Параметры омических контактов и учет влияния реальных размеров образцов на полевую зависимость дрейфовой скорости в слоях In0.16Ga0.84As

Συγγραφείς: В. А. Кузнецов, Д. Ю. Протасов, Д. В. Дмитриев, В. Я. Костюченко, К. С. Журавлев

Συνεισφορές: Работа выполнена в рамках госзадания ИФП СО РАН (тема №FWGW-2025-0024).

Πηγή: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 28, № 1 (2025) ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 28, № 1 (2025) ; 2413-6387 ; 1609-3577

Θεματικοί όροι: дрейфовая скорость, контактное сопротивление, сильное электрическое поле

Relation: Tokumitsu T., Kubota M., Sakai K., Kawai T. Application of GaAs Device Technology to Millimeter-Waves. SEI Technical Review. 2014, no. 79, pp. 57- 65.; Cho S.J., Wang C., Kim N.Y. High power density AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMTs using an optimized manufacturing process for Ka-band applications. Microelectronic Engineering, 2014, vol. 113, pp. 11–19. https://doi.org/10.1016/j.mee.2013.07.001; Pashkovskii A.B., Bogdanov S.A., Bakarov A.K., Grigorenko A.B., Zhuravlev K.S., Lapin V.G., Lukashin V.M., Rogachev I.A., Tereshkin E.V., Shcherbakov S.V. Millimeter-Wave Donor–Acceptor-Doped DpHEMT. IEEE Transactions on Electron Devices, 2021, vol. 68, no. 1, pp. 53-56. https://doi.org/10.1109/TED.2020.3038373; Chen Y.C., Bhattacharya P.K. Determination of critical layer thickness and strain tensor in InxGa1-xAs/GaAs quantum-well structures by x-ray diffraction. J. Appt. Phys, 1993, vol. 73, no. 11, pp. 7389-7394. https://doi.org/10.1063/1.354030; Požela J. Physics of High-Speed Transistors. New York: Plenum Press, 1993. 337 p. https://doi.org/10.1007/978-1-4899-1242-8.; Иващенко В.М., Митин В.В. Моделирование кинетических явлений в полупроводниках. Метод Монте-Карло. Киев: Наук. думка, 1990. 189 с.; Воробьёв Л.Е. Горячие электроны в полупроводниках и наноструктурах. СПб: Изд-во СПбГТУ, 1999. 154 с.; Kablukova E., Sabelfeld K.K., Protasov D., Zhuravlev K. Stochastic simulation of electron transport in a strong electrical field in low-dimensional heterostructures. Monte Carlo Methods and Applications, 2023, 29(4), pp. 307-322. https://doi.org/10.1515/mcma-2023-2019; Thobel J.L., Baudry L., Cappy A., Bourei P., Fauquembergue R. Electron transport properties of strained InxGa1−xAs. Appl. Phys. Lett., 1990, vol. 56 no. 4, pp. 346-348. https://doi.org/10.1063/1.102780; Айзенштат Г.И., Божков В.Г., Ющенко А.Ю. Измерение скорости насыщения электронов в квантовой яме AlGaAs/InGaAs. Известия ВУЗов. Физика, 2010, Т. 53, № 9, c. 34-39.; Шиленас А., Пожела Ю., Пожела К., Юцене В., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Пушкарев С.C., Климов Е.А. Максимальная дрейфовая скорость электронов в селективно легированных гетероструктурах InAlAs/InGaAs/InAlAs с введенной InAs-вставкой. ФТП. 2013, Т. 47, № 3, с. 348-352.; Протасов Д.Ю., Гуляев Д.В., Бакаров А.К., Торопов А.И., Ерофеев Е.В., Журавлев К.