-
1Academic Journal
Subject Terms: аппараты воздушного охлаждения, труба-калориметр, аэродинамическое сопротивление шахматных пучков, биметаллические ребристые трубы, поперечно-винтовая прокатка алюминиевой оболочки, теплоотдача шахматных пучков, термическое контактное сопротивление, теплопередача аппаратов воздушного охлаждения
File Description: application/pdf
Access URL: https://elib.belstu.by/handle/123456789/69967
-
2Academic Journal
Contributors: Работа выполнена в рамках госзадания ИФП СО РАН (тема №FWGW-2025-0024).
Source: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 28, № 1 (2025) ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 28, № 1 (2025) ; 2413-6387 ; 1609-3577
Subject Terms: дрейфовая скорость, контактное сопротивление, сильное электрическое поле
Relation: Tokumitsu T., Kubota M., Sakai K., Kawai T. Application of GaAs Device Technology to Millimeter-Waves. SEI Technical Review. 2014, no. 79, pp. 57- 65.; Cho S.J., Wang C., Kim N.Y. High power density AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMTs using an optimized manufacturing process for Ka-band applications. Microelectronic Engineering, 2014, vol. 113, pp. 11–19. https://doi.org/10.1016/j.mee.2013.07.001; Pashkovskii A.B., Bogdanov S.A., Bakarov A.K., Grigorenko A.B., Zhuravlev K.S., Lapin V.G., Lukashin V.M., Rogachev I.A., Tereshkin E.V., Shcherbakov S.V. Millimeter-Wave Donor–Acceptor-Doped DpHEMT. IEEE Transactions on Electron Devices, 2021, vol. 68, no. 1, pp. 53-56. https://doi.org/10.1109/TED.2020.3038373; Chen Y.C., Bhattacharya P.K. Determination of critical layer thickness and strain tensor in InxGa1-xAs/GaAs quantum-well structures by x-ray diffraction. J. Appt. Phys, 1993, vol. 73, no. 11, pp. 7389-7394. https://doi.org/10.1063/1.354030; Požela J. Physics of High-Speed Transistors. New York: Plenum Press, 1993. 337 p. https://doi.org/10.1007/978-1-4899-1242-8.; Иващенко В.М., Митин В.В. Моделирование кинетических явлений в полупроводниках. Метод Монте-Карло. Киев: Наук. думка, 1990. 189 с.; Воробьёв Л.Е. Горячие электроны в полупроводниках и наноструктурах. СПб: Изд-во СПбГТУ, 1999. 154 с.; Kablukova E., Sabelfeld K.K., Protasov D., Zhuravlev K. Stochastic simulation of electron transport in a strong electrical field in low-dimensional heterostructures. Monte Carlo Methods and Applications, 2023, 29(4), pp. 307-322. https://doi.org/10.1515/mcma-2023-2019; Thobel J.L., Baudry L., Cappy A., Bourei P., Fauquembergue R. Electron transport properties of strained InxGa1−xAs. Appl. Phys. Lett., 1990, vol. 56 no. 4, pp. 346-348. https://doi.org/10.1063/1.102780; Айзенштат Г.И., Божков В.Г., Ющенко А.Ю. Измерение скорости насыщения электронов в квантовой яме AlGaAs/InGaAs. Известия ВУЗов. Физика, 2010, Т. 53, № 9, c. 34-39.; Шиленас А., Пожела Ю., Пожела К., Юцене В., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Пушкарев С.C., Климов Е.А. Максимальная дрейфовая скорость электронов в селективно легированных гетероструктурах InAlAs/InGaAs/InAlAs с введенной InAs-вставкой. ФТП. 2013, Т. 47, № 3, с. 348-352.; Протасов Д.Ю., Гуляев Д.В., Бакаров А.К., Торопов А.И., Ерофеев Е.В., Журавлев К.С. Увеличение насыщенной скорости дрейфа электронов в pHEMT гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием. Письма в Журнал Технической Физики, 2018, Т. 44, № 6, с. 77-84. https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.06.45770.17098; Kim I.H. Pd/Ge(or Si)/Pd/Ti/Au Ohmic Contacts to n-type InGaAs for AlGaAs/GaAs HBTs. Metals and Materials International, 2004, vol. 10, no. 4 , pp. 381-386.; Lee J.