Формирование кремниевых наноструктур методами МСХТ и электрохимического травления

Subject Terms: кремниевые наноструктуры, Формирование, методы МСХТ, электрохимическое травление

Forming the low­porous layers of indium phosphide with the predefined quality level

Authors: Vambol, Sergij, Bogdanov, Igor, Vambol, Viola, Suchikova, Yana, Kondratenko, Olexandr

Source: Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 3, № 12 (93) (2018): Materials Science; 48-55
Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 3, № 12 (93) (2018): Материаловедение; 48-55
Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 3, № 12 (93) (2018): Матеріалознавство; 48-55

Subject Terms: фосфід індію, електрохімічне травлення, морфологічні показники, поруваті напівпровідники, критерій якості, 0103 physical sciences, 0211 other engineering and technologies, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, фосфид индия, электрохимическое травление, морфологические показатели, пористые полупроводники, критерий качества, 02 engineering and technology, 0210 nano-technology, UDC 621.315.592, 01 natural sciences, Indium phosphide, electrochemical etching, morphological indicators, porous semiconductors, quality criterion, 3. Good health

File Description: application/pdf

Access URL: http://journals.uran.ua/eejet/article/download/133193/132752
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/133193
http://journals.uran.ua/eejet/article/download/133193/132752
https://www.neliti.com/publications/307654/forming-the-lowporous-layers-of-indium-phosphide-with-the-predefined-quality-lev
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/133193

Ресурсосберегающая электрохимическая технология вытравливания молибденового керна из тел накала

Subject Terms: электролиз, электрохимические растворение, растворение молибденового керна, электрохимическое травление, электрохимическая обработка

File Description: application/pdf

Access URL: https://elib.belstu.by/handle/123456789/43650

Research into effect of electrochemical etching conditions on the morphology of porous gallium arsenide

Authors: Vambol, Sergij, Bogdanov, Ihor, Vambol, Viola, Suchikova, Yana, Lopatina, Hanna, Tsybuliak, Natalia

Source: Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 6, № 5 (90) (2017): Прикладна фізика; 22-31
Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 6, № 5 (90) (2017): Прикладная физика; 22-31
Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 6, № 5 (90) (2017): Applied physics; 22-31

Subject Terms: арсенид галлия, электрохимическое травление, морфология, пористые полупроводники, условия травления, gallium arsenide, electrochemical etching, morphology, porous semiconductors, etching conditions, 0103 physical sciences, 0211 other engineering and technologies, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, арсенід галію, електрохімічне травлення, морфологія, поруваті напівпровідники, умови травлення, 02 engineering and technology, 0210 nano-technology, UDC 621.315.592, 01 natural sciences, 3. Good health

File Description: application/pdf

Access URL: http://journals.uran.ua/eejet/article/download/118725/114965
http://journals.uran.ua/eejet/article/download/118725/114965
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/118725
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/118725

Research into regularities of pore formation on the surface of semiconductors

Authors: Vambol, Sergey, Bogdanov, Ihor, Vambol, Viola, Suchikova, Yana, Kondratenko, Olexandr, Hurenko, Olga, Onishchenko, Sergey

Source: Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 3, № 5 (87) (2017): Applied physics; 37-44
Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 3, № 5 (87) (2017): Прикладная физика; 37-44
Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 3, № 5 (87) (2017): Прикладна фізика; 37-44

Subject Terms: UDC 62-408.6, качество наноструктур, система управления, электрохимическое травление, пористые полупроводники, слой Гельмгольца, морфология, полупроводники, quality of nanostructures, electrochemical etching, porous semiconductors, Helmholtz layer, morphology, semiconductors, 0103 physical sciences, 0211 other engineering and technologies, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, якість наноструктур, електрохімічне травлення, поруваті напівпровідники, шар Гельмгольца, морфологія, напівпровідники, 02 engineering and technology, 0210 nano-technology, 01 natural sciences, 7. Clean energy, 3. Good health

File Description: application/pdf

Access URL: http://journals.uran.ua/eejet/article/download/104039/100829
http://journals.uran.ua/eejet/article/download/104039/100829
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/104039
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/104039

Contact and contactless methods for measuring the parameters of porous silicon ; Контактные и бесконтактные методы измерения параметров пористого кремния

