ДВОЙСТВЕННАЯ РОЛЬ КИСЛОРОДА В ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНКАХ ХАЛЬКОГЕНИДОВ СВИНЦА

Subject Terms: халькогениды свинца, поликристаллические пленки, адсорбция кислорода, инверсия типа проводимости, границы зерен, термоэлектрические материалы, поверхностные состояния

ДВОЙСТВЕННАЯ РОЛЬ КИСЛОРОДА В ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНКАХ ХАЛЬКОГЕНИДОВ СВИНЦА

Subject Terms: халькогениды свинца, поликристаллические пленки, адсорбция кислорода, инверсия типа проводимости, границы зерен, термоэлектрические материалы, поверхностные состояния

Features of Surface States of an Intrinsic Antiferromagnetic Topological Insulator with a Noncollinear Texture of Domain Walls

Authors: Menshov, V. N., Rusinov, Igor P., Chulkov, Evgueni V.

Source: JETP letters. 2022. Vol. 114, № 11. P. 699-706

Subject Terms: 0301 basic medicine, 0303 health sciences, 03 medical and health sciences, поверхностные состояния, трехмерные топологические изоляторы, антиферромагнитные топологические изоляторы, неколлинеарная текстура, доменные границы

Access URL: https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001008657

Persistence of the Topological Surface States in Bi2Se3 against Ag Intercalation at Room Temperature

Authors: Akio Kimura, Arthur Ernst, Kenya Shimada, Mao Ye, Kenta Kuroda, Hiroshi Daimon, Tomohiro Matsushita, Anastasia G. Ryabishchenkova, Yoshifumi Ueda, Masashi Nakatake, Mikhail M. Otrokov, Qi Jiang, Taichi Okuda, Evgueni V. Chulkov, Masashi Arita, László Tóth

Contributors: National Key Research and Development Program (China), Hiroshima University, University of Tokyo, Diputación Foral de Guipúzcoa, Ministerio de Ciencia, Innovación y Universidades (España), Agencia Estatal de Investigación (España), German Research Foundation, Saint Petersburg State University, Russian Science Foundation, Consejo Superior de Investigaciones Científicas [https://ror.org/02gfc7t72]

Source: Digital.CSIC. Repositorio Institucional del CSIC
instname
Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC)
The Journal of Physical Chemistry C
The Journal of Physical Chemistry C. 2021. Vol. 125, № 3. P. 1784-1792

Subject Terms: топологически нетривиальные поверхностные состояния, 0103 physical sciences, топологические изоляторы, интеркаляция, 01 natural sciences, 7. Clean energy

File Description: application/pdf

Access URL: http://hdl.handle.net/10261/264340
https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.jpcc.0c07462
https://pure.mpg.de/pubman/faces/ViewItemOverviewPage.jsp?itemId=item_3314143
http://hdl.handle.net/21.11116/0000-0008-AA9E-7
http://hdl.handle.net/21.11116/0000-0008-6D38-0
https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000892532

Towards comprehension of the surface state properties in the intrinsic magnetic topological insulators

Authors: V. N. Men'shov, I. A. Shvets, E. V. Chulkov

Contributors: Saint Petersburg State University, Russian Science Foundation, Consejo Superior de Investigaciones Científicas [https://ror.org/02gfc7t72]

Source: Digital.CSIC. Repositorio Institucional del CSIC
Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC)
Physical Review B. 2022. Vol. 106, № 20. P. 205301-1-205301-13

Subject Terms: 0301 basic medicine, 0303 health sciences, 03 medical and health sciences, поверхностные состояния, топологические поверхностные состояния фермионов, собственные магнитные топологические изоляторы

File Description: application/pdf

Access URL: http://hdl.handle.net/10261/306303
https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001008659

Влияние режимов боросилицирования дисперсных порошков на основе железа на толщину и микротвердость диффузионного слоя

Subject Terms: Поверхностный слой, Порошковые материалы, Диссертации, Химико-термическая обработка, Боросиликаты, Поверхностные состояния

File Description: application/pdf

Access URL: https://elib.gstu.by/handle/220612/42514

Interplay between exchange-split Dirac and Rashba-type surface states at the MnBi2Te4/BiTeI interface

Authors: Zaitsev, Nickolai L., Rusinov, Igor P., Menshchikova, Tatiana V., Chulkov, Evgueni V.

