Physical and technological causes of channel inhomogeneity in InSb single crystals heavily doped with Te ; Физические и технологические причины возникновения канальной неоднородности в монокристаллах InSb, сильнолегированных Te

Συγγραφείς: N. Yu. Komarovskiy, Yu. N. Parkhomenko, E. V. Molodtsova, E. O. Zhuravlev, V. A. Chuprakov, R. Yu. Kozlov, S. N. Knyazev, A. G. Belov, Н. Ю. Комаровский, Ю. Н. Пархоменко, Е. В. Молодцова, Е. О. Журавлёв, В. А. Чупраков, Р. Ю. Козлов, С. Н. Князев, А. Г. Белов

Πηγή: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 27, № 1 (2024); 85-95 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 27, № 1 (2024); 85-95 ; 2413-6387 ; 1609-3577

Θεματικοί όροι: плотность ямок травления, Czochralskii method, facet effect, crystallographic orientation, Hall method, etch pit density, метод Чохральского, канальная неоднородность, кристаллографическая ориентация, метод Холла

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/571/450; Weiss E. Thirty years of HgCdTe technology in Israel. In: Proceed. сonf. SPIE Defense, Security, and Sensing. Orlando, Florida, United States. Vol. 7298. Infrared Technology and Applications XXXV; 2009: 72982W. https://doi.org/10.1117/12.818237; Gershon G., Albo A., Eylon M., Cohen O., Calahorra Z., Brumer M., Nitzani M., Avnon E., Aghion I., Kogan I., Ilan E., Tuito A., Ben Ezra M., Shkedy L. Large format InSb infrared detector with 10 μm pixels. In: Proceed. 6th Inter. symp. on optronics in defence and security. Optro. Paris, France. January 28, 2014; 2014: 2931891.; Алфимова Д.Л., Лунина М.Л., Лунин Л.С., Пащенко О.С., Пащенко А.С., Яценко А.Н. Влияние висмута на структурное совершенство упруго-напряженных эпитаксиальных слоев AlGaInSbBi, выращенных на подложках InSb. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2020; (8): 20—25. https://doi.org/10.31857/S1028096020080038; Ежлов В.С., Мильвидская А.Г., Молодцова Е.В., Колчина Г.П., Меженный М.В., Резник В.Я. Исследование свойств крупногабаритных монокристаллов антимонида индия, выращенных методом Чохральского в кристаллографическом направлении [100]. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2012; (2): 13—17. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-2-13-17; Кормилицина С.С., Молодцова Е.В., Комаровский Н.Ю., Козлов Р.Ю., Журавлев Е.О. Особенности роста монокристаллов антимонида индия в кристаллографических направлениях [100], [211], [111]. В: Сб. тезисов 2-й Междунар. науч.-практ. конф., посвященной памяти академика Н.П. Сажина «Редкие металлы и материалы на их основе: технологии, свойства и применение» («РЕДМЕТ-2022»). Москва, 23–25 ноября 2022 г. М.: Научные технологии; 2022. С. 166—168.; Нашельский А.Я. Технология полупроводниковых материалов. М.: Металлургия; 1987. 334 с.; Комаровский Н.Ю., Молодцова Е.В., Белов А.Г., Гришечкин М.Б., Козлов Р.Ю., Кормилицина С.С., Журавлев Е.О., Нестюркин М.С. Исследование монокристаллов антимонида индия, полученных модернизированным методом Чохральского в различных кристаллографических направлениях. Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2023; 89(8): 38—46. https://doi.org/10.26896/1028-6861-2023-89-8-38-46; Комаровский Н.Ю., Молодцова Е.В., Трофимов А.А., Кормилицина С.С., Улькаров В.А., Нестюркин М.С., Зареченская А.А., Цареградцев Д.О. Исследование зависимости прочностных характеристик монокристаллического InSb от кристаллографической ориентации и условий роста. Прикладная физика. 2023; (3): 63—72. https://doi.org/10.51368/1996-0948-2023-3-63-72; Dong J.T., Inbar H.S., Pendharkar M., Schijndel A.J., Young E.C., Dempsey C.P., Palmstrom C.J. Electronic structure of InSb (001), (110), and (111) B surfaces. Journal of Vacuum Science & Technology B. 2023; 41(3): 032808. https://doi.org/10.1116/6.0002606; Merrell J.L., Gray N.W., Bolke J.G., Merrell A.N., Prax A.G., Demke J., Gossett N. Enabling on-axis InSb crystal growth for high-volume wafer production: characterizing and eliminating variation in electrical performance for IR focal plane array applications. In: Proceed. SPIE. Vol. 9819. Infrared technology and applications XLII; 2016: 981915. https://doi.org/10.1117/12.2223956; Gray N.W., Perez-Rubio V., Bolke J.G., Alexander W.B. Interface and facet control during Czochralski growth of (111) InSb crystals for cost reduction and yield improvement of IR focal plane array substrates. In: Proceed. SPIE. Vol. 9220. Infrared sensors, devices, and applications IV; 2014: 922003. https://doi.org/10.1117/12.2061973; Волков Д.А., Фистуль В.И. Топологическая оценка вероятности образования собственных точечных дефектов в кристаллах AIIIBV со структурой сфалерита. Физика и техника полупроводников. 1990; 24(3): 475—478.; Жарикова Е.В., Молодцова Е.В., Козлов Р.Ю., Завражин Д.А., Титоров В.В., Кормилицина С.С., Князев С.Н. Исследование влияния условий выращивания на структуру крупногабаритных монокристаллов антимонида индия, полученных методом Чохральского. В: Сб. материалов 5-го Междисциплинар. науч. форума с междунар. участием «Новые материалы и перспективные технологии». Москва, 30 октября – 01 ноября 2019 г. Т. II. М.: Ителлектуальные системы; 2019. С. 440—443.; https://met.misis.ru/jour/article/view/571

