Stability study of hybrid MOS memristor memory using modified particle swarm optimization method

Συγγραφείς: A. V. Bondarev, V. N. Efanov

Πηγή: Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики, Vol 24, Iss 6, Pp 1059-1065 (2024)

Θεματικοί όροι: мемристор, моп-транзистор, память, стабильность, оптимизация, рой частиц, Information technology, T58.5-58.64

Περιγραφή αρχείου: electronic resource

Relation: https://ntv.elpub.ru/jour/article/view/413; https://doaj.org/toc/2226-1494; https://doaj.org/toc/2500-0373

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://doaj.org/article/a34aa4ae60b246cba3defd807ee03c2b

Thermal microelectromechanical sensor construction

Συγγραφείς: Egor Kiselev, Tetyana Krytska, Nina Stroiteleva, Konstantin Turyshev

Πηγή: Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 6, № 9 (102) (2019): Інформаційно-керуючі системи; 46-52
Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 6, № 9 (102) (2019): Информационно-управляющие системы; 46-52
Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 6, № 9 (102) (2019): Information and controlling system; 46-52

Θεματικοί όροι: MOS transistor, bimorph membrane, sensitive element, pulse frequency, microcontroller, UDC 621.3.084.2, 0502 economics and business, 05 social sciences, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, МОН-транзистор, біморфна мембрана, чутливий елемент, частота імпульсів, мікроконтролер, 02 engineering and technology, 7. Clean energy, МОП-транзистор, биморфная мембрана, чувствительный элемент, частота импульсов, микроконтроллер

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://journals.uran.ua/eejet/article/download/184443/189948
https://www.neliti.com/publications/308405/thermal-microelectromechanical-sensor-construction
http://journals.uran.ua/eejet/article/download/184443/189948
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/184443
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/184443

Моделирование характеристик инвертора на КНИ МОП нанотранзисторах с полностью охватывающим затвором: Simulation of characteristics of the inverter on surrounding gate SOI CMOS nanotransistors

Πηγή: Труды НИИСИ РАН. 9:56-61

Θεματικοί όροι: SOI CMOS nanotransistor, коротко-канальные эффекты, surrounding gate, полностью охватывающий затвор, short - channel effects, логический вентиль, low supply voltage, КНИ МОП транзистор, низкое напряжение питания, a logical gate

ВЛИЯНИЕ СТОК-ИСТОКОВОГО НАПРЯЖЕНИЯ НА ВАХ p-КАНАЛЬНОГО МОП-ТРАНЗИСТОРА ПРИ НИЗКОИНТЕНСИВНОМ ВОЗДЕЙСТВИИ ГАММА-ИЗЛУЧЕНИЯ

Θεματικοί όροι: МОП-транзистор, р-канал, низкая мощность дозы, гамма-излучение

Моделирование радиационно-индуцированной вариативности параметров в наноразмерных интегральных схемах

Πηγή: Труды НИИСИ РАН. 8:146-149

Θεματικοί όροι: I-V characteristics, MOSFET, oxide charge, ионизирующее излучение, МОП транзистор, modeling, разброс параметров, моделирование, ionizing radiation, mismatch, вольтамперная характеристика (ВАХ)

Термостабильный радиационно-стойкий генератор опорного тока на базе полевых транзисторов

Συγγραφείς: Викулин, Иван Михайлович, Викулина, Лидия Федоровна, Горбачев, Виктор Эдуардович, Михайлов, Н. С.

Πηγή: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Radioelektronika; Vol. 64 No. 6 (2021); 362-373 ; Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника; Том 64 № 6 (2021); 362-373 ; Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка; Том 64 № 6 (2021); 362-373 ; 2307-6011 ; 0021-3470

Θεματικοί όροι: полевой транзистор, МОП-транзистор, температурный коэффициент опорного тока, генератор опорного тока, температурная стабильность, радиационная стойкость

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://radio.kpi.ua/article/view/s0021347021060042/237195; https://radio.kpi.ua/article/view/s0021347021060042

