Showing 1 - 3 results of 3 for search '"анизотропное магнетосопротивление"', query time: 0.41s Refine Results
  1. 1
    Academic Journal

    Contributors: The work was supported by the Russian Science Foundation (Grant No. 17-12-01345). A. P. Kuzmenko thanks the Ministry of Education and Science of the Russian Federation for supporting the research of Raman scattering (Grant No. 16.2814.2017/PC)., Работа была поддержана Российским научным фондом (грант № 17−12−01345). А. П. Кузьменко благодарит Министерство образования и науки РФ за поддержку исследований комбинационного рассеяния света (грант № 16.2814.2017/ПЧ).

    Source: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 20, № 2 (2017); 134-141 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 20, № 2 (2017); 134-141 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2017-2

    File Description: application/pdf

    Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/311/248; Armitage N. P., Mele E. J., Vishwanath A. Weyl and Dirac semimetals in three dimensional solids // Rev. Mod. Phys. 2018. V. 90, Iss. 1. P. 015001. DOI:10.1103/RevModPhys.90.015001; He L. P., Hong X. C., Dong J. K., Pan J., Zhang Z., Zhang J., Li S. Y. Quantum transport evidence for three−dimensional Dirac semimetal phase in Cd3As2// Phys. Rev. Lett. 2014. V. 113, N 24. P. 246402. DOI:10.1103/PhysRevLett.113.246402; Feng J., Pang Y., Wu D., Wang Z., Weng H., Li J., Dai X., Fang Z., Shi Y., Lu L. Large linear magnetoresistance in Dirac semimetal Cd3As2 with Fermi surfaces close to the Dirac points // Phys. Rev. B. 2015. V. 92, Iss. 8. P. 081306(R). DOI:10.1103/PhysRevB.92.081306; Zhang K., Pan H., Zhang M., Wei Z., Gao M., Song F., Wang X., Zhang R. Controllable synthesis and magnetotransport properties of Cd3As2 Dirac semimetal nanostructures // RSC Advances. 2017. V. 7, N 29. P. 17689—17696. DOI:10.1039/c7ra02847d; Li C.−Z., Zhu R., Ke X., Zhang J.−M., Wang L. X., Zhang L., Liao Z.−M., Yu D.−P. Synthesis and photovoltaic properties of Cd3As2 faceted nanoplates and nano−octahedrons // Cryst. Growth Design. 2015. V. 15, N 7. P. 3264—3270. DOI:10.1021/acs.cgd.5b00399; Galeeva A. V., Krylov I. V., Drozdov K. A., Knjazev A. F., Kochura A. V., Kuzmenko A. P., Zakhvalinskii V. S., Danilov S. N., Ryabova L. I., Khokhlov D. R. Electron energy relaxation under terahertz excitation in (Cd1−x Znx)3As2 Dirac semimetals // Belstein J. Nanotechnology. 2017. V. 8, N 1. P. 167—171. DOI:10.3762/bjnano.8.17; Wang Q., Li C.−Z., Ge S., Li J.−G., Lu W., Lai J., Liu X., Ma J., Yu D.−P., Liao Z.−M., Sun D. Ultrafast broadband photodetectors based on three−dimensional Dirac semimetal Cd3As2 // Nano Lett. 2017. V. 17, N 2. P. 834—841. DOI:10.1021/acs.nanolett.6b04084; Walowski J., Munzenberg M. Perspective: Ultrafast magnetism and THz spintronics // J. Appl. Phys. 2016. V. 120, N 14. P. 140901. DOI:10.1063/1.4958846; Arushanov E. K. Crystal growth and characterization of II3V2 compounds // Prog. Crystal. Growth. Charact. 1981. V. 3, N 2–3. P. 211—255. DOI:10.1016/0146-3535(80)900200-9; Володина Г. Ф., Захвалинский В. С., Кравцов В. Х. Кристаллическая структура α′′′−(Zn1−xCdx)3As2 (x = 0.26) // Кристаллография. 2013. Т. 58, № 4. С. 561—565. DOI:10.7868/ S0023476113040231; Arushanov E. K. II3V2 Compounds and Alloys// Prog. Crystal. Growth. Charact. 1992. V. 25, N 3. P. 131—201. DOI:10.1016/0960− 8974(92)90030−T; Белогорохов А. И., Захаров И. С., Князев А. Ф., Кочура А. В. Фотоэлектрические явления в кристаллах Cd1,23Zn1,77As2, легированных селеном // Неорганические материалы. 