Διαθεσιμότητα: https://met.misis.ru/jour/article/view/571
https://doi.org/10.17073/1609-3577j.met202312.571

Numerical study of atomic scale deformation mechanisms of Ti grains with different crystallographic orientation subjected to scratch testing

Συγγραφείς: Anton Yu. Nikonov, Alexey Panin, Artur Shugurov, Andrey I. Dmitriev

Πηγή: Applied surface science. 2019. Vol. 471. P. 318-327

Θεματικοί όροι: кристаллографическая ориентация граней зерен, 0203 mechanical engineering, скретч-тестирование, титан, 02 engineering and technology, 0210 nano-technology, молекулярная динамика

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0169433218333506
https://ui.adsabs.harvard.edu/abs/2019ApSS..471..318D/abstract
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000667687

The effect of crystallographic grain orientation of polycrystalline Ti on ploughing under scratch testing

Συγγραφείς: Anton Yu. Nikonov, Alexey Panin, Andrey I. Dmitriev, Artur Shugurov

Πηγή: Wear. 2018. Vol. 408-409. P. 214-221

Θεματικοί όροι: кристаллографическая ориентация граней зерен, 0203 mechanical engineering, абразивный износ, 13. Climate action, титан, 02 engineering and technology, 0210 nano-technology, молекулярная динамика

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0043164818304940
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000652081

Octahedral slip in nickel single crystals induced by scratch testing

Συγγραφείς: Alfyorova, Ekaterina A., Lychagin, Dmitry V., Filippov, Andrey V.

Πηγή: Письма о материалах. 2018. Т. 8, № 4. С. 415-418

Θεματικοί όροι: 02 engineering and technology, деформационный рельеф, скретч тестирование, монокристаллы никеля, кристаллографическая ориентация, 0210 nano-technology

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://lettersonmaterials.com/Upload/Journals/8868/415-418.pdf
https://lettersonmaterials.com/en/Readers/Article.aspx?aid=8868
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000659991

Study of the influence of treatment on the strength of undoped indium antimonide single-crystal plates ; Исследование влияния вида обработки на прочность монокристаллических пластин нелегированного антимонида индия

