A non-stationary model of mass transfer in a self-consistent electrical field for determining the influence of temperature on electrophysical properties of metal oxide memristors ; Нестационарная модель массопереноса зарядов в самосогласованном электрическом поле для определения влияния температуры на электрофизические свойства металлооксидного мемристора

Συγγραφείς: A. N. Busygin, B. H. Gabdulin, S. Yu. Udovichenko, N. A. Shulaev, A. D. Pisarev, A. H. A. Ebrahim, А. Н. Бусыгин, Б. Х. Габдулин, С. Ю. Удовиченко, Н. А. Шулаев, А. Д. Писарев, А. Х. А. Ибрагим

Συνεισφορές: The study was conducted with the support of the Ministry of Education and Science of the Russian Federation within the framework of the state assignment (project FEWZ-2024-0020)., Исследование проведено при поддержке Минобрнауки РФ в рамках государственного задания (проект FEWZ-2024-0020).

Πηγή: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 27, № 4 (2024); 324-329 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 27, № 4 (2024); 324-329 ; 2413-6387 ; 1609-3577

Θεματικοί όροι: вольт-амперная характеристика мемристора, physical model of charge mass transfer, oxygen vacancies and trapped electrons, current-voltage characteristic of a memristor, oxide film temperature, модель массопереноса зарядов, кислородные вакансии

Relation: Larentis S., Nardi F., Balatti S., David C. Gilmer D.C., Ielmini D. Resistive switching by voltage-driven ion migration in bipolar RRAM – Part II: Modeling. IEEE Transactions on Electron Devices. 2012; 59(9): 2468—4275. https://doi.org/10.1109/TED.2012.2202320; Kim S., Kim S-J., Kim K.M., Lee S.R., Chang M., Cho E., Kim Y.-B., Kim Ch.J., Chung U. –I., Yoo I.-K. Physical electro-thermal model of resistive switching in bi-layered resistance-change memory. Scientific Reports. 2013; 3: 1680. https://doi.org/10.1038/srep01680; Kim S., Choi S.H., Lu W. Comprehensive Physical model of dynamic resistive switching in an oxide memristor. Acsnano. 2014; 8(3): 2369—2376. https://doi.org/10.1021/nn405827t; Basnet P., Pahinkar D.G., West M.P., Perini C.J., Graham S., Vogel E.M. Substrate dependent resistive switching in amorphous-HfOx memristors: an experimental and computational investigation. Journal of Materials Chemistry C. 2020; 8(15): 5092—5101. https://doi.org/10.1039/c9tc06736a; Parit A.K., Yadav M.S., Gupta A.K., Mikhaylov A., Rawat B. Design and modeling of niobium oxide-tantalum oxide based self-selective memristor for large-scale crossbar memory. Chaos, Solitons and Fractals. 2021; 145(10-12): 110818. https://doi.org/10.1016/j.chaos.2021.110818; Busygin A., Udovichenko S., Ebrahim A., Bobylev A., Gubin A. Mathematical model of metal-oxide memristor resistive switching based on full physical model of heat and mass transfer of oxygen vacancies and ions. Physica Status Solidi (A) Applications and Materials. 2023; 220(11): 2200478. https://doi.org/10.1002/pssa.202200478; Chernov A.A., Islamov D.R., Pik’nik A.A., Perevalov T.V., Gritsenko V.A. Three-dimensional non-linear complex model of dynamic memristor switching. ECS Transactions. 2017; 75(32): 95—104. https://doi.org/10.1149/07532.0095; Kuzmichev D.S., Markeev A.M. Neuromorphic properties of forming-free non-filamentary TiN/Ta2O5/Ta structures with an asymmetric current-voltage characteristic. Nanobiotechnology Reports. 2021; 16(6): 804—810. https://doi.org/10.1134/S2635167621060136; https://met.misis.ru/jour/article/view/636

Διαθεσιμότητα: https://met.misis.ru/jour/article/view/636
https://doi.org/10.17073/1609-3577j.met202411.636

Влияние допирования наночастиц диоксида церия ионами редкоземельных металлов на биокаталитическую активность

Συγγραφείς: Ofitserova, N. Yu., Bazhukova, I. N.