-M., Choi I.-H., Park S. H., Min B.-G., Lee T.-W., Park M. P., Lee K.-H. WNx/WN0.5x/W Ohmic Contact to n-InGaAs and Its Application to AlGaAs/GaAs Heterojunction Bipolar Transistors. Journal of the Korean Physical Society, 2000, vol. 37, no. 1, pp. 43-48.; Iliadis A.A., Zahurak J.K., Neal T., Masselink W.T. Lateral Diffusion Effects in AuGe Based Source-Drain Contacts to AlInAs/InGaAs/InP Doped Channel MODFETs. Journal of Electronic Materials, 1999, vol. 28, no. 8, pp. 944-948.; Yearsley J.D., Lin J.C., Hwang E., Datta S., Mohney S.E. Ultra low-resistance palladium silicide Ohmic contacts to lightly doped n-InGaAs. Journal of Applied Physics, 2012, vol. 112, 054510 (8pp). https://doi.org/10.1063/1.4748178; Nebauer E., Mai M., Richter E., Würfl J. Low Resistance, Thermally Stable Au/Pt/Ti/WSiN Ohmic Contacts on n+-InGaAs/n-GaAs Layer Systems. Journal of Electronic Materials, 1998, vol. 27, no. 12, pp. 1372-1374.; Barker J.M., Akis R., Thornton T.J., Ferry D.K., Goodnick S.M. High Field Transport Studies of GaN. Phys. stat. sol., 2002, vol. 190, no. 1, pp. 263–270.; Barker J.M., Ferry D.K., Koleske D.D., Shul R.J. Bulk GaN and AlGaN∕GaN heterostructure drift velocity measurements and comparison to theoretical models. Journal of Applied Physics, 2005, vol. 97, 063705 (5pp). https://doi.org/10.1063/1.1854724; Yang D., Bhattacharya P.K., Hong W.P., Bhat R., Hayes J. R. High-field transport properties of lnAsxP1-x/lnP (0.3≤x≤1) modulation doped heterostructures at 300 and 77 K. J. Appl. Phys., 1992, vol. 72, no. 1, pp. 174-178. https://doi.org/10.1063/1.352154; Gulyaev D.V., Zhuravlev K.S., Bakarov A.K., Toropov A.I., Protasov D.Yu., Gutakovskii A.K., Ber B.Ya., Kazantsev D.Yu. Influence of the additional p+ doped layers on the properties of AlGaAs/InGaAs/AlGaAs heterostructures for high power SHF transistors. J. Phys. D: Appl. Phys., 2016, vol. 49, 095108 (9pp). https://doi.org/10.1088/0022-3727/49/9/095108; Андреев А.Н., Растегаева М.Г., Растегаев В.П., Решанов С.А. К вопросу об учете растекания тока в полупроводнике при определении переходного сопротивления омических контактов. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 7 с. 832-838; Khan I.A., Cooper J.A. Measurement of high-field electron transport in silicon carbide. IEEE Transactions on Electron Devices, 2000, vol. 47, no. 2, pp. 269-273. https://doi.org/10.1109/16.822266; Пожела Ю., Пожела К., Рагуотис Р., Юцене В. Дрейфовая скорость электронов в квантовых ямах селективно легированных гетероструктур In0.5Ga0.5As/AlxIn1-xAs и In0.2Ga0.8As/AlxGa1−xAs в сильных электрических полях. Физика и Техника Полупроводников, 2011, Т. 45, № 6, с. 778-782.; Thobel J.L., Baudry L., Bourel P., Dessenne F., Charef M. Monte Carlo modeling of high-field transport in III-V Heterostructures. Journal of Applied Physics, 1993, vol. 74, no. 10, pp. 6274-6280 https://doi.org/10.1063/1.355145; https://met.misis.ru/jour/article/view/602
-
3Conference
Authors: Semenov, Aleksey, Nechaev, Dmitrii, Berezina, Daria, Guseva, Yulia, Kulagina, Marina, Smirnova, Irina, Zadiranov, Yurii, Troshkov, Sergei, Shmidt, Natalia
Subject Terms: омический контакт, contact resistance, transmission line method, контактное сопротивление, ohmic contacts, AlGaN solid alloys, быстрое термическое вжигание контактов, rapid thermal annealing, твердые растворы AlGaN, TLM-метод
-
4Academic Journal
Authors: Zіnovkin, V.V., Blyzniakov, O.V.
