Electrical Relaxation and Transport Properties of ZnGeP2 and 4H-SiC Crystals Measured with Terahertz Spectroscopy

Authors: Vladimir I. Voevodin, Valentin N. Brudnyi, Yury S. Sarkisov, Xinyang Su, Sergey Yu. Sarkisov

Source: Photonics, Vol 10, Iss 7, p 827 (2023)
Photonics; Volume 10; Issue 7; Pages: 827
Photonics. 2023. Vol. 10, № 7. P. 827 (1-16)

Subject Terms: терагерцовая фотопроводимость, 4H-SiC, дифосфид цинка-германия, Шокли-Рида-Холла рекомбинация, optical pump–terahertz probe, below-band-gap photoexcitation, ZnGeP2, THz-TDS, terahertz photoconductivity, charge carrier lifetime, Shockley–Read–Hall recombination, Auger recombination, TA1501-1820, фотовозбуждение ниже запрещенной зоны, нелинейные кристаллы, Applied optics. Photonics, оптическая накачка - ТГц зонд, Оже-рекомбинация

File Description: application/pdf

Access URL: https://doaj.org/article/993e88da8a6f464c8342b996cdb5c31d
https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001017455

Внутренняя квантовая эффективность светодиодных структур при различных распределениях носителей заряда по квантовым ямам InGaN/GaN

Authors: Романов, Иван Сергеевич, Прудаев, Илья Анатольевич, Копьев, Виктор Васильевич

Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 2. С. 8-11

Subject Terms: нитриды галлия, нитриды индия, квантовые ямы, внутренняя квантовая эффективность, фотолюминесценция, туннелирование, Оже-рекомбинация

File Description: application/pdf

Relation: vtls:000668175; https://openrepository.ru/article?id=298022

Availability: https://openrepository.ru/article?id=298022

Внутренняя квантовая эффективность светодиодных структур при различных распределениях носителей заряда по квантовым ямам InGaN/GaN

Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 2. С. 8-11

Subject Terms: нитриды галлия, нитриды индия, внутренняя квантовая эффективность, квантовые ямы, туннелирование, фотолюминесценция, Оже-рекомбинация

File Description: application/pdf

Access URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000668175

Optical Pump–Terahertz Probe Study of HR GaAs:Cr and SI GaAs:EL2 Structures with Long Charge Carrier Lifetimes

Authors: Irina A. Kolesnikova, Daniil A. Kobtsev, Ruslan A. Redkin, Vladimir I. Voevodin, Anton V. Tyazhev, Oleg P. Tolbanov, Yury S. Sarkisov, Sergey Yu. Sarkisov, Victor V. Atuchin

Source: Photonics, Vol 8, Iss 12, p 575 (2021)
Photonics; Volume 8; Issue 12; Pages: 575
Photonics. 2021. Vol. 8, № 12. P. 575 (1-11)

Subject Terms: SI GaAs:Cr, Шокли-Рида-Холла рекомбинация, optical pump–terahertz probe, 02 engineering and technology, срок службы носителей заряда, 01 natural sciences, HR GaAs:Cr, TA1501-1820, поверхностные дефекты, Auger recombination, терагерцовые зонды, 0103 physical sciences, оптическая накачка, Applied optics. Photonics, charge carrier lifetime, 0210 nano-technology, Оже-рекомбинация, Shockley–Read–Hall recombination, surface defect

File Description: application/pdf

Access URL: https://www.mdpi.com/2304-6732/8/12/575/pdf
https://doaj.org/article/1e014f4febe9469e84e877308ff167fc
https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000901386