-
1Academic Journal
Subject Terms: Диэлектрические свойства, Нанокомпозитные материалы, Золь-гель метод, Тонкие пленки, Тонкоплёночные сегнетоэлектрики, Сегнетоэлектрические свойства, Вольт-амперные характеристики, Сегнетоэлектрические пленки, Наноструктуры
File Description: application/pdf
Access URL: https://elib.gstu.by/handle/220612/41544
-
2Academic Journal
Authors: I. A. Romanov, N. S. Kovalchuk, L. A. Vlasukova, I. N. Parkhomenko, F. F. Komarov, S. A. Demidovich, И. А. Романов, Н. С. Ковальчук, Л. А. Власукова, И. Н. Пархоменко, Ф. Ф. Комаров, С. А. Демидович
Contributors: Работа выполнена при поддержке Государственной программы научных исследований «Фотоника и электроника для инноваций» (грант 3.8.1, № ГР20212595).
Source: Doklady of the National Academy of Sciences of Belarus; Том 69, № 1 (2025); 23-31 ; Доклады Национальной академии наук Беларуси; Том 69, № 1 (2025); 23-31 ; 2524-2431 ; 1561-8323 ; 10.29235/1561-8323-2025-69-1
Subject Terms: перенос заряда, memristor, current-voltage characteristics, charge transport, показатель преломления, вольт-амперные характеристики, мемристор
File Description: application/pdf
Relation: https://doklady.belnauka.by/jour/article/view/1232/1233; Гриценко, В. А. Запоминающие свойства мемристоров на основе оксида и нитрида кремния / В. А. Гриценко, А. А. Гисматулин, О. М. Орлов // Российские нанотехнологии. – 2021. – Т. 16, № 6. – С. 751–760. https://doi.org/10.1134/s1992722321060078; a-SiNx:H-based ultra-low power resistive random access memory with tunable Si dangling bond conduction paths / X. Jiang, Z. Ma, J. Xu [et al.] // Scientific Reports. – 2015. – Vol. 5. – Art. 15762. https://doi.org/10.1038/srep15762; Yen, T. J. High performance all nonmetal SiNx resistive random access memory with strong process dependence / T. J. Yen, A. Chin, V. Gritsenko // Scientific Reports. – 2020. – Vol. 10. – Art. 2807. https://doi.org/10.1038/s41598-020-59838-y; Charge transport mechanism in the forming-free memristor based on PECVD silicon oxynitride / A. A. Gismatulin, G. N. Kamaev, V. A. Volodin, V. A. Gritsenko // Electronics. – 2023. – Vol. 12, N 3. – Art. 598. https://doi.org/10.3390/electronics12030598; Understanding the role of defects in Silicon Nitride-based resistive switching memories through oxygen doping / N. Vasileiadis, P. Karakolis, P. Mandylas [et al.] // IEEE Transactions on Nanotechnology. – 2021. – Vol. 20. – P. 356–364. https://doi.org/10.1109/tnano.2021.3072974; Nature of traps responsible for the memory effect in silicon nitride / V. A. Gritsenko, T. V. Perevalov, O. M. Orlov, G. Ya. Krasnikov // Applied Physics Letters. – 2016. – Vol. 109, N 6. – Art. 062904. https://doi.org/10.1063/1.4959830; Memory properties and short-range order in silicon oxynitride-based memristors / Yu. N. Novikov, G. N. Kamaev, I. P. Prosvirin, V. A. Gritsenko // Applied Physics Letters. – 2023. – Vol. 122, N 23. – Art. 232903. https://doi.org/10.1063/5.0151211; Redox-based resistive switching memories – nanoionic mechanisms, prospects, and challenges / R. Waser, R. Dittmann, G. Staikov, K. Szot // Advanced Materials. – 2009. – Vol. 21, N 25–26. – P. 2632–2663. https://doi.org/10.1002/adma.200900375; Механические напряжения в пленках SiNx при химическом осаждении из газовой фазы в плазме высокой плотности / Н. С. Ковальчук, С. А. Демидович, Л. А. Власукова [и др.] // Неорганические материалы. – 2022. – Т. 58, № 9. – С. 938–944. https://doi.org/10.31857/s0002337x2209007x; Effect of rapid thermal annealing on Si-based dielectric films grown by ICP-CVD / I. Parkhomenko, L. Vlasukova, F. Komarov [et al.] // ACS Omega. – 2023. – Vol. 8, N 33. – P. 30768–30775. https://doi.org/10.1021/acsomega.3c04997; Voltage-programmable negative differential resistance in memristor of single-crystalline lithium niobate thin film / J. Wang, X. Pan, W. Luo [et al.] // Applied