-
1Academic Journal
Authors: A. L. Zharin, U. A. Mikitsevich, A. I. Svistun, K. U. Pantsialeyeu, А. Л. Жарин, В. А. Микитевич, А. И. Свистун, К. В. Пантелеев
Source: Devices and Methods of Measurements; Том 14, № 3 (2023); 161-172 ; Приборы и методы измерений; Том 14, № 3 (2023); 161-172 ; 2414-0473 ; 2220-9506 ; 10.21122/2220-9506-2023-14-3
Subject Terms: JPV, contact potential difference, semiconductor wafer, Kelvin probe, photo EMF, CPD, SPV, контактная разность потенциалов, полупроводниковая пластина, зонд Кельвина, фото ЭДС
File Description: application/pdf
Relation: https://pimi.bntu.by/jour/article/view/828/663; Komin V.V. [et al.]. Status of Non‐contact Electrical Measurements. AIP Conference Proceedings, 2003, 683, 782. DOI:10.1063/1.1622559; Shroeder D.K. Contactless surface charge semiconductor characterization. Materials Science and Engineering. – 2002. – № 91–92. – Pр. 196–210.; Kronik L., Shapira Y. Surface photovoltage phenomena: theory, experiment, and applications. Surface Science Reports. – 1999. – Vol. 37. – Pp. 1–206.; Воробей Р.И. Контроль дефектов структуры кремний-диэлектрик на основе анализа пространственного распределения потенциала по поверхности полупроводниковых пластин / Р.И. Воробей [и др.] // Приборы и методы измерений. – 2013. – № 2. – C. 67–72.; Пилипенко В.А. Характеризация электрофизических свойств границы раздела кремний-двуокись кремния с использованием методов зондовой электрометрии / В.А. Пилипенко [и др.] // Приборы и методы измерений. – 2017. – Т. 8, № 4. – С. 344–356. DOI:10.21122/2220-9506-2017-8-4-24-31; Zharin A., Pantsialeyeu K., Svistun A., Tyavlovsky K. Determination the lifetime of minority charge carriers and iron impurity concentration in semiconductor structures with submicron layers. Euroasian Journal of Semiconductors Science and Engineering. – 2020. – Vol. 2. – No. 4. – Pp. 17–21.; Tyavlovsky A., Zharin A., Mikitsevich V., Vorobey R. Scanning photo stimulated electrometry for testing the uniformity of spatial distribution of semiconductor wafers parameters. Euroasian Journal of Semiconductors Science and Engineering. – 2020. – Vol. 2. – No. 4. – Pp. 47–51.; Pantsialeyeu K., Zharin A., Mikitsevich V., Gusev O. Semiconductor wafers testing based on electron work function of surface. Euroasian Journal of Semiconductors Science and Engineering. – 2020. – Vol. 2. – No. 5. – Pp. 11–14.; Жарин А.Л. Метод контактной разности потенциалов и его применение в трибологии. – Минск: Бестпринт. – 1996. – 235 с.; Пантелеев К.В., Микитевич В.А., Жарин А.Л. Построение измерителей контактной разности потенциалов / К.В. Пантелеев, В.А. Микитевич, А.Л. Жарин // Приборы и методы измерений. – 2016. – Т. 7. – № 1. – С. 7–15. DOI:10.21122/2220-9506-2016-7-1-7-15; Микитевич В.А. Интеллектуальный сенсор для измерительных систем, работающих по схеме синусоидальное возбуждение–отклик / В.А. Микитевич [и др.] // Приборы и методы измерений. – 2023. – Т. 14. – № 1. – С. 18–26. DOI:10.21122/2220-9506-2023-14-1-18-26; Пантелеев К.В. Цифровой измеритель контактной разности потенциалов / К.В. Пантелеев [и др.] // Приборы и методы измерений. – 2016. – Т. 7. – № 2. – С. 136–144. DOI:10.21122/2220-9506-2016-7-2-136-144; https://pimi.bntu.by/jour/article/view/828