Θεματικοί όροι: MIXED VALENCE STATES, ДОПИРОВАНИЕ, MULTI-ENZYMATIC ACTIVITY, КИСЛОРОДНЫЕ ВАКАНСИИ, CERIUM DIOXIDE NANOPARTICLES, OXYGEN VACANCIES, РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ, DOPING, НАНОЧАСТИЦЫ ДИОКСИДА ЦЕРИЯ, RARE-EARTH ELEMENTS, СМЕШАННЫЕ ВАЛЕНТНЫЕ СОСТОЯНИЯ, МУЛЬТИФЕРМЕНТАТИВНАЯ АКТИВНОСТЬ

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://elar.urfu.ru/handle/10995/119892

МЕССБАУЭРОВСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ВАЛЕНТНЫХ СОСТОЯНИЙ Fe И КИСЛОРОДНЫХ ВАКАНСИЙ В Са-ЗАМЕЩЕННОМ ОРТОФЕРРИТЕ La1-xCaxFeO3- (x = 0, 0.3, 0.5, 0.7, 1.0)

Θεματικοί όροι: МЕССБАУЭРОВСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ, ВАЛЕНТНЫЕ СОСТОЯНИЯ, КИСЛОРОДНЫЕ ВАКАНСИИ, 0.7, 1.0), 0.3, Са-ЗАМЕЩЕННЫЙ ОРТОФЕРРИТ La1-xCaxFeO3- (x = 0, 0.5, Fe

Atomic and electronic structure of YFeO3 surface with oxygen vacancies

Συγγραφείς: Gnidenko, Anton, Chigrin, Pavel

Πηγή: St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics, Vol 15, Iss 3.1 (2022)

Θεματικοί όροι: ортоферрит иттрия, Physics, QC1-999, surface effects, теория функционала плотности, oxygen vacancies, метод псевдопотенциалов, pseudopotential method, кислородные вакансии, QA1-939, yttrium orthoferrite, поверхностные эффекты, Mathematics, density functional theory

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://doaj.org/article/991e525b78a34926a4e525faadf5b11d

Features of water vapor adsorption and desorption on the surface of non-stoichiometric tin dioxide films ; Особенности адсорбции и десорбции водяных паров на поверхности пленок нестехиометрического диоксида олова

Συγγραφείς: D. V. Adamchuck, V. K. Ksenevich, N. A. Poklonski, A. I. Kavaleu, Д. В. Адамчук, В. К. Ксеневич, Н. А. Поклонский, А. И. Ковалев

Συνεισφορές: This work was supported by the Belarusian National Research Programme “Convergence- 2020” (subprogram “Integration”, task No. 3.3.1), the State Committee on Science and Technology of the Republic of Belarus (grant No. Ф19ЛИТГ-001), the Research Council of Lithuania (grant No. S-LB-19-5), and by the EU Programme H2020-MSCA-RISE-2015 (grants No. 691010 HUNTER and No. 871284 SSHARE)., Работа выполнена в рамках задания 3.3.1 ГПНИ «Конвергенция-2020» (подпрограмма «Объединение»), белорусско-литовского проекта (№ Ф19ЛИТГ-001 и № S-LB-19-5), финансируемого ГКНТ Республики Беларусь и Научным советом Литвы и проектов № 691010 HUNTER и № 871284 SSHARE программы ЕС H2020-MSCA-RISE-2015.

Πηγή: Proceedings of the National Academy of Sciences of Belarus. Physics and Mathematics Series; Том 56, № 1 (2020); 102-113 ; Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук; Том 56, № 1 (2020); 102-113 ; 2524-2415 ; 1561-2430 ; 10.29235/1561-2430-2020-56-1

Θεματικοί όροι: десорбция, oxygen vacancies, water vapor, adsorption, desorption, кислородные вакансии, водяной пар, адсорбция

