-
1Academic Journal
Πηγή: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 4. С. 16-21
Θεματικοί όροι: полупроводниковые кристаллы легированные, терагерцовая спектроскопия, арсенид галлия, неравновесные носители заряда, время жизни, метод накачки-зондирования
Περιγραφή αρχείου: application/pdf
Σύνδεσμος πρόσβασης: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000720735
-
2Academic Journal
Συγγραφείς: Семенов, Эдуард Валерьевич, Малаховский, Олег Юрьевич
Πηγή: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 6. С. 151-156
Θεματικοί όροι: электронно-дырочные переходы, диффузионные заряды, неравновесные носители заряда, неквазистатические модели, обратное восстановление
Περιγραφή αρχείου: application/pdf
Relation: vtls:000674527; https://openrepository.ru/article?id=330114
-
3Book
Θεματικοί όροι: ДЕФЕКТЫ, СВЕРХПРОВОДИМОСТЬ, ЗОННАЯ ТЕОРИЯ, СТАТИСТИКА НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДОВ, НЕРАВНОВЕСНЫЕ НОСИТЕЛИ ЗАРЯДА, КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ РЕШЁТКА, УРОВЕНЬ ФЕРМИ, НЕВЫРОЖДЕННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ, ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ, УЧЕБНЫЕ ПОСОБИЯ, ТИПЫ СВЯЗЕЙ, ПОЛУПРОВОДНИКИ, ЭЛЕКТРОННОЕ МАШИНОСТРОЕНИЕ
Περιγραφή αρχείου: application/pdf
Σύνδεσμος πρόσβασης: http://elar.urfu.ru/handle/10995/58594
-
4Academic Journal
Συγγραφείς: O. G. Koshelev, N. G. Vasiljev, О. Г. Кошелев, Н. Г. Васильев
Πηγή: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 20, № 1 (2017); 60-66 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 20, № 1 (2017); 60-66 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2017-1
Θεματικοί όροι: солнечные элементы, nonequilibrium charge carriers, lifetime, surface recombination rate, solar cells, неравновесные носители заряда, время жизни, скорость поверхностной рекомбинации
Περιγραφή αρχείου: application/pdf
Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/247/214; 32th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition (EU PVSEC 2016). − Munich, 2016. URL: https://www.eupvsec−proceedings.com/proceedings/dvd.html (accessed 06.04.2017); Takahiro Mishima, Micio Taguchi, Hitoshi Sakata, Eiji Maruyama. Development status of high−efficiency HIT solar cells // Solar Energy Materials and Solar Cells. − 2011. − V. 95, iss. 1. − P. 18—21. DOI:10.1016/j.solmat.2010.04.030; Schmidt J., Aberle A. G. Accurate method for the determination of bulk minority−carrier lifetimes of mono− and multicrystalline silicon wafers // J. Appl. Phys. − 1997. − V. 81, iss. 9. − P. 6186—6199. DOI:10.1063/1.364403; Patent 5438276 A (US). Apparatus for measuring the life time of minority carriers of a semiconductor wafer. Yutaka Kawata, Takuya Kusaka, Hidehisa Hashizume, Futoshi Ojima, 1995.; SEMI MF1535−0707. Test method for carrier recombination lifetime in silicon wavers by noncontact measurements of photoconductivity decay by microwave reflectance. URL: http://ams.semi.org/ebusiness/standards/SEMIStandardDetail.aspx?ProductID=211&DownloadID=942 (accessed: 23.03.2017); Gaubas E., Kaniava A. Determination of recombination parameters in silicon wafers by transient microwave absorption // Rev. Scientific Instruments. − 1996. − V. 67, iss. 6. − P. 2339—2345. DOI:10.1063/1.1146943; Wezep D. A., Velden M. H. L., Bosra D. M., Bosh R. C. M. MDP lifetime measurements as a tool to predict solar cell efficiency / 26th Europ. Photovoltaic Solar Energy Conf. and Exhibition. Progress in Photovoltaics: Research and Applications. − Munich, 2016. − P. 1423—1428.; Metzger W. K. How lifetime fluctuations, grain−boundary recombination, and junctions affect lifetime measurements