Showing 1 - 20 results of 1,653 for search '"Золь-гель"', query time: 0.65s Refine Results
  1. 1
  2. 2
  3. 3
    Academic Journal

    Source: Composite materials; 2025: Materials of the XIV International scientific and practical WEB-conference; 68-77
    Композиційні матеріали; 2025: Матеріали XІV Міжнародної науково-практичної WEB-конференції ; 68-77

    File Description: application/pdf

  4. 4
  5. 5
  6. 6
    Academic Journal

    Source: Journal of Chemistry and Technologies; Vol. 32 No. 4 (2024): Journal of Chemistry and Technologies; 932-938
    Journal of Chemistry and Technologies; Том 32 № 4 (2024): Journal of Chemistry and Technologies; 932-938

    File Description: application/pdf

  7. 7
    Academic Journal

    Source: Journal of Chemistry and Technologies; Vol. 32 No. 4 (2024): Journal of Chemistry and Technologies; 932-938
    Journal of Chemistry and Technologies; Том 32 № 4 (2024): Journal of Chemistry and Technologies; 932-938

    File Description: application/pdf

  8. 8
  9. 9
  10. 10
  11. 11
  12. 12
  13. 13
  14. 14
  15. 15
  16. 16
  17. 17
  18. 18
  19. 19
  20. 20
    Academic Journal

    Source: Alternative Energy and Ecology (ISJAEE); № 10 (2024); 90-99 ; Альтернативная энергетика и экология (ISJAEE); № 10 (2024); 90-99 ; 1608-8298