Physics Letters. – 2022. – Vol. 120, N 3. – Art. 032901. https://doi.org/10.1063/5.0070132; A deep study of resistance switching phenomena in TaOx ReRAM cells: system‐theoretic dynamic route map analysis and experimental verification / A. Ascoli, S. Menzel, V. Rana [et al.] // Advanced Electronic Materials. – 2022. – Vol. 8, N 8. – Art. 2200182. https://doi.org/10.1002/aelm.202200182; Electron trap level of hydrogen incorporated nitrogen vacancies in silicon nitride / K. Sonoda, E. Tsukuda, M. Tanizawa, Y. Yamaguchi // Journal of Applied Physics. – 2015. – Vol. 117, N 10. – Art. 104501. https://doi.org/10.1063/1.4914163; Creation and properties of nitrogen dangling bond defects in silicon nitride thin films / W. L. Warren, C. H. Seager, J. Robertson [et al.] // Journal of the Electrochemical Society. – 1996. – Vol. 143, N 11. – P. 3685–3691. https://doi.org/10.1149/1.1837272; Васильев, В. Ю. Технология получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Ч. 8: Влияние водорода в пленках на их свойства / В. Ю. Васильев // Нано- и микросистемная техника. – 2019. – Т. 21, № 6. – С. 352–367.; https://doklady.belnauka.by/jour/article/view/1232
-
3
-
4
-
5
-
6Academic Journal
Authors: L. S. Bogoslovskaya, A. L. Dudin, V. I. Zybkov, Л. С. Богословская, А. Л. Дудин, В. И. Зубков
Source: Journal of the Russian Universities. Radioelectronics; Том 27, № 4 (2024); 72-80 ; Известия высших учебных заведений России. Радиоэлектроника; Том 27, № 4 (2024); 72-80 ; 2658-4794 ; 1993-8985
Subject Terms: вольт-амперные характеристики, dark current, spectral photosensitivity, current–voltage characteristics, темновой ток, фоточувствительность
File Description: application/pdf
Relation: https://re.eltech.ru/jour/article/view/915/784; Quantum well infrared photodetector research and development at Jet Propulsion Laboratory / S. D. Gunapala, S. V. Bandara, J. K. Liu, E. M. Luong, S. B. Rafol, J. M. Mumolo, D. Z. Ting, J. J. Bock, M. E. Ressler, M. W. Werner, P. D. LeVan, R. Chehayeb, C. A. Kukkonen, M. Levy, P. LeVan, M. A. Fauci // Infrared Physics & Technology. 2001. Vol. 42, № 3–5. P. 267–282. doi:10.1016/S1350-4495(01)00085-8; Каталог Радиоэлектронного комплекса. URL: https://katalog-rek.ru/catalog/395/3823/ (дата обращения 23.11.2023).; Li S. S., Tidrow M. Z. Comparison of n- and ptype quantum well infrared photodetectors // Detectors, Focal Plane Arrays, and Imaging Devices II. 1998. Vol. 3553. P. 97–111. doi:10.1117/12.318094; Henini M., Razeghi M. Handbook of infrared detection technologies. Elsevier, 2002. 532 p.; Intersubband transitions in quantum wells: physics and device applications / E. R. Weber, H. C. Liu, F. Capasso, R. K. Willardson. Academic press, 1999. 309 p.; Levine B. F. Quantum‐Well Infrared Photodetectors // J. of Applied Physics. 1993. Vol. 74, № 8. P. R1–R81. doi:10.1063/1.354252; Etteh N. E. I., Harrison P. Quantum mechanical scattering investigation of the dark current in quantum well infrared photodetectors (QWIPs) // Infrared physics & technology. 2003. Vol. 44, № 5–6. P. 473–480. doi:10.1016/S1350-4495(03)00169-5; Quantum Well infrared photodetectors: device physics and light coupling / S. Bandara, S. Gunapala, J. Liu, J. Mumolo, E. Luong, W. Hong, D. Sengupta. Springer, 1998. P. 43–49.; Zubkov V. I., Ivanova Ia. V., Weyers M. Direct observation of resonant tunneling in heterostructure with a single quantum well // Appl. Phys. Let. 2021. Vol. 119. P. 043503. doi:10.1063/5.0056842; Ultimate performance of quantum well infrared photodetectors in the tunneling regime / E. Lhuillier, I. Ribet-Mohamed, M. Tauvy, A. Nedelcu, V. Berger, E. Rosencher // Infrared physics & technology. 