and their correlation to silicon solar cell performance // Solar Energy Materials and Solar Cells. − 2008. − V. 92, iss. 9, pp. 1123—1135. DOI:10.1016/j.solmat.2008.04.001; Waldmeyer J. A contactless method for determination of carrier lifetime, surface recombination velocity, and diffusion constant in semiconductors // J. Appl. Phys. − 1988. − V. 63, iss. 6. − P. 1977—1983. DOI:10.1063/1.341097; Buczkowski A., Radzimski Z. J., Rozgonyi G. A., Shimura F. Bulk and surface components of recombination lifetime based on a two−laser microwave reflection technique // J. Appl. Phys. − 1991. − V. 69, iss. 9. − P. 6495—6499. DOI:10.1063/1.348857; Солнечные элементы технологии HIT — наше будущее? URL: http://solar−front.livejournal.com/11644.html (дата обращения 06.04.2017).; Концевой Ю. А., Брашеван Ю. В., Завадский Ю. И., Максимов Ю. А., Гладышев Д. А., Чернокожин В. В. Диагностика кремниевых пластин по параметрам и тепловому излучению элементов солнечных батарей // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. − 2000. − Т. 66, № 10. − С. 32—33.; Babajanyan A., Sargsyan T., Melikyan H., Kim Seungwan, Kim Jongchel, Lee Kiejin. Investigation of the photovoltaic effect in solar cells by usinga near−field microwave microscope // J. Korean Phys. Soc. − 2009. − V. 55, iss. 1. − P. 154—157. DOI:10.3938/jkps.55.154; Кошелев О. Г., Унтила Г. Г. О времени релаксации СВЧ фотопроводимости в базовой области кремниевых солнечных элементов при локальном освещении // XII Российская конф. по физике полупроводников. Тез. докл. − М.; Ершово, 2015. − C. 380.; Кошелев О. Г. О снижении контраста фотопроводимости по площади неоднородных кремниевых структур p+−n(p)−n+− типа из−за токов по слоям p+−и n+−типа // Изв. РАН. Сер. Физ. − 2017. − Т. 81, № 1. − C. 41—44. DOI:10.7868/S0367676517010148; Koshelev O. G., Morozova V. A. A nondestructive method for measuring the photoelectric parameters of wafers with p−n junctions // Solid−State Electronics. − 1996. − V. 39, iss. 9. − P. 1379—1383. DOI:10.1016/0038−1101(96)00040−8; Васильев А. М., Ландсман А. П. Полупроводниковые фотопреобразователи. − М. : Советское радио, 1971. − 246 с. URL: http://www.toroid.ru/vasilievAM.html; Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Кн. 2. − М.: Мир, 1984. − 455 с.; https://met.misis.ru/jour/article/view/247
-
5Academic Journal
Συγγραφείς: I. M. Anfimov, S. P. Kobeleva, A. V. Pylnev, I. V. Schemerov, D. S. Egorov, S. V. Yurchuk, И. М. Анфимов, С. П. Кобелева, А. В. Пыльнев, И. В. Щемеров, Д. С. Егоров, С. Ю. Юрчук
Πηγή: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 19, № 3 (2016); 210-216 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 19, № 3 (2016); 210-216 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2016-3
Θεματικοί όροι: бесконтактные СВЧ− измерения, photoconductivity decay, Si single crystal, contactless µ−PCD measurements, неравновесные носители заряда, спад фотопроводимости, монокристаллический Si, непассивированные образцы
Περιγραφή αρχείου: application/pdf
Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/240/207; Väinölä, H. Sensitive copper detection in p−type CZ silicon using µPCD / H. Väinölä, M. Yli−Koski, A. Haarahiltunen, J. Sinkkonen // J. Electrochem. Soc. − 2003. − V. 150, iss. 12. − P. G790—G794. DOI:10.1149/1.1624845; Schroder, D. K. Semiconductor material and device characterization / D. K. Schroder. − New York : Wiley−Interscience/IEEE, 2006. − 781 p.; Кобелева, С. П. Методы измерения электрофизических параметров монокристаллического кремния (обзор) / С. П. Кобелева // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. − 2007. − Т. 73, № 1. − С. 60—67.; Ogita, Y. I. Bulk