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://vestifm.belnauka.by/jour/article/view/509/423; Shankar, P. Gas sensing mechanism of metal oxides: The role of ambient atmosphere, type of semiconductor and ga ses -A review / P. Shankar, J. B. B. Rayappan // Sci. Lett. – 2015. – Vol. 4. – P. 126.; Yuliarto, B. SnO 2 Nanostructure as Pollutant Gas Sensors: Synthesis, Sensing Performances, and Mechanism / B. Yuliarto, G. Gumilar, N. L. W. Septiani // Adv. Mater. Sci. Eng. – 2015. – Vol. 2015. – ArticleID 694823. – P. 1–14. https://doi.org/10.1155/2015/694823; Das, S. SnO 2 : A comprehensive review on structures and gas sensors / S. Das, V. Jayaraman // Prog. Mater Sci. – 2014. – Vol. 66. – P. 112–255. https://doi.org/10.1016/j.pmatsci.2014.06.003; Ippommatsu, M. Sensing mechanism of SnO 2 gas sensors / M. Ippommatsu, H. Sasaki, H. Yanagida // J. Mater. Sci. – 1990. – Vol. 25, № 1. – P. 259–262. https://doi.org/10.1007/BF00544217; Davydov, S. Adsorption of Oxygen Molecules and Carbon Monoxide Molecules on Tin Dioxide / S. Davydov, V. Moshnikov, A. Fedotov // Tech. Phys. – 2006. – Vol. 51. – P. 139–141. https://doi.org/10.1134/S1063784206010221; Kílíç, C. Origins of coexistence of conductivity and transparency in SnO 2 / C. Kílíç, A. Zunger // Phys. Rev. Lett. – 2002. – Vol. 88, № 9. – P. 095501. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.88.095501; Effect of Humid Aging on the Oxygen Adsorption in SnO 2 Gas Sensors / K. Suematsu [et al.] // Sensors. – 2018. – Vol. 18, № 1. – P. 254. https://doi.org/10.3390/s18010254; Structural motifs of water on metal oxide surfaces / R. Mu [et al.] // Chem. Soc. Rev. – 2017. – Vol. 46, № 7. – P. 1785– 1806. https://doi.org/10.1039/c6cs00864j; First-principles study of the water adsorption on anatase(101) as a function of the coverage / R. Martinez-Casado [et al.] // J. Phys. Chem. C. – 2018. – Vol. 122, № 36. – P. 20736–20744. https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.8b05081; Oxygen Vacancies as Active Sites for Water Dissociation on Rutile TiO 2 (110) / R. Schaub [et al.] // Phys. Rev. Lett. – 2001. – Vol. 87, № 26. – P. 266104. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.87.266104; Wang, J. G. Oxidation state of oxide supported nanometric gold / J. G. Wang, B. Hammer // Top. Catal. – 2007. – Vol. 44, № 1/2. – P. 49–56. https://doi.org/10.1007/s11244-007-0277-9; Role of water vapour in the interaction of SnO 2 gas sensors with CO and CH 4 / R. Ionescu [et al.] // Sensors and Actuators B: Chemical. – 1999. – Vol. 61, № 1. – P. 39–42. https://doi.org/10.1016/S0925-4005(99)00277-4; Competitive Adsorption of O 2 and H 2 O at the Neutral and Defective SnO 2 (110) Surface / B. Slater [et al.] // MRS Online Proceedings Library Archive. – 2000. – Vol. 658. https://doi.org/10.1557/proc-658-gg9.33; A computational chemist approach to gas sensors: Modeling the response of SnO 2 to CO, O 2 , and H 2 O Gases / J.-M. Ducéré [et al.] // J. Comput. Chem. – 2012. – Vol. 33, № 3. – P. 247–258.https://doi.org/10.1002/jcc.21959; Zakaryan, H. Adsorption of the H and H 2 O on SnO 2 Surfaces in an O 2 Environment: Density Functional Theory Study / H. Zakaryan // Armenian J. Phys. – 2016. – Vol. 9, № 4. – P. 283–293.; Malyshev, V. V. Response of semiconducting metal oxides to water vapor as a result of water molecules chemical transformations on catalytically active surfaces / V. V. Malyshev // Russ. J. Phys. Chem. A.– 2008. – Vol. 82, № 13. – P. 2329– 2339. https://doi.org/10.1134/s0036024408130293; Адамчук, Д. B. Управление электрическими и оптическими параметрами активных элементов датчиков влажности на основе пленок оксидов олова переменного состава / Д. B. Адамчук, В. К. Ксеневич // Приборы и методы измерений. – 2019. – Т. 10, № 2. – P. 138–150. https://doi.org/10.21122/2220-9506-2019-10-2-138-150; Fabrication and characterization of transparent tin dioxide films with variable stoichiometric composition. / V. K. Ksenevich [et al.] // Acta Phys. Pol. A. – 2015. – Vol. 128, № 5. – P. 861–863. https://doi.org/10.12693/aphyspola.128.861; Nonstoichiometric tin oxide films: study by x-ray diffraction, raman scattering and electron paramagnetic resonance / V. K. Ksenevich [et al.] // Lithuanian J. Phys. – 2019. – Vol. 59, № 4. – P. 179–185.; Импедансная спектроскопия поликристаллических пленок диоксида олова / Д. В. Адамчук [и др.] // Приборы и методы измерений. – 2016. – Т. 7, № 3. – С. 312–321. https://doi.org/10.21122/2220-9506-2016-7-3-312-321; Boroojerdian, P. Structural and Optical Study of SnO Nanoparticles Synthesized Using Microwave – Assisted Hydrothermal Route / P. Boroojerdian // Int. J. Nanosci. Nanotechnol. – 2013. – Vol. 9, № 2. – P. 95–100.; Gardiner, D. J. Practical Raman Spectroscopy / D. J. Gardiner, P. R. Graves. – Berlin; Heidelberg: Springer-Verlag. – 1989. – 157 p. https://doi.org/10.1007/978-3-642-74040-4; The complete Raman spectrum of nanometric SnO 2 particles / A. Diéguez [et al.] // J. Appl. Phys. – 2001. – Vol. 90, № 3. – P. 1550–1557. https://doi.org/10.1063/1.1385573; Identification of oxygen vacancy types from Raman spectra of SnO 2 nanocrystals / L. Z. Liu [et al.] // J. Raman Spectroscopy. – 2012. – Vol. 43, № 10. – P. 1423–1426. https://doi.org/10.1002/jrs.4078; Batzill, M. The surface and materials science of tin oxide / M. Batzill, U. Diebold // Prog. Surf. Sci. – 2005. – Vol. 79, № 2. – P. 47–154. https://doi.org/10.1016/j.progsurf.2005.09.002; Calculated static and dynamic properties of -Sn and Sn-O compounds / E. L. Peltzer y Blancá [et al.] // Phys. Rev. B. – 1993. – Vol. 48, № 21. – P. 15712–15718. https://doi.org/10.1002/jrs.4078; Exploring Resonance Raman Spectroscopy / D. Tuschel [et al.] // Spectroscopy. – 2018. – Vol. 33, № 12. – P. 12–19.; Heiland, G. Physical and Chemical Aspects of Oxidic Semiconductor Gas Sensors / G. Heiland, D. Kohl // Chemical Sensor Technology. – Elsevier, 1988. – Vol. 1. – P. 15–38. https://doi.org/10.1016/B978-0-444-98901-7.50007-5; Gercher, V. A. Water adsorption on stoichiometric and defective SnO 2 (110) surfaces / V. A. Gercher, D. F. Cox // Surf. Sci. – 1995. – Vol. 322, № 1/3. – P. 177–184. https://doi.org/10.1016/0039-6028(95)90028-4; Site-selectively grown SnO 2 NWs networks on micromembranes for efficient ammonia sensing in humid conditions / J. Samà [et al.] // Sensors and Actuators B: Chemical. – 2016. – Vol. 232. – P. 402–409. https://doi.org/10.1016/j.snb.2016.03.091; https://vestifm.belnauka.by/jour/article/view/509