2009. Vol. 52, № 4. P. 132–137.; Wasilewski Z. R., Liu H. C., Buchanan M. Studies of Si segregation in GaAs using current–voltage characteristics of quantum well infrared photodetectors // J. of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena. 1994. Vol. 12, № 2. P. 1273–1276. doi:10.1116/1.587020; Luna E., Guzman A., Munoz E. Offset in the dark current characteristics of photovoltaic double barrier quantum well infrared photodetectors // Infrared physics & technology. 2005. Vol. 47, № 1–2. P. 22–28. doi:10.1016/j.infrared.2005.02.007; I–V characterization of a quantum well infrared photodetector with stepped and graded barriers / F. Nutku, A. Erol, M. Gunes, L. B. Buklu, Y. Ergun, M. C. Arikan // Superlattices and Microstructures. 2012. Vol. 52, № 3. P. 585–593. doi:10.1016/j.spmi.2012.06.010; Characterization of the dark current of a quantum well infrared photodetector (QWIP) with selectively doped barrier layers/ Y. Uchiyama, H. Nishino, Y. Matsukura, T. Miyatake, K. Yamamoto, T. Fujii // Infrared Detectors and Focal Plane Arrays VII. 2002. Vol. 4721. P. 151–158. doi:10.1117/12.478844; Effect of barrier width on the performance of quantum well infrared photodetector / S. K. H. Sim, H. C. Liu, A. Shen, M. Gao, K. F. Lee, M. Buchanan, Y. Ohno, H. Ohno, E. H. Li // Infrared Physics & Technology. 2001. Vol. 42, № 3–5. P. 115–121. doi:10.1016/S1350-4495(01)00067-6; Li N., Xiong D.-Y., Yang X.-F., Lu W., Xu W.-L., Yang C.-L., Hou Y., Fu Y. Dark Currents of GaAs/AlGaAs Quantum-Well Infrared Photodetectors. Applied Physics A. 2007, vol. 89, pp. 701–705. doi:10.1007/s00339-007-4142-2; https://re.eltech.ru/jour/article/view/915
-
7
-
8
-
9Academic Journal
Source: Труды НИИСИ РАН. 11:15-19
Subject Terms: цилиндрическая рабочая область, вольт-амперные характеристики, нанотранзистор, моделирование, кремний на изоляторе
-
10Academic Journal
Authors: Маевский, А. А., Данильченко, К. Д., Семченко, А. В., Сидский, В. В., Чучева, Г. В., Киселёв, Д. А., Бойко, А. А., Судник, Л. В., Гапоненко, Н. В.
Subject Terms: Тонкие пленки, Диэлектрические свойства, Сегнетоэлектрические свойства, Тонкоплёночные сегнетоэлектрики, Золь-гель метод, Наноструктуры, Вольт-амперные характеристики, Сегнетоэлектрические пленки, Нанокомпозитные материалы
Subject Geographic: Гомель
File Description: application/pdf
Relation: https://elib.gstu.by/handle/220612/41544
Availability: https://elib.gstu.by/handle/220612/41544
-
11Academic Journal
Authors: Tonkoshkur, A. S., Nakashidze, L. V.
Source: Radio Electronics, Computer Science, Control; № 2 (2019): Radio Electronics, Computer Science, Control; 15-22
Радиоэлектроника, информатика, управление; № 2 (2019): Радиоэлектроника, информатика, управление; 15-22
Радіоелектроніка, iнформатика, управління; № 2 (2019): Радіоелектроніка, інформатика, управління; 15-22Subject Terms: photoelectric converter, overcurrent, self-resetting fuses, current-voltage characteristics, voltage-watt characteristics, simulation, фотоэлектрический преобразователь, токовые перегрузки, самовосстанавливающиеся предохранители, вольт-амперные характеристики, вольт-ваттные характеристики, моделирование, фотоелектричний перетворювач, струмові перевантаження, самовідновлюваний запобіжник, вольт-амперні характеристики, вольт-ватні характеристики, моделювання, 7. Clean energy
File Description: application/pdf
-
12Academic Journal
Subject Terms: Кремнезем, Солнечное излучение, Thin films, Тонкие пленки, Copper ions, Volt-ampere characteristics, Solar radiation, Вольт-амперные характеристики, Silica, Ионы меди, Импульсное лазерное испарение, Pulsed laser evaporation
File Description: application/pdf
Access URL: https://elib.gstu.by/handle/220612/26584
-
13Academic Journal
Subject Terms: Substitution circuit, Последовательное сопротивление, Фотоэлектрические модули, Фотоэлементы, Схема замещения, Вольт-амперные характеристики, Voltage-ampere characteristic, Photocell, Лабораторные установки, Serial resistance, Рhotovoltaic module, Laboratory-scale plant
File Description: application/pdf