С. Увеличение насыщенной скорости дрейфа электронов в pHEMT гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием. Письма в Журнал Технической Физики, 2018, Т. 44, № 6, с. 77-84. https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.06.45770.17098; Kim I.H. Pd/Ge(or Si)/Pd/Ti/Au Ohmic Contacts to n-type InGaAs for AlGaAs/GaAs HBTs. Metals and Materials International, 2004, vol. 10, no. 4 , pp. 381-386.; Lee J.-M., Choi I.-H., Park S. H., Min B.-G., Lee T.-W., Park M. P., Lee K.-H. WNx/WN0.5x/W Ohmic Contact to n-InGaAs and Its Application to AlGaAs/GaAs Heterojunction Bipolar Transistors. Journal of the Korean Physical Society, 2000, vol. 37, no. 1, pp. 43-48.; Iliadis A.A., Zahurak J.K., Neal T., Masselink W.T. Lateral Diffusion Effects in AuGe Based Source-Drain Contacts to AlInAs/InGaAs/InP Doped Channel MODFETs. Journal of Electronic Materials, 1999, vol. 28, no. 8, pp. 944-948.; Yearsley J.D., Lin J.C., Hwang E., Datta S., Mohney S.E. Ultra low-resistance palladium silicide Ohmic contacts to lightly doped n-InGaAs. Journal of Applied Physics, 2012, vol. 112, 054510 (8pp). https://doi.org/10.1063/1.4748178; Nebauer E., Mai M., Richter E., Würfl J. Low Resistance, Thermally Stable Au/Pt/Ti/WSiN Ohmic Contacts on n+-InGaAs/n-GaAs Layer Systems. Journal of Electronic Materials, 1998, vol. 27, no. 12, pp. 1372-1374.; Barker J.M., Akis R., Thornton T.J., Ferry D.K., Goodnick S.M. High Field Transport Studies of GaN. Phys. stat. sol., 2002, vol. 190, no. 1, pp. 263–270.; Barker J.M., Ferry D.K., Koleske D.D., Shul R.J. Bulk GaN and AlGaN∕GaN heterostructure drift velocity measurements and comparison to theoretical models. Journal of Applied Physics, 2005, vol. 97, 063705 (5pp). https://doi.org/10.1063/1.1854724; Yang D., Bhattacharya P.K., Hong W.P., Bhat R., Hayes J. R. High-field transport properties of lnAsxP1-x/lnP (0.3≤x≤1) modulation doped heterostructures at 300 and 77 K. J. Appl. Phys., 1992, vol. 72, no. 1, pp. 174-178. https://doi.org/10.1063/1.352154; Gulyaev D.V., Zhuravlev K.S., Bakarov A.K., Toropov A.I., Protasov D.Yu., Gutakovskii A.K., Ber B.Ya., Kazantsev D.Yu. Influence of the additional p+ doped layers on the properties of AlGaAs/InGaAs/AlGaAs heterostructures for high power SHF transistors. J. Phys. D: Appl. Phys., 2016, vol. 49, 095108 (9pp). https://doi.org/10.1088/0022-3727/49/9/095108; Андреев А.Н., Растегаева М.Г., Растегаев В.П., Решанов С.А. К вопросу об учете растекания тока в полупроводнике при определении переходного сопротивления омических контактов. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 7 с. 832-838; Khan I.A., Cooper J.A. Measurement of high-field electron transport in silicon carbide. IEEE Transactions on Electron Devices, 2000, vol. 47, no. 2, pp. 269-273. https://doi.org/10.1109/16.822266; Пожела Ю., Пожела К., Рагуотис Р., Юцене В. Дрейфовая скорость электронов в квантовых ямах селективно легированных гетероструктур In0.5Ga0.5As/AlxIn1-xAs и In0.2Ga0.8As/AlxGa1−xAs в сильных электрических полях. Физика и Техника Полупроводников, 2011, Т. 45, № 6, с. 778-782.; Thobel J.L., Baudry L., Bourel P., Dessenne F., Charef M. Monte Carlo modeling of high-field transport in III-V Heterostructures. Journal of Applied Physics, 1993, vol. 74, no. 10, pp. 6274-6280 https://doi.org/10.1063/1.355145; https://met.misis.ru/jour/article/view/602