Διαθεσιμότητα: https://vestifm.belnauka.by/jour/article/view/509
https://doi.org/10.29235/1561-2430-2020-56-1-102-113

Нестационарная модель массопереноса кислородных вакансий и захваченных электронов для определения влияния температуры на электрофизические свойства металлооксидного мемристора ; A nonstationary model of mass transfer of oxygen vacancies and trapped electrons for determination of temperature influence on properties of a metal oxide memristor

Συγγραφείς: Бусыгин, А. Н., Габдулин, Б. Х., Удовиченко, С. Ю., Шулаев, Н. А., Писарев, А. Д., Ибрагим, А. Х. А., Busygin, A. N., Gabdulin, B. H., Udovichenko, S. Yu., Shulaev, N. A., Pisarev, A. D., Ebrahim, A. H. A.

Θεματικοί όροι: одномерная модель, нестационарный тепло- и массоперенос, оксид металла, кислородные вакансии, захваченные электроны, вольт-амперная характеристика, мемристор, температура оксидного слоя, one-dimensional model, nonstationary heat and mass transfer, metal oxide, oxygen vacancies, trapped electrons, current-voltage characteristic, memristor, oxide layer temperature

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: Вестник Тюменского государственного университета. Серия: Физико-математическое моделирование. Нефть, газ, энергетика. — 2024. — Т. 10, № 3 (39)

Διαθεσιμότητα: https://elib.utmn.ru/jspui/handle/ru-tsu/37905
https://doi.org/10.21684/2411-7978-2024-10-3-37-49

Nanoelectronic devices with memory-effect of electromigration of oxygen vacancies in complex oxides of transition metals

Συγγραφείς: Belogolovskii, M. А., Larkin, S. Y.

