Implementation of digital holographic interferometry for pulsed plasma studies

Συγγραφείς: A. M. Kozhevnikova, A. S. Ivankov, D. V. Schitz, I. V. Alekseenko

Πηγή: Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики, Vol 22, Iss 5, Pp 832-838 (2024)

Θεματικοί όροι: цифровая голографическая интерферометрия, голографическая интерферометрия, нетермальная плазма, концентрация электронов в плазме, автоматизация эксперимента, Information technology, T58.5-58.64

Περιγραφή αρχείου: electronic resource

Relation: https://ntv.elpub.ru/jour/article/view/47; https://doaj.org/toc/2226-1494; https://doaj.org/toc/2500-0373

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://doaj.org/article/983f64bc0e1f4fba82a1d05935fff527

О концентрации электронов в воздушной лазерной плазме, создаваемой фемтосекундными импульсами лазерного излучения

Πηγή: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 7. С. 34-40

Θεματικοί όροι: лазерные пучки, многофотонная ионизация, фемтосекундная длительность импульса, туннельная ионизация, концентрация электронов, лазерная плазма

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001005304

Comparison between optical and electrophysical data on hole concentration in zinc doped p-GaAs ; Сравнение результатов оптических и электрофизических измерений концентрации дырок в образцах p-GaAs, легированных цинком

Συγγραφείς: A. G. Belov, V. E. Kanevskii, E. I. Kladova, S. N. Knyazev, N. Yu. Komarovskiy, I. B. Parfent’eva, E. V. Chernyshova, А. Г. Белов, В. Е. Каневский, Е. И. Кладова, С. Н. Князев, Н. Ю. Комаровский, И. Б. Парфентьева, Е. В. Чернышова

Πηγή: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 26, № 3 (2023); 171-180 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 26, № 3 (2023); 171-180 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2023-3

Θεματικοί όροι: плазмон-фононное взаимодействие, electron concentration, Hall effect, reflection spectrum, plasmon-phonon interaction, концентрация электронов, эффект Холла, спектр отражения

