Вплив одновісного тиску на σ2-провідність сильно легованого p-Si(B)

Subject Terms: Домішкова провідність, Кристалографічний напрямок, Кристалл, Crystallographic direction, Тензорезистивный эффект, Impurity conductivity, Кристаллографическое направление, Tensoresistive effect, Одновісний тиск, Анізотропія, Тензорезистивний ефект, Анизотропия, Одноосное давление, Crystal, Anisotropy, Кристал, Uniaxial pressure, Примесная проводимость

File Description: application/pdf

Access URL: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/65766

Вплив одновісної пружної деформації на положення та ступінь заповнення глибокого рівня EC 0,2 еВ у монокристалах n-Ge

Authors: Луньов, C. В., Fedosov, S. A., Luniov, S. V., Zakharchuk, D. A., Panasyuk, L. I., Koval, Yu. V.

Subject Terms: piezoresistance, енергетична щілина, глибокий рівень, energy gap, deep level, одновісна пружна деформація, кристалографічний напрямок, п'єзоопір, uniaxial elastic deformation, crystallographic direction

Access URL: http://esnuir.eenu.edu.ua/handle/123456789/5259

Вплив одновісного тиску на σ2-провідність сильно легованого p-Si(B) ; Влияние одноосного давления на σ2-проводимость сильно легированного p-Si(B) ; Effect of Uniaxial Pressure on the σ2-Conductivity of Heavily Doped p-Si(B)

Authors: Панасюк, Л.І., Коломоєць, В.В., Єрмаков, В.М.

Subject Terms: Кристал, Домішкова провідність, Анізотропія, Одновісний тиск, Тензорезистивний ефект, Кристалографічний напрямок, Кристалл, Примесная проводимость, Анизотропия, Одноосное давление, Тензорезистивный эффект, Кристаллографическое направление, Crystal, Impurity conductivity, Anisotropy, Uniaxial pressure, Tensoresistive effect, Crystallographic direction

File Description: application/pdf

Relation: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/65766

Availability: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/65766