Contributors: transformer equipment, load fluctuations, on-load tap-changers, contacts, contact resistance, non-sinusoidal cur-rent, reliability, трансформаторне обладнання, різкозмінні навантаження, пристрої РПН, контактний опір, не-синусоїдальний струм, надійність
Source: Elektrotehnìka ta Elektroenergetika, Iss 2 (2020)
Електротехніка та електроенергетика; No 2 (2020): Електротехніка та електроенергетика; 17-23
Электротехника и электроэнергетика; No 2 (2020): Электротехника и электроэнергетика; 17-23
Electrical Engineering and Power Engineering; No 2 (2020): Electrical Engineering and Power Engineering; 17-23
Електротехніка та електроенергетика; № 2 (2020): Електротехніка та електроенергетика; 17-23
Электротехника и электроэнергетика; № 2 (2020): Электротехника и электроэнергетика; 17-23
Electrical Engineering and Power Engineering; № 2 (2020): Electrical Engineering and Power Engineering; 17-23Subject Terms: TK4001-4102, Applications of electric power, 0103 physical sciences, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, трансформаторное оборудование, резкопеременные нагрузки, устройства РПН, контактное сопротивление, несинусоидальный ток, надежность, 02 engineering and technology, 01 natural sciences, 7. Clean energy
File Description: application/pdf
-
5Academic Journal
Source: Труды НИИСИ РАН. 9:42-45
Subject Terms: contact thermal resistance, электронный модуль, гибкий кондуктивный теплоотвод, metal plate-heatsink, integrated circuit, 7. Clean energy, металлическая пластина-теплоотвод, vibrations, вибрации, микросхема, heatsink, flexible conductive heatsink, контактное сопротивление, тепловой режим, теплоотвод, electronic module, печатная плата, temperature mode, printed-circuit board
-
6Academic Journal
Authors: Volodymyr M. Sirenko, Yuzhnoye State Design Office, Mykola Safonov, Valerii V. Hanchyn, Yurii M. Matsevytyi, A. Kostikov
Source: Journal of Mechanical Engineering, Vol 22, Iss 3, Pp 4-13 (2019)
Journal of Mechanical Engineering; Том 22, № 3 (2019); 4-13
Проблемы машиностроения; Том 22, № 3 (2019); 4-13
Проблеми машинобудування; Том 22, № 3 (2019); 4-13Subject Terms: inverse heat conduction problem, heat flux, regularization parameter, УДК 536.24, 02 engineering and technology, stabilizer, обернена задача теплопровідності, тепловий потік, термічний контактний опір, метод регуляризації А. М. Тихонова, функціонал, стабілізатор, параметр регуляризації, ідентифікація, апроксимація, сплайн Шьонберга третього ступеня, 01 natural sciences, functional, a. n. tikhonov regularization method, UDC 536.24, TJ1-1570, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, identification, Mechanical engineering and machinery, 0101 mathematics, обратная задача теплопроводности, тепловой поток, термическое контактное сопротивление, метод регуляризации А. Н. Тихонова, функционал, стабилизатор, параметр регуляризации, идентификация, аппроксимация, сплайн Шёнберга третьей степени, approximation, schoenberg spline of the third degree, thermal contact resistance, A. N. Tikhonov regularization method, Schoenberg spline of the third degree
File Description: application/pdf
-
7Academic Journal
Source: Труды НИИСИ РАН. 9:36-39
Subject Terms: мощная микросхема, гибкий кондуктивный теплоотвод, flexible conductive heat sink, контактное сопротивление, contact resistance, powerful microcircuit
-
8Academic Journal
