-
1Academic Journal
Authors: L. M. Korolevych, A. V. Borisov, A. O. Voronko
Contributors: ELAKPI
Source: Vìsnik Nacìonalʹnogo Tehnìčnogo Unìversitetu Ukraïni Kììvsʹkij Polìtehnìčnij Ìnstitut: Serìâ Radìotehnìka, Radìoaparatobuduvannâ, Iss 85 (2021)
Subject Terms: дiоксид церiю, MIS structure, flat-band voltage, напряжение плоских зон, capacitance-voltage characteristic (CV characteristic), напруга плоских зон, МДН структура, щiльнiсть заряду на межi подiлу дiелектрикнапiвпровiдник, TK5101-6720, МДП структура, вольт-фарадна характеристика (ВФХ), вольт-фарадная характеристика (ВФХ), cerium dioxide, 7. Clean energy, charge density at the dielectric-semiconductor interface, диоксид церия, Telecommunication, плотность заряда на границе раздела диэлектрик-полупроводник
File Description: application/pdf
-
2Academic Journal
Authors: I. I. Izhnin, A. V. Voitsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, G. Y. Sidorov, M. V. Yakushev
Source: Applied nanoscience. 2022. Vol. 12, № 3. P. 403-409
Subject Terms: МДП-структура, барьерный слой, адмиттанс, 0103 physical sciences, молекулярно-лучевая эпитаксия, 02 engineering and technology, 0210 nano-technology, 01 natural sciences, nBn-структура, теллурид кадмия-ртути
-
3Academic Journal
Subject Terms: оксид индия, тонко-пленочный полевой транзистор, химические сенсоры, фталоцианин меди, сенсорная МДП-структура, органо-неорганическая МДП-структура
File Description: application/pdf
Access URL: https://elib.belstu.by/handle/123456789/48012
-
4Academic Journal
Source: Mìkrosistemi, Elektronìka ta Akustika, Vol 24, Iss 3 (2019)
Microsystems, Electronics and Acoustics; Том 24, № 3 (2019); 13-19
Микросистемы, Электроника и Акустика; Том 24, № 3 (2019); 13-19
Мікросистеми, Електроніка та Акустика; Том 24, № 3 (2019); 13-19Subject Terms: система зарядов, TK7800-8360, thin films, cerium oxide, MIS-structure, capacitance-voltage characteristics (CV characteristics), charge system, effective charge, тонкі плівки, оксид церію, МДН-структура, вольт-фарадні характеристики (ВФХ), система зарядів, ефектив-ний заряд, 01 natural sciences, МДП-структура, вольт-фарадные характеристики (ВФХ), Microelectronics, Микроэлектронника, эффективный заряд, тонкие пленки, 621.382, 0103 physical sciences, Мікроелектроніка, Electronics, оксид церия, поверхностный потенциал
File Description: application/pdf
-
5Academic Journal
Source: Mìkrosistemi, Elektronìka ta Akustika, Vol 23, Iss 6 (2018)
Microsystems, Electronics and Acoustics; Том 23, № 6 (2018); 6-12
Микросистемы, Электроника и Акустика; Том 23, № 6 (2018); 6-12
Мікросистеми, Електроніка та Акустика; Том 23, № 6 (2018); 6-12Subject Terms: Електроніка, MOS-structure, nodal aspect, inter-node aspect, average coupling length, criterion of choice, electron work function, TK7800-8360, критерій вибору, МДП-структура, узловой аспект, межузловой аспект, средняя длина связи, критерий выбора, работа выхода, МДН-структура, 02 engineering and technology, середня довжина зв'язку, 01 natural sciences, 621.382, вузловий аспект, міжвузловий аспект, робота виходу, 0103 physical sciences, Electronics, 0210 nano-technology, Электроника
File Description: application/pdf
-
6Academic Journal
Authors: Sachuk N., Shalimova M.
