-
1Academic Journal
Source: Нефтяная провинция. :23-31
Subject Terms: geological and hydrodynamic modeling, риски, геолого-гидродинамическая моделирование, Monte Carlo modeling, моделирование методом Монте-Карло, risks, drilling, бурение
-
2Academic Journal
Authors: Ziaee, Saeed, Ansari, Mohammad Ali, Khatami, Seyyede Sarvenaz, Shariati, Behnam B. K., Ghotbi Maleki, Vahid, Ebrahimi, Samad, Tuchin, Valery V.
Source: Biomedical optics express. 2025. Vol. 16, № 4. P. 1423-1438
Subject Terms: оптические параметры, моделирование методом Монте-Карло, спектроскопия диффузного отражения, спектроскопия с интегрирующей сферой, мозг мыши, оптические просветляющие агенты, оптическая диагностика
File Description: application/pdf
Relation: Biomedical optics express; koha:001268569; https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001268569
-
3Academic Journal
Source: Український метрологічний журнал / Ukrainian Metrological Journal; № 2 (2022); 58-64
Украинский метрологический журнал / Ukrainian Metrological Journal; № 2 (2022); 58-64
Ukrainian Metrological Journal; No. 2 (2022); 58-64Subject Terms: сцинтилятор, світлозбирання, моделювання за методом Монте-Карло, програма DETECT2000, уніфікована модель поверхні 'unified', прецизійність, невизначеність за типом А, сцинтиллятор, светособирание, моделирование методом Монте-Карло, программа DETECТ2000, унифицированная модель поверхности 'unified', прецизионность, неопределенность по типу А, scintillator, light collection, Monte Carlo simulation method, DETECT2000 program, unified surface model, precision, type A uncertainty
File Description: application/pdf
-
4Academic Journal
Authors: A. Khruschinski, S. Kutsen, A. Zhukouski, Naoyuki Sugai, Hiroshi Sugai, Michinori Mogi, А. Хрущинский, С. Кутень, А. Жуковский, Наоюки Шугай, Хироши Шугай, Мичинори Моги
Source: Devices and Methods of Measurements; Том 13, № 1 (2022); 32-39 ; Приборы и методы измерений; Том 13, № 1 (2022); 32-39 ; 2414-0473 ; 2220-9506 ; 10.21122/2220-9506-2022-13-1
Subject Terms: обеднённый металлический уран, Monte-Carlo simulation, experimental spectrum processing algorithm, depleted metallic uranium, моделирование методом Монте-Карло, алгоритм обработки экспериментального спектра
File Description: application/pdf
Relation: https://pimi.bntu.by/jour/article/view/747/613; Agbalagba E.O., Avwiri G.O., Chad-Umoreh Y.E. γ-Spectroscopy measurement of natural radioactivity and assessment of radiation hazard indices in soil samples from oil fields environment of Delta State, Nigeria. Journal of environmental radioactivity, 2012, vol. 109, pp. 64–70. DOI:10.1016/j.jenvrad.2011.10.012; Analytical Methodology for the Determination of Radium Isotopes in Environmental Samples. IAEA Analytical Quality in Nuclear Applications Series, 2010, no. 19 VIENNA.; Seokki Cha, Siu Kim, Geehyun Kim. Development of fast measurements of concentration of NORM U-238 by HPGe. Journal of Instrumentation, 2017, vol. 12, P02013. DOI:10.1088/1748-0221/12/02/P02013; Passive Nondestructive Assay of Nuclear Materials, Doug Reilly, 7 part, Hastings A. Smith, Jr. The Measurement of Uranium Enrichment, 1991.; Briestmeister J.F. Ed. MCNPA general MonteCarlo N-particle transport code, Version 4A. Report LA12625-M, Los Alamos. NM, Los Alamos National Laboratory, 1994.; Wiener N. Extrapolation, interpolation and smoothing of stationary time series with engineering applications, J. Wiley, 1950.; BardinV. Sposob dekonvolyucii spektrometricheskoj informacii i obnaruzheniya spektral'nyh pikov [WAY Deconvolution spectrometer information and detection of spectral peaks]. Nauchnoe priborostroenie [Scientific instrumentation], 2017, vol. 27, no. 2, pp. 75–82 (in Russian). DOI:10.18358/np-27-2-i7582; Wolfram Research, Inc., Mathematica, Version 12.1, Champaign, IL, 2020.; https://pimi.bntu.by/jour/article/view/747