Source: Physical Review B. 2023. Vol. 107, № 4. P. 045402-1-045402-9

Subject Terms: обменно-расщепленные состояния, поверхностные состояния, Рашбы эффект, антиферромагнитные топологические изоляторы

File Description: application/pdf

Access URL: https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001009338

ИЗУЧЕНИЯ РОЛИ ЭФФЕКТИВНОЙ ПЛОТНОСТИ ЭЛЕКТРОННЫХ ПОВЕРХНОСТНЫХ СОСТОЯНИЙ В НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНКАХ ПРИ НАЛОЖЕНИИ ЦИКЛИЧЕСКОЙ ДЕФОРМАЦИИ

Subject Terms: нанокристаллические плёнки, межзёренные границы, поверхностные электронные состояния, уровень Ферми, заряд поверхности раздела, поверхностные состояния, эффективная плотность электронных поверхностных состояний

ИЗУЧЕНИЯ РОЛИ ЭФФЕКТИВНОЙ ПЛОТНОСТИ ЭЛЕКТРОННЫХ ПОВЕРХНОСТНЫХ СОСТОЯНИЙ В НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНКАХ ПРИ НАЛОЖЕНИИ ЦИКЛИЧЕСКОЙ ДЕФОРМАЦИИ

Subject Terms: нанокристаллические плёнки, межзёренные границы, поверхностные электронные состояния, уровень Ферми, заряд поверхности раздела, поверхностные состояния, эффективная плотность электронных поверхностных состояний

Electrical characterization of insulator-semiconductor systems based on graded band gap MBE HgCdTe with atomic layer deposited Al2O3 films for infrared detector passivation

Authors: A.V. Voitsekhovskii, S.N. Nesmelov, S.M. Dzyadukh, V.S. Varavin, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, M.V. Yakushev, G.Y. Sidorov

Source: Vacuum. 2018. Vol. 158. P. 136-140

Subject Terms: C-V-характеристики, медленные поверхностные состояния, запрещенная зона, 0103 physical sciences, инфракрасные детекторы, 02 engineering and technology, МДП-структуры, 0210 nano-technology, 01 natural sciences

Access URL: https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0042207X18315975
https://ui.adsabs.harvard.edu/abs/2018Vacuu.158..136V/abstract
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000788894

Учёт отжига радиационных эффектов в SPICE моделях МОП-транзисторов для расчётов радиационно стойких КМОП БИС

Source: Труды НИИСИ РАН. 8:118-124

Subject Terms: interface traps, oxide charge, поверхностные состояния, SPICE models, КМОП БИС, SPICE модели, схемотехническое моделирование, отжиг дефектов, полученная доза, dose rate, SPICE simulation, radiation effects, annealing, CAD systems, САПР, CMOS IC, радиационные эффекты, дырочный заряд

Обобщённая модель эффекта низкой интенсивности в биполярных приборах

Source: Труды НИИСИ РАН. 8:94-98

Subject Terms: interface traps, enhanced low dose rate sensitivity, поверхностные состояния, эффект низкой интенсивности, дозовые эффекты, радиационная стойкость, total ionizing dose effects, биполярные транзисторы, bipolar transistors, radiation hardness

Квантовый размерный эффект и осцилляции Шубниковаndash;де Гааза в поперечном магнитном поле в полупроводниковых нитях Bi0.92Sb0.08

Authors: Nikolaeva, A.A., Николаева, А., Konopko, L.A., Huber, T.E., Хубер, Т.Е., Popov, I.A., Попов, И.А., Para, G.I., Пара, Г.И., Botnari, O.V., Botnary, O.V., Ботнарь, О.В.

Source: Электронная обработка материалов 57 (6) 79-86

Subject Terms: квантовый размерный эффект, топологический изолятор, поверхностные состояния, монокристаллические нанонити, квантовые осцилляции, поперечное магнетосопро-тивление, quantum size effect, topological insulator, surface state, Single-crystal nanowires, quantum oscillations, transverse magnetoresistance

File Description: application/pdf

Relation: https://ibn.idsi.md/vizualizare_articol/145794; urn:issn:00135739

Availability: https://ibn.idsi.md/vizualizare_articol/145794
https://doi.org/10.52577/eom.2021.57.6.79

LIGHT ABSORPTION of SMALL CdS QUANTUM DOTS

Authors: Boichuk, V. I., Leshko, R. Ya., Karpyn, D. S.