-
2Academic Journal
Authors: V. A. Novikov, D. V. Grigoryev, D. A. Bezrodnyy, A. V. Voitsekhovskii, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov
Source: Journal of electronic materials. 2017. Vol. 46, № 7. P. 4435-4438
Subject Terms: 2. Zero hunger, контактная разность потенциалов, теллурид кадмия ртути, зондовая микроскопия, тонкие пленки, 0103 physical sciences, молекулярно-лучевая эпитаксия, 02 engineering and technology, 0210 nano-technology, 01 natural sciences, Кельвина зонд, метод, v-дефекты
Linked Full TextAccess URL: https://ui.adsabs.harvard.edu/abs/2017JEMat..46.4435N/abstract
https://link.springer.com/article/10.1007/s11664-017-5393-0
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000620312 -
3Academic Journal
Authors: A. K. Tyavlovsky, A. L. Zharin, O. K. Gusev, R. I. Varabei, N. I. Muhurov, G. V. Sharonov, K. U. Pantsialeyeu
Source: Приборы и методы измерений, Vol 8, Iss 1, Pp 61-72 (2017)
Subject Terms: Зонд Кельвина, Kelvin probe, defect, 02 engineering and technology, Engineering (General). Civil engineering (General), 01 natural sciences, Contact potential difference, contact potential difference, aluminum, kelvin probe, Контактная разность потенциалов, 0103 physical sciences, surface, TA1-2040, 0210 nano-technology
Access URL: https://pimi.bntu.by/jour/article/download/289/279
https://doaj.org/article/686f3a147bac4a8aab6bbe2c41e27c87
https://rep.bntu.by/handle/data/28495
http://pimi.bntu.by/jour/article/view/289
https://pimi.bntu.by/jour/article/view/289
https://core.ac.uk/display/87469797
https://cyberleninka.ru/article/n/analiz-defektov-poverhnosti-ishodnyh-podlozhek-alyuminiya-i-ego-splavov-metodom-skaniruyuschego-zonda-kelvina
https://rep.bntu.by/handle/data/28495 -
4Academic Journal
Authors: K. U. Pantsialeyeu, A. I. Svistun, A. K. Tyavlovsky, A. L. Zharin
Source: Приборы и методы измерений, Vol 7, Iss 2, Pp 136-144 (2016)
Subject Terms: electron work function, Зонд Кельвина, digital cpd probe, Engineering (General). Civil engineering (General), 01 natural sciences, Цифровой измеритель КРП, electrostatic potential, contact potential difference, Электростатический потенциал, kelvin probe, Контактная разность потенциалов, 0103 physical sciences, Работа выхода электрона, TA1-2040
Access URL: https://pimi.bntu.by/jour/article/download/250/251
https://doaj.org/article/be7c11669517416da38cc9553cf0f4b0
https://cyberleninka.ru/article/n/tsifrovoy-izmeritel-kontaktnoy-raznosti-potentsialov
https://cyberleninka.ru/article/n/tsifrovoy-izmeritel-kontaktnoy-raznosti-potentsialov/pdf
https://pimi.bntu.by/jour/article/download/250/251
https://pimi.bntu.by/jour/article/view/250
https://core.ac.uk/display/87469861
http://pimi.bntu.by/jour/article/download/250/251
https://rep.bntu.by/handle/data/24836 -
5Academic Journal
Authors: Shmargunov, A. V., Bozhkov, V. G., Novikov, Vladimir A.