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/525/433; Belova I.M., Belov A.G., Kanevskii V.E., Lysenko A.P. Determining the concentration of free electrons in n-InSb from far-infrared reflectance spectra with allowance for plasmon-phonon coupling. Semiconductors. 2018; 52(15): 1942—1946. https://doi.org/10.1134/S1063782618150034; Yugova T.G., Belov A.G., Kanevskii V.E., Kladova E.I., Knyazev S.N. Comparison between optical and electrophysical data on free electron concentration in tellurium doped n-GaAs. Modern Electronic Materials. 2020; 6(3): 85—89. https://doi.org/10.3897/j. moem.6.3.64492; Yugova T.G., Belov A.G., Kanevskii V.E., Kladova E.I., Knyazev S.N., Parfent’eva I.B. Comparison between results of optical and electrical measurements of free electron concentration in n-InAs specimens. Modern Electronic Material. 2021; 7(3): 79—84. https://doi.org/10.3897/j.moem.7.3.76700; New semiconductor materials. Biology systems. Characteristics and properties. Band structure and carrier concentrationof gallium arsenide (GaAs). URL: https://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/GaAs/index.html; Пожела Ю.К. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках. М.: Наука; 1977. 368 с.; Аскеров Б.М. Кинетические эффекты в полупроводниках. Л.: Наука; 1970. 304 с.; Varga B.B. Coupling of plasmons to polar phonons in degenerate semiconductors. Physical Review Journals Archive. 1965; 137(6A): A1896. https://doi.org/10.1103/PhysRev.137.A1896; Singwi K.S., Tosi M.P. Interaction of plasmons and optical phonons in degenerate semiconductors. Physical Review Journals Archive. 1966; 147(2): 658. https://doi.org/10.1103/PhysRev.147.658; Shkerdin G., Rabbaa S., Stiens J., Vounckx R. Influence of electron scattering on phonon-plasmon coupled modes dispersion and free electron absorption in doped GaN semiconductors at mid-IR wavelengths. Physica Status Solidi (b). 2014; 251(4): 882—891. https://doi.org/10.1002/pssb.201350039; Ishioka K., Brixius K., Hofer U., Rustagi A., Thatcher E.M., Stanton C.J., Petec H. Dynamically coupled plasmon-phonon modes in GaP:An indirect-gap polar semiconductor. Physical Review B. 2015; 92(20): 205203. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.92.205203; Володин В.А., Ефремов М.Д., Преображенский В.В., Семягин Б.Р., Болотов В.В., Сачков В.А., Галактионов Е.А., Кретинин А.В. Исследование фонон-плазменного взаимодействия в туннельных сверхрешетках GaAS/AlAs. Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. 2000; 71(11): 698—704. http://jetpletters.ru/ps/909/article_13947.pdf; Mandal P.K., Chikan V. Plasmon-phonon copling in charged n-type CdSe quantum dots: a THz time-domain spectroscopic study. Nano Letters. 2007; 7(8): 2521—2528. https://doi.org/10.1021/nl070853q; Trajic J., Romcevic N., Romcevic M., Nikiforov V.N. Plasmon-phonon and plasmon-two different phonon interaction in Pb1-xMnxTe mixed crystals. Materials Research Bulletin. 2007; 42(12): 2192—2201. https://doi.org/10.1016/j.materresbull.2007.01.003; Chudzinski P. Resonant plasmon-phonon coupling and its role in magneto-thermoelectricity in bismuth. The European Physical Journal B. 2015; 88(12): 344. https://doi.org/10.1140/epjb/e2015-60674-3; Маделунг О. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп. Пер. с англ. М.: Мир; 1967. 480 с.; Ehrenreich H. Band structure and electron transport of GaAs. Physical Review Journals Archive. 1951; 120(6): 1951.; Rosi F.D., Meyerhofer D., Jensen R.V. Properties of p-type GaAs prepared by copper diffusion. Journal of Applied Physics. 1960; 31(6): 1105—1108. https://doi.org/10.1063/1.1735753; Hill D.E. Activation energy of holes in Zn-doped GaAs. Journal of Applied Physics. 1970; 41(4): 1815—1818. https://doi.org/10.1063/1.1659109; Журавлев К.С., Терехов А.С., Якушева Н.А. Фотолюминесценция комплексов в эпитаксиальном p-GaAs, сильно легированном германием. Физика и техника полупроводников. 1988; 22(5): 777—779.; Журавлев К.С., Чикичев С.И., Штаске Р., Якушева Н.А. Исследование комплексообразования в эпитаксиальном сильно легированном p-GaAs:Ge методом фотолюминесценции. Физика и техника полупроводников. 1990; 24(9): 1645—1649.; Комков О.С., Пихтин А.Н., Жиляев Ю.В. Диагностика арсенида галлия методом фотоотражения. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2011; (1): 45—48.; Sharmin M., Choudhury S., Akhtar N., Begum T. Optical and transport propeties of p-type GaAs. Journal of Bangladesh Academy of Sciences. 2012; 36(1): 97—107. https://doi.org/10.3329/jbas.v36i1.10926; Журавлев К.С., Шамирзаев Т.С., Якушева Н.А. Связанные с марганцем центры рекомбинации в эпитаксиальном GaAs, выращенном из расплава висмута. Физика и техника полупроводников. 1998; 32(1): 50—56.; Журавлев К.С., Шамирзаев Т.С., Якушева Н.А. Свойства легированных марганцем слоев арсенида галлия, выращенных методом жидкофазной эпитаксии из расплава висмута. Физика и техника полупроводников. 1998; 32(7): 791—798.; Gouskov L., Bilac S., Pimentel J., Gouskov A. Fabrication and electrical properties of epitaxial layers of GaAs doped with manganese. Solid-State Electronics. 1977; 20: 653—656. https://doi.org/10.1016/0038-1101(77)90039-9; Campos M.D., Gouskov A., Pons J.C. Residual acceptors in natural GaSb and GaxIn1-xSb; their contribution to transport between 4.7 and 300 K. Journal of Applied Physics. 1973; 44(6): 2642—2646. https://doi.org/10.1063/1.1662627; Wenzel M., Irmer G., Monecke J., Siegel W. Hole mobilities and the effective Hall factor in p-type GaAs. Journal of Applied Physics. 1997; 81(12): 7810—7816. https://doi.org/10.1063/1.365391; Lee H.J., Look D.C. Hole transport in pure and doped GaAs. Journal of Applied Physics. 1983; 54(8): 4446—4452. https://doi.org/10.1063/1.332640; https://met.misis.ru/jour/article/view/525

Διαθεσιμότητα: https://met.misis.ru/jour/article/view/525
https://doi.org/10.17073/1609-3577j.met202304.525

Comparison between optical and electrophysical data on free electron concentration in n-InAs samples ; Сравнение результатов оптических и электрофизических измерений концентрации свободных электронов в образцах n-InAs

Συγγραφείς: T. G. Yugova, A. G. Belov, V. E. Kanevskii, E. I. Kladova, S. N. Knyazev, I. B. Parfent'eva, Т. Г. Югова, А. Г. Белов, В. Е. Каневский, Е. И. Кладова, С. Н. Князев, И. Б. Парфентьева

Πηγή: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 24, № 3 (2021); 153-161 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 24, № 3 (2021); 153-161 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2021-3

Θεματικοί όροι: плазмон-фононное взаимодействие, electron concentration, Hall-effect, reflection spectra, plasmon-phonon coupling, концентрация электронов, эффект Холла, спектр отражения