Source: Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 14, № 1 (2017); 21-30
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 14, № 1 (2017); 21-30
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 14, № 1 (2017); 21-30

Subject Terms: поляризационная ловушка, квантовая точка, поверхностные состояния, polarization trap, quantum dot, surface states, поляризаційна пастка, квантова точка, поверхневі стани, 7. Clean energy

File Description: application/pdf

Access URL: http://semst.onu.edu.ua/article/download/96434/93047
http://semst.onu.edu.ua/article/view/96434

ALD Al2O3, SiNx, and SiON films as passivating coatings in AlGaN/GaN HEMT ; Пленки ALD Al2O3, SiNx и SiON в качестве пассивирующих покрытий в AlGaN/GaN HEМТ

Authors: K. L. Enisherlova, E. M. Temper, Yu. V. Kolkovsky, B. K. Medvedev, S. A. Kapilin, К. Л. Енишерлова, Э. М. Темпер, Ю. В. Колковский, Б. К. Медведев, C. А. Капилин

Source: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 22, № 3 (2019); 202-211 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 22, № 3 (2019); 202-211 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2019-3

Subject Terms: поверхностные состояния, passivating coating, fixed charge, band diagram, spontaneous and piezoelectric polarization, donor-like centers, hopping conductivity, surface states, фиксированный заряд, зонная диаграмма, спонтанная и пьезополяризация, донорно-подобные центры, прыжковая проводимость