-
5Academic Journal
Authors: V.T. Lazurik, G.F. Popov, Z. Zimek, R.V. Lazurik, Sowan Salah, В.Т. Лазурик, Г.Ф. Попов, З. Зімек, З. Зимек
Source: Системи обробки інформації. — 2016. — № 3(140). 82-87 ; Системы обработки информации. — 2016. — № 3(140). 82-87 ; Information Processing Systems. — 2016. — № 3(140). 82-87 ; 1681-7710
Subject Terms: Обробка інформації в складних технічних системах, УДК 539.124:621.039:(004+519/6), computational dosimetry, depth dose distribution, electron radiation, simulation by Monte Carlo method, practical range, комп'ютерна дозиметрія, глибинний розподіл дози, електронне випромінювання, моделювання методом Монте Карло, практичний пробіг, компьютерная дозиметрия, глубинное распределение дозы, электронное излучение, моделирование методом Монте Карло, практический пробег
File Description: application/pdf
Relation: http://www.hups.mil.gov.ua/periodic-app/article/16453/soi_2016_3_21.pdf; http://www.hups.mil.gov.ua/periodic-app/article/16453
Availability: http://www.hups.mil.gov.ua/periodic-app/article/16453
-
6Academic Journal
Authors: В.М. Лазурик, Салах С, Р.В. Лазурик, А.В. Починок, С. Салах, V.M. Lazurik, S. Salah, R.V. Lazurik, A.V. Pochynok
Source: Системи обробки інформації. — 2016. — № 2(139). 35-39 ; Системы обработки информации. — 2016. — № 2(139). 35-39 ; Information Processing Systems. — 2016. — № 2(139). 35-39 ; 1681-7710
Subject Terms: Обробка інформації в складних технічних системах, УДК 004.62:519.6, глубинное распределение дозы, электронное излучение, эталонные наборы данных, моделирование методом Монте-Карло, база данных, глибинний розподіл дози, електронне випромінювання, еталонні набори даних, моделювання методом Монте-Карло, база даних, depth-dose distribution, electron radiation, standard data sets, Monte-Carlo simulation, data base
File Description: application/pdf
Relation: http://www.hups.mil.gov.ua/periodic-app/article/16214/soi_2016_2_9.pdf; http://www.hups.mil.gov.ua/periodic-app/article/16214
Availability: http://www.hups.mil.gov.ua/periodic-app/article/16214
-
7Academic Journal
Authors: A. V. Borzdov, V. M. Borzdov, N. N. Dorozhkin, А. В. Борздов, В. М. Борздов, Н. Н. Дорожкин
Source: Devices and Methods of Measurements; Том 7, № 2 (2016); 161-168 ; Приборы и методы измерений; Том 7, № 2 (2016); 161-168 ; 2414-0473 ; 2220-9506 ; 10.21122/2220-9506-2016-7-2
Subject Terms: ударная ионизация, Monte Carlo simulation, impact ionization, моделирование методом Монте-Карло
File Description: application/pdf
Relation: https://pimi.bntu.by/jour/article/view/253/254; O. Kononchuk and B. -Y. Nguyen Silicon-on-insulator (SOI) Technology. Manufacture and Applications / eds., Woodhead Publishing, Sawston, Cambridge, UK, 2014, 474 p.; Sakurai T., Matsuzawa A., Douseki T. Fully-Depleted SOI CMOS Circuits and Technology for UltralowPower Applications, Springer, Dordrecht, The Netherlands, 2006, 411 p.; Celler G.K., Cristoloveanu S. Frontiers of siliconon-insulator. Journal of Applied Physics, 2003, vol. 93, no. 9, pp. 4955–4978.; Xin’an C., Qing’an