Specific features of defect formation in the n­Si single crystals at electron irradiation

Συγγραφείς: Luniov, Sergiy, Zimych, Andriy, Khvyshchun, Mykola, Yevsiuk, Mykola, Maslyuk, Volodymyr

Πηγή: Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 6, № 12 (96) (2018): Materials Science; 35-42
Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 6, № 12 (96) (2018): Материаловедение; 35-42
Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 6, № 12 (96) (2018): Матеріалознавство; 35-42

Θεματικοί όροι: silicon single crystals, infrared Fourier spectroscopy, Hall effect, uniaxial pressure, radiation defects, deep energy levels, монокристали кремнію, інфрачервона Фур'є-спектроскопія, ефект Холла, одновісний тиск, радіаційні дефекти, глибокі енергетичні рівні, 0103 physical sciences, 0211 other engineering and technologies, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, 02 engineering and technology, монокристаллы кремния, инфракрасная Фурье-спектроскопия, эффект Холла, одноосное давление, радиационные дефекты, глубокие энергетические уровни, 0210 nano-technology, UDC 621.315.592, 01 natural sciences

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://journals.uran.ua/eejet/article/download/150959/152822
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/150959
http://journals.uran.ua/eejet/article/download/150959/152822
https://www.neliti.com/publications/307930/specific-features-of-defect-formation-in-the-nsi-single-crystals-at-electron-irr
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/150959

Термодинамічні властивості монокристалів кремнію, легованих домішкою бора

Θεματικοί όροι: Monocrystals of silicon, Impurity of boron, Энергия Гиббса, Енергія Гіббса, Конфигурационная энтропия, Parameter of complexformation, Домішка бору, Configuration entropy, Параметр комплексообразования, Монокристали кремнію, Монокристаллы кремния, Примесь бора, Конфігураційна ентропія, Gibbs energy, Параметр комплексоутворення

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/65762

ВЛИЯНИЕ ОТЖИГА НА ФАЗОВЫЙ СОСТАВ КРЕМНИЯ ВНУТРИ ОТПЕЧАТКА ИНДЕНТОРА

Συγγραφείς: Косырев, Петр, Дмитриевский, Александр, Ефремова, Надежда, Шуклинов, Алексей

Θεματικοί όροι: МОНОКРИСТАЛЛЫ КРЕМНИЯ, ИНДЕНТИРОВАНИЕ, ФАЗОВЫЕ ПРЕВРАЩЕНИЯ ПОД ИНДЕНТОРОМ, ИЗОХРОННЫЙ ОТЖИГ

Περιγραφή αρχείου: text/html

Διαθεσιμότητα: http://cyberleninka.ru/article/n/vliyanie-otzhiga-na-fazovyy-sostav-kremniya-vnutri-otpechatka-indentora
http://cyberleninka.ru/article_covers/14467466.png

Влияние отжига на фазовый состав кремния внутри отпечатка индентора

Πηγή: Вестник Тамбовского университета. Серия: Естественные и технические науки.

Θεματικοί όροι: МОНОКРИСТАЛЛЫ КРЕМНИЯ, ИНДЕНТИРОВАНИЕ, ФАЗОВЫЕ ПРЕВРАЩЕНИЯ ПОД ИНДЕНТОРОМ, ИЗОХРОННЫЙ ОТЖИГ, 0101 mathematics, 01 natural sciences

Περιγραφή αρχείου: text/html

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://cyberleninka.ru/article_covers/14467466.png
http://cyberleninka.ru/article/n/vliyanie-otzhiga-na-fazovyy-sostav-kremniya-vnutri-otpechatka-indentora

Термодинамічні властивості монокристалів кремнію, легованих домішкою бора ; Thermodynamic Properties of Monocrystals of Silicon Doped Boron Impurity ; Термодинамические свойства монокристаллов кремния, легированных примесью бора

Συγγραφείς: Панченко, О.В.

Θεματικοί όροι: Монокристали кремнію, Конфігураційна ентропія, Енергія Гіббса, Параметр комплексоутворення, Домішка бору, Monocrystals of silicon, Configuration entropy, Gibbs energy, Parameter of complexformation, Impurity of boron, Монокристаллы кремния, Конфигурационная энтропия, Энергия Гиббса, Параметр комплексообразования, Примесь бора

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/65762

Διαθεσιμότητα: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/65762

Закономерности изменения свойств монокристаллов кремния под действием малодозового бета-облучения

Συγγραφείς: Дмитриевский, Александр Александрович

Πηγή: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 8. С. 85-94

Θεματικοί όροι: монокристаллы кремния, бета-облучение, механические свойства, электрические свойства

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: koha:001140871; https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001140871

Διαθεσιμότητα: https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001140871

Влияние условий адсорбции на парамагнитные центры в кремнии и двуокиси кремния в методе молекулярных пучков : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук.

Συγγραφείς: Мещеряков, Н. А., Преснов, Виктор Алексеевич (научный руководитель)

Συνεισφορές: Томский институт радиоэлектроники и электронной техники

Θεματικοί όροι: диссертации, адсорбция молекул, донорно-акцепторные взаимодействия, парамагнитные центры кремния, монокристаллы кремния, химия поверхности, молекулярные пучки, рассеяние света, физика поверхности кристаллов, рост пленок

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: vtls:000492878; http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000492878

Διαθεσιμότητα: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000492878