Измерение времени жизни носителей заряда в SI-GaAs:Cr и EL2-GaAs методом pump-probe-терагерцовой спектроскопии

Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 4. С. 16-21

Subject Terms: полупроводниковые кристаллы легированные, терагерцовая спектроскопия, арсенид галлия, неравновесные носители заряда, время жизни, метод накачки-зондирования

File Description: application/pdf

Access URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000720735