H. A novel SOI MOSFET electrostatic field sensor. Journal of Semiconductors, 2010, vol. 31, no. 4, pp. 045003-1–045003-4.; Du W., Inokawa H., Satoh H., Ono A. SOI metaloxide-semiconductor field-effect transistor photon detector based on single-hole counting. Optics Letters, 2011, vol. 36, no 15, pp. 2800–2802.; Du W., Inokawa H., Satoh H., Ono A. Singlephoton detection by a simple silicon-on-insulator metaloxide-semiconductor field-effect Transistor. Japanese Journal of Applied Physics, 2012, vol. 51, pp. 06FE011–06FE01-4.; Sampedro C., Gamiz F., Godoy A., JimenezMolinos F. Quantum Ensemble Monte Carlo simulation of silicon-based nanodevices. Journal of Computational Electronics, 2007, no. 6, pp. 41–44.; Rengel R., Martin M.J., Gonzalez T., Mateos J., Pardo D., Dambrine G., Raskin J.-P., Danneville F. A microscopic interpretation of the RF noise performance of fabricated FDSOI MOSFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, 2006, vol. 53, no. 3, pp. 523–532.; Zhevnyak O., Borzdov V., Borzdov A., Pozdnyakov D., Komarov F. Monte Carlo study of influence of channel length and depth on electron transport in SOI MOSFETs. Proceedings of SPIE, 2008, vol. 7025, pp. 70251L-1–70251L-8.; Gamiz F., Sampedro C., Donetti L., Godoy A. Monte-Carlo simulation of ultra-thin film siliconon-insulator MOSFETs. International Journal of High Speed Electronics and Systems, 2013, vol. 22, no. 1, pp. 1350001-1–1350001-32.; Fischetti M.V., Laux S.E. Monte Carlo analysis of electron transport in small semiconductor devices including band structure and space-charge effects. Physical Review B, 1988, vol. 38, no 14, pp. 9721–9745.; Duncan A., Ravaioli U., Jacumeit J. Fullband Monte Carlo investigation of hot carrier trends in the scaling of metal-oxide-semiconductor field-effect transistors. IEEE Transactions on Electron Devices, 1998, vol. 45, no. 4, pp. 867–876.; Buffler F.M., Schenk A., Fichtner W. Efficient Monte Carlo device modeling. IEEE Transactions on Electron Devices, 2000, vol. 47, no. 10, pp. 1891–1897.; Donetti L., Gamiz F., Biel B., Sampedro C. Twoband k·p model for Si-(110) electron devices. Journal of Applied Physics, 2013, vol. 114, pp. 073706-1–073706-7.; Rengel R., Pardo D., Martin M.J. A physically based investigation of the small-signal behaviour of bulk and fully-depleted silicon-on-insulator MOSFETs for microwave applications. Semiconductor Science and Technology, 2004, vol. 19, pp. 634–643.; Borzdov A.V., Borzdov V.M., V’yurkov V.V. Monte Carlo simulation of hot electron transport in deep submicron SOI MOSFET. Proceedings of SPIE, 2014, vol. 9440, pp. 944013-1–944013-7.; Hockney R.W., Eastwood J.W. Computer simulations using particles, McGraw-Hill, New York, 1981, 640 p.; Jacoboni C., Lugli P. The Monte Carlo method for semiconductor device simulation, Springer, Wien– New York, 1989, 357 p.; Gonzalez T., Pardo D. Physical models of ohmic contact for Monte Carlo device simulation. Solid-State Electronics, 1996, vol. 39, no. 4, pp. 555–562.; Jacoboni C., Reggiani L. The Monte Carlo method for the solution of charge transport in semiconductors with applications to covalent materials. Reviews of Modern Physics, 1983, vol. 55, no. 3, pp. 645–705.; Rodriguez-Bolivar S., Gomez-Campos F.M., Carceller J.E. Simple analytical valence band structure including warping and non-parabolicity to investigate hole transport in Si and Ge. Semiconductor Science and Technology, 2005, no. 20, pp. 