2000. Т. 36, № 7. С. 788—791.; Liang T., Gibson Q., Ali M. N., Liu M., Cava R. J., Ong N. P. Ultrahigh mobility and giant magnetoresistance in the Dirac semimetal Cd3As2 // Nature Materials. 2015. V. 14, N 3. P. 280—284. DOI:10.1038/nmat4143; Lovett D. R. Semimetals and narrow band semiconductors. London: Pion Limited, 1977. 256 p.; Арушанов Э. К., Князев А. Ф., Натепров А. Н., Радауцан С. И. Зависимость ширины запрещенной зоны Cd3−x ZnxAs2 от состава // ФТП. 1983. Т. 17, № 7. С. 1202—1204.; Lu H., Zhang X., Bian Y., Jia S. Topological phase transition in single crystals of (Cd1−x Znx)3As2 // Scientific Reports. 2017. V. 7, N 1. P. 3148. DOI:10.1038/s41598−017−03559−2; Sankar R., Neupane N., Xu S.−Y., Butler C. J., Zeljkovic I., Muthuselvam I. P., Huang F.−T., Guo S.−T., Karna S. K., Chu M.−W., Lee W.L., Lin M.−T., Jayavel R., Madhavan V., Hasan M. Z., Chou F. C. Large single crystal growth, transport property, and spectroscopic characterization of three−dimensional Dirac semimetal Cd3As2 // Scientific Reports. 2015. V. 5. P. 12966. DOI:10.1038/srep12966; Ali M. N., Gibson Q., Jeon S., Zhou B. B., Yazdani A., Cava R. J. The crystal and electronic structures of Cd3As2, the three− dimensional electronic analogue of graphene // Inorganic Chemistry. 2014. V. 53. P. 4062—4067. DOI:10.1021/ic403163d; Schonher P., Hesjedal T. Structural properties and growth mechanism of Cd3As2 nanowires // Appl. Phys. Lett. 2015. V. 106, N 1. P. 013115. DOI:10.1063/1.4905564; Cheng P., Zhang C., Liu Y., Yuan X., Song F., Sun Q., Zhou P., Zhang D. W., Xiu F. Thickness−dependent quantum oscillations in Cd3As2 thin films // New J. Phys. 2016. V. 18, N 8. P. 083003. DOI:10.1088/1367−2630/18/8/083003; Kochura A. V., Marenkin S. F., Ril A. I., Zheludkevich A. L., Abakumov P. V., Knjazev A. F., Dobromyslov M. B. Growth and characterization of Cd3As2 + MnAs composite // J. Nano− and Electron. Phys. 2015. V. 7, N 4. P. 04079. URL: http://essuir.sumdu.edu.ua/ handle/123456789/44550; Sharafeev A., Gnezdilov V., Sankar R., Chou F. C., Lemmens P. Optical phonon dynamics and electronic fluctuations in the Dirac semimetal Cd3As2 // Phys. Rev. B. 2017. V. 95, N 23. P. 235148. DOI:10.1103/PhysRevB.95.235148; Abrikosov A. A. Quantum linear magnetoresistance; solution of an old mystery // J. Phys. A: Math. Gen. 2003. V. 36, N 35. P. 9119—9131. DOI:10.1088/0305−4470/36/35/301; Parish M. M., Littlewood P. B. Non−saturating magnetoresistance in heavily disordered semiconductors // Nature. 2003. V. 426, N 6963. P. 162—166. DOI:10.1038/nature02073; Zhao Y., Liu H., Zhang C., Wang H., Wang J., Lin Z., Xing Y., Lu H., Liu J., Wang Y., Brombosz S. M., Xiao Z., Jia S., Xie X. C., Wang J. Anisotropic Fermi surface and quantum limit transport in high mobility three−dimensional Dirac semimetal Cd3As2 // Phys. Rev. X. 2015. V. 5, N 3. P. 031037. DOI:10.1103/PhysRevX.5.031037; Narayanan A., Watson M. D., Blake S. F., Bruyant N., Drigo L., Chen Y. L., Prabhakaran D., Yan B., Felser C., Kong T., Canfield P. C., Coldea A. I. Linear magnetoresistance caused by mobility fluctuations in n−doped Cd3As2 // Phys. Rev. Lett. 2015. V. 114, N 11. P. 117201. DOI:10.1103/PhysRevLett.114.117201; Li H., He H., Lu H.−Z., Zhang H., Liu H., Ma R., Fan Z., Shen S.−Q., Wang J. Negative magnetoresistance in Dirac semimetal Cd3As2// Nature Comm. 2016. V. 7. P. 10301. DOI:10.1038/ ncomms10301; https://met.misis.ru/jour/article/view/311

  2. 2
  3. 3
    Academic Journal

    File Description: application/pdf