СПЕЦИФИКА ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ПОЛЯРИТОНОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ ХАЛЬКОГЕНИДОВ КАДМИЯ

Authors: Polvonov Bakhtiyor Zaylobidinovich, Urinboev Alisher Shavkatjon Ugli

Subject Terms: спектр фотолюминесценции, потенциальные барьеры, границы зерен, аномальные фотовольтаические свойства, легирование, фотон, тонкая поликристаллическая пленка, теллурид кадмия, термическая обработка, поляритон, примеси

ТЕРМОПОЛЕВАЯ МИГРАЦИЯ И ЭЛЕКТРОДИФФУЗИЯ ЗАРЯЖЕННЫХ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНКАХ ХАЛЬКОГЕНИДА КАДМИЯ

Subject Terms: спектр фотолюминесценции, Тонкая поликристаллическая пленка, потенциальные барьеры, границы зерен, аномальные фотовольтаические свойства, легирование, теллурид кадмия, термическая обработка, примеси

ТЕРМОПОЛЕВАЯ МИГРАЦИЯ И ЭЛЕКТРОДИФФУЗИЯ ЗАРЯЖЕННЫХ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНКАХ ХАЛЬКОГЕНИДА КАДМИЯ

Subject Terms: спектр фотолюминесценции, Тонкая поликристаллическая пленка, потенциальные барьеры, границы зерен, аномальные фотовольтаические свойства, легирование, теллурид кадмия, термическая обработка, примеси

Отражение плазменной волны от потенциального барьера, размер которого соизмерим с длиной волны

Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2022. Т. 65, № 9. С. 131-140

Subject Terms: потенциальные барьеры, экспериментальные исследования, плазменные волны

File Description: application/pdf

Access URL: https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000901484

Подбарьерный и надбарьерный перенос электронов через многослойные полупроводниковые структуры

Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 4. С. 8-15

Subject Terms: полупроводники, потенциальные барьеры, волновая функция электрона, потенциальные ямы, коэффициент пропускания, энергия электронов, электроны, многослойные структуры, численное моделирование

File Description: application/pdf

Access URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000720629

Piezoresistive effect in polycrystalline semiconductors in view of longitudinal and transverse surface electronic states ; Тензорезистивный эффект в поликристаллических полупроводниках с учетом продольных и поперечных поверхностных электронных состояний ; Тензорезистивний ефект у полікристалічних напівпровідниках з урахуванням поздовжнього і поперечного поверхневих електронних станів

Authors: Сулаймонов, Х. М., Юлдашев, Н. Х.

Contributors: Академия Наук Узбекистана

Source: Физическая инженерия поверхности; Том 13, № 3 (2015): Фізична інженерія поверхні; 318 - 324 ; Фізична інженерія поверхні; Том 13, № 3 (2015): Фізична інженерія поверхні; 318 - 324 ; 1999-8112 ; 1999-8074

Subject Terms: polycrystalline semiconductors, impedance, area of spatial charges, longitudinal and transversal potential barriers, superficial states, coefficient of tenzosensitivity, поликристаллические полупроводники, импеданс, область пространственных зарядов, продольные и поперечные потенциальные барьеры, поверхностные состояния, коэффициент тензочувствительности, полікристалічні напівпровідники, імпеданс, область просторових зарядів, поздовжні і поперечні потенційні бар’єри, поверхневий стан, коефіцієнт тензочутливості

File Description: application/pdf

Relation: http://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8010/7490; http://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8010

Availability: http://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8010

О РЕШЕНИИ НЕСТАЦИОНАРНОГО УРАВНЕНИЯ ШРЕДИНГЕРА

Authors: МИЩАРИНА ЕЛЕНА ЮРЬЕВНА, ЛИБИН ЭДУАРД ЕФИМОВИЧ, БУБЕНЧИКОВ МИХАИЛ АЛЕКСЕЕВИЧ

Subject Terms: АМПЛИТУДА ВЕРОЯТНОСТИ,УРАВНЕНИЕ ШРЕДИНГЕРА,МАТРИЧНАЯ ЭКСПОНЕНТА,УРАВНЕНИЕ ТЕПЛОПРОВОДНОСТИ,ПОТЕНЦИАЛЬНЫЕ БАРЬЕРЫ,PROBABILITY AMPLITUDE,SCHRODINGER EQUATION,MATRIX EXHIBITOR,HEAT CONDUCTIVITY EQUATION,POTENTIAL BARRIERS