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/446/352; Yugova T.G., Belov A.G., Kanevskii V.E., Kladova E.I., Knyazev S.N. Comparison between optical and electrophysical data on free electron concentration in tellurim doped n-GaAs. Modern Electronic Materials. 2020; 6(3): 85—89. https://doi.org/10.3897/j.moem.6.3.64492; Галкин Г.Н., Блинов Л.М., Вавилов В.С., Соломатин А.Г. Плазменный резонанс на неравновесных носителях в полупроводниках. Письма в ЖЭТФ, 1968; 7(3): 93—96.; Белогорохов А.И., Белов А.Г., Петрович П.Л., Рашевская Е.П. Определение концентрации свободных носителей заряда в Pb1-xSnxTe c учетом затухания плазменных колебаний. Оптика и спектроскопия. 1987; 63(6): 1293—1296.; Белогорохов А.И., Белогорохова Л.И., Белов А.Г., Рашевская Е.П. Плазменный резонанс свободных носителей заряда и оценка некоторых параметров зонной структуры материала CdxHg1-xTe. Физика и техника полупроводников. 1991; 25(7): 1196—1203. https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/23491; Шаров М.К. Плазменный резонанс в твердых растворах Pb1-xAgxTe. Физика и техника полупроводников. 2014; 48(3): 315—317. https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/27003; Роках А.Г., Шишкин М.И., Скапцов А.А., Пузыня В.А. О возможности плазменного резонанса в пленках CdS–PbS в средней инфракрасной области спектра. Прикладная физика. 2014; (5): 58—60.; Varga B.B. Coupling of plasmons to polar phonons in degenerate semiconductors. Phys. Rev. 1965; 137(6A): 1896—1901. https://doi.org/10.1103/PhysRev.137.A1896; Singwi K.S., Tosi M.P. Interaction of plasmons and optical phonons in degenerate semiconductors. Phys. Rev. 1966; 147(2): 658—662. https://doi.org/10.1103/PhysRev.147.658; Shkerdin G., Rabbaa S., Stiens J., Vounckx R. Influence of electron scattering on phonon-plasmon coupled modes dispersion and free electron absorption in n-doped GaN semiconductors at mid-IR wavelengths. Phys. Status Solidi (b). 2014; 251(4): 882—891. https://doi.org/10.1002/pssb.201350039; Ishioka K., Brixius K., Höfer U., Rustagi A., Thatcher E.M., Stanton C.J., Petek Hr. Dynamically coupled plasmon-phonon modes in GaP: an indirect-gap polar semiconductor. Phys. Rev. B. 2015; 92(20): 205203. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.92.205203; Володин В.А., Ефремов М.Д. Преображенский В.В., Семягин Б.Р., Болотов В.В., Сачков В.А., Галактионов Е.А., Кретинин А.В. Исследование фонон-плазмонного взаимодействия в туннельных сверхрешетках GaAs/AlAs. Письма в ЖЭТФ. 2000; 71(11): 698—704.; Kulik L.V., Kukushkin I.V., Kirpichev V.E., Klitzing K.V., Eberl K. Interaction between intersubband Bernstein modes and coupled plasmon-phonon modes. Phys. Rev. B. 2000; 61(19): 12717—12720. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.61.12717; Mandal P.K., Chikan V. Plasmon-phonon coupling in charged n-type CdSe quantum dots: a THz time-domain spectroscopic study. Nano Lett. 2007; 7(8): 2521—2528. https://doi.org/10.1021/nl070853q; Степанов Н.П., Грабов В.М. Оптические свойства кристаллов висмут-сурьма, обусловленные электрон-плазмонным и плазмон-фононным взаимодействием. Изв. РГПУ им. Герцена. 2004; 4(8): 52—64.; Trajic J., Romcevic N., Romcevic M., Nikiforov V.N. Plasmon-phonon and plasmon-two different phonon interaction in Pb1-xMnxTe mixed crystals. Mater. Res. Bull. 2007; 42(12): 2192—2201. https://doi.org/10.1016/j.materresbull.2007.01.003; Chudzinski P. Resonant plasmon-phonon coupling and its role in magneto-thermoelectricity in bismuth. Eur. Phys. J. B. 2015; 88(12): 344. https://doi.org/10.1140/epjb/e2015-60674-3; Belov A.G., Denisov I.A., Kanevskii V.E., Pashkova N.V., Lysenko A.P. Determining the free carrier density in CdxHg1-xTe solid solutions from far-infrared reflection spectra. Semiconductors. 2017; 51(13): 1732—1736. https://doi.org/10.1134/S1063782617130048; Ю П., Кардона М. Основы физики полупроводников. Пер. с англ. И.И. Решиной. Под ред. акад. Б.П. Захарчени. М.: Физматгиз; 2002. 560 с.; Виноградов Е.А., Водопьянов Л.К. Графический метод определения частот фононов из спектров отражения кристаллов в далекой инфракрасной области спектра. Краткие сообщения по физике. 1972; (11): 29—32.; Белогорохов А.И., Белогорохова Л.И. Оптические фононы в цилиндрических нитях пористого GaP. Физика твердого тела. 2001; 43(9): 1693—1697. https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/38320; Югова Т.Г., Белов А.Г., Князев С.Н. Магнитопластический эффект в монокристаллах GaAs, легированных теллуром. Кристаллография. 2020; 65(1): 11—16. https://doi.org/10.31857/S0023476120010270; Belova I.M., Belov A.G., Kanevskii V.E., Lysenko A.P. Determining the concentration of free electrons in n-InSb from far-infrared reflectance spectra with allowance for plasmon-phonon coupling. Semiconductors. 2018; 52(15): 1942—1946. https://doi.org/10.1134/S1063782618150034; Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках: монография. Пер. с англ. Под ред. Ж.И. Алферова, В.С. Вавилова. М.: Мир; 1973. 460 с.; Маделунг О. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп. Пер. с англ. Под ред. Б.И. Болтакса. М.: Мир; 1967. 480 с.; Бублик В.Т., Мильвидский М.Г. Собственные точечные дефекты, нестехиометрия и микродефекты в соединениях А3В5. Материаловедение. 1997; (2): 21—29.; https://met.misis.ru/jour/article/view/446