Source: Microelectronic engineering. 2015. Vol. 133. P. 73-77
Subject Terms: контактная разность потенциалов, 0103 physical sciences, 02 engineering and technology, металл-полупроводник, 0210 nano-technology, 01 natural sciences
Linked Full TextAccess URL: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0167931714005280
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0167931714005280
https://jglobal.jst.go.jp/detail?JGLOBAL_ID=201502290188656886
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000577971 -
6Academic Journal
Authors: K. U. Pantsialeyeu, A. U. Krautsevich, I. A. Rovba, V. I. Lysenko, R. I. Vorobey, O. K. Gusev, A. L. Zharin, К. В. Пантелеев, А. В. Кравцевич, И. А. Ровба, В. И. Лысенко, Р. И. Воробей, О. К. Гусев, А. Л. Жарин
Source: Devices and Methods of Measurements; Том 8, № 4 (2017); 386-397 ; Приборы и методы измерений; Том 8, № 4 (2017); 386-397 ; 2414-0473 ; 2220-9506 ; 10.21122/2220-9506-2017-8-4
Subject Terms: полимерные нанокомпозиты, contact potential difference, electrostatic potential, surface photovoltage, nanocomposite polymers, контактная разность потенциалов, электростатический потенциал, фото-ЭДС
File Description: application/pdf
Relation: https://pimi.bntu.by/jour/article/view/348/314; Subrahmanyam, A. The Kelvin Probe for Surface Engineering: Fundamentals and Design /A. Subrahmanyam, S. Kumar. – USA : CRC Press, 2010. – 200 p.; Zharkikh, Yu.S. Mechanic-electrical transformations in the Kelvin method / Yu.S. Zharkikh, S.V. Lysochenko // Applied Surface Science. 2017. – Vol. 400. – P. 71–76.; Kelvin probe force microscopy and its application / W. Melitz, J. Shen, A.C. Kummel, S. Lee // Surface Science Reports. – 2011. – Vol. 66. – P. 1–27. doi:10.1016/j.surfrep.2010.10.001; Noras, M.A. Charge detection methods for dielectrics – Overview / M.A. Noras // Trek Application Note. – 2003. – No. 3005. – P. 1–13.; Scanning electric potential microscopy imaging of polymers: electrical charge distribution in dielectrics / A. Galembeck, C.A.R. Costa, M.C.V.M. da Silva, E.F. Souza, F. Galembeck // Polymer. – 2001. – Vol. 42. – P. 4845−4851. doi:10.1016 / S0032-3861 (00) 00921-6; The mosaic of Surface Charge in Contact Electrification / H.T. Baytekin, A.Z. Patashinski, M. Branicki, B. Baytekin, S. Soh, B.A. Grzybowski // Science. – 2011. – Vol. 333. – P. 308–312. doi:10.1126 / science.1201512; Влияние высокодисперсного наполнителя на адгезионные и фрикционные свойства сополимера этилена с винилацетатом / А.И. Свириденок, А.Л. Жарин, А.В. Кравцевич, А.К. Тявловский // Трение и износ. – 2014. – Т. 35, № 4.– С. 401–410.; Ebrahimi, G. Investigation on corrosion protection mechanism of polyaniline nanoparticles doped with phosphoric acid by scanning Kelvin probe and other electrochemical methods / G. Ebrahimi, F. Rezaei, J. Neshati // Journal of the Taiwan Institute of Chemical Engineers. – 2016. – P. 1–10. doi:10.1016/j.jtice.2016.11.007; Schroder, D. Surface voltage and surface photovoltage: history, theory and applications / D. Schroder // Measurement Science & Technology. – 2001. – Vol. 3. – No. 12. – P. R16–R31.; Davies, D.K. Charge generation of dielectric surfaces / D.K. Davies // Journal of Physics. D: Applied Physics. – 1969. – No. 2. – P. 1533–1537. doi:10.1088/0022-3727/2/11/307; Vorobey, R.I. Controlling the characteristics of photovoltaic cell based on their own semiconductors / R.I. Vorobey, [at al.] // Przeglad Elektrotechniczny. – 2015. – No. 8. – P. 81–85. doi:10.15199/48.2016.08.52; Zisman, W.A. A new method of measuring contact potential differences in metals / W. A. Zisman // Review of Scientific Instruments. – 1932. – No. 3. – P. 367–370. doi:10.1063/1.1748947; Пантелеев, К.В. Построение измерителей контактной разности потенциалов / К.В. Пантелеев, В.А. Микитевич, А.Л. Жарин // Приборы и методы измерений. – 2016. – Т. 7, № 1. – С. 7–15. doi:10.21122/2220-9506-2016-7-1-7-15; Wicinski, M. Lateral resolution in scanning Kelvin probe microscopy / M. Wicinski, W. Burgstaller, A.W. Hassel // Corrosion Science. – 2016. – Vol. 104. – P. 1–8. doi:10.1016/j.corsci.2015.09.008; Multitip scanning bio-Kelvin probe / I.D. Baikie, Smith, D.M. Porterfield, P.J. Estrup // Review of Scientific Instruments. – 1999. – Iss. 70. doi:10.1063/1.1149678; https://pimi.bntu.by/jour/article/view/348
-
7Academic Journal
Authors: ТЯВЛОВСКИЙ А.К., ЖАРИН А.Л., ГУСЕВ О.К., ВОРОБЕЙ Р.И., МУХУРОВ Н.И., ШАРОНОВ Г.В., ПАНТЕЛЕЕВ К.В.