16–22.; Rodriguez-Bolivar S., Gomez-Campos F.M., Gamiz F., Carceller J.E. Implications of nonparabolicity, warping, and inelastic phonon scattering on hole transport in pure Si and Ge within the effective mass framework. Journal of Applied Physics, 2005, vol. 97, pp. 013702- 1–013702-10.; Gomez-Campos F.M., Rodriguez-Bolivar S., Carceller J.E. An efficient Monte Carlo procedure for studying hole transport in doped semiconductors. Journal of Computational Electronics, 2004, no. 3, pp. 329–332.; Keldysh L.V. Concerning the theory of impact ionization in semiconductors. Soviet Physics JETP, 1965, vol. 21, no. 6, pp. 1135–1144.; Kane E.O. Electron scattering by pair production in silicon. Physical Review, 1967, vol. 159, no. 3, pp. 624–631.; Fischetti M.V., Laux S.E., Crabbe E. Understanding hot-electron transport in semiconductor devices. Journal of Applied Physics, 1995, vol. 78, no. 2, pp. 1058–1087.; Ridley B.K. Soft-threshold lucky drift theory of impact ionization in semiconductors. Semiconductor Science and Technology, 1987, no. 22, pp. 116–122.; Speransky D., Borzdov A., Borzdov V. Impact ionization process in deep submicron MOSFET. International Journal of Microelectronics and Computer Science, 2012, vol. 3, no.1, pp. 21–24.; Borzdov V.M., Borzdov A.V., Speransky D.S., V’yurkov V.V., Orlikovsky A.A. Evaluation of the effective threshold energy of interband impact ionization in a deep-submicron silicon n-channel MOS transistor. Russian Microelectronics, 2014, vol. 43, no. 3, pp 189–193.; Sano N., Aoki T., Tomizawa M., Yoshii A. Electron transport and impact ionization in Si. Physical Review B, 1990, vol. 41, no. 17, pp. 12122–12128.; Sano N., Yoshii A. Impact ionization rate near thresholds in Si. Journal of Applied Physics, 1994, vol. 75, no. 10, pp. 5102–5105.; Kamakura Y., Mizuno H., Yamaji M., Morifuji M., Taniguchi K., Hamaguchi C., Kunikiyo T., Takenaka M. Impact ionization model for full band Monte Carlo simulation. Journal of Applied Physics, 1994, vol. 75, no. 7, pp. 3500–3507.; Kunikiyo T., Takenaka M., Morifuji M., Taniguchi K., Hamaguchi C. A model of impact ionization due to the primary hole in silicon for a full band Monte Carlo simulation. Journal of Applied Physics, 1996, vol. 79, no. 10, pp. 7718–7725.; https://pimi.bntu.by/jour/article/view/253
-
8Academic Journal
Authors: СУХОМЛИНОВ В.С., МУСТАФАЕВ А.С.
File Description: text/html
-
9Academic Journal
Authors: Khemissi, Zahia, Brahimi, Brahim, Benatia, Fatah, Хемисси, Захия, Брахими, Брахим, Бенатиа, Фатх
Subject Terms: Frechet distribution, weighted least-squares regression, Rank regression, Monte Carlo simulation, shape parameter, Распределение Фреше, взвешенная регрессия наименьших квадратов, регрессия Ранга, моделирование методом Монте-Карло, параметр формы
Relation: Журнал Сибирского федерального университета. Journal of Siberian Federal University. Mathematics & Physics 2022 15(6)
-
10Academic Journal
Subject Terms: impulse relaxation, упругое и неупругое взаимодействие, Boltzmann´s kinetic equation, Monte-Carlo numerical simulation, численное моделирование методом Монте-Карло, energy relaxation, кинетическое уравнение Больцмана, релаксация импульса, взаимодействие пучка электронов с энергией 1-100 кэВ с плазмой, interaction of electron beam at an energy of 1-100 keV with plasma, elastic and inelastic interaction, 7. Clean energy, релаксация энергии
-
11Academic Journal
Source: Записки Горного института.