Διαθεσιμότητα: https://met.misis.ru/jour/article/view/446
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2021-3-153-161

Comparison of the results of optical and electrophysical measurements of free electron density in n-GaAs samples doped with tellurium ; Сравнение результатов оптических и электрофизических измерений концентрации свободных электронов в образцах n-GaAs, легированных теллуром

Συγγραφείς: T. G. Yugova, A. G. Belov, V. E. Kanevskii, E. I. Kladova, S. N. Knyazev, Т. Г. Югова, А. Г. Белов, В. Е. Каневский, Е. И. Кладова, С. Н. Князев

Πηγή: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 24, № 1 (2021); 27-33 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 24, № 1 (2021); 27-33 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2021-1

Θεματικοί όροι: плазмон-фононное взаимодействие, electron density, Hall effect, reflection spectra, plasmon-phonon coupling, концентрация электронов, эффект Холла, спектр отражения

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/342/330; Tsmots V. M., Shakhovtsov V. I., Shindich V. L., Shpinar L. I., Shubak M. I., Stym V. S., Yaskovets L. N. Magnetism of plactically deformd Ge and Si crystals // Solid State Communication. 1987. V. 63, N 1. P. 1—3. DOI:10.1016/0038-1098(87)90053-6; Pavlov V. A., Pereturina I. A., Pecherkina Î. L. The effect of constant magnetic field on mechanical properties and dislocation structure of Nb and Mo // Phys. Status Solidi (a). 1980. V. 57, Iss. 1. P. 449—456. DOI:10.1002/pssa.2210570151; Альшиц В. И., Даринская Е. В., Перекалина Т. М., Урусовская A. A. О движении дислокаций в кристаллах NaCl под действием постоянного магнитного поля // ФТТ. 1987. Т. 29, № 2. С. 467—471. URL: https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/35609; Alshits V. I., Darinskaya E. V., Petrzhik E. A. Effects of magnetic fields on the dislocation unlocking from paramagnetic centers in non-magnetic crystals // Materials Science and Engineering. 1993. V. A164. P. 322—326. DOI:10.1016/0921-5093(93)90686-9; Darinskaya E. V., Petrzhik Е. А., Erofeeva S. A. Dislocation motion in InSb crystals under a magnetic field // J. Phys.: Condens. Matter. 2002. V. 14, N 48. P. 12883—12886. DOI:10.1088/0953-8984/14/48/328; Левин М. Н., Татаринцев А. В., Косцова О. А., Косцов А. М. Активация поверхности полупроводников воздействием импульсного магнитного поля // ЖТФ. 2003. Т. 73, Вып. 10. С. 85—87. URL: https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/8096; Стебленко Л. П., Плющай И. В., Калиниченко Д. В., Курилюк А. Н., Крит А. Н., Трачевский В. В. Вызванная магнитным воздействием обогащение поверхности кремния магниточувствительными примесями // Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. V Междунар. науч. конф. Минск: Издательский центр БГУ, 2012. С. 91—94. URL: http://elib.bsu.by/handle/123456789/38078; Галкин Г. Н., Блинов Л. М., Вавилов В. С., Соломатин А. Г. Плазменный резонанс на неравновесных носителях в полупроводниках // Письма в ЖЭТФ. 1968. Т. 7, Вып. 3. С. 93—96. URL: http://www.jetpletters.ac.ru/ps/833/article_12795.pdf; Белогорохов А. И., Белов А. Г., Петрович П. Л., Рашевская Е. П. Определение концентрации свободных носителей заряда в Pb1-xSnxTe c учетом затухания плазменных колебаний // Оптика и спектроскопия. 1987. Т. 63, № 6. С. 1293—1296.; Белогорохов А. И., Белогорохова Л. И., Белов А. Г., Рашевская Е. П. Плазменный резонанс свободных носителей заряда и оценка некоторых параметров зонной структуры материала CdxHg1-xTe // ФТП. 1991. Т. 25, Вып. 7. С. 1196—1203. URL: https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/23491; Шаров М. К. Плазменный резонанс в твердых растворах Pb1-xAgxTe // ФТП. 2014. Т. 48, Вып. 3. C. 315—317. URL: https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/27003; Роках А. Г., Шишкин М. И., Скапцов А. А., Пузыня В. А. О возможности плазменного резонанса в пленках CdS—PbS в средней инфракрасной области спектра // Прикладная физика. 