File Description: text/html
-
8
-
9Academic Journal
Authors: ПАНТЕЛЕЕВ К.В., СВИСТУН А.И., ТЯВЛОВСКИЙ А.К., ЖАРИН А.Л.
Subject Terms: ЗОНД КЕЛЬВИНА,КОНТАКТНАЯ РАЗНОСТЬ ПОТЕНЦИАЛОВ,ЦИФРОВОЙ ИЗМЕРИТЕЛЬ КРП,РАБОТА ВЫХОДА ЭЛЕКТРОНА,ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИЙ ПОТЕНЦИАЛ
File Description: text/html
-
10Academic Journal
Authors: ПАНТЕЛЕЕВ К.В., МИКИТЕВИЧ В.А., ЖАРИН А.Л.
File Description: text/html
-
11Academic Journal
Source: Приборы и методы измерений.
File Description: text/html
-
12Academic Journal
Source: Devices and Methods of Measurements; Том 6, № 1 (2015); 56-63 ; Приборы и методы измерений; Том 6, № 1 (2015); 56-63 ; 2414-0473 ; 2220-9506 ; undefined
Subject Terms: локализация пластической деформации, contact potential difference, work function, surface, localization of plastic deformation, контактная разность потенциалов, работа выхода электрона, поверхность
File Description: application/pdf
Relation: https://pimi.bntu.by/jour/article/view/205/210; Панин, В.Е. Структурные уровни пластической деформации и разрушения / В.Е. Панин, Ю.В. Гриняев, В.И. Данилов [и др.]. – Новосибирск : Наука, 1990. – 255 с.; Малыгин, Г.А. Самоорганизация дислокаций и локализация скольжения в пластически деформируемых кристаллах / Г.А. Малыгин // Физика твердого тела. – 1995. – Т. 37. – № 1. – С. 3–42. 3. Фоменко, В.С. Эмиссионные свойства материалов: справочник / В.С. Фоменков. – Киев : Наукова думка. – 1981. – 338 с.; Минц, Р.И. Деформационное изменение работы выхода электрона / Р.И. Минц, В.П. Мелехин, М.Б. Партенский // Физика твердого тела. – 1974. – Т. 16. – № 12. – С. 3584–3586.; Zharin, A.L. Contact Potential Difference Techniques As Probing Tools in Tribology and Surface Mapping / A.L. Zharin // Scanning Probe Microscopy in Nanoscience and Nanotechnology. – Heidelberg: Springer-Verlag. – 2010. – Р. 687–720.; Жарин, А.Л. Влияние контактных деформаций на величину работы выхода электрона поверхностей / А.Л. Жарин, Е.И. Фишбейн, Н. Шипица // Трение и износ. – 1995. – Т. 16. – № 3. – С. 488–504.; Жарин, А.Л. Определение вида контактной деформации по работе выхода электрона / А.Л. Жарин, В.А. Генкин, Н.А. Шипица // Трение и износ. – 1990. – Т. 11. – № 1. – С. 173–175; https://pimi.bntu.by/jour/article/view/205; undefined
Availability: https://pimi.bntu.by/jour/article/view/205
-
13Academic Journal
Source: Devices and Methods of Measurements; № 2 (2014); 107-113 ; Приборы и методы измерений; № 2 (2014); 107-113 ; 2414-0473 ; 2220-9506 ; undefined
Subject Terms: износ, contact potential difference, Kelvin probe, surface friction, wear, контактная разность потенциалов, зонд Кельвина, поверхность трения
File Description: application/pdf
Relation: https://pimi.bntu.by/jour/article/view/88/88; Жарин, А.Л. Метод контактной разности потенциалов и его применение в трибологии А.Л. Жарин. – Минск : Бестпринт. – 1996. – 235 с.; Жарин, А.Л. Мониторинг работы выхода электрона в процессе трения / А.Л. Жарин // Трибология: международная энциклопедия. Т. IV. Физика-химия процессов трибоизнашивания / под ред. К. Н. Войнова. – СПб. : ПГУПС. – 2012. – С. 376–386.; Zharin, A.L. Contact Potential Dierence Techniques as Probing Tools in Tribology and Surface Mapping / A.L. Zharin // Scanning Probe Microscopy in Nanoscience and Nanotechnology (edited by B. Bhushan). – Springer Heidelberg Dordrecht London New York, 2010. – Pр. 687–720.; Danyluk, S. The non-vibrating capacitance probe for wear monitoring /S. Danyluk, A. Zharin, E. Zanoria, K. Hamall. – 1999: US patent 5,974,869.; https://pimi.bntu.by/jour/article/view/88; undefined
Availability: https://pimi.bntu.by/jour/article/view/88
-
14Academic Journal
Authors: МУСОХРАНОВ М.В., АНТОНЮК Ф.И., КАЛМЫКОВ В.В.