File Description: text/html
-
12Academic Journal
Authors: V. S. Sukhomlinov, A. S. Mustafaev
Source: Записки Горного института, Vol 220, Pp 611-611 (2016)
Subject Terms: Mining engineering. Metallurgy, elastic and inelastic interactions of electrons, TN1-997, численное моделирование методом Монте-Карло, 7. Clean energy, релаксация энергии и импульса, electron velocity distribution function, Boltzmann kinetic equation, numerical simulation based on Monte Carlo method, deceleration of electron beam with energy of 1 to 100keV in a gas, 13. Climate action, торможение пучка электронов с энергией 1-100 кэВ в газе, energy and momentum relaxation, кинетическое уравнение Больцмана, упругое и неупругое взаи-модействие электронов, функция распределения электронов по скоростям
-
13Academic Journal
Source: Записки Горного института.
File Description: text/html
-
14Academic Journal
Authors: Biryukov A., Degtyareva Y., Shleenkov M.
Source: Vestnik of Samara University. Natural Science Series; Vol 18, No 9 (2012); 159-163 ; Вестник Самарского университета. Естественнонаучная серия; Vol 18, No 9 (2012); 159-163 ; 2712-8954 ; 2541-7525
Subject Terms: фазовый переход, модель Изинга с дальними корреляци- ями, численное моделирование методом Монте-Карло, phase transition, Ising model with long range correlations, Monte-Carlo simulation
File Description: application/pdf
Relation: https://journals.ssau.ru/est/article/view/4794/4692; https://journals.ssau.ru/est/article/view/4794
-
15Academic Journal
Authors: Нагорнов, Юрий, Мельников, Борис, Золотов, Андрей
Subject Terms: МОДЕЛИРОВАНИЕ МЕТОДОМ МОНТЕ-КАРЛО, РОСТ НАНОКРИСТАЛЛОВ, КАРБИД КРЕМНИЯ, ГЕТЕРОГЕННЫЙ МЕХАНИЗМ ПЛАВЛЕНИЯ
File Description: text/html
-
16Academic Journal
Authors: Боргардт, Александр, Нагорнов, Юрий
Subject Terms: МОДЕЛИРОВАНИЕ МЕТОДОМ МОНТЕ-КАРЛО, РОСТ НАНОКРИСТАЛЛОВ, МНОГОПОТОЧНЫЙ АЛГОРИТМ, СЕТЕВОЕ ХРАНИЛИЩЕ ДАННЫХ
File Description: text/html
-
17Academic Journal
Subject Terms: Неудлиняемое мертвое время, Dead time shifting, Неподовжуваний мертвий час, Зміщення мертвого часу, Смещение мертвого времени, Подовжуваний мертвий час, Счетная характеристика, Співпадання, Extended dead time, Моделирование методом Монте-Карло, Non-extended dead time, Counting characteristic, Удлиняемое мертвое время, PIXE, Моделювання методом Монте-Карло, Лічильна характеристика, Совпадения, Monte Carlo simulation, Pile-up
File Description: application/pdf
-
18Academic Journal
Source: Вектор науки Тольяттинского государственного университета.
Subject Terms: МОДЕЛИРОВАНИЕ МЕТОДОМ МОНТЕ-КАРЛО, РОСТ НАНОКРИСТАЛЛОВ, МНОГОПОТОЧНЫЙ АЛГОРИТМ, СЕТЕВОЕ ХРАНИЛИЩЕ ДАННЫХ
File Description: text/html
-
19Academic Journal
Source: Вектор науки Тольяттинского государственного университета.
Subject Terms: МОДЕЛИРОВАНИЕ МЕТОДОМ МОНТЕ-КАРЛО, РОСТ НАНОКРИСТАЛЛОВ, КАРБИД КРЕМНИЯ, ГЕТЕРОГЕННЫЙ МЕХАНИЗМ ПЛАВЛЕНИЯ
File Description: text/html
-
20Academic Journal
Authors: Подлипнов, В.В., Шабека, А.С., Куприянов, А.В.
Subject Terms: компьютерная оптика, моделирование методом Монте-Карло, электронно-лучевая литография
Relation: Dspace\SGAU\20161208\60636