File Description: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/379/311; Chevtchenko S. A., Reshchikov M. A., Fan Q., Ni X., Moon Y. T., Baski A. A., Morkoç H. Study of SiNх and SiO2 passivation of GaN surfaces // J. Appl. Phys. 2007. V. 101, N 11. P. 2740324. DOI:10.1063/1.2740324; Mizue C., Hori Y., Miczek M., Hashizume T. Capacitance-voltage characteristics of Al2O3/AlGaN/GaN structures and state density distribution at Al2O3/AlGaN Interface // Jpn. J. Appl. Phys. 2011. V. 50, N 2R. P. 021001. DOI:10.1143/JJAP.50.021001; Matys M., Stoklas R., Blaho M., Adamowicz B. Origin of positive fixed charge at insulator/AlGaN interfaces and its control by AlGaN composition // J. Appl. Phys. 2017. V. 110, N 24. P. 243505. DOI:10.1063/1.4986482; Geng K., Chen D., Zhou Q., Wang H. AlGaN/GaN MIS-HEMT with PECVD SiNx, SiON, SiO2 as gate dielectric and passivation layer // Electronics. 2018. V. 7, N 12. p. 416. DOI:10.3390/electronics7120416; Matys M., Adamowicz B., Domanowska A., Michalewicz A., Stoklas R., Akazawa M., Yatabe Z., Hashizume T. On the origin of interface states at oxide/III-nitride heterojunction interfaces // J. Appl. Phys. 2016. V. 120, Iss. 22. P. 225305. DOI:10.1063/1.4971409; Shengyin Xie, Jiayun Yin, Sen Zhang, Bo Liu, Wei Zhou, Zhihong Feng. Trap behaviors in AlGaN–GaN heterostructures by C–V characterization // Solid-State Electronics. 2009. V. 53, Iss. 11. P. 1183—1185. DOI:10.1016/j.sse.2009.08.006; Зубков В. И. Диагностика гетероструктур с квантовыми ямами InxGa1-xAs/GaAs методом вольт-фарадных характеристик: разрывы зон, уровни квантования, волновые функции // Физика и техника полупроводников. 2007. Т. 41, № 3. С. 331—337. URL: https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/6276; Miczek M., Mizue C., Hashizume T., Adamowicz B. Effects of interface states and temperature on the C-V behavior of metal/insulator/AlGaN/GaN heterostructure capacitors // J. Appl. Phys. 2008. V. 103, Iss. 10. P. 104510. DOI:10.1063/1.2924334; Arulkumaran S., Egawa T., Ishikawa H., Jimbo T. Characterization of different –Al-content AlxGa1-xN/GaN heterostructures and high-electron-mobility transistors on sapphire // J. Vacuum Science & Techology B. 2003. V. 21, Iss. 2. P. 888—894. DOI:10.1116/1.1556398; Hashizume T., Hasegawa H. Effects of nitrogen deficiency on electronic properties of AlGaN surfaces subjected to thermal and plasma processes // Applied Surface Science. 2004. V. 234, Iss. 1–4. P. 387—394. DOI:10.1016/j.apsusc.2004.05.091; Dinara S. M., Jana S. Kr., Ghosh S., Mukhopadhyay P., Kumar R., Chakraborty A., Bhattacharya S., Biswas D. Enhancement of two dimensional electron gas concentrations due to Si3N4 passivation on Al0.3Ga0.7N/GaN heterostructure: strain and interface capacitance analysis // AIP Advances. 2015. V. 5, Iss. 4. P. 047136. DOI:10.1063/1.4919098; Sameer J. J. Surface and mechanical stress effects in AlGaN/GaN high electron mobility transistors: Thesis: Ph. D. Massachusetts Institute of Technology, Department of Materials Science and Engineering, 2017. 161 p. URL: https://dspace.mit.edu/handle/1721.1/111325; Mosca R., Gombia E., Passaseo A., Tasco V., Peroni M., Romanini P. DLTS characterization of silicon nitride passivated AlGaN/GaN heterostructures // Superlattices and Microstructures. 2004. V. 36, Iss. 4–6. P. 425—433. DOI:10.1016/j.spmi.2004.09.006; Hori Y., Mizue C., Hashizume T. Process conditions for improvement of electrical properties of Al2O3/n-GaN structures prepared by atomic layer deposition // Jpn. J. Appl. Phys. 2010. V. 49, N 8R. P. 080201. DOI:10.1143/JJAP.49.080201; Hashizume T., Alekseev E., Pavlidis D., Boutros K. S., Redwing J. Capacitance-voltage characterization of AlN/GaN metal-insulator-semiconductor structures grown on sapphire substrate by metalorganic chemical vapor deposition // J. Appl. Phys. 2000. V. 88, Iss. 4. P. 1983—1986. DOI:10.1063/1.1303722; Eller B. S., Yang J., Nemanich R. J. Electronic surface and dielectric interface states on GaN and AlGaN // J. Vacuum Science & Technology A. 2013. V. 31, Iss. 5. P. 050807. DOI:10.1116/1.4807904; Dusza J., Steen M. Microhardness load/size effect in individual grains of a gas pressure sintered silicon nitride // J. Amer. Ceramic Society. 1998. V. 81, N 11. P. 3022—3024.; Яковлева Н. И., Никонов А. В., Болтарь К. О., Седнев М. В. Анализ механизмов темновых токов матриц ультрафиолетовых фотодиодов на основе гетероструктур AlGaN // Успехи прикладной физики. 2018. Т. 6, № 1. С. 44—55.; Monroe D. Hopping exponential band tails // Phys. Rev. Lett. 1985. V. 54, Iss. 2. P. 146—149. DOI:10.1103/PhysRevLett.54.146; Бочкарева Н. И., Вороненков В. В., Горбунов Р. И., Вирко М. В., Коготков В. С., Леонидов А. А., Воронцов-Велья­ми­нов П. Н., Шеремет И. А., Шретер Ю. Г. Прыжковая проводимость и диэлектрическая релаксация в барьерах Шоттки на основе GaN // Физика и техника полупроводников. 2017. T. 51, № 9. С. 1235—1242. DOI:10.21883/FTP.2017.09.44888.8528; https://met.misis.ru/jour/article/view/379

Availability: https://met.misis.ru/jour/article/view/379
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2019-3-202-211

Особенности продольного магнитосопротивления и осцилляции Шубникова-де Гааза в полупроводниковых нитях Bi1-xSbx

Authors: Nikolaeva, A.A., Николаева, А., Konopko, L.A., Huber, T.E., Хубер, Т.Е., Popov, I.A., Попов, И.А., Para, G.I., Пара, Г.И., Botnari, O.V., Botnary, O.V., Ботнарь, О.В.