Συγγραφείς: S. S. Kormilitsina, E. V. Molodtsova, S. N. Knyzev, R. Yu. Kozlov, D. A. Zavrazhin, E. V. Zharikova, Yu. V. Syrov, С. С. Кормилицина, Е. В. Молодцова, С. Н. Князев, Р. Ю. Козлов, Д. А. Завражин, Е. В. Жарикова, Ю. В. Сыров

Πηγή: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 24, № 1 (2021); 48-56 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 24, № 1 (2021); 48-56 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2021-1

Θεματικοί όροι: шероховатость пластин, Czochralski method, thin plates, tensile strength, machining, chemical polishing, crystallographic orientation, plate roughness, метод Чохральского, тонкие пластины, предел прочности, механическая обработка, химическая полировка, кристаллографическая ориентация

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/390/332; Гринченко Л. Я., Пономаренко В. П., Филачев А. М. Современное состояние и перспективы ИК-фотоэлектроники // Прикладная физика. 2009. № 2. С. 57—62.; Intel and QinetiQ Collaborate on Transistor Research. URL: http://www.intel.com/pressroom/arihive/releass/2005/20050208corp.htm (дата обращения: 28.10.2020).; Обухов И. А., Горох Г. Г., Лозовенко А. А., Смирнова Е. А. Матрицы нанопроводов из антимонида индия и их применения для генерации СВЧ-излучения // Наноиндустрия. 2017. Т. 77, № 6. С. 96—108. DOI:10.22184/1993-8578.2017.77.6.96.108; Electronics and Materials Corporation limited. URL: http://eandmint.co.jp/eng/wafer/product_detail/product_insb.html (дата обращения: 28.10.2020).; Trail: Wafer Technology Ltd. URL: http://www.wafertech. co.uk (дата обращения: 28.10.2020).; MTI Corporation. URL: http://www.mtixtl.com/ (дата обращения: 28.10.2020).; Galaxy Compound Semiconductors, Inc. URL: http://www.galaxywafer.com/ (дата обращения: 28.10.2020).; Xiamen Powerway Advanced Material Co, Ltd. URL: https://www.powerwaywafer.com/compound-semiconductor/insb-wafer.html (дата обращения: 28.10.2020).; Акчурин Р. Х., Мармалюк А. А. МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники. М.: Техносфера, 2018. 488 с.; Горелик С. С., Дашевский М. Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков: учебник для вузов. М.: МИСИС, 2003. 480 с.; Ежлов В. С., Мильвидская А. Г., Молодцова Е. В., Колчина Г. П., Меженный М. В., Резник В. Я. Исследование свойств крупногабаритных монокристаллов антимонида индия, выращенных методом Чохральского в кристаллографическом направлении [100] // Известия вузов. Материалы электронной техники. 2012. № 2. С. 13—17. DOI:10.17073/1609-3577-2012-2-13-17; Мильвидский М. Г. Полупроводниковые материалы в современной электронике. М.: Наука, 1986. 143 с.; Болтарь К. О., Власов П. В., Ерошенков В. В., Лопухин А. А. Исследование фотодиодов с токами утечки в матричных фотоприемниках на основе антимонида индия // Прикладная физика. 2014. № 4. С. 45—50.; Бирюков Н. В., Хохлов А. И., Теплова Т. Б., Лапшин И. В. Влияние неравномерного трещиноватого слоя поверхности обработанных пластин хрупких материалов на качество готовых изделий // Горный информационно-аналитический бюллетень (научно-технический журнал). 2018. № 8. С. 26—35. DOI:10.25018/0236-1493-2018-8-0-26-35; Захаров Б. Г. Исследование и разработка технологии и способов получения подложек и эпитаксиальных слоев полупроводниковых материалов с высоким структурным совершенством: дис. … д-ра техн. наук. Калуга, 1984. 423 с.; Мильвидский М. Г., Освенский В. Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлургия, 1984. 256 с.; Пат. 2482228 (РФ). Способ получения крупногабаритных кристаллов антимонида индия InSb / В. С. Ежлов, А. Г. Мильвидская, Е. В. Молодцова, Г. П. Колчина, М. В. Меженный, В. Я. Резник, 2012.; Фост Дж. Травление cоединений AIIIBV / В кн.: Травление полупроводников. М.: Мир, 1965. 382 с. (С. 202—264); Амелинкс С. Методы прямого наблюдения дислокаций. М.: Мир, 1968. 440 с.; van der Pauw L. J. A method of measuring specific resistivity and Hall effect of discs of arbitrary shape // Philips Res. Rep. 1958. V. 13. P. 220—224. URL: http://electron.mit.edu/~gsteele/vanderpauw/vanderpauw.pdf; Фаттахов Э. А., Концевой Ю. А., Литвинов Ю. М. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь, 1982. 239 с.; Мальков О. В., Литвиненко А. В. Измерение параметров шероховатости поверхности детали: метод. указания. М.: МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2012. 22 с.; Хусу А. П., Витенберг Ю. Р., Пальмов В. А. Шероховатость поверхностей (теоретико-вероятностный подход). М.: Наука, 1975. 344 с.; Назаров Ю. Ф., Шкилько А. М., Тихоненко В. В., Компанеец И. В. Методы исследования и контроля шероховатости поверхности металлов и сплавов // Физическая инженерия поверхности. 2007. Т. 5, № 3–4. С. 207—216.; Карбань В. И., Борзанов Ю. И. Обработка монокристаллов в микроэлектронике. М.: Радио и связь, 1988. 104 с.; https://met.misis.ru/jour/article/view/390

