TECHNOLOGY FOR OBTAINING A SENSITIVE ELEMENT FOR AN INFRARED RADIATION SENSOR ; ТЕХНОЛОГІЯ ОДЕРЖАННЯ ЧУТЛИВОГО ЕЛЕМЕНТА ДЛЯ ДАТЧИКА ІНФРАЧЕРВОНОГО ВИПРОМІНЮВАННЯ

Authors: С.В. Луньов, Ю.А. Удовицька, М.В. Хвищун, С.А. Мороз, В.Т. Маслюк

Source: Perspective technologies and devices; No 14 (2019): Perspective technologies and devices; 77-81 ; Перспективні технології та прилади; № 14 (2019): Перспективні технології та придади; 77-81 ; 2313-5352 ; 10.36910/6775-2313-5352-2019-14

Subject Terms: silicon single crystals, radiation defects, photosensitivity, A-centers, Fourier infrared spectroscopy, Hall effect, Ключові слова: монокристали кремнію, радіаційні дефекти, фоточутливість, А-центри, інфрачервона Фур’є-спектроскопія, ефект Холла

File Description: application/pdf

Relation: https://eforum.lntu.edu.ua/index.php/jurnal/article/view/115/221; https://eforum.lntu.edu.ua/index.php/jurnal/article/view/115

Availability: https://eforum.lntu.edu.ua/index.php/jurnal/article/view/115
https://doi.org/10.36910/6775-2313-5352-2019-14-13