Διαθεσιμότητα: https://radio.kpi.ua/article/view/s0021347021060042
https://doi.org/10.20535/S0021347021060042

PERFORMANCE IMPROVEMENT OF FEMTOSECOND PULSES SELECTION DEVICE FOR CHEMICAL PROCESSES REMOTE SPECTROMETRIC CONTROL

Συγγραφείς: K. V. Melnikov, V. A. Melnikov

Πηγή: Doklady Belorusskogo gosudarstvennogo universiteta informatiki i radioèlektroniki, Vol 0, Iss 7, Pp 87-91 (2019)

Θεματικοί όροι: электрооптический модулятор добротности, моп-транзистор, фемтосекундный лазер, лазерная спектроскопия, Electronics, TK7800-8360

Περιγραφή αρχείου: electronic resource

Relation: https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/575; https://doaj.org/toc/1729-7648

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://doaj.org/article/d6e96a94fb5848feab1ecfdfe19bb79d

Drift-Diffusion Model parameterS Optimization

Συγγραφείς: T. T. Trung, A. M. Borovik, V. R. Stempitsky

Πηγή: Doklady Belorusskogo gosudarstvennogo universiteta informatiki i radioèlektroniki, Vol 0, Iss 8, Pp 11-17 (2019)

Θεματικοί όροι: наноразмерный моп-транзистор, компьютерное моделирование, модель подвижности дарвиша, оптимизация, метод прямого поиска, Electronics, TK7800-8360

Περιγραφή αρχείου: electronic resource

Relation: https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/385; https://doaj.org/toc/1729-7648

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://doaj.org/article/5d0865fb937d481cb3d00d32941ef6ba

27 TECHNOLOGY AND DEVICE NANOSCALE MOSFETS SIMULATION

Συγγραφείς: T. T. Trung, A. M. Borovik, I. Yu. Lovshenko, V. R. Stempitsky, A. A. Kuleshov

Πηγή: Doklady Belorusskogo gosudarstvennogo universiteta informatiki i radioèlektroniki, Vol 0, Iss 7, Pp 21-27 (2019)

Θεματικοί όροι: наноразмерный моп-транзистор, моделирование, квантовая коррекция, Electronics, TK7800-8360

Περιγραφή αρχείου: electronic resource

Relation: https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/370; https://doaj.org/toc/1729-7648

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://doaj.org/article/898451cf7fd84dc3a7acd771d69738b2

SIGNIFICANCE RESEARCH OF DARVISH MOBILITY MODEL PARAMETERS FOR THE CHARGE TRANSPORT DESCRIPTION IN NANOSCALE MOSFETS

Συγγραφείς: A. M. Borovik

Πηγή: Doklady Belorusskogo gosudarstvennogo universiteta informatiki i radioèlektroniki, Vol 0, Iss 1, Pp 12-17 (2019)

Θεματικοί όροι: наноразмерный моп-транзистор, компьютерное моделирование, отсеивающий эксперимент, модель подвижности дарвиша, Electronics, TK7800-8360

Περιγραφή αρχείου: electronic resource

Relation: https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/401; https://doaj.org/toc/1729-7648

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://doaj.org/article/867d262649f242db9dba45a3da1349f2

DETECTORS BASED ON FIELD EFFECT TRANSISTORS

Πηγή: Photoelectronics; No. 30 (2021); 46-57
Photoelectronics; № 30 (2021); 46-57

Θεματικοί όροι: FEJT, radiation resistance, МОП-транзистор, фотодетектор, температурна стабільність, польовий транзистор, 7. Clean energy, MOSFET, датчик температури, temperature stability, temperature detector, радіаційна стійкість, датчик магнітного поля, photodetector, magnetic field detector

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://photoelectronics.onu.edu.ua/article/view/262855

Термостабильный радиационно-стойкий генератор опорного тока на базе полевых транзисторов

Πηγή: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Radioelektronika; Vol. 64 No. 6 (2021); 362-373
Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника; Том 64 № 6 (2021); 362-373
Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка; Том 64 № 6 (2021); 362-373

Θεματικοί όροι: МОП-транзистор, температурная стабильность, температурный коэффициент опорного тока, радиационная стойкость, генератор опорного тока, полевой транзистор

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://radio.kpi.ua/article/view/s0021347021060042

NUMERICAL SIMULATION OF ELECTRIC CHARACTERISTICS OF DEEP SUBMICRON SILICON-ON-INSULATOR MOS TRANSISTOR

Συγγραφείς: BORZDOV A.V., BORZDOV V.M., DOROZHKIN N.N.