2014. № 5. С. 58—60.; Varga B. B. Coupling of plasmons to polar phonons in degenerate semiconductors // Phys. Rev. 1965. V. 137, Iss. 6A. P. 1896—1901. DOI:10.1103/PhysRev.137.A1896; Singwi K. S., Tosi M. P. Interaction of plasmons and optical phonons in degenerate semiconductors // Phys. Rev. 1966. V. 147, Iss. 2. P. 658—662. DOI:10.1103/PhysRev.147.658; Shkerdin G., Rabbaa S., Stiens J., Vounckx R. Influence of electron scattering on phonon-plasmon coupled modes dispersion and free electron absorption in n-doped GaN semiconductors at mid-IR wavelengths // Phys. Status Solidi (b). 2014. V. 251, Iss. 4. P. 882—891. DOI:10.1002/pssb.201350039; Ishioka K., Brixius K., Höfer U., Rustagi A., Thatcher E. M., Stanton C. J., Petek H. Dynamically coupled plasmon-phonon modes in GaP: An indirect-gap polar semiconductor // Phys. Rev. B. 2015. V. 92, Iss. 20. P. 205203. DOI:10.1103/PhysRevB.92.205203; Володин В. А., Ефремов М. Д., Преображенский В. В., Семягин Б. Р., Болотов В. В., Сачков В. А., Галактионов Е. А., Кретинин А. В. Исследование фонон-плазмонного взаимодействияв туннельных сверхрешетках GaAs/AlAs // Письма в ЖЭТФ. 2000. Т. 71, Вып. 11. С. 698—704. URL: http://www.jetpletters.ac.ru/ps/909/article_13947.pdf; Kulik L. V., Kukushkin I. V., Kirpichev V. E., Klitzing K. V., Eberl K. Interaction between intersubband Bernstein modes and coupled plasmon-phonon modes // Phys. Rev. B. 2000. V. 61, Iss. 19. P. 12717—12720. DOI:10.1103/PhysRevB.61.12717; Mandal P. K., Chikan V. Plasmon-phonon coupling in charged n-type CdSe quantum dots: a THz time-domain spectroscopic study // Nano Letters. 2007. V. 7, N 8. P. 2521—2528. DOI:10.1021/nl070853q; Степанов Н. П., Грабов В. М. Оптические свойства кристаллов висмут-сурьма, обусловленные электрон-плазмонным и плазмон-фононным взаимодействием // Изв. РГПУ им. Герцена. 2004. Т. 4, № 8. С. 52—64.; Trajic J., Romcevic N., Romcevic M., Nikiforov V. N. Plasmon-phonon and plasmon-two different phonon interaction in; Pb1-xMnxTe mixed crystals // Materials Research Bulletin. 2007. V. 42, Iss. 12. P. 2192—2201. DOI:10.1016/j.materresbull.2007.01.003; Chudzinski P. Resonant plasmon-phonon coupling and its role in magneto-thermoelectricity in bismuth // Europian Physical J. B. 2015. V. 88, N 12. P. 344. DOI:10.1140/epjb/e2015-60674-3; Belov A. G., Denisov I. A., Kanevskii V. E., Pashkova N. V., Lysenko A. P. Determining the free carrier density in CdxHg1-xTe solid solutions from far-infrared reflection spectra // Semiconductors. 2017. V. 51, N 13. P. 1732—1736. DOI:10.1134/S1063782618150034; Ю П. Ю., Кардона М. Основы физики полупроводников. М.: Физматгиз, 2002. 560 с.; Виноградов Е. А., Водопьянов Л. К. Графический метод определения частот фононов из спектров отражения кристаллов в далекой инфракрасной области спектра // Краткие сообщения по физике. 1972. № 11. С. 29—32.; Белогорохов А. И., Белогорохова Л. И. Оптические фононы в цилиндрических нитях пористого GaP // ФТТ. 2001. Т. 43, № 9. С. 1693—1697. URL: https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/38320; Belova I. M., Belov A. G., Kanevskii V. E., Lysenko A. P. Determining the concentration of free electrons in n-InSb from far-infrared reflectance spectra with allowance for plasmon-phonon coupling // Semiconductors. 2018. V. 52, N 15. P. 1942—1946. DOI:10.1134/S1063782618150034; Югова Т. Г., Белов А. Г., Князев С. Н. Магнитопластический эффект в монокристаллах GaAs, легированных теллуром // Кристаллография. 2020. Т. 65, № 1. С. 11—16. DOI:10.31857/S0023476120010270; Семенова Г. В., Сушкова Т. П. Дефекты структуры и физические свойства кристаллов. Воронеж: Издательско-полиграфический центр Воронежского государственного университета, 2007. 52 с.; https://met.misis.ru/jour/article/view/342

