-
1Academic Journal
Subject Terms: цирконий, ионно-ассистируемое осаждение, молибден, метод резонансных ядерных реакций, титан, нанотвердость, резерфордовское обратное рассеяние, кремний
File Description: application/pdf
Access URL: https://elib.belstu.by/handle/123456789/67767
-
2Academic Journal
Subject Terms: метод ядерных реакций, осаждение в вакууме, ионно-ассистируемое осаждение, резерфордовское обратное рассеяние, кремний
File Description: application/pdf
Access URL: https://elib.belstu.by/handle/123456789/59364
-
3Academic Journal
Subject Terms: арсенид галлия, ионы гелия, дефектообразование, ионы алюминия, имплантация ионов, ионы фосфора, резерфордовское обратное рассеяние
File Description: application/pdf
Access URL: https://elib.belstu.by/handle/123456789/57020
-
4Academic Journal
Subject Terms: элементный анализ, ионы гелия, осаждение покрытий, резонансные ядерные реакции, ионно-ассистируемое осаждение, бериллий, поверхностные структуры, компьютерное моделирование, резерфордовское обратное рассеяние
File Description: application/pdf
Access URL: https://elib.belstu.by/handle/123456789/51185
-
5Academic Journal
Subject Terms: ионно-ассистируемое осаждение, метод резонансных ядерных реакций, титан, водород, кобальт, резерфордовское обратное рассеяние, кремний
File Description: application/pdf
Access URL: https://elib.belstu.by/handle/123456789/50805
-
6Academic Journal
Source: Химическая безопасность / Chemical Safety Science. 3:7-17
Subject Terms: керамические матрицы, мембраны, ионизирующее излучение, нанопористый оксид алюминия, 7. Clean energy, резерфордовское обратное рассеяние
-
7Academic Journal
Subject Terms: метод ядерных реакций, ионы гелия, ксеноновый маркер, осаждение покрытий, ионно-ассистируемое осаждение, резерфордовское обратное рассеяние
File Description: application/pdf
Access URL: https://elib.belstu.by/handle/123456789/47988
-
8Academic Journal
Subject Terms: поверхность модифицированной резины, нанесение покрытий, коэффициент трения, радиационное ассистирование, смачиваемость поверхности, краевой угол смачивания, атомно-силовая спектроскопия, ионно-ассистированное нанесение, резерфордовское обратное рассеяние
File Description: application/pdf
Access URL: https://elib.belstu.by/handle/123456789/45467
-
9Academic Journal
Subject Terms: условия ионного ассистирования, ионно-ассистированное осаждение, пластины монокристаллического кремния, кремниевые пластины, металлические покрытия, резерфордовское обратное рассеяние
File Description: application/pdf
Access URL: https://elib.belstu.by/handle/123456789/44602
-
10Academic Journal
Subject Terms: саморадиация, вольфрам, ионно-ассистированное осаждение, алюминий, гелий, молибден, титан, микротвердость, покрытия, резерфордовское обратное рассеяние
File Description: application/pdf
Access URL: https://elib.belstu.by/handle/123456789/40563
-
11Academic Journal
Subject Terms: нанесение покрытий, ионы гелия, осаждение покрытий, тонкопленочные структуры, ионно-ассистируемое осаждение, титан, компьютерное моделирование, резерфордовское обратное рассеяние
File Description: application/pdf
Access URL: https://elib.belstu.by/handle/123456789/40169
-
12Academic Journal
Subject Terms: вольфрам, сталь 40Х, ионно-ассистирующее осаждение, металлсодержащие покрытия, ионно-лучевые технологии, резерфордовское обратное рассеяние
File Description: application/pdf
Access URL: https://elib.belstu.by/handle/123456789/37519
-
13Academic Journal
Authors: Егоров, Евгений Владимирович, Егоров, Владимир Константинович (канд. физ.-мат. наук), Кореневский, Егор Леонидович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2024. Т. 67, № 1. С. 120-125
Subject Terms: количественный анализ, элементный состав, резерфордовское обратное рассеяние, диагностика, тонкие пленки
File Description: application/pdf
Relation: koha:001133809; https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001133809
-
14Academic Journal
Subject Terms: дефектообразование, имплантированные маркеры Хе, микроэлектроника, каналирование, Хе-маркеры, компьютерное моделирование, ионно-ассистированные нанесения покрытий, резерфордовское обратное рассеяние, кремний
File Description: application/pdf
Access URL: https://elib.belstu.by/handle/123456789/36296
-
15Academic Journal
Authors: Fadei F. Komarov, Nikita S. Nechaev, Irina N. Parkhomenko, Gennadii D. Ivlev, Liudmila A. Vlasukova, Vladimir V. Pilko, Elke Wendler, Alexander F. Komarov, Ф. Ф. Комаров, Н. С. Нечаев, И. Н. Пархоменко, Г. Д. Ивлев, Л. А. Власукова, В. В. Пилько, Э. Вендлер, А. Ф. Комаров
Source: Doklady of the National Academy of Sciences of Belarus; Том 63, № 4 (2019); 430-436 ; Доклады Национальной академии наук Беларуси; Том 63, № 4 (2019); 430-436 ; 2524-2431 ; 1561-8323 ; 10.29235/1561-8323-2019-63-4