Πηγή: Electronics and Communications; Том 18, № 2 (2013); 9-15
Электроника и Связь; Том 18, № 2 (2013); 9-15
Електроніка та Зв'язок; Том 18, № 2 (2013); 9-15

Θεματικοί όροι: 0103 physical sciences, nanotechnology, memristor, resistive switching, complex oxides, oxygen vacancies, нанотехнології, мемристор, резистивні перемикання, складні оксиди, кисневі вакансії, 01 natural sciences, нанотехнологии, резистивные переключения, сложные оксиды, кислородные вакансии

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://ui.adsabs.harvard.edu/abs/2013E&C....18b...9B/abstract
http://elc.kpi.ua/old/article/view/173993

Impurity influence on oxygen diffusion in Al2O3

Συγγραφείς: Bakulin, Alexander V., Matyskina, E. V., Kulkova, Svetlana E.

Πηγή: AIP Conference Proceedings. 2022. Vol. 2509. P. 020016-1-020016-4

Θεματικοί όροι: кислородные вакансии, 0103 physical sciences, оксид алюминия, 02 engineering and technology, коэффициент диффузии, 0210 nano-technology, 01 natural sciences

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000900991

Влияние допирования наночастиц диоксида церия ионами редкоземельных металлов на биокаталитическую активность ; Effect of Cerium Dioxide Nanoparticles Doping with Rare Earth Metal Ions on the Biocatalytic Activity

Συγγραφείς: Офицерова, Н. Ю., Бажукова, И. Н., Ofitserova, N. Yu., Bazhukova, I. N.

Θεματικοί όροι: НАНОЧАСТИЦЫ ДИОКСИДА ЦЕРИЯ, МУЛЬТИФЕРМЕНТАТИВНАЯ АКТИВНОСТЬ, КИСЛОРОДНЫЕ ВАКАНСИИ, СМЕШАННЫЕ ВАЛЕНТНЫЕ СОСТОЯНИЯ, ДОПИРОВАНИЕ, РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ, CERIUM DIOXIDE NANOPARTICLES, MULTI-ENZYMATIC ACTIVITY, OXYGEN VACANCIES, MIXED VALENCE STATES, DOPING, RARE-EARTH ELEMENTS

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: Актуальные проблемы развития естественных наук : сборник статей участников XXV Областного конкурса научно-исследовательских работ «Научный Олимп» по направлению «Естественные науки». — Екатеринбург, 2022; http://elar.urfu.ru/handle/10995/119892

Διαθεσιμότητα: http://elar.urfu.ru/handle/10995/119892

Математическое моделирование резистивного переключения в мемристоре на основе полной модели процессов массопереноса кислородных вакансий и ионов ; Mathematical modeling of memristor resistive switching based on mass transfer full model of oxygen vacancies and ions

Συγγραφείς: Ибрагим, А. Х. А., Бусыгин, А. Н., Удовиченко, С. Ю., Ebrahim, A. Kh. A., Busygin, A. N., Udovichenko, S. Yu.

Θεματικοί όροι: мемристор на основе оксида металла, кислородные вакансии и ионы, математическое моделирование, физическая модель массопереноса зарядов, вольт-амперная характеристика, резистивное переключение мемристора, metal oxide memristor, oxygen vacancies and ions, mathematical modeling, physical model of stationary mass transfer of charges, volt-ampere characteristic, resistive switching of the memristor

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: Вестник Тюменского государственного университета. Серия: Физико-математическое моделирование. Нефть, газ, энергетика. – 2022. – Т. 8, № 2(30)

Διαθεσιμότητα: https://elib.utmn.ru/jspui/handle/ru-tsu/18115
https://doi.org/10.21684/2411-7978-2022-8-2-198-214

ИЗУЧЕНИЕ ОКИСЛИТЕЛЬНОЙ СПОСОБНОСТИ НАНОРАЗМЕРНЫХ КАТАЛИЗАТОРОВ НА ОСНОВЕ CEO2 В ПРОЦЕССЕ КАТАЛИТИЧЕСКОЙ РЕАКЦИИ

Συγγραφείς: Альперович, Игорь, Смоленцев, Николай, Сафонова, Ольга, ВАН БОКХОВЕН ДЖЕРОЕН АНТОН, Солдатов, Александр