Authors: N. V. Latukhina, S. P. Kobeleva, G. A. Rogozhina, I. A. Shishkin, I. V. Schemerov, Н. В. Латухина, С. П. Кобелева, Г. А. Рогожина, И. А. Шишкин, И. В. Щемеров

Source: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 21, № 2 (2018); 112-121 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 21, № 2 (2018); 112-121 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2018-2

Subject Terms: электрохимическое травление, electrical resistivity, contactless method, four-probe method, electrochemical etching, удельное электросопротивление, бесконтактный метод, четырехзондовый метод

File Description: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/281/287; Зимин С. П. Классификация электрических свойств пористого кремния // ФТП. 2000. Т. 34, Вып. 3. С. 359—363.; Bisi S., Ossicini S., Pavesi L. Porous silicon: a quantum sponge structure for silicon based optoelectronics // Surf. Sci. Rep. 2000. V. 38, N 1–3. P. l—126. DOI:10.1016/S0167-5729(99)00012-6; Зимин С. П. Прыжковая проводимость в мезапористом кремнии с малой пористостью, сформированном на р+-Si‹B› // ФТП. 2006. Т. 40, Вып. 11. С. 1385—13871.; Сакун Е. А., Полюшкевич А. В., Харлашин П. А., Семенова О. В., Корец А. Я. Разработка пористых структур на кремнии // J. Siberian Federal University. Engineering&Technologies. 2010. Т. 4, № 3. С. 430—443.; Тыныштыкбаев К. Б., Рябикин Ю. А., Токмолдин С. Ж., Айтмукан Т., Ракыметов Б. А., Верменичев Р. Б. Морфология пористого кремния при длительном анодном травлении в электролите с внутренним источником тока // Письма в ЖТФ. 2010. Т. 36, Вып. 11. С. 104—110.; Горячев Д. Н., Беляков Л. В, Сресели О. М. О механизме образования пористого кремния // ФТП. 2000. Т. 34, Вып. 9. C. 1130—1134.; Бучин Э. Ю., Проказников А. В. Характер динамики системы электролит кремний n-типа при анодировании в растворах плавиковой кислоты // Письма в ЖТФ. 1997. Т. 23, № 5. С. 1—7.; Можаев А. В., Проказников А. В. Тимофеев В. В. Динамическая дискретная трехмерная модель порообразования в кремнии // Исследовано в России. URL: http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/2006/069; Xiaoge Gregory Zhang. Electrochemistry of Silicon and Its Oxide. N. Y.; Boston; Dordrecht; London; Moscow: Kluwer Academic Publishers, 2004, 510 p.; Allongue P., Kieling V., Gerischer H. Etching mechanism and atomic structure of H-Si(111) surfaces prepared in NH4F // Electrochim. Acta. 1995. V. 40, N 10. P. 1353—1360. DOI:10.1016/0013-4686(95)00071-L; Трегулов В. В. Пористый кремний: технология, свойства, применение. Рязань: РГУ им. С. А. Есенина, 2011. C. 24.; Улин В. П., Улин Н. В., Солдатенков Ф. Ю. Анодные процессы в условиях химического и электрохимического травления кристаллов кремния в кислых фторидных растворах. Механизм порообразования // ФТП. 2017. Т. 51, Вып. 4. С. 481—496. DOI:10.21883/FTP.2017.04.44340.8393; Улин В. П., Конников С. Г. Природа процессов электрохимического порообразования в кристаллах AIIIBV // ФТП. 2007. Т. 41, Вып. 7. С. 854—866.; Кунакбаев Т. Ж., Тукубаев Э. Э. Моделирование получения пористого кремния на атомном уровне / Хаос и структуры в нелинейных системах. Теория и эксперемент. Междун. научно-практ. конференция. 2015. № 1. С. 171—176. URL: http://portal.kazntu.kz/files/publicate/2015-10-26-elbib_11.pdf; Пискажова Т. В., Савенкова Н. П., Анпилов С. В., Калмыков А. В., Зайцев Ф. С., Аникеев Ф. А. Трехмерное математическое моделирование динамики границы раздела сред алюминия, электролита и зоны обратного окисления металла в зависимости от распределения потенциала // J. Siberian Federal University. Engineering&Technologies. 2017. Т. 10, № 1. С. 59—73. DOI:10.17516/1999-494X-2017-10-1-59-73; Городецкий А. Е., Тарасова И. Л. Компьютерное моделирование процесса формирования пористого кремния // Матем. моделирование. 2008. Т. 20, № 2. С. 105—112.; Латухина Н. В., Дереглазова Т. С., Ивков С. В., Волков А. В., Деева В. А. Фотоэлектрические свойства структур с микро- и нано-пористым кремнием // Известия Самарского научного центра РАН. 2009. Т. 11, № 3. С. 66—70. URL: http://www.ssc.smr.ru/media/journals/izvestia/2009/2009_3_66_70.pdf; Анфимов И. М., Кобелева С. П., Щемеров И. В. Установка для измерения удельного электросопротивления бесконтактным СВЧ методом // Материалы I международной конф. «Актуальные проблемы прикладной физики 2012». Севастополь, 2012. С. 82—83.; Lizunkova D., Latukhina N., Chepurnov V., Paranin V. Nanocrystalline silicon and silicon carbide optical properties // Proc. International conference Information Technology and Nanotechnology. Session Computer Optics and Nanophotonics. Samara (Russia), 2017. V. 1900. P. 84—89. DOI:10.18287/1613-0073-2017-1900-84-89; https://met.misis.ru/jour/article/view/281