Διαθεσιμότητα: https://met.misis.ru/jour/article/view/390
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2021-1-48-56

Морфология кратеров, образованных на поверхности алмазных пластин при воздействии сфокусированного лазерного излучения ; Morphology of craters formed on the surface of diamond plates when exposed to focused laser radiation

Συγγραφείς: Иржевский, Кирилл Антонович, Клепиков, Игорь Вячеславович, Лебедев, Вячеслав Федорович, Колядин, Александр Владимирович

Πηγή: Известия высших учебных заведений. Физика. 2024. Т. 67, № 7. С. 44-49

Θεματικοί όροι: кристаллографическая ориентация, лазерно-искровая эмиссионная спектроскопия, лазерное излучение, сколы, штриховка, плоскости спайности

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: koha:001144334; https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001144334

Διαθεσιμότητα: https://doi.org/10.17223/00213411/67/7/5
https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001144334

Influence of crystallographic orientation on the response of copper crystallites to nanoindentation

Συγγραφείς: Korchuganov, Aleksandr, Kryzhevich, Dmitrij, Zolnikov, Konstantin, Psakhie, Sergey Grigorievich

Πηγή: AIP Conference Proceedings. 1623:295-298

Θεματικοί όροι: 2. Zero hunger, структурные изменения, 0205 materials engineering, 0203 mechanical engineering, медь, 02 engineering and technology, наноиндентирование, пластические деформации, кристаллографическая ориентация, внутренние напряжения, кристаллиты

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://scitation.aip.org/content/aip/proceeding/aipcp/10.1063/1.4898940
https://core.ac.uk/display/80133557
https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.4898940
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/35712

Исследование влияния кристаллографической ориентации структуры материала на его предельные деформационные возможности в различных операциях листовой штамповки

Συγγραφείς: Сурудин, С. В., Ерисов, Я. А., Кузин, А. О.

Θεματικοί όροι: кристаллографическая ориентация, деформация, деформированное состояние, листовая штамповка, аэрокосмическая техника, анизотропия, структура, материалы, формообразование

Relation: Современные технологии и материалы новых поколений : сборник трудов Международной конференции с элементами научной школы для молодежи, г. Томск, 9-13 октября 2017 г. — Томск, 2017.; http://earchive.tpu.ru/handle/11683/43797

Διαθεσιμότητα: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/43797

К методике количественной оценки деформационной структуры различного типа

Συγγραφείς: Сопрунов, Д. В.