Θεματικοί όροι: РЕНТГЕНОВСКАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ПОГЛОЩЕНИЯ, КАТАЛИЗАТОРЫ НА ОСНОВЕ ЦЕРИЯ, КИСЛОРОДНЫЕ ВАКАНСИИ

Περιγραφή αρχείου: text/html

Διαθεσιμότητα: http://cyberleninka.ru/article/n/izuchenie-okislitelnoy-sposobnosti-nanorazmernyh-katalizatorov-na-osnove-ceo2-v-protsesse-kataliticheskoy-reaktsii
http://cyberleninka.ru/article_covers/15490364.png

К ВОПРОСУ О ПРИРОДЕ ФЕРРОМАГНЕТИЗМА В ОКСИДНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ, ЛЕГИРОВАННЫХ 3D-ЭЛЕМЕНТАМИ

Συγγραφείς: Ачкеев, Андрей, Вахитов, Искандер, Хайбуллин, Рустам

Θεματικοί όροι: МАГНИТОРАЗБАВЛЕННЫЕ ОКСИДНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ, ФЕРРОМАГНЕТИЗМ, КИСЛОРОДНЫЕ ВАКАНСИИ, УЗКИЕ ДЕФЕКТНЫЕ ЗОНЫ, КРИТЕРИЙ СТОНЕРА

Περιγραφή αρχείου: text/html

Διαθεσιμότητα: http://cyberleninka.ru/article/n/k-voprosu-o-prirode-ferromagnetizma-v-oksidnyh-poluprovodnikah-legirovannyh-3d-elementami
http://cyberleninka.ru/article_covers/15126761.png

ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНАЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ РЕЛАКСАЦИЯ В СМЕСЕВОМ МАГНИТОЭЛЕКТРИЧЕСКОМ КОМПОЗИТЕ 0,9PBZR0,53TI0,47O3 - 0,1MN0,4ZN0,6FE2O4

Συγγραφείς: Гриднев, С., Калгин, А.

Θεματικοί όροι: ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ РЕЛАКСАЦИЯ, КИСЛОРОДНЫЕ ВАКАНСИИ, ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ, ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОТЕРИ, ПРОВОДИМОСТЬ

Περιγραφή αρχείου: text/html

Διαθεσιμότητα: http://cyberleninka.ru/article/n/vysokotemperaturnaya-dielektricheskaya-relaksatsiya-v-smesevom-magnitoelektricheskom-kompozite-0-9pbzr0-53ti0-47o3-0-1mn0-4zn0-6fe2o4
http://cyberleninka.ru/article_covers/14013839.png

Наноэлектронные устройства с памятью на основе эффекта электромиграции кислородных вакансий в сложных оксидах переходных металлов

Συγγραφείς: Belogolovskii, M. A., Larkin, S. Y.

Συνεισφορές: ELAKPI

Θεματικοί όροι: сложные оксиды, nanotechnology, resistive switching, мемристор, oxygen vacancies, кислородные вакансии, complex oxides, резистивные переключения, нанотехнології, нанотехнологии, резистивні перемикання, складні оксиди, кисневі вакансії, memristor

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/3629

Изучение окислительной способности наноразмерных катализаторов на основе CeO2 в процессе каталитической реакции

Πηγή: Инженерный вестник Дона.

Θεματικοί όροι: РЕНТГЕНОВСКАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ПОГЛОЩЕНИЯ, КАТАЛИЗАТОРЫ НА ОСНОВЕ ЦЕРИЯ, КИСЛОРОДНЫЕ ВАКАНСИИ, 7. Clean energy

Περιγραφή αρχείου: text/html

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://cyberleninka.ru/article_covers/15490364.png
http://cyberleninka.ru/article/n/izuchenie-okislitelnoy-sposobnosti-nanorazmernyh-katalizatorov-na-osnove-ceo2-v-protsesse-kataliticheskoy-reaktsii

К ВОПРОСУ О ПРИРОДЕ ФЕРРОМАГНЕТИЗМА В ОКСИДНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ, ЛЕГИРОВАННЫХ 3D-ЭЛЕМЕНТАМИ // Ученые записки КФУ. Физико-математические науки 2012 том154 N3

Πηγή: ELIB18156088-2012-154-3-2

Θεματικοί όροι: магниторазбавленные оксидные полупроводники, narrow defect bands, узкие дефектные зоны, кислородные вакансии, Stoner criterion, oxide-diluted magnetic semiconductors, ferromagnetism, ферромагнетизм, критерий Стонера, oxygen vacancies

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://openrepository.ru/article?id=145874

К вопросу о природе ферромагнетизма в оксидных полупроводниках, легированных 3d-элементами

Πηγή: Ученые записки Казанского университета. Серия Физико-математические науки.