Subject Terms: РАБОТА ВЫХОДА ЭЛЕКТРОНА, ПОВЕРХНОСТНАЯ ЭНЕРГИЯ, КАЧЕСТВО ПОВЕРХНОСТИ, КОНТАКТНАЯ РАЗНОСТЬ ПОТЕНЦИАЛОВ
File Description: text/html
-
15Academic Journal
Source: Приборы и методы измерений.
File Description: text/html
-
16Academic Journal
Source: Приборы и методы измерений.
Subject Terms: ЗОНД КЕЛЬВИНА,КОНТАКТНАЯ РАЗНОСТЬ ПОТЕНЦИАЛОВ,ЦИФРОВОЙ ИЗМЕРИТЕЛЬ КРП,РАБОТА ВЫХОДА ЭЛЕКТРОНА,ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИЙ ПОТЕНЦИАЛ
File Description: text/html
-
17Academic Journal
Authors: Воробець, Марія Михайлівна
Source: Eastern-European Journal of Enterprise Technologies
Subject Terms: Indonesia, porous silicon, final chemical treatment, contact potential difference, silicon wafers, пористый кремний, финишная химическая обработка, контактная разность потенциалов, кремниевые пластины, УДК 544.653.22: 538.975, поруватий кремній, фінішна хімічна обробка, контактна різниця потенціалів, кремнієві пластини
File Description: application/pdf
-
18Academic Journal
Authors: Тихоненко, В. В., Шкилько, А. М.
Subject Terms: износостойкость, деформация пластическая, контактная разность потенциалов, эмиссия фотостимулированная
File Description: application/pdf
Relation: Тихоненко В. В. Изнашивание поверхностного слоя, упрочненного методом микродугового оксидирования / В. В. Тихоненко, А. М. Шкилько // Високі технології в машинобудуванні = High technologies of machine-building : зб. наук. пр. – Харків : НТУ "ХПІ", 2012. – Вип. 1 (22). – С. 291-297.; http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/23472
Availability: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/23472
-
19Academic Journal
Authors: Воробець, М.
Subject Terms: ПОРИСТЫЙ КРЕМНИЙ, ФИНИШНАЯ ХИМИЧЕСКАЯ ОБРАБОТКА, КОНТАКТНАЯ РАЗНОСТЬ ПОТЕНЦИАЛОВ, КРЕМНИЕВЫЕ ПЛАСТИНЫ
File Description: text/html
-
20Academic Journal
Authors: Трегулов, Вадим, Степанов, Владимир
Subject Terms: ВОЛЬТ-АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА, ГЕТЕРОСТРУКТУРА, КРЕМНИЙ, КОНТАКТНАЯ РАЗНОСТЬ ПОТЕНЦИАЛОВ, ОБЛАСТЬ ПРОСТРАНСТВЕННОГО ЗАРЯДА, ПОВЕРХНОСТНЫЕ СОСТОЯНИЯ, РЕКОМБИНАЦИЯ, СУЛЬФИД КАДМИЯ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ
File Description: text/html