Διαθεσιμότητα: https://met.misis.ru/jour/article/view/342
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2021-1-27-33

Electron Concentration in the Near-Surface Graded-Gap Layer of MBE n-Hg1–x Cd x Te (x = 0.22–0.40) Determined from the Capacitance Measurements of MIS-Structures

Συγγραφείς: Voytsekhovskiy, Alexander V., Dzyadukh, Stanislav M., Grigor'ev, D. V., Lyapunov, D. V., Nesmelov, Sergey N.

Πηγή: Russian physics journal. 2017. Vol. 60, № 1. P. 128-139

Θεματικοί όροι: 2. Zero hunger, 0103 physical sciences, молекулярно-лучевая эпитаксия, МДП-структуры, 01 natural sciences, концентрация электронов

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://link.springer.com/content/pdf/10.1007%2Fs11182-017-1051-5.pdf
https://ui.adsabs.harvard.edu/abs/2017RuPhJ..60..128V/abstract
https://link.springer.com/article/10.1007/s11182-017-1051-5
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000583079

Генерация плазмы с повышенной степенью ионизации в импульсном сильноточном тлеющем разряде низкого давления с полым катодом

Πηγή: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 10. С. 109-116

Θεματικοί όροι: эмиссия электронов, Ленгмюра зонд, вольт-амперные характеристики, тлеющий разряд с полым катодом, ионизация плазмы, концентрация электронов в плазме, кулоновские взаимодействия

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000788919

ТОЧНОСТЬ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ КОНЦЕНТРАЦИИ В ИОНОСФЕРЕ ВЕНЕРЫ ПО ДАННЫМ РАДИОПРОСВЕЧИВАНИЯ

Συνεισφορές: Казанский (Приволжский) федеральный университет

Θεματικοί όροι: radio wave propagation, occultation of ionosphere, fluctuations in frequency and power of radio waves, распространение радиоволн, радиопросвечивание ионосфер, electron concentration, концентрация электронов, флуктуации частоты и мощности радиоволн

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://openrepository.ru/article?id=192471

Исследование реакции концентрации электронов в максимуме слоя F2 ионосферы на слабую геомагнитную бурю 24 декабря 2017 г. в разных широтах Европейского региона ; Investigation of the ionospheric F2-layer electron density peak reaction to weak geomagnetic storm of december 24, 2017 for different latitudes of the Еuropean region

Συγγραφείς: Шульга, Марина Алексеевна, Котов, Дмитрий Владимирович, Богомаз, Александр Викторович

Θεματικοί όροι: концентрация электронов, electron density

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: Шульга М. А. Исследование реакции концентрации электронов в максимуме слоя F2 ионосферы на слабую геомагнитную бурю 24 декабря 2017 г. в разных широтах Европейского региона / М. А. Шульга, Д. В. Котов, А. В. Богомаз // Вісник Національного технічного університету "ХПІ". Сер. : Радіофізика та іоносфера = Bulletin of the National Technical University "KhPI". Ser. : Radiophysic and ionosphere : зб. наук. пр.– Харків : НТУ "ХПІ", 2018. – № 43 (1319). – С. 18-23.; http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/43386

Διαθεσιμότητα: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/43386

Сезонные вариации параметров волновых процессов в среднеширотной и авроральной ионосфере по данным ионозондовых наблюдений ; Seasonal variations in the parameters of wave processes in the midlatitude and auroral ionosphere according to the data of ionosonde observations