Availability: https://met.misis.ru/jour/article/view/281
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2018-2-112-121

ОПТИМІЗАЦІЯ ХАРАКТЕРИСТИК ПОРУВАТОГО КРЕМНІЮ ДЛЯ ВИКОРИСТАННЯ В СОНЯЧНИХ БАТАРЕЯХ

Source: Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 16, № 1 (2019); 77-86
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 16, № 1 (2019); 77-86
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 16, № 1 (2019); 77-86

Subject Terms: поруватий кремній, сонячний елемент, антивідбивне покриття, електрохімічне травлення, пористый кремний, солнечный элемент, антиотражающее покрытие, электрохимическое травление, 7. Clean energy, porous silicon, solar cell, antireflection coating, electrochemical etching

File Description: application/pdf

Access URL: http://semst.onu.edu.ua/article/view/159492

Нанотрубки оксиду цинку отримані методом радикало-променевої епітаксії на поруватій поверхні селеніду цинку ; Нанотрубки оксида цинка, полученные методом радикало-лучевой эпитаксии на пористой поверхности селенида цинка ; Zinc oxide nanotubes obtained by the method of radical-beam epitaxy on the porous surface of zinc selenide

Authors: Дяденчук, Альона Федорівна, Дяденчук, Алена Федоровна, Diadenchuk, Alona, Кідалов, В. В.

Subject Terms: метод радикало-променевої епітаксії, електрохімічне травлення, оксидні нанотрубки, метод радикало-лучевой эпитаксии, электрохимическое травление, оксидные нанотрубки, radical-ray epitaxy method, electrochemical etching, oxide nanotubes

File Description: application/pdf

Relation: Вчені записки Таврійського національного університету імені В. І. Вернадського. Серія: Технічні науки;Т. 29 (68), № 1 (С. 214 – 218); http://elar.tsatu.edu.ua/handle/123456789/10849

Availability: http://elar.tsatu.edu.ua/handle/123456789/10849

Гетероструктури на основі поруватих напівпровідників (Si, А2В6 та А3В5): дис. . канд. техн. наук : 05.27.06 ; Гетероструктуры на основе пористых полупроводников (Si, А2В6 и А3В5): дис. .канд. техн. наук : 50.27.06 ; Heterostructures based on porous semiconductors (Si, A2B6 and A3B5)

Authors: Дяденчук, Альона Федорівна, Дяденчук, Алена Федоровна, Diadenchuk, Alona

Subject Terms: поруватий напівпровідник, електрохімічне травлення, плівка, нанотрубка, квантова цятка, метод хімічного заміщення атомів, радикало-променева епітаксія, хімічне поверхневе осадження, золь-гель метод, пористый полупроводник, электрохимическое травление, квантовая точка, пленка, метод химического замещения атомов, радикало-лучевая эпитаксия, химическое поверхностное осаждение, porous semiconductor, electrochemical etching, film, nanotube, quantum dot, method of chemical substitution of atoms, radical-beam epitaxy, chemical surface deposition, sol-gel method