Source: Физика волновых процессов и радиотехнические системы; Vol 24, No 2 (2021); 68-72 ; Physics of Wave Processes and Radio Systems; Vol 24, No 2 (2021); 68-72 ; 1810-3189
Subject Terms: MIS structure, rare-earth element fluorides, gate dielectric, dielectric degradation, МДП-структура, фториды редкоземельных элементов, затворный диэлектрик, деградация диэлектрика
File Description: application/pdf
Relation: https://journals.ssau.ru/pwp/article/view/9359/8495; https://journals.ssau.ru/pwp/article/view/9359
-
7Academic Journal
Authors: Korolevych, L. M., Borisov, A. V., Voronko, A. O.
Subject Terms: MIS structure, cerium dioxide, capacitance-voltage characteristic (CV characteristic), flat-band voltage, charge density at the dielectric-semiconductor interface, МДН структура, дiоксид церiю, вольт-фарадна характеристика (ВФХ), напруга плоских зон, щiльнiсть заряду на межi подiлу дiелектрикнапiвпровiдник, МДП структура, диоксид церия, вольт-фарадная характеристика (ВФХ), напряжение плоских зон, плотность заряда на границе раздела диэлектрик-полупроводник, 621.382
File Description: Pp. 69-74; application/pdf
Relation: Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування : збірник наукових праць, Вип. 85; Korolevych, L. M. The Experimental Study of the Cerium Dioxide Silicon Interface of MIS Structures / Korolevych L. M., Borisov A. V., Voronko A. O. // Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування : збірник наукових праць. – 2021. – Вип. 85. – С. 69-74. – Бібліогр.: 17 назв.; https://ela.kpi.ua/handle/123456789/56109; orcid:0000-0002-4006-280X; orcid:0000-0003-4553-3591; orcid:0000-0003-2899-963X
Availability: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/56109
-
8Academic Journal
Authors: Shalimova M., Sachuk N.
Source: Физика волновых процессов и радиотехнические системы; Vol 23, No 1 (2020); 58-66 ; Physics of Wave Processes and Radio Systems; Vol 23, No 1 (2020); 58-66 ; 1810-3189
Subject Terms: MIS-structure, REЕ fluorides, dielectric degradation, bistable structures, МДП-структура, фториды РЗЭ, деградация диэлектрика, бистабильные структуры
File Description: application/pdf
Relation: https://journals.ssau.ru/pwp/article/view/7815/7687; https://journals.ssau.ru/pwp/article/view/7815
-
9Academic Journal
Authors: Yu. O. Kulanchikov, P. S. Vergeles, E. B. Yakimov, Ю. О. Куланчиков, П. С. Вергелес, Е. Б. Якимов
Contributors: Работа была поддержана грантом РФФИ №18-32-00323.
Source: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 22, № 2 (2019); 112-117 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 22, № 2 (2019); 112-117 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2019-2
Subject Terms: оксид кремния, низкоэнергетичный электронный пучок, МДП структура, C-V характеристики
File Description: application/pdf
Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/328/280; O. Jbara, M. Belhaj, S. Odof, K. Msellak, E. I. Rau, M. V. Andrianov. Surface potential measurements of electron-irradiated insulators using backscattered and secondary electron spectra from an electrostatic toroidal spectrometer adapted for scanning electron microscope applications. Rev. Sci. Instrum., 2001, 72, 1788-1795.; J. Cazaux. Scenario for time evolution of insulator charging under various focused electron irradiations. J. Appl. Phys., 2004, 95, 731-742.; G. Di Santo, C. Coluzza, R. Flammini, R. Zanoni, F. Decker. Spatial, energy, and time-dependent study of surface charging using spectroscopy and microscopy techniques. J. Appl. Phys. 2007, 102, 114505.; O. Jbara, S. Fakhfakh, M. Belhaj, S. Rondot, A. Hadjadj, J. M. Patat. Charging effects of PET under electron beam irradiation in a SEM. J. Phys. D: Appl. Phys., 2008, 41, 245504.; N. Cornet, D. Goeuriot, C. Guerret-Piecourt, D. Juve, D. Treheux, M. Touzin, H.