Θεματικοί όροι: МАГНИТОРАЗБАВЛЕННЫЕ ОКСИДНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ, ФЕРРОМАГНЕТИЗМ, КИСЛОРОДНЫЕ ВАКАНСИИ, УЗКИЕ ДЕФЕКТНЫЕ ЗОНЫ, КРИТЕРИЙ СТОНЕРА

Περιγραφή αρχείου: text/html

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://cyberleninka.ru/article/n/k-voprosu-o-prirode-ferromagnetizma-v-oksidnyh-poluprovodnikah-legirovannyh-3d-elementami
http://cyberleninka.ru/article_covers/15126761.png

Высокотемпературная диэлектрическая релаксация в смесевом магнитоэлектрическом композите 0,9PbZr0,53Ti0,47O3 - 0,1Mn0,4Zn0,6Fe2O4

Πηγή: Вестник Воронежского государственного технического университета.

Θεματικοί όροι: ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ РЕЛАКСАЦИЯ, КИСЛОРОДНЫЕ ВАКАНСИИ, ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ, ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОТЕРИ, ПРОВОДИМОСТЬ

Περιγραφή αρχείου: text/html

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://cyberleninka.ru/article/n/vysokotemperaturnaya-dielektricheskaya-relaksatsiya-v-smesevom-magnitoelektricheskom-kompozite-0-9pbzr0-53ti0-47o3-0-1mn0-4zn0-6fe2o4
http://cyberleninka.ru/article_covers/14013839.png

Highly efficient photocatalysts based on SnO₂ nanoparticles with variable parameters for environmentally friendly utilisation of synthetic dye mixtures ; Высокоэффективные фотокатализаторы на основе наночастиц SnO₂ с варьируемыми параметрами для экологичной утилизации смесей синтетических красителей

Συγγραφείς: Скрипкин Евгений Васильевич, Skripkin Evgenij Vasilevic

Συνεισφορές: Пулялина Александра Юрьевна, Pulalina Aleksandra Urevna, Подурец Анастасия Александровна, Podurec Anastasia Aleksandrovna

Θεματικοί όροι: наночастицы диоксида олова, фотокатализ, кислородные вакансии, органические красители, безотходная очистка, квантово-химические расчеты, SnO2 nanoparticles, oxygen vacancies, photocatalysis, organic dyes, eco-utilization, DFT calculations

Relation: 087709; http://hdl.handle.net/11701/46387

Διαθεσιμότητα: http://hdl.handle.net/11701/46387

Наноэлектронные устройства с памятью на основе эффекта электромиграции кислородных вакансий в сложных оксидах переходных металлов ; Наноелектронні пристрої з пам'яттю на основі ефекту електроміграції кисневих вакансій у складних оксидах перехідних металів ; Nanoelectronic devices with memory-effect of electromigration of oxygen vacancies in complex oxides of transition metals

Συγγραφείς: Белоголовский, М. А., Ларкин, С. Ю., Білоголовський, М. А., Ларкін, С. Ю., Belogolovskii, M. A., Larkin, S. Y.

Πηγή: Electronics and Communications : научно-технический журнал, № 2(73)

Θεματικοί όροι: нанотехнологии, мемристор, резистивные переключения, сложные оксиды, кислородные вакансии, нанотехнології, резистивні перемикання, складні оксиди, кисневі вакансії, nanotechnology, memristor, resistive switching, complex oxides, oxygen vacancies, 621.382: 539.292

Περιγραφή αρχείου: С. 9-15; application/pdf

Relation: Белоголовский М. А. Наноэлектронные устройства с памятью на основе эффекта электромиграции кислородных вакансий в сложных оксидах переходных металлов / М. А. Белоголовский, С. Ю. Ларкин // Electronics and Communications : научно-технический журнал. – 2013. – № 2(73). – С. 9–15. – Библиогр.: 11 назв.; https://ela.kpi.ua/handle/123456789/3629

Διαθεσιμότητα: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/3629