Συνεισφορές: Алфёрова, Екатерина Александровна

Θεματικοί όροι: количественная оценка, деформационные структуры, деформационные рельефы, поликристаллы, кристаллографическая ориентация

Relation: Молодежь и современные информационные технологии : сборник трудов XIV Международной научно-практической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 7-11 ноября 2016 г. Т. 2. — Томск, 2016.; http://earchive.tpu.ru/handle/11683/37102

Διαθεσιμότητα: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/37102

Исследование влияния кристаллографической ориентации структуры материала на его предельные деформационные возможности в различных операциях листовой штамповки

Θεματικοί όροι: аэрокосмическая техника, деформированное состояние, листовая штамповка, материалы, формообразование, кристаллографическая ориентация, анизотропия, деформация, структура

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/43797

К методике количественной оценки деформационной структуры различного типа

Συνεισφορές: Алфёрова, Екатерина Александровна

Θεματικοί όροι: деформационные рельефы, деформационные структуры, поликристаллы, кристаллографическая ориентация, количественная оценка

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/37102

Specifics of fabrication of Ohmic contacts to AlGaAs/GaAs heterostructures with a 2D electron gas ; Особенности создания омических контактов к гетероструктурам AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом

Συγγραφείς: S. P. Kurochka, M. V. Stepushkin, V. I. Borisov, С. П. Курочка, М. В. Степушкин, В. И. Борисов

Πηγή: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 19, № 4 (2016); 271-278 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 19, № 4 (2016); 271-278 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2016-4

Θεματικοί όροι: кристаллографическая ориентация, Ohmic contact, GaAs, heterostructure, crystallographic orientation, омический контакт, гетероструктура