Subject Terms: удельное электрическое сопротивление грунта, grounding device, electrical resistivity of the soil, contact resistance, контактное сопротивление, мерзлый грунт, сопротивление заземления, заземляющие устройства, grounding resistance, frozen soil
File Description: application/pdf
Access URL: https://rep.bsatu.by/handle/doc/17812
-
9Academic Journal
Subject Terms: теплообменные аппараты, аппараты воздушного охлаждения, биметаллические ребристые трубы, термическое контактное сопротивление
File Description: application/pdf
Access URL: https://elib.belstu.by/handle/123456789/38394
-
10Conference
Subject Terms: КОНТАКТНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ, КАРБОНИТРАЦИЯ, ИЗНОСОСТОЙКОСТЬ, МАГНИТНАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ, ТВЕРДОСТЬ, ПОВЕРХНОСТНЫЙ СЛОЙ
File Description: application/pdf
Access URL: http://elar.urfu.ru/handle/10995/94821
-
11Academic Journal
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2024. Т. 67, № 6. С. 17-23
Subject Terms: монокристаллы, структура металл-полупроводник, контактное сопротивление, примеси
File Description: application/pdf
Relation: koha:001151127; https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001151127
-
12Academic Journal
Authors: Levitskiy, Alexey A., Marinushkin, Pavel S., Bakhtina, Valentina A., Левицкий, Алексей А., Маринушкин, Павел С., Бахтина, Валентина А.
Subject Terms: three-layer conductive structure, current distribution, resistance, specific contact resistivity, transmission line method, трехслойная проводящая структура, распределение тока, сопротивление, удельное контактное сопротивление, TLM-метод
Relation: Журнал сибирского федерального университета. 2024 17(2). Journal of Siberian Federal University. Mathematics & Physics. 2024 17(2); NUTSKE
Availability: https://elib.sfu-kras.ru/handle/2311/152684
-
13Academic Journal
-
14
-
15Academic Journal
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 1. С. 100-103
Subject Terms: твердые растворы, удельное сопротивление, контактное сопротивление, металлические шунты, вакансии
File Description: application/pdf
Relation: vtls:000656355; https://openrepository.ru/article?id=269273
Availability: https://openrepository.ru/article?id=269273
-
16Academic Journal
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 1. С. 100-103
Subject Terms: вакансии, контактное сопротивление, удельное сопротивление, твердые растворы, металлические шунты
File Description: application/pdf
-
17Conference
Contributors: Сайгаш, Анастасия Сергеевна
Subject Terms: удельное сопротивление, электроэнергетика, контактное сопротивление, магнитоплазменные ускорители, медные электроды
Relation: Перспективы развития фундаментальных наук : сборник научных трудов XIII Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 26-29 апреля 2016 г. . Т. 1 : Физика. — Томск, 2016.; http://earchive.tpu.ru/handle/11683/26022
Availability: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/26022
-
18Academic Journal
Authors: Khomyak, V. V.
Source: Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 6, № 2 (2009); 64-68
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 6, № 2 (2009); 64-68
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 6, № 2 (2009); 64-68Subject Terms: zinc oxide, Zn1-x Mnx O thin films, electrical contact resistance, оксид цинка, тонкие пленки Zn1-x Mnx O, электрическое контактное сопротивление, оксид цинку, тонкі плівки Zn1-x Mnx O, електричний контактний опір
File Description: application/pdf
-
19
-
20