Συγγραφείς: Живолуп, Тарас Григорьевич, Панасенко, Сергей Валентинович

Θεματικοί όροι: ионозонд, критическая частота, концентрация электронов, волновые процессы, сезонные вариации, широтные вариации, ionosonde, critical frequency, electron density, wave processes

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: Живолуп Т. Г. Сезонные вариации параметров волновых процессов в среднеширотной и авроральной ионосфере по данным ионозондовых наблюдений / Т. Г. Живолуп, С. В. Панасенко // Вісник Нац. техн. ун-ту "ХПІ" : зб. наук. пр. Сер. : Радіофізика та іоносфера. – Харків : НТУ "ХПІ", 2017. – № 47 (1268). – С. 61-66.; http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/34424

Διαθεσιμότητα: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/34424

Пространственно-временные вариации концентрации электронов в ионосфере в минимуме и максимуме солнечной активности ; The spatial-temporal variations of the electron concentration in ionosphere in minimum and maximum of solar activity

Συγγραφείς: Ляшенко, Михаил Владимирович, Шницар, Игорь Романович

Θεματικοί όροι: концентрация электронов, региональная модель ионосферы, фазы цикла солнечной активности, electron concentration, regional model of ionosphere, phases of solar activity cycle

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: Ляшенко М. В. Пространственно-временные вариации концентрации электронов в ионосфере в минимуме и максимуме солнечной активности / М. В. Ляшенко, И. Р. Шницар // Вісник Нац. техн. ун-ту "ХПІ" : зб. наук. пр. Сер. : Радіофізика та іоносфера. – Харків : НТУ "ХПІ", 2017. – № 47 (1268). – С. 24-32.; http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/34415

Διαθεσιμότητα: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/34415

THE POSSIBILITY OF METAL DECAY AS A RESULT OF THERMIONIC EMISSION

Πηγή: Прикладная физика и математика.

Θεματικοί όροι: laser heating of electron concentration, dissolution of metal, термоэлектронная эмиссия, лазерный нагрев, распад металла, Thermionic emission, концентрация электронов

Исследование реакции концентрации электронов в максимуме слоя F2 ионосферы на слабую геомагнитную бурю 24 декабря 2017 г. в разных широтах Европейского региона

Θεματικοί όροι: electron density, концентрация электронов

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/43386

Обзор кампаний СУРА-SWARM, проведенных в 2016-22 годах

Θεματικοί όροι: electron temperature, 13. Climate action, turbulence, ionosphere, ионосфера, температура электронов, турбулентность, electron concentration, концентрация электронов

ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕМПЕРАТУРА И РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ПРОСТРАНСТВЕННОГО ЗАРЯДА В ГАЗОРАЗРЯДНОЙ ПЛАЗМЕ

Θεματικοί όροι: Низкотемпературная плазма, цилиндрическая модель, Low-temperature plasma, electron temperature, модель плазмы, cylindrical model, plasma model, пространственный заряд, space charge, electron concentration, концентрация электронов, электронная температура

Modeling of current-voltage characteristics of resonant tunneling structures for solving the problems of studying objective functions in the problems of synthesizing resonant tunneling diode

Συγγραφείς: Vetrova, Natalia, Kuimov, Evgeny, Shashurin, Vasily, Luneva, Lubov, Meshkov, Sergey, Makeev, Mstislav, Kozhukov, Andrey

Θεματικοί όροι: осцилляторы, oscillators, self-consistent potential, резонансно-туннельные структуры, mathematical modeling, resonant tunneling structures, electron density, самосогласованный потенциал, 7. Clean energy, концентрация электронов, математическое моделирование

В. А. Степанов: некоторые итоги научно-исследовательской деятельности

Συγγραφείς: ЕЛЬЦОВ АНАТОЛИЙ ВИКТОРОВИЧ, КОНЕНКОВ НИКОЛАЙ ВИТАЛЬЕВИЧ

Θεματικοί όροι: СТЕПАНОВ В.А,БИФУРКАЦИЯ,ГАЗОРАЗРЯДНЫЙ ЛАЗЕР,СРОК СЛУЖБЫ,КОНЦЕНТРАЦИЯ ЭЛЕКТРОНОВ,КОЛЕБАТЕЛЬНО-ВОЛНОВОЙ ПРОЦЕСС,ИНФОРМАЦИОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ,ИНЖЕНЕРНЫЕ МЕТОДЫ ПРОЕКТИРОВАНИЯ,СТРАННЫЙ АТТРАКТОР,РЕЛАКСАЦИОННЫЕ КОЛЕБАНИЯ,ТЕХНОЛОГИЯ ГЕРМЕТИЗАЦИИ,STEPANOV V.A,BIFURCATION,GAS-DISCHARGE LASER,DURABILITY,ELECTRON CONCENTRATION,OSCILLATION,INFORMATION TECHNOLOGIES,ENGINEERING APPROACHES,STRANGE ATTRACTOR,RELAXATION OSCILLATIONS,ENCAPSULATION TECHNOLOGY