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/296/238; Алфёров, Ж. И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур / Ж. И. Алфёров // Физика и техника полупроводников. − 1998. − Т. 32, вып. 1. − С. 3—18.; Щука, А. А. Наноэлектроника / А. А. Щука. − М.: Физматкнига, 2007. − 464 с.; Beenakker, C. W. J. Quantum transport in semiconductor nanostructures / C. W. J. Beenakker, H. van Houten // Solid State Physics. − 1991. − V. 44. − P. 1—228. DOI:10.1016/S0081−1947(08)60091−0; Contacts to Semiconductors: Fundamentals and Technology / Ed. By L. J. Brillson. – Park Ridge (NJ) : Noyes Publication, 1993. – 680 p. DOI:10.1002/adma.19950070123; Ghandhi, S. K. VLSI Fabrication Principles / S. K. Ghandhi. − New York : Wiley and sons, 1994. − 837 p.; Braslau, N. Metal−semiconductor contacts for GaAs bulk effect devices / N. Braslau, J. B. Gunn, J. L. Staples // Solid−State Electronics. − 1967. − V. 10, iss. 5. − P. 381—383. DOI:10.1016/0038−1101(67)90037−8; Baca, A. G. A survey of ohmic contacts to III−V compound semiconductors / A. G. Baca, F. Ren, J. C. Zolper, R. D. Briggs, S. J. Pearton // Thin Solid Films. − 1997. − V. 308–309. − P. 599—606. DOI:10.1016/S0040−6090(97)00439−2; Reeves, G. K. Obtaining the specific contact resistance from transmission line measurements / G. K. Reeves, H. B. Harrison // IEEE Electron. Device. Lett. − 1982. − V. 3, N 5. − P. 111. DOI:10.1109/EDL.1982.25502; Heiblum, M. Characteristics of AuGeNi ohmic contacts to GaAs / M. Heiblum, M. I. Nathan, C. A. Chang // Solid−St. Electron. − 1982. − V. 25. − P. 185. DOI:10.1016/0038−1101(82)90106−X; Jin , Y. Ohmic contact to n −type bulk and δ doped Al0.3Ga0.7As/GaAs MODFET type heterostructures and its applications / Y. Jin // Solid−State Electronics. − 1991. − V. 34, N 2, P. 117—121. DOI:10.1016/0038−1101(91)90076−B; Baer, S. Transport Spectroscopy of Confined Fractional Quantum Hall Systems. Springer Series in Solid−State Sciences. V. 183 / S. Baer, K. Ensslin. − Springer International Publishing, 2015. − 308 p. DOI 10.1007/978−3−319−21051−3; Göktaş, O. Alloyed ohmic contacts to two−dimensional electron system in AlGaAs/GaAs heterostructures down to submicron length scale / O. Göktaş, J. Weber, J. Weis, K. von Klitzing // Physica E: Low−dimensional Systems and Nanostructures. 2008. − V. 40, iss. 5. − P. 1579—1581. DOI:10.1016/j.physe.2007.09.115; Wang, L. C. Ohmic contact formation mechanism of the Au/ Ge/Pd/n−GaAs system formed below 200 °C / L. C. Wang, P. H. Hao, J. Y. Cheng, F. Deng, S. S. Lau // J. Appl. Phys. − 1996. − V. 79, iss. 8. − P. 4211. DOI:10.1063/1.361789; Wang, L. C. Low−resistance nonspiking ohmic contact for AlGaAs/GaAs high electron mobility transistors using the Ge/Pd scheme / L. C. Wang, S. S. Lau, E. K. Hsieh, J. R. Velebir // Appl. Phys. Lett. − 1989. − V. 54, iss. 26. − P. 2677—2679. DOI:10.1063/1.101032; Morozov, S. V. Electrical properties of PdGe ohmic contacts to GaAs/AlxGa1−xAs heterostructures at liquid helium temperature / S. V. Morozov, Yu. V. Dubrovskii, V. N. Abrosimova, J. Würfl // Appl. Phys. Lett. − 1998. − V. 72, N 22. − P. 2882—2884. DOI:10.1063/1.121489; Abhilash, T. S. Magnetic, electrical and surface morphological characterization of AuGe/Ni/Au Ohmic contact metallization on GaAs/AlGaAs multilayer structures / T. S. Abhilash, Ch. Ravi Kumar, G. Rajaram // J. Nano− Electron. Phys. − 2011. − V. 3, N 1. − P. 396—403.; Бланк, Т. В. Механизмы протекания тока в омических контактах металл−полупроводник / Т. В. Бланк, Ю. А. Гольдберг // Физика и техника полупроводников. − 2007. − Т. 41, вып. 11. − С. 1281—1308.; Koop, E. J. On the annealing mechanism of AuGe/Ni/Au ohmic contacts to a two−dimensional electron gas in GaAs/AlxGa1−xAs heterostructures / E. J. Koop, M. J. Iqbal, F. Limbach, M. Boute, B. J. van Wees, D. Reuter, A. D. Wieck, B. J. Kooi, C. H. van der Wal // Semicond. Sci. Technol. − 2013. − V. 28, N 2. − P. 025006. DOI:10.1088/0268−1242/28/2/025006; Iqbal, M. J. Robust recipe for low−resistance ohmic contacts to a two−dimensional electron gas in a GaAs/AlGaAs heterostructure / M. J. Iqbal, D. Reuter, A. D. Wieck, C. H. van der Wal // arXiv:1407,4781v1 [cond−mat.mes−hall]. − 2014. URL: https://arxiv.org/abs/1407.4781; Kamada, M. Investigation of orientation effect on contact resistance in selectively doped AIGaAs/GaAs heterostructures / M. Kamada, T. Suzuki, F. Nakamura, Y. Mori, M. Arai // Appl. Phys. Lett. − 1986. − V. 49. − P. 1263. DOI:10.1063/1.97381; Christou, A. Solid phase formation in Au : Ge/Ni, Ag/In/Ge, In/Au : Ge GaAs ohmic contact systems / A. Christou // Solid State Electron. − 1979. − V. 22. − P. 141. DOI:10.1016/0038−1101(79)90106−0; Asbeck, P. M. Piezoelectric effects in GaAs FET’s and their role in orientation−dependent device characteristics / P. M. Asbeck, Ch.−P. Lee, M.−Ch. F. Chang // IEEE Transactions on electron devices. − 1984. − V. 31, N 10. − P. 1377—1380. DOI:10.1109/T−ED.1984.21719; Shin−Shien Lo. Two−dimensional simulation of orientation effects in self−aligned GaAs MESFET’s / Shin−Shien Lo, Chien−Ping Lee // IEEE Trans. on Electron Devices. − 1990. − V. 37, N 10. − P. 2130—2140. DOI:10.1109/16.59901; Larkin, I. A. Theory of potential modulation in lateral surface superlattices. II. Piezoelectric effect // I. A. Larkin, J. H. Davies, A. R. Long, R. Cuscó / Physical Rev. B. − 1997. − V. 56, N 23. − P. 15242—15251. DOI:10.1103/PhysRevB.56.15242; https://met.misis.ru/jour/article/view/296