Access URL: https://elib.gstu.by/handle/220612/26285
-
14
-
15Academic Journal
Source: Труды НИИСИ РАН. 8:31-36
Subject Terms: распределение потенциала, вольт-амперные характеристики, ток Ion, volt-ampere characteristics, неравномерно-леги-рованная рабочая область, uniform-doping channel, double gate SOI CMOS nanotransistor, двух затворный КНИ КМОП нанотранзистор, current Ion, potential distribution
-
16Academic Journal
Authors: N. A. Al-Ahmadi, F. A. Ebrahim, H. A. Al-Jawhari, R. H. Mari, M. Henini, Н. А. Аль-Ахмади, Ф. А. Эбрахим, Х. А. Аль-Джавхари, Р. Х. Мари, М. Хенини
Source: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 21, № 4 (2018); 233-241 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 21, № 4 (2018); 233-241 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2018-4
Subject Terms: гауссово распределение высоты барьеров, doping concentration effect, current-voltage characteristics, Cheung's equation, Gaussian distribution of barrier heights, влияние концентрации легирующей примеси, вольт-амперные характеристики, уравнение Чанга
Relation: Szatkowski J., Sierański K., Płaczek-Popko E., Gumienny Z. Deep level defects in proton irradiated p-type Al0.5Ga0.5As // Physica B: Condensed Matter. 2009. V. 404, N 23–24. P. 4967—4969. DOI:10.1016/j.physb.2009.08.235; Kozlov V. A., Kozlovski V. V. Doping of semiconductors using radiation defects produced by irradiation with protons and alpha particles // Semiconductors. 2001. V. 35, N 7. P. 735—761. DOI:10.1134/1.1385708; Galbiati N., Gatti C., Grilli E., Guzzi M., Pavesi L., Henini M. Photoluminescence determination of the be binding energy in direct-gap AlGaAs // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 71, N 21. P. 3120—3122. DOI:10.1063/1.120265; Fujita S., Bedair S. M., Littlejohn M. A., Hauser J. R. Doping characteristics and electrical properties of Be-doped p-type AlxGa1-xAs by liquid phase epitaxy // J. Appl. Phys. 1980. V. 51, N 10. P. 5438. DOI:10.1063/1.327499; Galbiati N., Pavesi L., Grilli E., Guzzi M., Henini M. Be doping of (311)A and (100) Al0.24Ga0.76As grown by molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 69, N 27. P. 4215. DOI:10.1063/1.116990; Mari R., Shafi M., Aziz M., Khatab A., Taylor D., Henini M. Electrical characterisation of deep level defects in Be-doped AlGaAs grown on (100) and (311)A GaAs substrates by MBE // Nanoscale Res. Lett. 2011. V. 6, N 1. P. 180. DOI:10.1186/1556-276X-6-180; Mari R. H. DLTS Characterisation of Defects in III–V Compound Semiconductors Grown by MBE. PhD thesis. University of Nottingham, 2011.; Chand S., Kaushal P., Osvald J. Numerical simulation study of current-voltage characteristics of a Schottky diode with inverse doped surface layer // Mater. Sci. Semicond. Process. 2013. V. 16, N 2. P. 454–460. DOI:10.1016/j.mssp.2012.08.002; Padovani F. A., Stratton R. Field and thermionic-field emission in Schottky barriers // Solid-State Electron. 1966. V. 9, N 7. P. 695—707. DOI:10.1016/0038-1101(66)90097-9; Sze S. M., Ng Kwok K. Physics of semiconductor devices. New York: Wiley Sons, 1981. 815 p.; Wang Y. H., Houng M. P., Chen F. H., Sze P. W., Hong M., Mannaerts J. P. Study of AuAgFe/AlGaAs Schottky diodes fabricated by in situ molecular beam epitaxy // J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 1992. V. 3. P. 206—210. DOI:10.1007/BF00703027; Al-Ahmadi N. A., Al-Jawhari H. A. Effect of epitaxial layer thickness on the electrical properties of Ti/n-AlGaAs grown by MBE // Results Phys. 2016. V. 6. P. 67—69. DOI:10.1016/j.rinp.2015.12.009; Huang L. Barrier inhomogeneities of platinum contacts to 4H-SiC // Superlattices Microstructures. 2016. V. 100. P. 648—655. DOI:10.1016/j.spmi.2016.10.034; Cheung S. K., Cheung N. W. Extraction of Schottky diode parameters from forward current-voltage characteristics // Appl. Phys. Lett. 1986. V. 49, N 2. P. 85. DOI:10.1063/1.97359; Jyothi I., Yang H.