Source: Электронная обработка материалов 56 (6) 73-80

Subject Terms: монокристаллические нанонити, топологический изолятор, квантовые осцилляции, продольное магнитосопротивление, поверхностные состояния, квантовый размерный эффект, Single-crystal nanowires, topological insulator, quantum oscillations, longitudinal magnetoresistance, surface state, quantum size effect

File Description: application/pdf

Relation: https://ibn.idsi.md/vizualizare_articol/117367; urn:issn:00135739

Availability: https://ibn.idsi.md/vizualizare_articol/117367
https://doi.org/10.5281/zenodo.4305606

Manipulating the Topological Interface by Molecular Adsorbates: Adsorption of Co-Phthalocyanine on Bi2Se3

Authors: Andrzej Hruban, Andrés Arnau, Antonio Politano, Giovanni Di Santo, Evgueni V. Chulkov, Ziya S. Aliev, Marcin Konczykowski, Ivana Vobornik, Simone Lisi, Jun Fujii, Luca Perfetti, Mikhail M. Otrokov, Lama Khalil, Aitor Mugarza, Lia Krusin-Elbaum, Vera Marinova, Evangelos Papalazarou, Pranab Kumar Das, Andrea Goldoni, Mahammad B. Babanly, Mirko Panighel, Marco Caputo, Marino Marsi

Contributors: Michetti, Armelle, Laboratoire de Physique des Solides (LPS), Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Catalan Institute of Nanoscience and Nanotechnology = Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2), Universitat Autònoma de Barcelona = Autonomous University of Barcelona = Universidad Autónoma de Barcelona (UAB)-Consejo Superior de Investigaciones Cientificas España = Spanish National Research Council Spain (CSIC)-Barcelona Institute of Science and Technology (BIST), Interactions modulables dans des états quantiques 2D (NEEL - Quan2m), Institut Néel (NEEL), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 )-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 ), Elettra Sincrotrone Trieste, Institute of Electronic Materials Technology, 01-919 Warsaw, Poland, Laboratoire des Solides Irradiés - Irradiated Solids Laboratory (LSI), Institut Rayonnement Matière de Saclay (DRF) (IRAMIS), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Paris-Saclay-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Paris-Saclay-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-École polytechnique (X), Institut Polytechnique de Paris (IP Paris)-Institut Polytechnique de Paris (IP Paris)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), City University of New York New York (CUNY), Laboratorio Nazionale TASC (CNR-INFM), Istituto Nazionale per la Fisica della Materia, CNR Istituto Officina dei Materiali (IOM), National Research Council of Italy, ANR-10-LABX-0039,PALM,Physics: Atoms, Light, Matter(2010)

Source: Dipòsit Digital de Documents de la UAB
Universitat Autònoma de Barcelona
Nano letters
16 (2016): 3409–3414. doi:10.1021/acs.nanolett.5b02635
info:cnr-pdr/source/autori:Caputo, Marco; Panighel, Mirko; Lisi, Simone; Khalil, Lama; Di Santo, Giovanni; Papalazarou, Evangelos; Hruban, Andrzej; Konczykowski, Marcin; Krusin-Elbaum, Lia; Aliev, Ziya S.; Babanly, Mahammad B.; Otrokov, Mikhail M.; Politano, Antonio; Chulkov, Evgueni V.; Arnau, Andres; Marinova, Vera; Das, Pranab K.; Fujii, Jun; Vobornik, Ivana; Perfetti, Luca; Mugarza, Aitor; Goldoni, Andrea; Marsi, Marino/titolo:Manipulating the Topological Interface by Molecular Adsorbates: Adsorption of Co-Phthalocyanine on Bi2Se3/doi:10.1021%2Facs.nanolett.5b02635/rivista:Nano letters (Print)/anno:2016/pagina_da:3409/pagina_a:3414/intervallo_pagine:3409–3414/volume:16
Nano letters. 2016. Vol. 16, № 6. P. 3409-3414