Πηγή: Приборы и методы измерений, Vol 7, Iss 2, Pp 161-168 (2016)

Θεματικοί όροι: КНИ-МОП-ТРАНЗИСТОР,МОДЕЛИРОВАНИЕ МЕТОДОМ МОНТЕ-КАРЛО,УДАРНАЯ ИОНИЗАЦИЯ, Метод Монте-Карло - моделирование, КНИ-МОП-транзистор, monte carlo simulation, soi mosfet, impact ionization, TA1-2040, Engineering (General). Civil engineering (General), 7. Clean energy, Ударная ионизация

Περιγραφή αρχείου: text/html

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://pimi.bntu.by/jour/article/download/253/254
https://doaj.org/article/dca9b4f801d4458cb134affc1b535212
https://cyberleninka.ru/article/n/numerical-simulation-of-electric-characteristics-of-deep-submicron-silicon-on-insulator-mos-transistor
https://pimi.bntu.by/jour/article/download/253/254
https://rep.bntu.by/handle/data/24839
https://core.ac.uk/display/87469846
https://pimi.bntu.by/jour/article/view/253
https://rep.bntu.by/handle/data/24839
http://cyberleninka.ru/article/n/numerical-simulation-of-electric-characteristics-of-deep-submicron-silicon-on-insulator-mos-transistor
http://cyberleninka.ru/article_covers/16883627.png

METHODS OF BUILDING LOAD CHARACTERISTICS OF POWER AMPLIFIERS ON MOS TRANSISTORS

Πηγή: Инженерная физика.

Θεματικοί όροι: load characteristic, МОП-транзистор, истоковая характеристика, power amplifier, combining method, source-gate characteristic, исток-затворная характеристика, нагрузочная характеристика, source characteristic, метод совмещения, MOS transistor, усилитель мощности

Phase characteristics of E class amplifier with various output networks

Πηγή: Радіотехніка; № 202 (2020): Радіотехніка; 183-188
Радиотехника; № 202 (2020): Радиотехника; 183-188
Radiotekhnika; № 202 (2020): Radiotekhnika; 183-188

Θεματικοί όροι: phase frequency response, E class amplifier, E class oscillator, MOSFET, E class condition, фазочастотна характеристика, підсилювач класу Е, автогенератор класу Е, МОН транзистор, умови класу Е, фазочастотная характеристика, усилитель класса Е, автогенератор класса Е, МОП транзистор, условия класса Е, 7. Clean energy

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://rt.nure.ua/article/view/215906

Анализ влияния расширенной конфигурации n-МОП транзистора на параметры 4x1 мультиплексора

Συγγραφείς: Джеин, Пратик, Джоши, А. М.

Πηγή: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Radioelektronika; Vol. 61 No. 3 (2018); 163-172 ; Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника; Том 61 № 3 (2018); 163-172 ; Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка; Том 61 № 3 (2018); 163-172 ; 2307-6011 ; 0021-3470

Θεματικοί όροι: расширенный n-МОП транзистор со статическим порогом, ST-ATNMOS, расширенный p-МОП транзистор с закороченным участком затвор-исток и n-МОП структурой, ASG-S PMOS-NMOS, мощность утечки, задержка

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://radio.kpi.ua/article/view/S0021347018030044/122270; https://radio.kpi.ua/article/view/S0021347018030044

Διαθεσιμότητα: https://radio.kpi.ua/article/view/S0021347018030044
https://doi.org/10.20535/S0021347018030044

МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОСТРАНСТВЕННЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ЭЛЕКТРОННОГО ПЕРЕНОСА В ЭЛЕМЕНТАХ ФЛЕШ-ПАМЯТИ