Περιγραφή αρχείου: text/html

Διαθεσιμότητα: http://cyberleninka.ru/article/n/v-a-stepanov-nekotorye-itogi-nauchno-issledovatelskoy-deyatelnosti
http://cyberleninka.ru/article_covers/16379044.png

РАСЧЕТ ЭКВИВАЛЕНТНЫХ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ ПОТЕРЬ В ИОНОСФЕРЕ ПРИ ПРИЁМЕ СИГНАЛОВ С КВАДРАТУРНОЙ АМПЛИТУДНОЙ МОДУЛЯЦИИ РАЗЛИЧНОЙ ПОЗИЦИОННОСТИ

Συγγραφείς: Богомазов, А., Бабанин, И., Мухин, И.

Θεματικοί όροι: ПРОСТРАНСТВЕННЫЙ ФИЛЬТР,КВАДРАТУРНАЯ АМПЛИТУДНАЯ МОДУЛЯЦИЯ,ЭКВИВАЛЕНТНЫЕ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ ПОТЕРИ,ИНТЕГРАЛЬНАЯ КОНЦЕНТРАЦИЯ ЭЛЕКТРОНОВ,ФЧХ ИОНОСФЕРЫ

Περιγραφή αρχείου: text/html

Διαθεσιμότητα: http://cyberleninka.ru/article/n/raschet-ekvivalentnyh-energeticheskih-poter-v-ionosfere-pri-priyome-signalov-s-kvadraturnoy-amplitudnoy-modulyatsii-razlichnoy
http://cyberleninka.ru/article_covers/15633495.png

МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЫСОКОШИРОТНОЙ ИОНОСФЕРЫ С УЧЕТОМ НЕСОВПАДЕНИЯ ГЕОГРАФИЧЕСКОГО И ГЕОМАГНИТНОГО ПОЛЮСОВ

Συγγραφείς: Гололобов, Артем, Голиков, Иннокентий, Попов, Василий

Θεματικοί όροι: ВЫСОКОШИРОТНАЯ ИОНОСФЕРА,ТРЕХМЕРНАЯ МОДЕЛЬ,ПОДХОД ЭЙЛЕРА,КВАЗИНЕЙТРАЛЬНОСТЬ ПЛАЗМЫ,СКОРОСТИ ОХЛАЖДЕНИЯ ИОНОВ И ЭЛЕКТРОНОВ,ГЕОГРАФИЧЕСКИЙ И ГЕОМАГНИТНЫЙ ПОЛЮСА,МАГНИТОСФЕРНАЯ КОНВЕКЦИЯ,КОНЦЕНТРАЦИЯ ЭЛЕКТРОНОВ,ТЕМПЕРАТУРА ЭЛЕКТРОНОВ И ИОНОВ,UT-КОНТРОЛЬ,"ЯЗЫК" ИОНИЗАЦИИ

Περιγραφή αρχείου: text/html

Διαθεσιμότητα: http://cyberleninka.ru/article/n/modelirovanie-vysokoshirotnoy-ionosfery-s-uchetom-nesovpadeniya-geograficheskogo-i-geomagnitnogo-polyusov
http://cyberleninka.ru/article_covers/15614376.png

Математическое моделирование долготных особенностей формирования областей повышенной электронной температуры в высокоширотной ионосфере

Πηγή: Вестник Северо-Восточного федерального университета им. М.К. Аммосова.

Θεματικοί όροι: МОДЕЛИРОВАНИЕ,ЧИСЛЕННЫЕ РАСЧЕТЫ,УРАВНЕНИЕ ТЕПЛОПРОВОДНОСТИ,ВЫСОКОШИРОТНАЯ ИОНОСФЕРА,ДОЛГОТНЫЕ ОСОБЕННОСТИ,ТРЕХМЕРНАЯ МОДЕЛЬ,КОНЦЕНТРАЦИЯ ЭЛЕКТРОНОВ,ТЕМПЕРАТУРА ЭЛЕКТРОНОВ,'ГОРЯЧИЕ ПЯТНА',ЯВЛЕНИЕ 'ПОЛНОЙ ТЕНИ',МАГНИТОСФЕРНАЯ КОНВЕКЦИЯ,ПРОВАЛ ИОНИЗАЦИИ,СКОРОСТЬ ОХЛАЖДЕНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ, 13. Climate action

Περιγραφή αρχείου: text/html

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://cyberleninka.ru/article_covers/16530164.png
http://cyberleninka.ru/article/n/matematicheskoe-modelirovanie-dolgotnyh-osobennostey-formirovaniya-oblastey-povyshennoy-elektronnoy-temperatury-v-vysokoshirotnoy