lifetime and surface recombination velocity measurement method in semiconductor wafers / Y. I. Ogita // J. Appl. Phys. − 1996. − V. 79, iss. 9. − Art. N 6954. DOI:10.1063/1.361459; Harkonen, J. Recombination lifetime characterization and mapping of silicon wafers and detectors using the microwave photoconductivity decay (µPCD) technique / J. Härkönen, E. Tuovinen, Z. Li, P. Luukka, E. Verbitskaya, V. Eremin // Materials Science in Semiconductor Processing. − 2006. − V. 9, iss. 1–3. − P. 261—265. DOI:10.1016/j.mssp.2006.01.049; SEMI MF 1535−0707. Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers by noncontact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance. − San Jose, 2010.; Wilson, M. Improved QSS−µPCD measurement with quality of decay control: Correlation with steady−state carrier lifetime / M. Wilson, P. Edelman, J. Lagowski, S. Olibet, V. Mihailetchi // Solar Energy Materials and Solar Cells. − 2012. − V. 106. − P. 66—70. DOI:10.1016/j.solmat.2012.05.040; Klein, D. The determination of charge−carrier lifetime in silicon / D. Klein, F. Wuensch, M. Kunst // Phys. Status Solidi (b). − 2008. − V. 245, N 9. − P. 1865—1876. DOI:10.1002/pssb.200879544; Heinz, F. D. Separation of the surface and bulk recombination in silicon by means of transient photoluminescence / F. D. Heinz, W. Warta, M. C. Schubert // Appl. Phys. Lett. − 2017. − V. 110, iss. 4. − Art. N 042105. DOI:10.1063/1.4975059; Anfimov, I. M. Measurement of lifetime of nonequilibrium charge carriers in single−crystal silicon / I. M. Anfimov, S. P. Kobeleva, I. V. Shchemerov // Inorg. Mater. − 2015. − V. 51, N 15. − P. 1447— 1451. DOI:10.1134/S0020168515150029; Fontaine, J. C. A simple procedure based on the PCD method for determination of recombination lifetime and surface recombination velocity in silicon / J. C. Fontaine, S. Barthe, J. P. Ponpon, J. P. Schunck, P. Siffert // Measurement Science and Technology. − 1994. − V. 5, N 1. − P. 47—50. DOI:10.1088/0957-0233/5/1/008; Landheer, K. Decoupling high surface recombination velocity and epitaxial growth for silicon passivation layers on crystalline silicon / K. Landheer, M. Kaiser, M. A. Verheijen, F. D. Tichelaar, I. Poulios, R. E. I. Schropp, J. K. Rath // J. Phys. D: Appl. Phys. − 2017. − V. 50, N 6. − Art. N 065305. DOI:10.1088/1361-6463/aa535f; Adachi, D. Impact of carrier recombination on fill factor for large area heterojunction crystalline silicon solar cell with 25.1% efficiency / D. Adachi, J. L. Hernandez, K. Yamamoto // Appl. Phys. Lett. − 2015. − V. 107, iss. 23. − Art. N 233506. DOI:10.1063/1.4937224; Bonilla, R. S. Extremely low surface recombination in 1 Ω cm n−type monocrystalline silicon / R. S. Bonilla, C. Reichel, M. Hermle, P. R. Wilshaw // Phys. Status Solidi RRL. − 2017. − V. 11, iss. 1. − Art. N 1600307. DOI:10.1002/pssr.201600307; Ogita, Y .I. Reduction of surface recombination velocity by rapid thermal annealing of p−Si passivated by catalytic−chemical vapor deposited alumina films / Y .I. Ogita, M. Tachihara // Thin Solid Films. − 2015. − V. 575. − P. 56—59. DOI:10.1016/j.tsf.2014.10.024; Blakemore, J. S. Semiconductor statistics / J. S. Blakemore. − New York : Dover publishing, 1987. − 381 p.; Giesecke, J. A. Understanding and resolving the discrepancy between differential and actual minority carrier lifetime / J. A. Giesecke, S. W. Glunz, W. Warta // J. Appl. Phys. − 2013. − V. 113, N 7. − Art. N 073706. DOI:10.1063/1.4790716; Brody, J. Review and comparison of equations relating bulk lifetime and surface recombination velocity to effective lifetime measured under flash lamp illumination / J. Brody, A. Rohatgi, A. Ristow // Solar Energy Materials and Solar Cells. − 2003. − V. 77, iss. 3. − P. 293—301. DOI:10.1016/S0927-0248(02)00350-1; Horanyi, T. S. In situ bulk lifetime measurement on silicon with chemically passivated surface / T. S. Horanyi, T. Pavelka, P. Tutto // Appl. Surf. Sci. − 1993. − V. 63, iss. 1–4. − P. 306—311. DOI:10.1016/0169-4332(93)90112-O; Кобелева, С. П. Влияние поверхностной рекомбинации на измерение времени жизни в слитках монокристаллического кремния / С. П. Кобелева, С. Ю. Юрчук, М. А. Ярынчак, В. В. Калинин // Известия вузов. Материалы электронной техники. − 2006. − № 4. − С. 17—20.; Горюнов, Н. Н. Определение объемного времени жизни неосновных носителей заряда на непассивированных поверхностях монокристаллического кремния / Н. Н. Горюнов, С. П. Кобелева, В. В. Калинин, С. Ю. Юрчук, А. Н. Слесарев, А. Н. Чиякин // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. − 2004. − Т. 70, № 6. − С. 23—28.; SEMI MF 391−0310. Test methods for minority−carrier diffusion length in extrinsic semiconductors by measurement of steady−state surface photovoltage. − San Jose, 2010.; Kobeleva, S. P. A device for free−carrier recombination lifetime measurements / S. P. Kobeleva, I. M. Anfimov, I. V. Schemerov // Instruments and Experimental Techniques. − 2016. − V. 59, iss. 3. − P. 420—424. DOI:10.1134/S0020441216030064; https://met.misis.ru/jour/article/view/240
-
6Book
Συγγραφείς: Огородников, А. И.
Θεματικοί όροι: УЧЕБНЫЕ ПОСОБИЯ, КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ РЕШЁТКА, ТИПЫ СВЯЗЕЙ, ДЕФЕКТЫ, ЗОННАЯ ТЕОРИЯ, ПОЛУПРОВОДНИКИ, СТАТИСТИКА НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДОВ, НЕВЫРОЖДЕННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ, УРОВЕНЬ ФЕРМИ, НЕРАВНОВЕСНЫЕ НОСИТЕЛИ ЗАРЯДА, ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ, СВЕРХПРОВОДИМОСТЬ, ЭЛЕКТРОННОЕ МАШИНОСТРОЕНИЕ
Περιγραφή αρχείου: application/pdf
Relation: http://elar.urfu.ru/handle/10995/58594
Διαθεσιμότητα: http://elar.urfu.ru/handle/10995/58594
-
7
Συγγραφείς: Левашкин, Андрей Геньевич, Башкиров, Александр Иванович, Лапатин, Леонид Григорьевич, Тимофеева, Мария Александровна
Πηγή: Инноватика - 2019 : сборник материалов XV Международной школы-конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, 25-27 апреля 2019 г., г. Томск, Россия. Томск, 2019. С. 76-81
Θεματικοί όροι: поликристаллический кремний, СВЧ-излучение, носители заряда, неравновесные носители заряда, время жизни, измерение
Περιγραφή αρχείου: application/pdf
Relation: vtls:000671521; http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000671521
-
8Academic Journal
Συγγραφείς: Буров В. Н., Архипов А. В., Федеральное агентство по образованию, Самарский государственный аэрокосмический университет им. С. П. Королева
Θεματικοί όροι: 47.03.05, 621.382(075)
Θέμα γεωγραφικό: диффузия, диэлектрики, магнитная проницаемость, намагничивание, непроволочные резисторы, неравновесные носители заряда, освещенность, позисторы, полупроводники, полупроводниковые терморезисторы
Relation: Лабораторный практикум по материалам электронных средств : метод. указания к лаб. работам. - Текст : непосредственный; RU\НТБ СГАУ\547437
-
9Academic Journal
Συγγραφείς: Буренин П. В., Министерство высшего и среднего специального образования РСФСР, Куйбышевский авиационный институт им. С. П. Королева
Θεματικοί όροι: 47.01, 537.311.322(075), 621.382(075)
Θέμα γεωγραφικό: диффузия, методические издания, неравновесные носители заряда, полупроводники, рекомбинация
Relation: Исследование процесса рекомбинации и диффузии неравновесных носителей заряда в полупроводнике : [метод. указания]. - Текст : непосредственный; RU\НТБ СГАУ\478977