High-Frequency Properties of GaN, AlN and InN in Strong Fields

Authors: Kostiantyn Viacheslavovych Kulikov, Volodymyr Oleksandrovych Moskaliuk, Volodymyr Ivanovych Tymofieiev

Source: Mìkrosistemi, Elektronìka ta Akustika, Vol 24, Iss 3 (2019)
Microsystems, Electronics and Acoustics; Том 24, № 3 (2019); 20-32
Микросистемы, Электроника и Акустика; Том 24, № 3 (2019); 20-32
Мікросистеми, Електроніка та Акустика; Том 24, № 3 (2019); 20-32

Subject Terms: Електроніка, III-нитриды, нитрид галлия, нитрид алюминия, нитрид индия, механизмы рассеяния, междолинное рассеяние, времена релаксации, сильное электрическое поле, баллистический транспорт, динамические характеристики, граничная частота, III-нітриди, нітрид галію, нітрид алюмінію, нітрид індію, механізми розсіювання, міждолинне розсіювання, часи релаксації, сильне електричне поле, балістичний транспорт, динамічні характеристики, гранична частота, TK7800-8360, 02 engineering and technology, 01 natural sciences, 7. Clean energy, Microelectronics, Микроэлектронника, 621.382, 0103 physical sciences, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, Electronics, III-nitrides, gallium nitride, aluminum nitride, indium nitride, scattering mechanisms, inter-valley scattering, relaxation times, strong electric field, ballistic transport, dynamic performance, cutoff frequency

File Description: application/pdf

Access URL: http://elc.kpi.ua/article/download/178841/185996
https://doaj.org/article/c60e69d2fe8d465aa63661d0cdf360ec
http://elc.kpi.ua/article/view/178841
http://elc.kpi.ua/article/download/178841/185996
http://elc.kpi.ua/article/view/178841

Високочастотні властивості GaN, AlN та InN у сильних полях

Contributors: ELAKPI

Subject Terms: сильне електричне поле, relaxation times, граничная частота, inter-valley scattering, cutoff frequency, dynamic performance, механізми розсіювання, динамические характеристики, scattering mechanisms, баллистический транспорт, нітрид галію, гранична частота, нитрид алюминия, indium nitride, нитрид индия, часи релаксації, III-nitrides, нітрид алюмінію, нитрид галлия, междолинное рассеяние, балістичний транспорт, времена релаксации, міждолинне розсіювання, ballistic transport, сильное электрическое поле, III-нитриды, III-нітриди, aluminum nitride, gallium nitride, механизмы рассеяния, strong electric field, нітрид індію, динамічні характеристики

File Description: application/pdf

Access URL: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/33301

МЕЖДОЛИННОЕ РАССЕЯНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ НА ЛОКАЛИЗОВАННЫХ И ИНТЕРФЕЙСНЫХ ФОНОНАХ В СВЕРХРЕШЕТКАХ (GAAS)M(ALAS)N(001)

Authors: Гриняев, Сергей, Никитина, Лариса, Новикова, Олеся, Тютерев, Валерий

Subject Terms: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СВЕРХРЕШЕТКИ, ЭЛЕКТРОН-ФОНОННОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ, МЕЖДОЛИННОЕ РАССЕЯНИЕ, РАЗМЕРНОЕ КВАНТОВАПНИЕ

File Description: text/html

Availability: http://cyberleninka.ru/article/n/mezhdolinnoe-rasseyanie-elektronov-na-lokalizovannyh-i-interfeysnyh-fononah-v-sverhreshetkah-gaas-m-alas-n-001
http://cyberleninka.ru/article_covers/13929427.png

Константи електрон-фононної взаємодії для оптичних та міждолинних фононів в n-Ge

Subject Terms: Intravalley and Intervalley scattering, L1 модель зоны проводимости монокристаллов n-Ge, Тензор эффективной массы, Effective mass tensor, Ellipsoid of revolution, Внутридолинное и междолинное рассеяние, Тензор ефективної маси, Внутрідолинне та міждолинне розсіяння, Константы электрон-фононного взаимодействия, Эллипсоид вращения, L1 модель зони провідності монокристалів n-Ge, Константи електрон-фононної взаємодії, Еліпсоїд обертання, Constant of electron-phonon interaction, L1 model of conduction band of germanium crystal

File Description: application/pdf

Access URL: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35837

Электрон-фононное взаимодействие в короткопериодических сверхрешетках (GAAS)M(ALAS)N (001)

Contributors: Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ, Томский государственный университет Физический факультет Научные подразделения ФФ

