-
1Academic Journal
Authors: N. Yu. Komarovskiy, Yu. N. Parkhomenko, E. V. Molodtsova, E. O. Zhuravlev, V. A. Chuprakov, R. Yu. Kozlov, S. N. Knyazev, A. G. Belov, Н. Ю. Комаровский, Ю. Н. Пархоменко, Е. В. Молодцова, Е. О. Журавлёв, В. А. Чупраков, Р. Ю. Козлов, С. Н. Князев, А. Г. Белов
Source: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 27, № 1 (2024); 85-95 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 27, № 1 (2024); 85-95 ; 2413-6387 ; 1609-3577
Subject Terms: плотность ямок травления, Czochralskii method, facet effect, crystallographic orientation, Hall method, etch pit density, метод Чохральского, канальная неоднородность, кристаллографическая ориентация, метод Холла
File Description: application/pdf
Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/571/450; Weiss E. Thirty years of HgCdTe technology in Israel. In: Proceed. сonf. SPIE Defense, Security, and Sensing. Orlando, Florida, United States. Vol. 7298. Infrared Technology and Applications XXXV; 2009: 72982W. https://doi.org/10.1117/12.818237; Gershon G., Albo A., Eylon M., Cohen O., Calahorra Z., Brumer M., Nitzani M., Avnon E., Aghion I., Kogan I., Ilan E., Tuito A., Ben Ezra M., Shkedy L. Large format InSb infrared detector with 10 μm pixels. In: Proceed. 6th Inter. symp. on optronics in defence and security. Optro. Paris, France. January 28, 2014; 2014: 2931891.; Алфимова Д.Л., Лунина М.Л., Лунин Л.С., Пащенко О.С., Пащенко А.С., Яценко А.Н. Влияние висмута на структурное совершенство упруго-напряженных эпитаксиальных слоев AlGaInSbBi, выращенных на подложках InSb. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2020; (8): 20—25. https://doi.org/10.31857/S1028096020080038; Ежлов В.С., Мильвидская А.Г., Молодцова Е.В., Колчина Г.П., Меженный М.В., Резник В.Я. Исследование свойств крупногабаритных монокристаллов антимонида индия, выращенных методом Чохральского в кристаллографическом направлении [100]. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2012; (2): 13—17. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-2-13-17; Кормилицина С.С., Молодцова Е.В., Комаровский Н.Ю., Козлов Р.Ю., Журавлев Е.О. Особенности роста монокристаллов антимонида индия в кристаллографических направлениях [100], [211], [111]. В: Сб. тезисов 2-й Междунар. науч.-практ. конф., посвященной памяти академика Н.П. Сажина «Редкие металлы и материалы на их основе: технологии, свойства и применение» («РЕДМЕТ-2022»). Москва, 23–25 ноября 2022 г. М.: Научные технологии; 2022. С. 166—168.; Нашельский А.Я. Технология полупроводниковых материалов. М.: Металлургия; 1987. 334 с.; Комаровский Н.Ю., Молодцова Е.В., Белов А.Г., Гришечкин М.Б., Козлов Р.Ю., Кормилицина С.С., Журавлев Е.О., Нестюркин М.С. Исследование монокристаллов антимонида индия, полученных модернизированным методом Чохральского в различных кристаллографических направлениях. Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2023; 89(8): 38—46. https://doi.org/10.26896/1028-6861-2023-89-8-38-46; Комаровский Н.Ю., Молодцова Е.В., Трофимов А.А., Кормилицина С.С., Улькаров В.А., Нестюркин М.С., Зареченская А.А., Цареградцев Д.О. Исследование зависимости прочностных характеристик монокристаллического InSb от кристаллографической ориентации и условий роста. Прикладная физика. 2023; (3): 63—72. https://doi.org/10.51368/1996-0948-2023-3-63-72; Dong J.T., Inbar H.S., Pendharkar M., Schijndel A.J., Young E.C., Dempsey C.P., Palmstrom C.J. Electronic structure of InSb (001), (110), and (111) B surfaces. Journal of Vacuum Science & Technology B. 2023; 41(3): 032808. https://doi.org/10.1116/6.0002606; Merrell J.L., Gray N.W., Bolke J.G., Merrell A.N., Prax A.G., Demke J., Gossett N. Enabling on-axis InSb crystal growth for high-volume wafer production: characterizing and eliminating variation in electrical performance for IR focal plane array applications. In: Proceed. SPIE. Vol. 9819. Infrared technology and applications XLII; 2016: 981915. https://doi.org/10.1117/12.2223956; Gray N.W., Perez-Rubio V., Bolke J.G., Alexander W.B. Interface and facet control during Czochralski growth of (111) InSb crystals for cost reduction and yield improvement of IR focal plane array substrates. In: Proceed. SPIE. Vol. 9220. Infrared sensors, devices, and applications IV; 2014: 922003. https://doi.org/10.1117/12.2061973; Волков Д.А., Фистуль В.И. Топологическая оценка вероятности образования собственных точечных дефектов в кристаллах AIIIBV со структурой сфалерита. Физика и техника полупроводников. 1990; 24(3): 475—478.; Жарикова Е.В., Молодцова Е.В., Козлов Р.Ю., Завражин Д.А., Титоров В.В., Кормилицина С.С., Князев С.Н. Исследование влияния условий выращивания на структуру крупногабаритных монокристаллов антимонида индия, полученных методом Чохральского. В: Сб. материалов 5-го Междисциплинар. науч. форума с междунар. участием «Новые материалы и перспективные технологии». Москва, 30 октября – 01 ноября 2019 г. Т. II. М.: Ителлектуальные системы; 2019. С. 440—443.; https://met.misis.ru/jour/article/view/571