    File Description: application/pdf

    Relation: https://www.isjaee.com/jour/article/view/2526/2050; Мейтин М. Фотовальтаика: материалы, технологии, перспективы // Электроника: наука, технология, бизнес, 2000, № 6, 40-46 с.; Arvind Shah. Thin-film silicon solar cells // EPFL Press, 2010, 430 p.; S. Zainabidinov, S. I. Rembeza, E. S. Rembeza and Sh. Kh. Yulchiev. Prospects for the Use of Metal-Oxide Semiconductors in Energy Converters // Applied Solar Energy, vol. 55, no. 1, pp. 5-7, 2019.; Кушнир В. В. Оптимизация конструкции пленочного солнечного элемента // Известия ЮФУ. Технические науки. Тематический выпуск. – 2011, № 4(117), с. 225-228.; L. Luo, Y. Zhang, S. S. Mao, L. Lin. ZnO nanowires, based UV photodiodes, in: Proceedings of 18th IEEE MEMS Conference, Miami, 2005, pp. 427-430.; R. I Badran [et al]. Fabrication of Heterojunction Diode Based on n-ZnO Nanowires/p-Si Substrate: Temperature Dependent Transport Characteristics // Journal Nanosci Nanotechnol. – 2017 Jan; 17(1):581-87.; Periasamy C. Large-area and nanoscale n-ZnO/ p-Si heterojunction photodetectors / C. Periasamy and P. Chakrabarti // Journal of Vaccum Science and Technology. B. – 2011, vol. 29(5), pp. 051206.; Sahu V. K. Studies on the electrical characteristics of n-ZnO/p-Si grown by pulsed laser deposition for UV photo detecting applications / V. K. Sahu [et al] // Physics Express. – 2013, vol. 3, 10 p.; Sharma P. Analysis of ultraviolet photoconductivity in ZnO films prepared by unbalanced magnetron sputtering, P. Sharma [et al] // Journal of Applied Physics. – 2003, vol. 93(7), pp. 3963-3970.; Chang Y. M. Enhanced visible photoluminescence from ultrathin ZnO films grown on Si-nanowires by atomic layer deposition / Y. M. Chang [et al] // Nanotechology, 2010, vol. 21(38), pp. 385705.; Yakuphanoglu F. ZnO/p-Si heterojunction photodiode by sol-gel deposition of nanostructure n-ZnO film on p-Si substrate / F. Yakuphanoglu [et al] // Material Science in Semiconductor Processing, 2010, vol. 13(3), pp. 137-140.; Wang. P. Quality improvement of ZnO thin layers overgrown on Si (100) substrates at room temperature by nitridation pretreatment / P. Wang [et al] // AIP Advances. – 2012, vol. 2(2), pp. 022139.; В. Е. Полковников, Д. С. Пермяков, М. А. Белых, Ш. Х. Йулчиев, С. И. Рембеза. Использование пиролитических металлооксидных пленок для изготовления фотоэлектрических преобразователей энергии // Вестник Воронежского государственного технического университета. – Воронеж. – 2019. – Т. 15. – № 5, с. 72-77; Зайнабидинов С. З., Йулчиев Ш. Х., Бобоев А. Й. Структурные и фотоэлектрические свойства тонкопленочного гетероперехода n-ZnO/p-Si, полученного золь-гель методом // Альтернативная энергетика и экология (ISJAEE). – 2020. – № 25-27, с. 347-349.; Абдуев А. Х., Ахмедов А. К., Асваров А. Ш., Муслимов А. Э., Каневский В. М. Влияние условий зарождения на структуру слоев оксида цинка // Кристаллография. – 2020. – T. 65. – № 3, с. 489-490.; Викулин И. М., Стафеев В. И. Физика полупроводниковых приборов. – М.: Радио и связь, 1990, с. 264.; Волковский Ю. А., Жернова В. А., Фоломешкин М. С., Просеков П. А. и др. Сравнительная рентгеновская дифрактометрия дефектной структуры эпитаксиальных пленок ZnO, выращенных методом магнетронного осаждения на подложках Al2O3 ориентации (0001) в неоднородном электрическом поле // Кристаллография. – 2023. – T. 68, № 2, с. 180-188.; Саидов А. С., Лейдерман А. Ю., Усмонов Ш. Н., Амонов К. А. Эффект инжекционного обеднения в p-Si−n-(Si2)1−x(ZnSe)x (0 ≤ x ≤ 0.01) гетероструктуре // Физика и техника полупроводников. – 2018, том 52, вып. 9, с. 1066-1070.; Никитин С. Е., Николаев Ю. А., Полушина И. К., Рудь В. Ю., Теруков Е. И. Фотоэлектрические явления в гетероструктурах ZnO:Al-p-Si // Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 11.; Зайнабидинов С. З., Бобоев А. Й., Лейдерман А. Ю. Исследование механизма переноса тока в n-GaAs-р-(GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y гетероструктуры // Узбекский физический журнал. – Ташкент, 2019. – № 1, c. 14-21.; Адирович Э. И., Карагеоргий-Алкалаев П. М., Лейдерман А. Ю. Токи двойной инжекции в полупроводниках. – М., Советское радио, 1978.; Зеббар A. Н., Хейреддин A. Y., Мокеддем A. K., Хафдалла B. A., Кечуане M., Аида M. С. «Структурные, оптические и электрические свойства гетероперехода n-ZnO/p-Si, подготовленного ультразвуковым распылением» // Научные материалы в полупроводниковой обработке. – Том 14. – 2011. – Выпуски 3-4. – С. 229-234.; Зайнабидинов С. З., Далиев Х. С., Йулчиев Ш. Х., Бобоев А. Й., Юнусалиев Н. Ю. Структурные особенности металлооксидных пленок ZnO на основе кремния. Доклады Академии Наук Республики Узбекистан. – Ташкент, 2020, № 3, c. 21-24.; Шаренкова Н. В., Каминский В. В., Петров С. Н. Размеры областей когерентного рассеяния рентгеновского излучения в тонких пленках SmS и их визуализация // Журнал технической физики. – 2011. – Т. 81, № 9, с. 144-146.; Ахмедов А. К., Абдуев А. Х., Асваров А. Ш., Муслимов А. Э., Каневский В. М. Нанокристаллические пленки на основе оксида цинка, полученные в едином вакуумном цикле // Российские нанотехнологии. – 2020. – T. 15, № 6, с. 775-780.; Алексанян А. Ю. Получение диодных гетероструктур p-Si/n-ZnO и исследование их вольт-амперных характеристик // Альтернативная энергетика и экология (ISJAEE). – 2013, № 6, c. 23-27.; Тарасов А. П. Люминесценция микроструктур оксида цинка и влияние на нее поверхностного плазменного резонанса и магнитного поля. Дисс. канд.физ.-мат.наук. – Москва: МФТИ, 2019, 125 с.; https://www.isjaee.com/jour/article/view/2526