Source: Физика и техника полупроводников. 2014. Т. 48, вып. 3. С. 334-344

Subject Terms: деформационные потенциалы, сверхрешетки, метод функционала электронной плотности, электрон-фотонное взаимодействие, междолинное рассеяние

File Description: application/pdf

Access URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000474582

Константи електрон-фононної взаємодії для оптичних та міждолинних фононів в n-Ge

Subject Terms: Intravalley and Intervalley scattering, L1 модель зоны проводимости монокристаллов n-Ge, Тензор эффективной массы, Effective mass tensor, Ellipsoid of revolution, Внутридолинное и междолинное рассеяние, Тензор ефективної маси, Внутрідолинне та міждолинне розсіяння, Константы электрон-фононного взаимодействия, Эллипсоид вращения, L1 модель зони провідності монокристалів n-Ge, Константи електрон-фононної взаємодії, Еліпсоїд обертання, Constant of electron-phonon interaction, L1 model of conduction band of germanium crystal

File Description: application/pdf

Access URL: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/34440

Междолинное рассеяние электронов на локализованных и интерфейсных фононах в сверхрешетках (GaAs)m(AlAs)n(001)

Source: Вестник Томского государственного педагогического университета.

Subject Terms: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СВЕРХРЕШЕТКИ, ЭЛЕКТРОН-ФОНОННОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ, МЕЖДОЛИННОЕ РАССЕЯНИЕ, РАЗМЕРНОЕ КВАНТОВАПНИЕ

File Description: text/html

Access URL: http://cyberleninka.ru/article_covers/13929427.png
http://cyberleninka.ru/article/n/mezhdolinnoe-rasseyanie-elektronov-na-lokalizovannyh-i-interfeysnyh-fononah-v-sverhreshetkah-gaas-m-alas-n-001

Междолинное рассеяние электронов на локализованных и интерфейсных фононах в сверхрешетках (GaAs)M(AlAs)N(001)

Contributors: Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников, Томский государственный университет Физический факультет Научные подразделения ФФ

Source: Вестник Томского государственного педагогического университета. 2012. Вып. 7 (122). С. 62-69

Subject Terms: электрон-фононное взаимодействие, квантование размерное, полупроводниковые сверхрешетки, междолинное рассеяние

File Description: application/pdf

Access URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000447765

Электрон-фононное взаимодействие в короткопериодических сверхрешетках (GAAS)M(ALAS)N (001)

Authors: Гриняев, Сергей Николаевич, Никитина, Лариса Николаевна, Тютерев, Валерий Григорьевич

Contributors: Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ, Томский государственный университет Физический факультет Научные подразделения ФФ

Source: Физика и техника полупроводников. 2014. Т. 48, вып. 3. С. 334-344

Subject Terms: метод функционала электронной плотности, электрон-фотонное взаимодействие, сверхрешетки, междолинное рассеяние, деформационные потенциалы

File Description: application/pdf

Relation: vtls:000474582; http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000474582

Availability: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000474582

Константи електрон-фононної взаємодії для оптичних та міждолинних фононів в n-Ge ; Константы электрон-фононного взаимодействия для оптических и междолинных фононов в n-Ge ; Constants of Electron-Phonon Interaction for Optical and Intervalley Phonons in n-Ge

Authors: Луньов, С.В., Бурбан, О.В.

Subject Terms: Внутрідолинне та міждолинне розсіяння, Константи електрон-фононної взаємодії, Еліпсоїд обертання, Тензор ефективної маси, L1 модель зони провідності монокристалів n-Ge, Внутридолинное и междолинное рассеяние, Константы электрон-фононного взаимодействия, Эллипсоид вращения, Тензор эффективной массы, L1 модель зоны проводимости монокристаллов n-Ge, Intravalley and Intervalley scattering, Constant of electron-phonon interaction, Ellipsoid of revolution, Effective mass tensor, L1 model of conduction band of germanium crystal

File Description: application/pdf

Relation: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/34440

Availability: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/34440

Междолинное рассеяние электронов на локализованных и интерфейсных фононах в сверхрешетках (GaAs)M(AlAs)N(001)

Authors: Никитина, Лариса Николаевна, Новикова, О. Л., Тютерев, Валерий Григорьевич, Гриняев, Сергей Николаевич

Contributors: Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников, Томский государственный университет Физический факультет Научные подразделения ФФ

Source: Вестник Томского государственного педагогического университета. 2012. Вып. 7 (122). С. 62-69

Subject Terms: полупроводниковые сверхрешетки, электрон-фононное взаимодействие, междолинное рассеяние, квантование размерное

File Description: application/pdf

Relation: vtls:000447765; http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000447765

Availability: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000447765