Subject Terms: спектры поглощения, Te hyperdoped with Si, ion implantation, pulsed laser melting, Rutherford backscattering spectroscopy, Raman spectroscopy, absorption spectra, кремний, высокодозная имплантация ионов Te, импульсный лазерный отжиг, резерфордовское обратное рассеяние, комбинационное рассеяние света
File Description: application/pdf
Relation: https://doklady.belnauka.by/jour/article/view/630/635; Visible and near-infrared responsivity of femtosecond-laser microstructured silicon photodiodes / J. E. Carey [et al.] // Opt. Lett. – 2005. – Vol. 30, N 14. – P. 1773–1775. https://doi.org/10.1364/ol.30.001773; Fabrication and subband gap optical properties of silicon supersaturated with chalcogens by ion implantation and pulsed laser melting / B. Bob [et al.] // J. Appl. Phys. – 2010. – Vol. 107 – Art. 123506. https://doi.org/10.1063/1.3415544; Schibli, E. Deep impurities in silicon / E. Schibli, A. G. Milnes // Materials Science and Engineering. – 1967. – Vol. 2, N 4. – P. 173–180. https://doi.org/10.1016/0025-5416(67)90056-0; Room-temperature short-wavelength infrared Si photodetector / Y. Berencén [et al.] // Sci. Rep. – 2017. – Vol. 7, N 1. – Art. 43688. https://doi.org/10.1038/srep43688; Shockley, W. Detailed balance limit of efciency of p–n junction solar cells / W. Shockley, H. J. Queisser // J. Appl. Phys. – 1961. – Vol. 32, N 3. – P. 510–519. https://doi.org/10.1063/1.1736034; Luque, A. Increasing the efciency of ideal solar cells by photon induced transitions at intermediate levels / A. Luque, A. Martí // Phys. Rev. Lett. – 1997. – Vol. 78, N 26. – P. 5014–5017. https://doi.org/10.1103/physrevlett.78.5014; Gossmann, H. J. Junctions for deep sub-100 nm MOS: How far will ion implantation take us? / H. J. Gossmann, C. S. Rafferty, P. Keys // MRS Proceedings. – 2000. – Vol. 610. – P. B1.2.1–B1.2.10. https://doi.org/10.1557/proc-610-b1.2; Gossmann, H. J. Doping of Si thin flms by low temperature molecular beam epitaxy / H. J. Gossmann, F. C. Unterwald, H. S. Luftman // J. Appl. Phys. – 1993. – Vol. 73, N 12. – P. 8237−8241. https://doi.org/10.1063/1.353441; Insulator-to-Metal Transition in Selenium-Hyperdoped Silicon: Observation and Origin / E. Ertekin [et al.] // Phys. Rev. Lett. – 2012. – Vol. 108, N 2. – Art. 026401. https://doi.org/10.1103/physrevlett.108.026401; Hyperdoping silicon with selenium: solid vs. liquid phase epitaxy / S. Zhou [et al.] // Sci. Rep. – 2015. – Vol. 5, N 1. – Art. 8329. https://doi.org/10.1038/srep08329; Thermal stability of Te-hyperdoped Si: Atomic-scale correlation of the structural, electrical and optical properties / M. Wang [et al.] // Phys. Rev. Materials. – 2019. – Vol. 3, N 4. – Art. 044606. https://doi.org/10.1103/physrevmaterials.3.044606; Mayer, M. SIMNRA User’s Guide / M. Mayer. – Garching, 1997. – 62 p.; Simulation of the process of high dose ion implantation in solid targets / A. F. Komarov [et al.] // Nukleonika. – 1999. – Vol. 44, N 2. – P. 363–368.; Feldman, L. C. Materials analysis by ion channeling: Submicron crystallography / L. C. Feldman, J. W. Mayer, S. T. Picraux. – New York, 1982. – 300 p.; https://doklady.belnauka.by/jour/article/view/630
-
16Academic Journal
Subject Terms: арсенид галлия, дефектообразование, резерфордовское обратное рассеяние ионов гелия, термический отжиг, имплантированные слои кристаллов, кристаллы, имплантация ионов фосфора
File Description: application/pdf
Access URL: https://elib.belstu.by/handle/123456789/28447
-
17Academic Journal
Subject Terms: саморадиация, ионно-ассистированное осаждение, эластомеры, фотоэлектронная спектроскопия, защитные покрытия, вольфрамовые покрытия, поверхность эластомеров, рентгеновская спектроскопия, резерфордовское обратное рассеяние
File Description: application/pdf
Access URL: https://elib.belstu.by/handle/123456789/28128
-
18Academic Journal
Subject Terms: осаждение покрытий, наноструктуры, динамическое атомное перемешивание, ионно-лучевое модифицирование, модифицирование поверхности материалов, резерфордовское обратное рассеяние
File Description: application/pdf
Access URL: https://elib.belstu.by/handle/123456789/28118
-
19Academic Journal
Subject Terms: арсенид галлия, дефектообразование, резерфордовское обратное рассеяние ионов гелия, термический отжиг, имплантированные слои кристаллов, кристаллы, имплантация ионов фосфора
File Description: application/pdf
Access URL: https://openrepository.ru/article?id=31502
-
20Academic Journal
Authors: Тульев, Валентин Валентинович
Subject Terms: кремний, ионно-ассистируемое осаждение, осаждение в вакууме, резерфордовское обратное рассеяние, метод ядерных реакций
File Description: application/pdf
Relation: https://elib.belstu.by/handle/123456789/59364; 539.1.06:539.23.234
Availability: https://elib.belstu.by/handle/123456789/59364