Mathematical and computer simulation of semiconductor systems of various dimensions and the elements of device structures based on them ; Математическое и компьютерное моделирование полупроводниковых систем различной размерности и элементов приборных структур на их основе

Authors: N. A. Poklonski, Н. А. Поклонский

Contributors: Работа поддержана государственными программами научных исследований «Конвергенция-2025» и «Материаловедение, новые материалы и технологии» Республики Беларусь

Source: Proceedings of the National Academy of Sciences of Belarus. Physics and Mathematics Series; Том 57, № 4 (2021); 495-505 ; Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук; Том 57, № 4 (2021); 495-505 ; 2524-2415 ; 1561-2430 ; 10.29235/1561-2430-2021-57-4

Subject Terms: элементы приборных структур, hydrogen-like (double-charged) impurity atoms, triple-charged point defects in semiconductors, ionization equilibrium, theory of hopping transport of electrons and holes via defects, graphene, single-wall carbon nanotubes, fullerenes, elements of device structures, водородоподобные (двухзарядные) атомы примесей, трехзарядные точечные дефекты в полупроводниках, ионизационное равновесие, теория прыжковой миграции электронов и дырок по дефектам, графен, одностенные углеродные нанотрубки, фуллерены

File Description: application/pdf

Relation: https://vestifm.belnauka.by/jour/article/view/619/514; https://vestifm.belnauka.by/jour/article/view/619

Availability: https://vestifm.belnauka.by/jour/article/view/619
https://doi.org/10.29235/1561-2430-2021-57-4-495-505