Микро- и наноструктуры GaN, селективно выращенные на профилированных подложках сапфира методом ПА-МПЭ без использования литографии

Source: Конденсированные среды и межфазные границы, Vol 25, Iss 4 (2023)

Subject Terms: Chemistry, нитевидные кристаллы, наноколонки, широкозонные полупроводниковые соединения a3n, микрокристаллы, плазменно-активированная молекулярно-пучковая эпитаксия, QD1-999, пространственно селективный рост

Access URL: https://doaj.org/article/22c82bee750c4b72b335ee6836a299ff