Διαθεσιμότητα: https://met.misis.ru/jour/article/view/296
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2016-4-271-278

Влияние термической обработки на структуру и свойства жаропрочного интерметаллидного сплава на основе никеля

Συγγραφείς: АРГИНБАЕВА Э.Г., БАЗЫЛЕВА О.А., ТИМОФЕЕВА О.Б., НАЗАРКИН Р.М.

Θεματικοί όροι: ИНТЕРМЕТАЛЛИД NI3AL,МИКРОСТРУКТУРА,МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ОБРАЗЦЫ,КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКАЯ ОРИЕНТАЦИЯ,ТЕРМИЧЕСКАЯ ОБРАБОТКА,ПЕРИОД КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕШЕТКИ,НЕСООТВЕТСТВИЕ ПЕРИОДОВ,ДЛИТЕЛЬНАЯ ПРОЧНОСТЬ,INTERMETALLIC COMPOUND NI3AL,MICROSTRUCTURE,SINGLE-CRYSTAL SAMPLES,CRYSTALLOGRAPHIC ORIENTATION,HEAT TREATMENT,LATTICE PARAMETER,MISFIT,LONG-TERM STRENGTH

Περιγραφή αρχείου: text/html

Διαθεσιμότητα: http://cyberleninka.ru/article/n/vliyanie-termicheskoy-obrabotki-na-strukturu-i-svoystva-zharoprochnogo-intermetallidnogo-splava-na-osnove-nikelya
http://cyberleninka.ru/article_covers/16801350.png

Assessment of effect of azimuth orientation on stressed state of single-crystal cooled turbine blade with pin holes system

Συγγραφείς: Pridorozhny, R., Sheremetiev, A, Zinkovskiy, A.

Πηγή: Herald of Aeroenginebuilding; № 1 (2013): Herald of aeroenginebuilding
Вестник двигателестроения; № 1 (2013): Вестник двигателестроения
Вісник двигунобудування; № 1 (2013): Вісник двигунобудування

Θεματικοί όροι: охлаждаемая рабочая лопатка турбины, перфорационное отверстие, монокристаллический жаропрочный никелевый сплав, азимутальная кристаллографическая ориентация, расчетная модель, тепловое состояние, напряженное состояние, cooled turbine rotor blade, pin hole, single-crystal high-temperature nickel alloy, azimuthal crystallographic orientation, computational model, thermal state, stressed state

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://vd.zntu.edu.ua/article/view/95973

INFLUENCE OF CRYSTALLOGRAPHY ORIENTATION ON VIBRATIONS OF gas-turbine WHEEL WITH THE SINGLE-CRYSTAL UNCOOLED BLADES

Συγγραφείς: Vorobyov, Yu.S., Chugay, M.A., Kulishov, S.B.

Πηγή: Herald of Aeroenginebuilding; № 2 (2010): Herald of aeroenginebuilding
Вестник двигателестроения; № 2 (2010): Вестник двигателестроения
Вісник двигунобудування; № 2 (2010): Вісник двигунобудування

Θεματικοί όροι: Gas-turbine wheel, single-crystal material, crystallography orientation, shroud, spectrum of natural frequencies, mode of displacements and stress, Рабочее колесо, монокристаллический материал, кристаллографическая ориентация, бандаж, спектр частот, формы перемещений и напряжений

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://vd.zntu.edu.ua/article/view/96917

Computational estimation of influence of azimuthally crystallographic orientation on strength of single-crystal cooled turbine blades

Συγγραφείς: Pridorozhny, R.P., Sheremetyev, A.V., Zinkovskii, A.P.