-J. Fitting. Electron beam charging of insulators with surface layer and leakage currents. J. Appl. Phys., 2008, 103, 064110.; H. Fitting, X. Meyza, C. Guerret-Piecourt, C. Dutriez, M. Touzin, D. Goeuriot, D. Treheux. Selfconsistent electrical charging in insulators. J. Europ. Ceramic Soc., 2005, 25, 2799–2803.; M. Belhaj, O. Jbara, M. N. Filippov, E. I. Rau, M. V. Andrianov. Analysis of two methods of measurements of surface potental of insulators in SEM: electron spectroscopy and X-ray spectroscopy methods. Appl. Surf. Sci., 2001, 177, 58-65.; Э. И. Рау, А. А. Татаринцев, С. Ю. Купреенко, С. В. Зайцев, Н. Г. Подбуцкий. Сравнительный анализ методов измерения потенциалов зарядки диэлектриков при электронном облучении в сканирующем электронном микроскопе. Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные исследования, 2017, № 10, 69–76.; Э.И. Рау, А.А. Татаринцев, Е.Ю. Зыкова, И.П. Иваненко, С.Ю. Купреенко, К.Ф. Миннебаев, А.А. Хайдаров. Электронно-лучевая зарядка диэлектриков, предварительно облученных ионами и электронами средних энергий. ФТТ, 2017, 59, 1504-1513.; Э. И. Рау, Е.Н. Евстафьева, М.В. Андрианов. Механизмы зарядки диэлектриков при их облучении электронными пучками средних энергий, ФТТ, 2008, 50, 599-607.; T. R. Oldham, F. B. McLean, Total Ionizing Dose Effects in MOS Oxides and Devices, IEEE Trans. Nucl. Sci., 2003, 50, №3, 483-498.; J. R. Schwank, M. R. Shaneyfelt, D. M. Fleetwood, J. A. Felix, P. E. Dodd, P. Paillet, V. Ferlet-Cavrois, Radiation Effects in MOS Oxides, IEEE Trans. Nucl. Sci., 2008, 55, №4, 1833-1853.; D. K. Schroder, Semiconductor materials and device characterization, 3rd edn. Hoboken, New Jersey, John Wiley & Sons, Inc., 2006, pp.781.; С.С. Борисов, П.С. Вергелес, Е.Б. Якимов. Исследование индуцированной электронным пучком проводимости в тонких пленках окиси кремния. Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные исследования, 2010, № 9, 62–66.; I. A. Glavatskikh, V. S. Kortov, H.-J. Fitting, Self-consistent electrical charging of insulating layers and metal-insulator-semiconductor structures. J. Appl. Phys., 2001, 89, 440-448.; G. Groeseneken, R. Bellens, G. Van den Bosch, H. E. Maes. Hot-carrier degradation in submicrometre MOSFETs: from uniform injection towards the real operating conditions. Semicond. Sci. Technol., 1995, 10, 1208-1220. 17. A. Acovic, G. La Rosa, Y.-C. Sun. A review of hot-carrier degradation mechanisms in MOSFETs. Microelectr. Reliab., 1996, 36, 845-869.; D. Vuillaume, A. Bravaix, and D. Goguenheim, Hot-carrier injections in SiO2, Microel. Reliab., 1998, 38, 7-22.; M. Cho, P. Roussel, B. Kaczer, R. Degraeve, J. Franco, M. Aoulaiche, T. Chiarella, T. Kauerauf, N. Horiguchi, and G. Groeseneken, Channel Hot Carrier Degradation Mechanism in Long/Short Channel n-FinFETs, IEEE Trans. Electron Dev., 2013, 60, 4002-4007.; A. J. Lelis, T. R. Oldham, H. E. Boesch, Jr, F. B. McLean, The nature of the trapped hole annealing process, IEEE Trans. Nucl. Sci., 1989, 36, 1808-1815.; M. Schmidt, and H. Köster Jr, Hole Trap Analysis in SiO2/Si Structures by Electron Tunneling, Phys. Stat. Sol. (b), 1992, 174, 53-66.; https://met.misis.ru/jour/article/view/328
-
10Academic Journal
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич, Несмелов, Сергей Николаевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Копылова, Татьяна Николаевна, Дегтяренко, Константин Михайлович, Черников, Евгений Викторович, Калыгина, Вера Михайловна, Новиков, Вадим Александрович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 1. С. 79-87