File Description: application/pdf

Relation: http://elar.tsatu.edu.ua/handle/123456789/9648

Availability: http://elar.tsatu.edu.ua/handle/123456789/9648

Удосконалення електрохімічних суперконденсаторів шляхом використання наноструктурованих напівпровідників

Subject Terms: фосфид индия, електрохімічне травлення, наноструктуры, electrochemical etching, електрод, semiconductors, electrode, электрод, напівпровідники, полупроводники, суперконденсатор, nanostructures, phosphide india, supercapacitor, электрохимическое травление, наноструктури, фосфід індію

File Description: application/pdf

Access URL: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/70919

Structuri hibride metal-semiconductor în baza nanoșabloanelor de InP și GaAs pentru aplicaţii electronice şi fotonice ; Hybrid metal-semiconductor structures based on InP and GaAs nanotemplates for electronic and photonic applications ; Гибридные металло-полупроводниковые структуры на основе наноматриц InP и GaAs для электронных и фотонных приложений

Authors: MONAICO, Elena

Contributors: TIGHINEANU, Ion

Subject Terms: corodare electrochimică, straturi poroase, pori orientați după liniile de curent (CLO), electrodepunere, nanotuburi, membrane de aur, electrochemical etching, porous layers, current line oriented pores (CLO), electrodeposition, nanotubes, gold membranes, электрохимическое травление, пористые слои, поры ориентированные вдоль линий тока, электроосаждение, платиновые нанотрубки, золотые мембраны

File Description: application/pdf

Relation: http://repository.utm.md/handle/5014/24967

Availability: http://repository.utm.md/handle/5014/24967

Отримання блокових наноструктур на поверхні фосфіду індію

Subject Terms: Morphology, Фосфід індію, Indium phosphide, Морфология, Наноструктуры, Nanostructures, Морфологія, Блоки, Blocks, Electrochemical etching, Наноструктури, Электрохимическое травление, Фосфид индия, Електрохімічне травлення

File Description: application/pdf

Access URL: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/65800

Formation of antireflective silicon surfaces by electrochemical and chemical methods

Authors: Nichkalo, Stepan I., Yerokhov, Valeriy Y., Druzhinin, Anatoly A., Ierokhova, Olga V.

Contributors: ELAKPI

Subject Terms: солнечный элемент, пористий кремній, антиотражающее покрытие, electrochemical etching, електрохімічне травлення, пористый кремний, metal-assisted chemical etching, сонячний елемент, solar cell, метал-каталітичне хімічне травлення, porous silicon, антивідбивне покриття, металл-каталитическое химическое травление, электрохимическое травление, antireflective coating

File Description: application/pdf

Access URL: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/37461

Формування ниткоподібних оксидних структур на поверхні монокристалічного арсеніду галію

Subject Terms: Нанопровода, Полупроводник, Nanowires, Напівпровідники, Нанодроти, Електрохімічне Травлення, Semiconductor, Электрохимическое Травление, Electrochemical Etching, Gallium Arsenide, Електроліт, Арсенід галію, Electrolyte, Арсенид галлия, Электролит

File Description: application/pdf

Access URL: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/66019

ФормуваннЯ текстуР фронтальноЇ поверхнІ сОнячнОгО елементА технологієЮ пОристОгО кремніЮ

Authors: Єрохов, Валерій Юрійович, Дружинін, Анатолій Олександрович, Єрохова, Ольга Валерієвна

Source: Eastern-European Journal of Enterprise Technologies

Subject Terms: Indonesia, УДК 621.315.592, сонячний елемент, солнечный элемент, текстура, texture, porous silicon, пористый кремний, solar cell, фотоэлектрический преобразователь, фотоелектричний перетворювач, пористий кремній, електрохімічне травлення, электрохимическое травление, electrochemical etching, photovoltaic converter

File Description: application/pdf

Availability: https://www.neliti.com/publications/306301/formuvannia-tekstur-frontalnoi-poverkhni-soniachnogo-elementa-tekhnologiieiu-por