File Description: text/html

Availability: http://cyberleninka.ru/article/n/o-reshenii-nestatsionarnogo-uravneniya-shredingera
http://cyberleninka.ru/article_covers/16938260.png

Высокочувствительные двухслойные фоторезисторы на основе р-CdxHg1-xTe с конвертированным приповерхностным слоем

Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12. С. 122-127

Subject Terms: фоторезисторы, потенциальные барьеры, узкозонные полупроводники, фоточувствительность, приповерхностные слои, время релаксации

File Description: application/pdf

Access URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000623535

О решении нестационарного уравнения Шредингера

Source: Вестник Томского государственного университета. Математика и механика.

Subject Terms: АМПЛИТУДА ВЕРОЯТНОСТИ,УРАВНЕНИЕ ШРЕДИНГЕРА,МАТРИЧНАЯ ЭКСПОНЕНТА,УРАВНЕНИЕ ТЕПЛОПРОВОДНОСТИ,ПОТЕНЦИАЛЬНЫЕ БАРЬЕРЫ,PROBABILITY AMPLITUDE,SCHRODINGER EQUATION,MATRIX EXHIBITOR,HEAT CONDUCTIVITY EQUATION,POTENTIAL BARRIERS

File Description: text/html

Access URL: http://cyberleninka.ru/article/n/o-reshenii-nestatsionarnogo-uravneniya-shredingera
http://cyberleninka.ru/article_covers/16938260.png

Диэлектрическая функция отклика системы PdH[x]

Source: Известия Томского политехнического университета

Subject Terms: электронные подсистемы, атомы, энергия, водород, диэлектрическая проницаемость, интенсивное возбуждение, локальная плотность, радиационное воздействие, расчеты, палладий, потенциальные барьеры, системы, электронные структуры, решетки, металлы, кристаллы, матричные элементы, диэлектрические функции

File Description: application/pdf

Access URL: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/1192

Диэлектрическая функция отклика системы PdH[x]

Authors: Коротеев, Ю. М., Гимранова, О. В., Чернов, Иван Петрович

Source: Известия Томского политехнического университета

Subject Terms: диэлектрические функции, системы, локальная плотность, расчеты, электронные структуры, энергия, атомы, водород, решетки, металлы, матричные элементы, диэлектрическая проницаемость, палладий, радиационное воздействие, интенсивное возбуждение, электронные подсистемы, кристаллы, потенциальные барьеры

File Description: application/pdf

Relation: Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. 2006. Т. 309, № 4; http://earchive.tpu.ru/handle/11683/1192

Availability: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/1192

Высокочувствительные двухслойные фоторезисторы на основе р-CdxHg1-xTe с конвертированным приповерхностным слоем

Authors: Исмайлов, Намик Джамиль оглы, Талипов, Нияз Хатимович, Войцеховский, Александр Васильевич

Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12. С. 122-127

Subject Terms: узкозонные полупроводники, фоторезисторы, приповерхностные слои, потенциальные барьеры, время релаксации, фоточувствительность

File Description: application/pdf

Relation: vtls:000623535; http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000623535

Availability: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000623535

Особенности прохождения осциллятора через потенциальный барьер

Authors: Сомсиков, Вячеслав Михайлович, Денисеня, Михаил Иосифович

Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 4. С. 95-103

Subject Terms: осцилляторы, классическая механика, потенциальные барьеры, гамильтонов формализм, Лагранжа формализм, неголономные связи, диссипация, нелинейность

File Description: application/pdf

Relation: koha:001140220; https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001140220

Availability: https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001140220

Температурные зависимости вольт-амперных характеристик сенсоров на основе GaAs с различным уровнем компенсации хромом

Authors: Щербаков, Иван Дмитриевич, Лозинская, Анастасия Дмитриевна

Contributors: Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ, Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники

Source: Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника : тезисы докладов 17-й всероссийской молодежной конференции, 23-27 ноября 2015 года, Санкт-Петербург. СПб., 2015. С. 110

Subject Terms: детекторы ионизирующих излучений, арсенид галлия, вольт-амперные характеристики, потенциальные барьеры

File Description: application/pdf

Relation: vtls:000524011; http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000524011

Availability: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000524011