-D., Shim K.-H., Janardhanam V., Kang S.-M., Hong H., Choi C.-J. Temperature dependency of Schottky barrier parameters of Ti Schottky contacts to Si-on-insulator // Mater. Trans. 2013. V. 54, N 9. P. 1655—1660. DOI:10.2320/matertrans.M2013015; Rodrigues A. M. Analysis of the current-transport mechanism across a CVD diamond/silicon interface // Appl. Surf. Sci. 2007. V. 253, N 14. P. 5992—5999. DOI:10.1016/j.apsusc.2006.12.111; Rhoderick E. H., Williams R. H. Metal-Semiconductor Contacts. Oxford: Clarendon Press; New York: Oxford University Press, 1988. 252 p.; Energy Gap in III–V Ternary Semiconductors.; Yerişkin S. A., Balbaşı M., Demirezen S. Temperature and voltage dependence of barrier height and ideality factor in Au/0.07 graphene-doped PVA/n-Si structures // Indian J. Phys. 2017. V. 91, N 4. P. 421—430. DOI:10.1007/s12648-016-0949-z; Ayyildiz E., Cetin H., Horváth Z. J. Temperature dependent electrical characteristics of Sn/p-Si Schottky diodes // Appl. Surf. Sci. 2005. V. 252, N 4. P. 1153—1158. DOI:10.1016/j.apsusc.2005.02.044; Naik S. S., Reddy V. R. Electrical transport characteristics and deep level transient spectroscopy of Ni/V/n-InP Schottky barrier diodes // J. Nano-Electron. Phys. 2012. V. 4, N 2. P. 02006.; Werner J. H., Güttler H. H. Temperature dependence of Schottky barrier heights on silicon // J. Appl. Phys. 1993. V. 73, N 3. P. 1315. DOI:10.1063/1.353249; Güçlü Ç. S., Özdemir A. F., Altindal Ş. Double exponential I-V characteristics and double Gaussian distribution of barrier heights in (Au/Ti)/Al2O3/n-GaAs (MIS)-type Schottky barrier diodes in wide temperature range // Appl. Phys. A. 2016. V. 122, N 12. P. 1032(1-9pp). DOI:10.1007/s00339-016-0558-x; Chand S., Kumar J. Effects of barrier height distribution on the behavior of a Schottky diode // J. Appl. Phys. 1997. V. 82, N 10. P. 5005. DOI:10.1063/1.366370; Singh R., Sharma P., Khan M. A., Garg V., Awasthi V., Kranti A., Mukherjee S. Investigation of barrier inhomogeneities and interface state density in Au/MgZnO : Ga Schottky contact // J. Phys. D: Appl. Phys. 2016. V. 49, N 44. P. 445303. DOI:10.1088/0022-3727/49/44/445303; https://met.misis.ru/jour/article/view/405
-
17Academic Journal
Authors: Сайпулаева, Л. А., Пирмагомедов, З. Ш, Гаджиалиев, М. М., Алибеков, А. Г., Захвалинский, В. С.
Subject Terms: физика, физика твердого тела, спин, нанокомпозиты, вольт-амперные характеристики, сопротивление, спиновая поляризация, полупроводники, спиновая инжекция, намагниченность
Availability: http://dspace.bsu.edu.ru/handle/123456789/45493
-
18Academic Journal
Subject Terms: наночастицы оксида цинка, гетероструктуры, двухслойный неорганический солнечный элемент, спектры поглощения, вольт-амперные характеристики, оксид цинка, наночастицы оксида меди, магнетронное напыление, оксид меди
File Description: application/pdf
Access URL: https://elib.belstu.by/handle/123456789/37513
-
19Academic Journal
Source: Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55, № 3. С. 269-276
Subject Terms: эпитаксиальные слои, хлоридная газофазная эпитаксия, вольт-амперные характеристики, эпитаксиальные пленки, полиморфные превращения, влажность атмосферы
File Description: application/pdf
-
20Academic Journal
Authors: N D Zhukov, I T Yagudin
Subject Terms: atomic force microscope (AFM), наночастицы, полупроводник, вольт-амперные характеристики, атомно-силовой микроскоп, Semiconductor (SC), quantum dots (QDs), поликристаллическая структура, nanoparticles, квантовые точки, current-voltage characteristics (СVC), 7. Clean energy, multicrystaline structure (MСS)
Access URL: https://research-journal.org/wp-content/uploads/2021/07/7-109-1.pdf#page=22
https://research-journal.org/en/physicsandmath/features-of-multicrystalline-transport-of-electrons-of-colloidal-quantum-points-of-insb-and-pbs/