Search Results - "ПОДВИЖНОСТЬ ЭЛЕКТРОНОВ"

1

Academic Journal

RESEARCH OF TRANSPORT PROPERTIES OF ELECTRONS IN NITRIDES INDIUM AND GALLIUM

Authors: Saurova, Tetiana, Semenovskaya, Elena, Emelianov, Maksim

Source: Вестник Киевского политехнического института. Серия приборостроение; № 60(2) (2020); 32-39
Bulletin of Kyiv Polytechnic Institute. Series Instrument Making; № 60(2) (2020); 32-39
Вісник Київського політехнічного інституту. Серія Приладобудування; № 60(2) (2020); 32-39

Subject Terms: indium nitride, gallium nitride, scattering rate, electron drift mobility, relaxation equation method, нітрид індію, нітрид галію, розсіювання, дрейфова рухливість електронів, метод релаксаційних рівнянь, нитрид индия, нитрид галлия, рассеяние, дрейфовая подвижность электронов, метод релаксационных уравнений, 7. Clean energy

File Description: application/pdf

Access URL: http://visnykpb.kpi.ua/article/download/221422/221161
http://visnykpb.kpi.ua/article/view/221422
http://visnykpb.kpi.ua/article/download/221422/221161
http://visnykpb.kpi.ua/article/view/221422

View record at OpenAIRE

2

Report

Формирование и исследование Холловских датчиков магнитного поля на основе тонких плёнок InSb/GaAs

Subject Terms: метод импульсного лазерного осаждения, высокая подвижность электронов, магнитное поле, низкое удельное сопротивление, на основе тонких плёнок InSb/GaAs, возможность получения слоёв вырожденного InSb, Холловские датчики

3

Academic Journal

Monte Carlo Simulation of Flash Memory Elements’ Electrophysical Parameters ; Моделирование электрофизических параметров элементов флеш-памяти методом Монте-Карло

Authors: O. G. Zhevnyak, V. M. Borzdov, A. V. Borzdov, A. N. Petlitsky, О. Г. Жевняк, В. М. Борздов, А. В. Борздов, А. Н. Петлицкий

Source: Devices and Methods of Measurements; Том 13, № 4 (2022); 276-280 ; Приборы и методы измерений; Том 13, № 4 (2022); 276-280 ; 2414-0473 ; 2220-9506 ; 10.21122/2220-9506-2022-13-4

Subject Terms: метод Монте-Карло, electron mobility, electron scattering, tunneling current, Monte Carlo method, подвижность электронов, рассеяние электронов, туннельный ток

File Description: application/pdf

Relation: https://pimi.bntu.by/jour/article/view/790/639; De Salvo B. Silicon Non-Volatile Memories: paths of innovation. London: Wiley-ISTE, 2013, 234 p.; Keyes R.W. Physical limits of silicon transistors and circuits. Rep. Prog. Phys., 2005, vol. 68, pp. 2701– 2746. DOI:10.1088/0034-4885/68/12/R01; Gerardi C., Ancarani V., Portoghese R., Giuffrida S., Bileci M., Bimbo G., Brafa O., Mello D., Ammendola G., Tripiciano E., Puglisi R., Lombardo S.A. Nanocrystal Memory Cell Integration in a Stand-Alone 16-Mb NOR Flash Device. IEEE Trans. Electron Devices, 2007, vol. 54, no. 6, pp. 1376–1383. DOI:10.1109/TED.2007.895868; Govoreanu B., Wellekens D., Haspeslagh L., Brunco D.P., De Vos J., Aguado D. Ruiz, Blomme P., Van der Zanden K., Van Houdt J. Performance and Reliability of HfAlOx-based Interpolary Dielectrics for FloatingGate Flash Memory. Solid-State Electron., 2008, vol. 52, no. 4, pp. 557–563. DOI:10.1016/j.sse.2008.01.012; Zhevnyak O.G., Borzdov V.M., Borzdov A.V. Simulation of drain depth effect on parasitic currents in flash-memory cells. Eurasian Union of Scientists. Series: technical, physical and mathematical sciences, 2021, vol. 1, no. 12, pp. 58–61. DOI:10.31618/ESU.2413-9335.2021.1.93.1542; Boukhobza J., Olivier P. Flash Memory Integration. Performance and Energy Considerations. London: ISTE press Ltd. Publ., 2017, 250 p.; Borzdov V.M., Zhevnyak O.G., Komarov F.F., Galenchik V.O. Monte Carlo simulation of device structures of integrated electronics. Minsk: BSU, 2007, 175 p.; Chau Q. An efficient numerical approach to studying impact ionization in sub-micrometer devices. J. Comput. Electron., 2014, no. 13, pp. 329–337. DOI:10.1007/s10825-013-0536-x; Jacoboni C., Lugli P. The Monte Carlo method for semiconductor device simulation. Wien–New York: Springer, 2012, 359 p.; Moglestue C. Monte Carlo Simulation of Semiconductor Devices. Wien: Springer, 2013, 334 p.; https://pimi.bntu.by/jour/article/view/790

Availability: https://pimi.bntu.by/jour/article/view/790
https://doi.org/10.21122/2220-9506-2022-13-4-276-280

View record from BASE

4

Academic Journal

Дослідження транспортних властивостей електронів у нітридах індію і галію

Contributors: ELAKPI

Subject Terms: electron drift mobility, relaxation equation method, метод релаксаційних рівнянь, indium nitride, нитрид индия, розсіювання, дрейфова рухливість електронів, нитрид галлия, scattering rate, рассеяние, дрейфовая подвижность электронов, метод релаксационных уравнений, gallium nitride, нітрид індію, нітрид галію

File Description: application/pdf

Access URL: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/40763

View record at OpenAIRE

5

Report

Влияние структурных дефектов на сверхвысокочастотные характеристики мощного нитрид – галлиевого транзистора с высокой подвижностью электронов

Authors: Курбанова, Наталья

Contributors: Склярова, Елена Александровна

Subject Terms: моделирование, гетероструктурный транзистор, электрофизическая модель, структурные дефекты, высокая подвижность электронов, GaN HEMT, Silvaco TCAD, traps, current collapse, current-voltage characteristics, 03.06.01, 621.382.323-048.78:661.868.1'041

File Description: application/pdf

Relation: Курбанова Н. Влияние структурных дефектов на сверхвысокочастотные характеристики мощного нитрид – галлиевого транзистора с высокой подвижностью электронов : научный доклад / Н. Курбанова; Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Управление магистратуры, аспирантуры и докторантуры (УМАД), Отдел аспирантуры и докторантуры (ОАиД); науч. рук. Е. А. Склярова. — Томск, 2020.; http://earchive.tpu.ru/handle/11683/59736

Availability: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/59736

View record from BASE

6

Academic Journal