FORMATION OF CROSS-CUTTING STRUCTURES WITH DIFFERENT POROSITY ON THICK SILICON WAFERS ; ФОРМИРОВАНИЕ СКВОЗНЫХ СТРУКТУР С РАЗЛИЧНОЙ ПОРИСТОСТЬЮ НА ТОЛСТЫХ ПЛАСТИНАХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ

Authors: V. A. Yuzova, F. F. Merkushev, E. A. Lyaykom, В. А. Юзова, Ф. Ф. Меркушев, Е. А. Ляйком

Contributors: The work is done in accordance with the development plan of the Siberian Federal University (SFU), Работа выполнена по плану развития Сибирского федерального университета (СФУ)

Source: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; № 1 (2014); 8-12 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; № 1 (2014); 8-12 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2014-1

Subject Terms: мембранно−электродный блок, electrochemical, microfuel element, membrane−electrode unit, электрохимическое травление, микротопливный элемент

File Description: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/12/8; Гринберг, В. А. Микротопливные элементы: современное состояние и перспективы развития / В. А. Гринберг, А. М. Скундин // Электрохимия. 2010. - Т. 46, № 9. - С. 1027—1043.; Забродский, А. Г. Микрои нанотехнологии для портативных топливных элементов / А. Г. Забродский, С. А. Гуревич, В. М. Кожевин, Е. В. Астрова, А. А. Нечитайлов, О. М. Сресели, Е. И. Теруков, М. Е. Компан // Альтернативная энергетика и экология. - 2007. - № 2. С. 54—59.; Pichonat, T. New protonconducting porous silicon membrane for small fuel cells / T. Pichonat, B. Gauthier Manuel, D. A. Hauden // Chem. Eng. J. - 2004. - V. 101. - P. 107—111.; Астрова, Е. В. Кремниевые технологии для микротопливных элементов / Е. В. Астрова, А. А. Нечитайлов, А. Г. Забродский // Альтернативная энергетика и экология. - 2007. - № 2. - С. 60—65.; Астрова, Е. В. Исследование деформаций и дефектов кристаллической решетки, возникающих при окислении макропористого кремния / Е. В. Астрова, В. В. Ратников, А. Д. Ременюк, И. Л. Шульпина // ФТП. - 2002. - Т. 36, вып. 9. - С. 1111—1121.; Бучин, Э. Ю. Влияние режимов обработки на морфологию и оптические свойства пористого кремния n-типа / Э. Ю. Бучин, А. В. Постников, А. В. Проказников, В. Б. Световой, А. Б. Чурилов // Письма в ЖТФ. - 1995. - Т. 21, вып. 1. - С. 60—65.; Бучин, Э. Ю. Управление морфологией пористого кремния n-типа / Э. Ю. Бучин, А. В. Проказников //ПЖТЭ. - 1997. -Т. 23, вып. 6. - С. 80—84.; Горячев, Д. Н. О механизме образования пористого кремния / Д. Н. Горячев, Л. В. Беляков, О. М. Сресели //ФТП. -2000. - Т. 34, вып. 9. - С. 1130—1134.; https://met.misis.ru/jour/article/view/12

Availability: https://met.misis.ru/jour/article/view/12
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-1-8-12

RESOURCE AND ENERGY SAVING TECHNOLOGIES BASED ON NANOSTRUCTURED SILICON ; РЕСУРСО- И ЭНЕРГОСБЕРЕГАЮЩИЕ ТЕХНОЛОГИИ НА ОСНОВЕ НАНОСТРУКТУРИРОВАННОГО КРЕМНИЯ

Authors: y. A. Suchikova, Я. А. Сычикова

Source: Alternative Energy and Ecology (ISJAEE); № 19 (2015); 136-141 ; Альтернативная энергетика и экология (ISJAEE); № 19 (2015); 136-141 ; 1608-8298

Subject Terms: наноструктуры, the porous silicon, electrochemical etching, the surface morphology, nanostructures, пористый кремний, электрохимическое травление, морфология поверхности