Πηγή: Herald of Aeroenginebuilding; № 2 (2014): Herald of aeroenginebuilding
Вестник двигателестроения; № 2 (2014): Вестник двигателестроения
Вісник двигунобудування; № 2 (2014): Вісник двигунобудування

Θεματικοί όροι: охлаждаемая рабочая лопатка, монокристаллический жаропрочный никелевый сплав, азимутальная кристаллографическая ориентация, расчетная модель, вычислительный эксперимент, напряженное состояние, концентрация напряжений, рациональный выбор, cooled blade, single-crystal nickel-base super alloy, azimuth crystallographic orientation, computational model, computing experiment, stress state, stress concentration, rational choice

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://vd.zntu.edu.ua/article/view/98369

Experimental estimation crystallographic anisotropies of thermal fatique of single-crystals of the alloy on basis NI3AL for high-temperature details of aviation gas turbine engines

Συγγραφείς: Golubovskiy, E.R., Bychkov, N.G., Khamidullin, A.S.

Πηγή: Herald of Aeroenginebuilding; № 2 (2011): Herald of aeroenginebuilding
Вестник двигателестроения; № 2 (2011): Вестник двигателестроения
Вісник двигунобудування; № 2 (2011): Вісник двигунобудування

Θεματικοί όροι: Thermal fatigue, single crystals, alloy on the basis of intermetallic Ni3Al, crystallographic orientation, thermo-cycle, Термическая усталость, монокристаллы, сплав на основе интерметаллида Ni3Al, кристаллографическая ориентация , термоцикл

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://vd.zntu.edu.ua/article/view/97646

Features azimuthal crystallographic orientation of the rotor blades cooled turbine

Συγγραφείς: Pridorozhniy, R, Sheremetyev, A, Zin’kovskiy, A

Πηγή: Herald of Aeroenginebuilding; № 1 (2011): Herald of aeroenginebuilding
Вестник двигателестроения; № 1 (2011): Вестник двигателестроения
Вісник двигунобудування; № 1 (2011): Вісник двигунобудування

Θεματικοί όροι: azimuthal crystallographic orientation, monocrystalline blades, cooling system, reliability, durability, азимутальная кристаллографическая ориентация

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://vd.zntu.edu.ua/article/view/97389

Some features of formation of single cristal castings by the example of carbon-free alloy VJZM5

Συγγραφείς: TALARAIJA, V.N., PETUKHOV, A.N., KOLOTNIKOV, M.E.

Πηγή: Herald of Aeroenginebuilding; № 2 (2011): Herald of aeroenginebuilding
Вестник двигателестроения; № 2 (2011): Вестник двигателестроения
Вісник двигунобудування; № 2 (2011): Вісник двигунобудування

Θεματικοί όροι: монокристаллические сплавы, субзёрна, безуглеродистые сплавы, осевая кристаллографическая ориентация (КГО), термические напряжения, полосчатость, рекристаллизация, дендритная ликвация, single cristal, carbon-free, castings, thermal stress, striation

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://vd.zntu.edu.ua/article/view/97642

Влияние кристаллографической ориентации и фактора Шмида на механизм роста трещины малоцикловой усталости в образце из монокристаллического никелевого жаропрочного сплава в процессе испытания ; Research of the crack development process in a nickel heat-resistant alloyin the process of testing

Συγγραφείς: Rozanov M.A.

Πηγή: VESTNIK of Samara University. Aerospace and Mechanical Engineering; Vol 14, No 3-1 (2015): Special Issue; 106-113 ; Вестник Самарского университета. Аэрокосмическая техника, технологии и машиностроение; Vol 14, No 3-1 (2015): Special Issue; 106-113 ; 2541-7533 ; 2542-0453

Θεματικοί όροι: Монокристаллические жаропрочные сплавы, системы скольжения, кристаллографическая ориентация, фактор Шмида, Monocrystal heat-resistant nickel alloys, slide systems, crystallographic orientation, Shmid factor

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://journals.ssau.ru/vestnik/article/view/2818/2790; https://journals.ssau.ru/vestnik/article/view/2818

Διαθεσιμότητα: https://journals.ssau.ru/vestnik/article/view/2818
https://doi.org/10.18287/2412-7329-2015-14-3-106-113