Θεματικοί όροι: туннельный ток, flash memory, МОП-транзистор, флеш-память, tunneling current, подвижность, 7. Clean energy, MOS transistor, mobility

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://cyberleninka.ru/article/n/modelirovanie-prostranstvennyh-harakteristik-elektronnogo-perenosa-v-elementah-flesh-pamyati
https://research-journal.org/en/physicsandmath/modelirovanie-prostranstvennyx-xarakteristik-elektronnogo-perenosa-v-elementax-flesh-pamyati/
https://research-journal.org/wp-content/uploads/2020/10/10-1-100.pdf#page=6

Thermal Microelectromechanical Sensor Construction

Συγγραφείς: Kiselev, E. (Egor), Krytska, T. (Tetyana), Stroiteleva, N. (Nina), Turyshev, K. (Konstantin)

Πηγή: Eastern-European Journal of Enterprise Technologies

Θεματικοί όροι: Indonesia, мікроконтролер, микроконтроллер, microcontroller, чувствительный элемент, чутливий елемент, MOS transistor, bimorph membrane, sensitive element, pulse frequency, UDC 621.3.084.2, МОП-транзистор, биморфная мембрана, частота импульсов, МОН-транзистор, біморфна мембрана, частота імпульсів

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Διαθεσιμότητα: https://www.neliti.com/publications/308405/thermal-microelectromechanical-sensor-construction

A METHOD OF CONSTRUCTING MULTIBAND LOGIC ELEMENT EVEN/ODD ON COMPLEMENTARY MOS TRANSISTORS ; МЕТОД ПОСТРОЕНИЯ МНОГОВХОДОВОГО ЛОГИЧЕСКОГО ЭЛЕМЕНТА ЧЁТНОСТИ / НЕЧЁТНОСТЬ НА КОМПЛЕМЕНТАРНЫХ МОП-ТРАНЗИСТОРАХ ; МЕТОД ПОБУДОВИ МНОГОВХОДОВОГО ЛОГІЧНОГО ЕЛЕМЕНТА ПАРНОСТІ / НЕПАРНІСТЬ НА КОМПЛЕМЕНТАРНИХ МОП-ТРАНЗИСТОРАХ

Συγγραφείς: Paulin, Oleg Nikolaevich

Πηγή: Scientific look into the future; No. 14-01 (2019); 47-55 ; Научный взгляд в будущее; № 14-01 (2019); 47-55 ; Науковий погляд у майбутнє; № 14-01 (2019); 47-55 ; 2415-7538 ; 2415-766X

Θεματικοί όροι: метод Шеннона, метод каскадов, быстродействующий логический элемент, комплементарный МОП-транзистор, селектор, элемент ЗАПРЕТ, многовходовой элемент ЧЁТНОСТЬ/НЕЧЁТНОСТЬ, Shannon's method, method of cascades, a high speed logical element, the complementary MOS transistor, a SELECTOR, BAN, multiple input element EVEN/ODD

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://www.scilook.eu/index.php/slif/article/view/slif14-01-028/pdf14-01-028; https://www.scilook.eu/index.php/slif/article/view/slif14-01-028/rinc14-01-028; https://www.scilook.eu/index.php/slif/article/view/slif14-01-028/copernicus14-01-028

Διαθεσιμότητα: https://www.scilook.eu/index.php/slif/article/view/slif14-01-028
https://doi.org/10.30888/2415-7538.2019-14-01-028

Анализ влияния расширенной конфигурации n-МОП транзистора на параметры 4x1 мультиплексора

Πηγή: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Radioelektronika; Том 61, № 3 (2018); 163-172
Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника; Том 61, № 3 (2018); 163-172

Θεματικοί όροι: расширенный n-МОП транзистор со статическим порогом, ST-ATNMOS, расширенный p-МОП транзистор с закороченным участком затвор-исток и n-МОП структурой, ASG-S PMOS-NMOS, мощность утечки, задержка

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://radio.kpi.ua/article/view/S0021347018030044