File Description: application/pdf

Relation: https://www.isjaee.com/jour/article/view/176/179; Алфёров Ж.И., Андреев В.М., Румянцев В.Д. Тенденции и перспективы развития солнечной фото-энергетики // Физика и техника полупроводников. 2004. Т. 38, Вып. 8. С. 937–948.; Швец Е.Я., Коломоец А.Г. Оценка перспектив применения арсенида галлия и сплавов на его основе в качестве материалов для солнечных элементов // Металургія. 2013. 2 (30). С. 132–136.; Sychikova Y.A., Kidalov V.V., Sukach G.A. Mor-phology of porous n-InP (100) obtained by electrochem-ical etching in HCl solution // Functional Materials. 2010. Vol. 17, № 1. P. 1–4.; Сычикова Я.А., Кидалов В.В., Сукач Г.А. Влияние дислокаций на процесс порообразования в монокристаллах n-InP (111) // Физика и техника полу-проводников. 2011. Т. 45, № 1. С. 123–126.; Сычикова Я.А., Кидалов В.В., Сукач Г.А. Зависимость величины порогового напряжения порообразования фосфида индия от состава электролита // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2013. № 5. С. 1–6.; Деспотулин А., Андреева А. Суперконденсаторы для электроники // Современная электроника. 2006. № 5. С. 13–14.; Крутиков А. Альтернативные источники хранения энергии // Силовая электроника. 2005. № 3. С. 22–25.; Иванов A.M., Герасимов А.Ф. Молекулярные накопители электрической энергии на основе двойного электрического слоя // Электричество. 1991. № 8. С. 16–19.; Деныциков К.К., Щербина Б.В. Состояние техники и рынка суперконденсаторов. М.: изд. МГУ прикладной биотехнологии. 2004.С. 100.; Denshchikov K. Stacked Supercapacitor Tech-nology // New Perspectives & Chances, Supercaps Eu-rope – European Meeting on Supercapacitors: Develop-ment and Implementation in Energy and Transportation Techniques. Berlin, Germany, Nov. 2005.; https://www.isjaee.com/jour/article/view/176

Availability: https://www.isjaee.com/jour/article/view/176
https://doi.org/10.15518/isjaee.2015.19.019

ФОРМУВАННЯ ТЕКСТУР ФРОНТАЛЬНОї ПОВЕРХНі СОНЯЧНОГО ЕЛЕМЕНТА ТЕХНОЛОГієЮ ПОРИСТОГО КРЕМНіЮ

Authors: Єрохов, В., Дружинін, А., Єрохова, О.

Subject Terms: ПОРИСТЫЙ КРЕМНИЙ, ТЕКСТУРА, ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЕ ТРАВЛЕНИЕ, СОЛНЕЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ

File Description: text/html

Availability: http://cyberleninka.ru/article/n/formuvannya-tekstur-frontalnoyi-poverhni-sonyachnogo-elementa-tehnologieyu-poristogo-kremniyu
http://cyberleninka.ru/article_covers/15699533.png

Использование пористого фосфида индия в качестве подложек суперконденсаторов – новое слово в зеленой энергетике ; The use of porous indium phosphide as substrates supercapacitors – new word in green energy

Authors: Сычикова, Я. А.

Subject Terms: суперконденсатор, supercapacitor, пористый фосфид индия, porous indium phosphide, электрохимическое травление, electrochemical etching, электролит, electrolyte, поры, pores, источники энергии, energy sources

Relation: http://ir.nmu.org.ua/handle/123456789/150891; 621.311.24 + 621.314

Availability: http://ir.nmu.org.ua/handle/123456789/150891

ИЗГОТОВЛЕНИЕ ПЕЧАТНЫХ ПЛАТ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНО-ЩЕЛЕВЫМ МЕТОДОМ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ

Authors: Глебов, В., Присяжнюк, Ю.

Subject Terms: ПЕЧАТНЫЕ ПЛАТЫ, ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЕ ТРАВЛЕНИЕ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЭЛЕКТРОД-ИНСТРУМЕНТ, ФОТОШАБЛОН, БОКОВОЕ ПОДТРАВЛИВАНИЕ

File Description: text/html

Availability: http://cyberleninka.ru/article/n/izgotovlenie-pechatnyh-plat-posledovatelno-schelevym-metodom-elektrohimicheskogo-travleniya
http://cyberleninka.ru/article_covers/14701625.png