Διαθεσιμότητα: https://met.misis.ru/jour/article/view/602
https://doi.org/10.17073/1609-3577j.met202407.602

RESEARCH OF THE DRIFT MOBILITY OF ELECTRONS IN ARSENIDE INDIA

Συγγραφείς: Saurova, Tetiana, Semenovskaya, Elena, Shevchuk, Olga

Πηγή: Вісник Київського політехнічного інституту. Серія Приладобудування; № 58(2) (2019); 41-47
Вестник Киевского политехнического института. Серия приборостроение; № 58(2) (2019); 41-47
Bulletin of Kyiv Polytechnic Institute. Series Instrument Making; № 58(2) (2019); 41-47

Θεματικοί όροι: арсенід индію, рухливість, швидкість розсіювання, дрейфова швидкість, арсенид индия, подвижность, скорость рассеяния, дрейфовая скорость, indium arsenide, mobility, scattering rate, drift velocity, 7. Clean energy

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://visnykpb.kpi.ua/article/download/189478/188874
http://visnykpb.kpi.ua/article/download/189478/188874
http://visnykpb.kpi.ua/article/view/189478
http://visnykpb.kpi.ua/article/view/189478

Расчет кинетических коэффициентов для описания динамики пучка убегающих электронов

Θεματικοί όροι: ДРЕЙФОВАЯ СКОРОСТЬ ЭЛЕКТРОНОВ, A MONTE-CARLO METHOD, KINETIC COEFFICIENTS, ELECTRON DRIFT VELOCITY, КИНЕТИЧЕСКИЕ КОЭФФИЦИЕНТЫ, МЕТОД МОНТЕ-КАРЛО, RUNAWAY ELECTRONS, CONTINUOUS ACCELERATION MODE, AN IONIZATION RATE COEFFICIENT, УБЕГАЮЩИЕ ЭЛЕКТРОНЫ, РЕЖИМ НЕПРЕРЫВНОГО УСКОРЕНИЯ, КОНСТАНТА СКОРОСТИ ИОНИЗАЦИИ

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://elar.urfu.ru/handle/10995/99527

MODELLING OF AVERAGE DRIFT SPEED OF ELECTRONS IN ONE-DIMENSIONAL STRUCTURE FROM GALLIUM ARSENIDE

Συγγραφείς: V. N. Mishchenka

Πηγή: Doklady Belorusskogo gosudarstvennogo universiteta informatiki i radioèlektroniki, Vol 0, Iss 8, Pp 99-102 (2019)

Θεματικοί όροι: средняя дрейфовая скорость электронов, арсенид галлия, метод монте-карло, Electronics, TK7800-8360

Περιγραφή αρχείου: electronic resource

Relation: https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/601; https://doaj.org/toc/1729-7648

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://doaj.org/article/de2431024eac4a33b13f4d23c5bd13ef

Дослідження дрейфової рухливості електронів в арсеніді індію

Συνεισφορές: ELAKPI

Θεματικοί όροι: scattering rate, скорость рассеяния, подвижность, арсенід индію, drift velocity, арсенид индия, дрейфовая скорость, indium arsenide, рухливість, mobility, швидкість розсіювання, дрейфова швидкість

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/32995

ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СВЕТОДИОДОВ НА ОСНОВЕ ШИРОКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

Συγγραφείς: Маняхин, Ф., Гусева, С.

Θεματικοί όροι: ВОЛЬТ-АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА, P-N ПЕРЕХОД, ДРЕЙФОВАЯ СКОРОСТЬ В СИЛЬНОМ ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ, СВЕТОДИОДЫ, ГЕТЕРОПЕРЕХОДЫ НА ОСНОВЕ ALGAN/INGAN/GAN

Περιγραφή αρχείου: text/html

Διαθεσιμότητα: http://cyberleninka.ru/article/n/volt-ampernye-harakteristiki-svetodiodov-na-osnove-shirokozonnyh-poluprovodnikov
http://cyberleninka.ru/article_covers/15370728.png

Влияние температуры на дрейфовую скорость электронов в полупроводниковой сверхрешётке в продольном электрическом и наклонном магнитном полях

Συγγραφείς: Баланов, Александр, Короновский, Алексей, Сельский, Антон, Храмов, Александр

Θεματικοί όροι: ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ СВЕРХРЕШЕТКА, ДРЕЙФОВАЯ СКОРОСТЬ, НЕЛИНЕЙНАЯ ДИНАМИКА, ХАОС, БЛОХ-ЦИКЛОТРОННЫЙ РЕЗОНАНС, ТЕМПЕРАТУРНОЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЕ

Περιγραφή αρχείου: text/html

Διαθεσιμότητα: http://cyberleninka.ru/article/n/vliyanie-temperatury-na-dreyfovuyu-skorost-elektronov-v-poluprovodnikovoy-sverhreshyotke-v-prodolnom-elektricheskom-i-naklonnom
http://cyberleninka.ru/article_covers/14668694.png

Моделирование средней дрейфовой скорости электронов в одномерной структуре из арсенида галлия

Θεματικοί όροι: арсенид галлия, метод Монте-Карло, средняя дрейфовая скорость электронов, доклады БГУИР

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://openrepository.ru/article?id=208680

Влияние температуры на дрейфовую скорость электронов в полупроводниковой сверхрешётке в продольном электрическом и наклонном магнитном полях

Πηγή: Известия высших учебных заведений. Прикладная нелинейная динамика.

Θεματικοί όροι: ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ СВЕРХРЕШЕТКА, ДРЕЙФОВАЯ СКОРОСТЬ, НЕЛИНЕЙНАЯ ДИНАМИКА, ХАОС, БЛОХ-ЦИКЛОТРОННЫЙ РЕЗОНАНС, ТЕМПЕРАТУРНОЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЕ

Περιγραφή αρχείου: text/html

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://cyberleninka.ru/article_covers/14668694.png
http://cyberleninka.ru/article/n/vliyanie-temperatury-na-dreyfovuyu-skorost-elektronov-v-poluprovodnikovoy-sverhreshyotke-v-prodolnom-elektricheskom-i-naklonnom

Расчет кинетических коэффициентов для описания динамики пучка убегающих электронов

Συγγραφείς: Мамонтов, Ю. И., Лисенков, В. В., Пономарев, А. В.

