SIMULATION AND DESIGN AlGaN HETEROJUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Source: Vestnik of Brest State Technical University; No. 1(130) (2023): Vestnik of Brest State Technical University; 76-81
Вестник Брестского государственного технического университета; № 1(130) (2023): Вестник Брестского государственного технического университета; 76-81

Subject Terms: диффузионно-дрейфовая модель, polarization, поляризация, гетеропереходный полевой транзистор, heterojunction field-effect transistor, diffusion-drift model, aluminum nitride, нитрид галия, gallium nitride, current-voltage characteristic, нитрид алюминия, вольт-амперная характеристика

File Description: application/pdf

Access URL: https://journal.bstu.by/index.php/bstu_herald/article/view/888

Моделирование AlGaN гетеропереходного полевого транзистора

Authors: Ворсин, Николай Николаевич, Гладыщук, Анатолий Антонович, Кушнер, Татьяна Леонидовна, Луценко, Евгений Викторович, Яблонский, Геннадий Петрович

Subject Terms: гетеропереходный полевой транзистор, Heterojunction field-effect transistor, диффузионно-дрейфовая модель, diffusion-drift model, метод градиента электронной плотности, electron density gradient method

File Description: application/pdf

Relation: Моделирование AlGaN гетеропереходного полевого транзистора / Н. Н. Ворсин, А. А. Гладыщук, Т. Л. Кушнер [и др.]. – Текст : непосредственный // Веснік Брэсцкага ўніверсітэта. Серыя 4. Фізіка, матэтамыка. – 2024. – № 2. – С. 28–40. – Библиография: 6 назв.; https://rep.bstu.by/handle/data/47266; 621.383.52

Availability: https://rep.bstu.by/handle/data/47266