-
1Academic Journal
Authors: Kychak, V. M., Slobodyan, I. V., Vovk, V. L.
Source: Vìsnik Nacìonalʹnogo Tehnìčnogo Unìversitetu Ukraïni Kììvsʹkij Polìtehnìčnij Ìnstitut: Serìâ Radìotehnìka, Radìoaparatobuduvannâ, Iss 80 (2020)
Visnyk NTUU KPI Seriia-Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; 80; 79-84
Вестник НТУУ" КПИ ". Серия радиотехника Радиоаппаратостроение; 80; 79-84
Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування; 80; 79-84Subject Terms: аморфний напівпровідник, халькогенідні склоподібні напівпровідники, радіаційна стійкість, комірка пам'яті, доза опромінення, γ – кванти, плівковий польовий транзистор, перехід Шотткі, аморфный полупроводник, халькогенидние стеклообразние полупроводники, радиационная стойкость, ячейка памяти, доза облучения, γ - кванты, пленочный полевой транзистор, переход Шоттки, 621.3.04977.001, amorphous semiconductor, chalcogenide glassy semiconductors, radiation resistance, memory cell, irradiation dose, γ - quanta, film transistor, Schottky junction, Telecommunication, TK5101-6720, 7. Clean energy
File Description: application/pdf
-
2Academic Journal
Authors: Слободян, I. В.
Contributors: ELAKPI
Subject Terms: переход Шоттки, Schottky junction, комiрка пам'ятi, халькогенидние стеклообразние полупроводники, 02 engineering and technology, радiацiйна стiйкiсть, доза облучения, халькогенiднi склоподiбнi напiвпровiдники, радиационная стойкость, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, пленочный полевой транзистор, chalcogenide glassy semiconductors, radiation resistance, перехiд Шотткi, ячейка памяти, irradiation dose, аморфный полупроводник, аморфний напiвпровiдник, y - quanta, доза опромiнення, y – кванти, film transistor, плiвковий польовий транзистор, amorphous semiconductor, memory cell, y - кванты
File Description: application/pdf
Access URL: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/46503