Εμφανίζονται 1 - 20 Αποτελέσματα από 367 για την αναζήτηση '"Гамма-излучение"', χρόνος αναζήτησης: 0,96δλ Περιορισμός αποτελεσμάτων
  1. 1
  2. 2
    Academic Journal

    Συγγραφείς: G. Imanova

    Πηγή: Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики, Vol 23, Iss 6, Pp 1114-1121 (2024)

    Περιγραφή αρχείου: electronic resource

    Σύνδεσμος πρόσβασης: https://doaj.org/article/93daec920e804d819449c4b932a04745

  3. 3
  4. 4
  5. 5
  6. 6
  7. 7
  8. 8
  9. 9
    Academic Journal

    Συνεισφορές: This work was supported by Belarusian Republican Foundation for Fundamental Research (grant no. Т23МЭ-024)., Работа выполнена при поддержке Белорусского республиканского фонда фундаментальных исследований (грант № Т23МЭ-024).

    Πηγή: Proceedings of the National Academy of Sciences of Belarus. Physics and Mathematics Series; Том 60, № 3 (2024); 252-262 ; Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук; Том 60, № 3 (2024); 252-262 ; 2524-2415 ; 1561-2430 ; 10.29235/1561-2430-2024-60-3

    Περιγραφή αρχείου: application/pdf

    Relation: https://vestifm.belnauka.by/jour/article/view/800/613; Гулаков, И. Р. Фотоприемники квантовых систем / И. Р. Гулаков, А. О. Зеневич. – Минск: УО ВГКС, 2012. – 276 c.; Dinu, N. Silicon photomultipliers (SiPM) / N. Dinu // Photodetectors: Materials, Devices and Applications. – Elsevier, 2016. – P. 255–294. https://doi.org/10.1016/b978-1-78242-445-1.00008-7; Silicon photomultiplier and its possible applications / P. Buzhan [et al.] // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. A. – 2003. – Vol. 504, № 1–3. – P. 48–52. https://doi.org/10.1016/s0168-9002(03)00749-6; Lecoq, P. SiPM applications in positron emission tomography: toward ultimate PET time-of-flight resolution / P. Lecoq, S. Gundacker // Eur. Phys. J. Plus. – 2021. – Vol. 136, № 3. – Art. ID 292. https://doi.org/10.1140/epjp/s13360-021-01183-8; A short wavelength GigaHertz clocked fiber-optic quantum key distribution system / K. J. Gordon [et al.] // IEEE J. Quantum Electron. – 2004. – Vol. 40, № 7. – P. 900–908. https://doi.org/10.1109/jqe.2004.830182; Lidar with SiPM: Some capabilities and limitations in real environment / R. Agishev [et al.] // Optics & Laser Technology. – 2013. – Vol. 49. – P. 86–90. https://doi.org/10.1016/j.optlastec.2012.12.024; Silicon Photomultipliers and SPAD imagers in biophotonics: Advances and perspectives / M. Caccia [et al.] // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. A. – 2019. – Vol. 926. – P. 101–117. https://doi.org/10.1016/j.nima.2018.10.204; Optical crosstalk in SiPMs / M. R. Hampel [et al.] // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. A. – 2020. – Vol. 976. – Art. ID 164262. https://doi.org/10.1016/j.nima.2020.164262; The cross-talk problem in SiPMs and their use as light sensors for imaging atmospheric Cherenkov telescopes / Е. Popova [et al.] // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. A. – 2009. – Vol. 610, № 1. – P. 131–134. https://doi.org/10.1016%2Fj.nima.2009.05.150.; Optical crosstalk in single photon avalanche diode arrays: a new complete model / I. Rech [et al.] // Opt. Express. – 2008. – Vol. 16, № 12. – P. 8381–8394. https://doi.org/10.1364/oe.16.008381; Грехов, И. В. Лавинный пробой р–n-перехода в полупроводниках / И. В. Грехов, Ю. Н. Сережкин. – Л.: Энергия, 1980. – 152 с.; Mirzoyan, R. Light emission in Si avalanches / R. Mirzoyan, R. Kosyra, H. G. Moser // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. A. – 2009. – Vol. 610, № 1. – P. 98–100. https://doi.org/10.1016/j.nima.2009.05.081; On the bremsstrahlung origin of hot-carrier-induced photons in silicon devices / A. L. Lacaita [et al.] // IEEE Trans. Electron Devices. – 1993. – Vol. 40, № 3. – P. 