Subject Terms: органические полупроводники, пентацен, МДП-структура, адмиттанс, эквивалентные схемы, инверсионные слои, электрофизические характеристики
File Description: application/pdf
Relation: vtls:000656325; https://openrepository.ru/article?id=269274
Availability: https://openrepository.ru/article?id=269274
-
11Academic Journal
-
12Academic Journal
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 1. С. 79-87
Subject Terms: МДП-структура, адмиттанс, электрофизические характеристики, инверсионные слои, пентацен, эквивалентные схемы, органические полупроводники
File Description: application/pdf
-
13Academic Journal
Contributors: ELAKPI
Subject Terms: система зарядов, effective charge, поверхностный потенциал, charge system, МДН-структура, тонкі плівки, ефективний заряд, MIS-structure, МДП-структура, вольт-фарадные характеристики (ВФХ), thin films, эффективный заряд, тонкие пленки, система зарядів, capacitance-voltage characteristics (CV characteristics), оксид церия, оксид церію, cerium oxide, вольт-фарадні характеристики (ВФХ)
File Description: application/pdf
Access URL: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/33300
-
14Academic Journal
Authors: E. A. Levchuk, S. V. Lemeshevskii, L. F. Makarenko, Е. А. Левчук, С. В. Лемешевский, Л. Ф. Макаренко
Source: Informatics; Том 15, № 1 (2018); 7-20 ; Информатика; Том 15, № 1 (2018); 7-20 ; 2617-6963 ; 1816-0301
Subject Terms: численное моделирование, MIS-structure, Schrödinger equation, nanogate, energy level, numerical modeling, МДП-структура, уравнение Шредингера, нанозатвор, энергетический уровень
File Description: application/pdf
Relation: https://inf.grid.by/jour/article/view/312/288; Simulation of intrinsic parameter fluctuations in decananometer and nanometer-scale MOSFETs / A. Asenov [et al.] // IEEE transactions on electron devices. – 2003. – Vol. 50, no. 9. – P. 1837–1852.; Koenraad, P. M. Single dopants in semiconductors / P. M. Koenraad, M. E. Flatte // Nature materials. – 2011. – Vol. 10, no. 2. – P. 91–100.; Kane, B. E. A silicon-based nuclear spin quantum computer / B. E. Kane // Nature (London). – 1998. – Vol. 393, no. 6681. – P. 133–137.; Electron-spin-resonance transistors for quantum computing in silicon-germanium heterostructures / R. Vrijen [et al.] // Physical Review A. – 2000. – Vol. 62, no. 1. – P. 012306-1–012306-10.; Charge-based quantum computing using single donors in semiconductors / L.C.L. Hollenberg [et al.] // Physical Review B. – 2004. – Vol. 69, no. 11. – P. 113301-1–113301-5.; Gate-induced ionization of single dopant atoms / G. D. J. Smit [et al.] // Physical Review B. – 2003. – Vol. 68, no.19. – P. 193302-1–193302-5.; Numerical study of hydrogenic effective mass theory for an impurity P donor in Si in the presence of an electric field and interfaces / L. M. Kettle [et al.] // Physical Review B. – 2003. – Vol. 68, no. 7. – P. 075317-1–075317-7.; MacMillen, D. B. Variational solutions of simple quantum systems subject to variable boundary conditions. II. Shallow donor imputities near semiconductor interfaces: Si, Ge / D. B. MacMillen, U. Landman // J. Chem. Phys. – 1984. – Vol. 80, no. 2. – P. 1691–1702.; Calderon, M. J. Quantum control of donor electrons at the Si-SiO2 interface / M. J. Calderon, B. Koiller, S. Das Sarma // Physical Review Lett. – 2006. – Vol. 96, no. 9. – P. 096802-1–096802-5.; Calderon, M. J. External field control of donor electron exchange at the Si/SiO2 interface / M. J. Calderon, B. Koiller, S. Das Sarma // Physical Review B. – 2007. – Vol. 75, no. 12. – P. 125311-1–125311-11.; Effect of a metallic gate on the energy levels of a shallow donor / A. F. Slachmuylders [et al.] // Appl. Phys. Lett. – 2008. – Vol. 92, no. 8. – P. 083104-1–083104-3.; Shallow donor states near a semiconductor-insulator-metal interface / Y. L. Hao [et al.] // Physical Review B. – 2009. – Vol. 80, no. 3. – P. 035329-1–035329-10.; Nikolyuk, V. A. The energy structure of quantum dots induced in quantum wells by a nonuniform electric field / V. A. Nikolyuk, I. V. Ignatiev // Semiconductors. – 2007. – Vol. 41, no. 12. – P. 1422–1429.; Самарский, А. А. Теория разностных схем / А. А. Самарский. – М.: Наука, 1989. – 616 с.; Souza, G. V. B. Finite-difference calculation of donor energy levels in a spherical quantum dot subject to a magnetic field / G. V. B. Souza, A. Bruno-Alfonso // Physica E. – 2015. – Vol. 66. – P. 128–132.; Modeling a nanowire superlattice using the finite difference method in cylindrical polar coordinates / C. Galeriu [et al.] // Comp. Phys. Commun. – 2004. – Vol. 157, no. 2. – P. 147–159.; Bingel, W. A. A physical interpretation of the cusp conditions for molecular wave functions / W. A. Bingel // Theoretica Chimica Acta. – 1967. – Vol. 8, no. 1. – P. 54–61.; Смайт, В. Электростатика и электродинамика / В. Смайт. – М.: Изд-во иностр. лит., 1954. – 604 с.; Levchuk, E. A. On controlling the electronic states of shallow donors using a finite-size metal gate / E. A. Levchuk, L.F. Makarenko // Semiconductors. – 2016. – Vol. 50, no. 1. – P. 89–96.; Сьярле, Ф. Метод конечных элементов для эллиптических задач / Ф. Сьярле. – М.: Мир, 1980. – 510 с.; Левчук, Е. А. Влияние магнитного поля на локализацию волновой функции электрона в системе нанозатвор – донор / Е. А. Левчук, Л. Ф. Макаренко // Известия НАН Беларуси. Сер. физ.-мат. наук. – 2016. – № 2. – P. 68–75.; https://inf.grid.by/jour/article/view/312
Availability: https://inf.grid.by/jour/article/view/312
-
15Academic Journal
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Горн, Дмитрий Игоревич, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич (физик), Сидоров, Георгий Юрьевич, Якушев, Максим Витальевич
Source: Прикладная физика. 2023. № 5. С. 75-83
Subject Terms: сверхрешетки, гетероэпитаксиальные слои, nBn-структура, МДП-структура, адмитанс
Relation: koha:001139307; https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001139307
-
16Academic Journal
Authors: Кучеев, С. И., Полунина, А. В.
Subject Terms: физика, физика твердого тела, жидкие кристаллы, нематики, кремний, электрооптический эффект, МДП-структура, диффузия
Availability: http://dspace.bsu.edu.ru/handle/123456789/60402
-
17Academic Journal
Authors: Мисевич, Алексей Васильевич, Лаппо, А. Н., Долгий, В. К.
Subject Terms: сенсорная МДП-структура, фталоцианин меди, оксид индия, химические сенсоры, органо-неорганическая МДП-структура, тонко-пленочный полевой транзистор
File Description: application/pdf
Relation: https://elib.belstu.by/handle/123456789/48012; 539.213.2
Availability: https://elib.belstu.by/handle/123456789/48012
-
18Academic Journal
Contributors: ELAKPI
Subject Terms: electron work function, критерий выбора, критерій вибору, МДН-структура, середня довжина зв'язку, MOS-structure, average coupling length, МДП-структура, inter-node aspect, criterion of choice, межузловой аспект, средняя длина связи, nodal aspect, вузловий аспект, міжвузловий аспект, узловой аспект, работа выхода, робота виходу
File Description: application/pdf
Access URL: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/33204
-
19Academic Journal
Authors: Кучеев, С. И.
Subject Terms: физика, физика твердого тела, фосфолипиды, диффузия, нематики, МДП-структура, жидкие кристаллы, кремний
Availability: http://dspace.bsu.edu.ru/handle/123456789/59346
-
20Academic Journal