Subject Terms: [PHYS]Physics [physics], Topological insulator, поверхностные состояния, селенид висмута, charge transfer, фталоцианины, Phthalocyanine, 02 engineering and technology, ARPES, 01 natural sciences, [PHYS] Physics [physics], Dirac cone, 3. Good health, phthalocyanine, Charge transfer, Surface states, 0103 physical sciences, топологические изоляторы, Дирака конусы, surface states, 0210 nano-technology

File Description: application/pdf

Access URL: https://ddd.uab.cat/pub/artpub/2016/240996/nanolett_a2016v16np3409-Post.pdf
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/27010705
https://ddd.uab.cat/record/240996
https://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/27010705
https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acs.nanolett.5b02635
https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.5b02635
https://digital.csic.es/handle/10261/159692
http://ui.adsabs.harvard.edu/abs/2016NanoL..16.3409C/abstract
http://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/acs.nanolett.5b02635
https://zenodo.org/record/6619070/files/preprint_manuscript.pdf?download=1
https://hdl.handle.net/20.500.14243/380532
https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.5b02635
https://hal.science/hal-01974776v1
https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.5b02635
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000550895
https://hdl.handle.net/11697/140840

Multiple Coexisting Dirac Surface States in Three-Dimensional Topological Insulator PbBi6Te10

Authors: Sanjoy K. Mahatha, Mahammad B. Babanly, Jun Fujii, Ivana Vobornik, Nazim Mamedov, Ziya S. Aliev, Marco Papagno, Daniela Pacilé, Evgueni V. Chulkov, Sergey V. Eremeev

Source: ACS nano 10 (2016): 3518–3524. doi:10.1021/acsnano.5b07750
info:cnr-pdr/source/autori:Papagno M.; Eremeev S.V.; Fujii J.; Aliev Z.S.; Babanly M.B.; Mahatha S.K.; Vobornik I.; Mamedov N.T.; Pacile D.; Chulkov E.V./titolo:Multiple Coexisting Dirac Surface States in Three-Dimensional Topological Insulator PbBi6Te10/doi:10.1021%2Facsnano.5b07750/rivista:ACS nano/anno:2016/pagina_da:3518/pagina_a:3524/intervallo_pagine:3518–3524/volume:10
ACS Nano. 2016. Vol. 10, № 3. P. 3518-3524

Subject Terms: topological insulator, поверхностные состояния, трехмерные топологические изоляторы, Dirac surface states, 0103 physical sciences, STM, фотоэмиссионная спектроскопия, ARPES, DFT, 01 natural sciences, Рашбы расщепление

Access URL: https://pubs.acs.org/doi/full/10.1021/acsnano.5b07750
https://europepmc.org/article/MED/26895427
http://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.5b07750
https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.5b07750?ref=ancac3VIsansebastian
https://digital.csic.es/handle/10261/136831
https://iris.unical.it/handle/20.500.11770/154623
https://hdl.handle.net/20.500.11770/154623
https://doi.org/DOI: 10.1021/acsnano.5b07750
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000565880

INFLUENCE OF THE QUANTUM DOT MATERIAL DEFORMATION ON TAMM SURFACE LEVELS

Source: Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 17, № 3 (2020); 4-11
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 17, № 3 (2020); 4-11
Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 17, № 3 (2020); 4-11

Subject Terms: электрон-деформационная взаимодействие, квантовая точка, поверхностные состояния, напряженная наногетеросистемах, electron-deformation interaction, quantum dot, surface states, strained nanoheterosystem, електрон-деформаційна взаємодія, квантова точка, поверхневі стани, напружена наногетеросистема

File Description: application/pdf

Access URL: http://semst.onu.edu.ua/article/view/205924

Электронная структура интерметаллидов на основе редкоземельного элемента и переходного или благородного металла ; Electronic structure of intermetallics based on a rare earth element and a transition or noble metal

Authors: Вязовская, А. Ю.

Contributors: Отроков, М. М.

Subject Terms: электронные структуры, редкоземельные элементы, переходные металлы, благородные металлы, поверхностные состояния

Relation: Перспективы развития фундаментальных наук : сборник научных трудов XV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 24-27 апреля 2018 г. Т. 1 : Физика. — Томск, 2018.; http://earchive.tpu.ru/handle/11683/50907

Availability: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/50907