577–582. https://doi.org/10.1109/16.199363; Optical crosstalk photon penetration depth in Silicon Photomultipliers / C. Zhang [et al.] // Optik. – 2021. – Vol. 239. – P. 166864. https://doi.org/10.1016/j.ijleo.2021.166864; Kindt, W. J. Optical Cross Talk in Geiger Mode Avalanche Photodiode Arrays: Modeling, Prevention and Measurement / W. J. Kindt, H. W. van Zeijl, S. Middelhoek // 28th European Solid-State Device Research Conference. – Bordeaux, 1998. – P. 192–195.; Кремниевые фотоприемники с внутренним усилением широкого спектра применения / С. А. Сорока [и др.] // Приборостроение-2020: материалы 13-й Междунар. науч.-техн. конф., 18–20 нояб. 2020 г., Минск, Респ. Беларусь / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск, 2020. – С. 393–394.; Огородников, Д. А. Моделирование накопления заряда в кремниевых фотоэлектронных умножителях под воздействием мягкого рентгеновского излучения / Д. А. Огородников // Вес. Нац. акад. навук Беларусі. Сер. фіз.-мат. навук. – 2022. – Т. 58, № 3. – С. 337–343. https://doi.org/10.29235/1561-2430-2022-58-3-337-343; Garutti, E. Characterization and X-Ray damage of Silicon Photomultipliers / E. Garutti // Proceedings of Technology and Instrumentation in Particle Physics 2014 – PoS(TIPP2014). – Amsterdam, 2014. https://doi.org/10.22323/1.213.0070; Garutti, E. Radiation Damage of SiPMs / E. Garutti, Yu. Musienko // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. A. – 2019. – Vol. 926. – P. 69–84. https://doi.org/10.1016/j.nima.2018.10.191.; Radiation hardness of silicon photomultipliers under 60Co γ-ray irradiation / R. Pagano [et al.] // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. A. – 2014. – Vol. 767. – P. 347–352. https://doi.org/10.1016/j.nima.2014.08.028; Nakamura, I. Radiation damage of pixilated photon detector by neutron irradiation / I. Nakamura // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. A. – 2009. – Vol. 610, № 1. – P. 110–113. https://doi.org/10.1016/j.nima.2009.05.086; Engelmann, Е. Dark Count Rate of Silicon Photomultipliers / E. Engelmann. – Cuvillier, 2018. – 194 р.; Sze, S. M. Semiconductor Devices: Physics and Technology / S. M. Sze, M.-K. Lee. – John Wiley & Sons Singapore Pte. Limited, 2012. – 582 p.; Коршунов, Ф. П. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах / Ф. П. Коршунов, Г. В. Гатальский, Г. М. Иванов. – Минск: Наука и техника, 1978. – 232 с.; Таперо, К. И. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения / К. И. Таперо, В. Н. Улимов, А. М. Членов. – М.: БИНОМ, 2012. – 304 с.; Блихер, А. Физика силовых биполярных и полевых транзисторов: пер. с англ. / А. Блихер. – Л.: Энергоатомиздат, 1986. – 248 с.; Grove, A. S. Physics and Technology of Semiconductor Devices / A. S. Grove. – Wiley, 1967. – 366 p.; Никифоров, А. Ю. Радиационные эффекты в КМОП ИС / А. Ю. Никифоров, В. А. Телец, А. И. Чумаков. – М.: Радио и связь, 1994. – 164 с.; Росадо, Л. Физическая электроника и микроэлектроника: пер. с исп. / Л. Росадо. – М.: Высш. шк., 1991. – 351 с.; Першенков, В. С. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем / В. С. Першенков, В. Д. Попов, А. В. Шальнов. – М.: Энергоатомиздат; 1988. – 256 с.; https://vestifm.belnauka.by/jour/article/view/800

  10. 10
  11. 11
  12. 12
  13. 13
  14. 14
    Academic Journal

    Συγγραφείς: Mosleh, Abd El-Maksood Ashraf

    Πηγή: Technology audit and production reserves; Том 6, № 1(56) (2020): Industrial and technology systems; 49-57
    Technology audit and production reserves; Том 6, № 1(56) (2020): Виробничо-технологічні системи; 49-57
    Technology audit and production reserves; Том 6, № 1(56) (2020): Производственно-технологические системы; 49-57

    Περιγραφή αρχείου: application/pdf

  15. 15
  16. 16
  17. 17
  18. 18
  19. 19
  20. 20