Θεματικοί όροι: УБЕГАЮЩИЕ ЭЛЕКТРОНЫ, РЕЖИМ НЕПРЕРЫВНОГО УСКОРЕНИЯ, МЕТОД МОНТЕ-КАРЛО, КИНЕТИЧЕСКИЕ КОЭФФИЦИЕНТЫ, КОНСТАНТА СКОРОСТИ ИОНИЗАЦИИ, ДРЕЙФОВАЯ СКОРОСТЬ ЭЛЕКТРОНОВ, RUNAWAY ELECTRONS, CONTINUOUS ACCELERATION MODE, A MONTE-CARLO METHOD, KINETIC COEFFICIENTS, AN IONIZATION RATE COEFFICIENT, ELECTRON DRIFT VELOCITY

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: Физика. Технологии. Инновации (ФТИ-2017). — Екатеринбург, 2017; http://elar.urfu.ru/handle/10995/99527

Διαθεσιμότητα: http://elar.urfu.ru/handle/10995/99527

Моделирование средней дрейфовой скорости электронов в одномерной структуре из арсенида галлия ; Modelling of average drift speed of electrons in one-dimensional structure from gallium arsenide

Συγγραφείς: Мищенко, В. Н.

Θεματικοί όροι: доклады БГУИР, средняя дрейфовая скорость электронов, арсенид галлия, метод Монте-Карло

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5562

Διαθεσιμότητα: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5562

Влияние отрицательной дифференциальной проводимости и инерционности на коэффициент преобразования частоты диодами на основе GAAS

Συγγραφείς: Прохоров, Э.Д., Боцула, О.В., Клименко, О.А.

Θεματικοί όροι: GaAs-диоды, дрейфовая скорость, инерционность, коэффициент преобразования частоты, максимальные частоты

Relation: Радиофизика та электроника;927; Вестник; http://dspace.univer.kharkov.ua/handle/123456789/7171

Διαθεσιμότητα: http://dspace.univer.kharkov.ua/handle/123456789/7171

Умножение частоты при ударной ионизации в диодах с междолинным переносом электронов на основе AlN, InN

Συγγραφείς: Прохоров, Э.Д., Боцула, О.В., Грищенко, И.А.

Θεματικοί όροι: AlN, GaN, InN-диоды, коэффициент преобразования частоты, дрейфовая скорость, гармоники

Relation: Радиофизика та электроника;№ 883; Вестник; http://dspace.univer.kharkov.ua/handle/123456789/7138

Διαθεσιμότητα: http://dspace.univer.kharkov.ua/handle/123456789/7138

Умножение частоты при ударной ионизации в GaN-диодах

Συγγραφείς: Боцула, О.В., Павленко, Д.В., Прохоров, Э.Д.

Θεματικοί όροι: GaN-диоды, коэффициент преобразования частоты, дрейфовая скорость, гармоники

Relation: Боцула О.В. Умножение частоты при ударной ионизации в GaN-диодах / О.В. Боцула, Д.В. Павленко, Э.Д. Прохоров // Вiсник Харкiвського нацiонального унiверситету iм. В.Н. Каразiна. – 2008. – № 834. Сер.: Радіофізика та електроніка. – С. 100–103.; http://dspace.univer.kharkov.ua/handle/123456789/8868

Διαθεσιμότητα: http://dspace.univer.kharkov.ua/handle/123456789/8868

Исследование параметров терморезистивного эффекта в твердом теле

Συγγραφείς: Колпаков В. А., Колпаков А. И., Федеральное агентство по образованию, Самарский государственный аэрокосмический университет им. С. П. Королева

Θεματικοί όροι: 47.33.29, 621.382(075)

Θέμα γεωγραφικό: диффузионный ток, донорная примесь, дрейфовая скорость, дрейфовый ток, дырочный ток, методические издания, примесная электропроводность полупроводников, примесные полупроводники, собственная проводимость, собственные полупроводники

Relation: Исследование параметров терморезистивного эффекта в твердом теле : метод. указания к лаб. работе; RU\НТБ СГАУ\478852

Διαθεσιμότητα: http://repo.ssau.ru/handle/Metodicheskie-izdaniya/Issledovanie-parametrov-termorezistivnogo-effekta-v-tverdom-tele-97685

Моделирование средней дрейфовой скорости электронов в одномерной структуре из арсенида галлия

Additional Titles: Modelling of average drift speed of electrons in one-dimensional structure from gallium arsenide

Συγγραφείς: Мищенко, В. Н.

Όροι ευρετηρίου: доклады БГУИР, средняя дрейфовая скорость электронов, арсенид галлия, метод Монте-Карло, Article

Σύνδεσμος: http://hdl.handle.net/rour/208680uri