, high-frequency C–V-characteristic, структура металл-сегнетоэлектрик-полупроводник
File Description: application/pdf
Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/586/461; Воротилов К.А., Мухортов В.М., Сигов А.С. Интегрированные сегнетоэлектрические устройства. М.: Энергоатомиздат; 2011. 175 с.; Park J.Y., Yang K., Lee D.H., Kim S.H., Lee Y., Reddy P.R.S., Jones J.L., Park M.H. A perspective on semiconductor devices based on fluorite-structured ferroelectrics from the materials-device integration perspective. Journal of Applied Physics. 2020; 128(24): 240904. https://doi.org/10.1063/5.0035542; Wang B., Huang W., Chi L., Al-Hashimi M., Marks T.J., Facchetti A. High-k gate dielectrics for emerging flexible and stretchable electronics. Chemical Reviews. 2018; 118(11): 5690—5754. https://doi.org/10.1021/acs.chemrev.8b00045; Du D., Hu J., Kawasaki J.K. Strain and strain gradient engineering in membranes of quantum materials featured. Applied Physics Letters. 2023; 122(17): 170501. https://doi.org/10.1063/5.0146553; Zhang K., Ren Y., Cao Y. Mechanically tunable elastic modulus of freestanding Ba1-xSrxTiO3 membranes via phase-field simulation. Applied Physics Letters. 2022; 121(15): 152902. https://doi.org/10.1063/5.0099772; Ko D.L., Tsai M.F., Chen J.W., Shao P.W., Tan Y.Z., Wang J.J., Ho S.Z., Lai Y.H., Chueh Y.L., Chen Y.C., Tsai D.P., Chen L-Q., Chu Y.H. Mechanically controllable nonlinear dielectrics. Science Advances. 2020; 6(10): eaaz3180. https://doi.org/10.1126/sciadv.aaz3180; Xu R., Huang J., Barnard E.S., Hong S.S., Singh P., Wong E.K., Jansen T., Harbola V., Xiao J., Wang B.Y., Crossley S., Lu D., Liu S., Hwang H.Y. Strain-induced room-temperature ferroelectricity in SrTiO3 membranes. Nature Communications. 2020; 11: 3141. https://doi.org/10.1038/s41467-020-16912-3; Wang B., Lu H., Bark C.W., Eom C-B., Gruverman A., Chen L-Q. Mechanically induced ferroelectric switching in BaTiO3 thin films. Acta Materialia. 2020; 193: 151—162. https://doi.org/10.1016/j.actamat.2020.04.032; Иванов М.С., Афанасьев М.С. Особенности формирования тонких сегнетоэлектрических пленок BaxSr1-xTiO3 на различных подложках методом высокочастотного распыления. Физика твердого тела. 2009; 51(7): 1259—1262.; Киселев Д.А., Афанасьев М.С., Левашов С.А., Чучева Г.В. Кинетика роста индуцированных доменов в сегнетоэлектрических тонких пленках Ba0.8Sr0.2TiO3. Физика твердого тела. 2015; 57(6): 1134—1137.; Goldman E.I., Chucheva G.V., Belorusov D.A. On the form of high-frequency voltage-capacitance characteristics of metal-insulator-semiconductor structures with a ferroelectric insulating layer BaxSr1-хTiO3. Ceramics International. 2021; 47(15): 21248—21252. https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2021.04.129; Goldman E.I., Chucheva G.V., Belorusov D.A. The role of а buffer layer at the contact with silicon in structures with an insulating gap made of a material replacing SiO2. Ceramics International. 2024; 50(6): 9678—9681. https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2023.12.286; https://met.misis.ru/jour/article/view/586
-
8Academic Journal
Source: Конденсированные среды и межфазные границы, Vol 25, Iss 4 (2023)
-
9Academic Journal
Source: Қарағанды университетінің хабаршысы. Физика сериясы, Vol 80, Iss 4 (2023)
-
10Academic Journal
-
11Academic Journal
Authors: L. M. Korolevych, A. V. Borisov, A. O. Voronko
Contributors: ELAKPI
Source: Vìsnik Nacìonalʹnogo Tehnìčnogo Unìversitetu Ukraïni Kììvsʹkij Polìtehnìčnij Ìnstitut: Serìâ Radìotehnìka, Radìoaparatobuduvannâ, Iss 85 (2021)
Subject Terms: дiоксид церiю, MIS structure, flat-band voltage, напряжение плоских зон, capacitance-voltage characteristic (CV characteristic), напруга плоских зон, МДН структура, щiльнiсть заряду на межi подiлу дiелектрикнапiвпровiдник, TK5101-6720, МДП структура, вольт-фарадна характеристика (ВФХ), вольт-фарадная характеристика (ВФХ), cerium dioxide, 7. Clean energy, charge density at the dielectric-semiconductor interface, диоксид церия, Telecommunication, плотность заряда на границе раздела диэлектрик-полупроводник
File Description: application/pdf
-
12Academic Journal
Authors: А.Е. Бакланов, С.В. Григорьева, А.Н. Яковлев
Source: Қарағанды университетінің хабаршысы. Физика сериясы, Vol 80, Iss 4 (2023)
Subject Terms: тепломассоперенос, уравнения Пуассона, светодиод, кристаллик, полупроводник, температурный режим, Nuclear and particle physics. Atomic energy. Radioactivity, QC770-798, Thermodynamics, QC310.15-319
File Description: electronic resource
-
13
-
14Academic Journal
Authors: Tatyana A. Tarasova
Source: Вестник Северо-Кавказского федерального университета, Vol 0, Iss 2, Pp 76-81 (2022)
Subject Terms: магнитный полупроводник, гетероструктура, орбитали, температура кюри, magnetic semiconductor, heterostructure, orbitals, curie temperature, Economics as a science, HB71-74
File Description: electronic resource
-
15
-
16
-
17Academic Journal
Source: Physics of Complex Systems, Vol 4, Iss 2 (2023)
-
18Academic Journal
Authors: Kychak, V. M., Slobodyan, I. V., Vovk, V. L.
Source: Vìsnik Nacìonalʹnogo Tehnìčnogo Unìversitetu Ukraïni Kììvsʹkij Polìtehnìčnij Ìnstitut: Serìâ Radìotehnìka, Radìoaparatobuduvannâ, Iss 80 (2020)
Visnyk NTUU KPI Seriia-Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; 80; 79-84
Вестник НТУУ" КПИ ". Серия радиотехника Радиоаппаратостроение; 80; 79-84
Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування; 80; 79-84Subject Terms: аморфний напівпровідник, халькогенідні склоподібні напівпровідники, радіаційна стійкість, комірка пам'яті, доза опромінення, γ – кванти, плівковий польовий транзистор, перехід Шотткі, аморфный полупроводник, халькогенидние стеклообразние полупроводники, радиационная стойкость, ячейка памяти, доза облучения, γ - кванты, пленочный полевой транзистор, переход Шоттки, 621.3.04977.001, amorphous semiconductor, chalcogenide glassy semiconductors, radiation resistance, memory cell, irradiation dose, γ - quanta, film transistor, Schottky junction, Telecommunication, TK5101-6720, 7. Clean energy
File Description: application/pdf
-
19
-
20