-
1Academic Journal
Authors: Belyaev, B. A., Tyurnev, V. V.
Subject Terms: ОТРИЦАТЕЛЬНАЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ, ПОТЕНЦИАЛ ЗАРЯДА, КВАЗИСТАТИЧЕСКИЙ РАСЧЕТ, QUALITY FACTOR OF THE MATERIAL, ДОБРОТНОСТЬ МАТЕРИАЛА, ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ЕМКОСТЬ, NEGATIVE PERMITTIVITY, QUASISTATIC CALCULATION, CHARGE POTENTIAL, CAPACITY
Access URL: http://elar.urfu.ru/handle/10995/129372
-
2Academic Journal
Contributors: The work was supported by the Belarusian National Research Program “Materials Science, New Materials and Technologies”., Работа поддержана Государственной программой научных исследований «Материаловедение, новые материалы и технологии» Республики Беларусь.
Source: Proceedings of the National Academy of Sciences of Belarus. Physics and Mathematics Series; Том 60, № 2 (2024); 153-161 ; Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук; Том 60, № 2 (2024); 153-161 ; 2524-2415 ; 1561-2430 ; 10.29235/1561-2430-2024-60-2
Subject Terms: сдвиг фаз, silicon dioxide, low-frequency capacitor, electrical conductivity at direct and alternating currents, capacitance, phase shift, диоксид кремния, низкочастотный конденсатор, электропроводность на постоянном и переменном токах, электрическая емкость
File Description: application/pdf
Relation: https://vestifm.belnauka.by/jour/article/view/782/603; Физика гидрогенизированного аморфного кремния: пер. с англ. / под ред. Дж. Джоунопулоса, Дж. Люковски. – Вып. 1. – М.: Мир, 1987. – 368 с.; Физика гидрогенизированного аморфного кремния: пер. с англ. / под ред. Дж. Джоунопулоса, Дж. Люковски. – Вып. 2. – М.: Мир, 1988. – 448 с.; Электропроводность и структура слоев аморфного кремния / А. А. Андреев [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 1986. – Т. 20, вып. 8. – С. 1469–1475.; Technology and applications of amorphous silicon / ed. by R. A. Street. – Berlin: Springer, 2000. – xii + 418 p. https://doi.org/10.1007/978-3-662-04141-3; Springer handbook of semiconductor devices / eds.: M. Rudan, R. Brunetti, S. Reggiani. – Cham: Springer, 2023. – xxiv + 1680 p. https://doi.org/10.1007/978-3-030-79827-7; Radscheit, H. Ac and Dc conductivity in amorphous silicon-hydrogen films / H. Radscheit, K. G. Breitschwerdt // Solid State Commun. – 1983. – Vol. 47, № 3. – P. 157–161. https://doi.org/10.1016/0038-1098(83)90699-3; Djurić, Z. Static characteristics of the metal–insulator–semiconductor–insulator–metal (MISIM) structure–II. Low frequency capacitance / Z. Djurić, M. Smiljanić, D. Tjapkin // Solid-State Electron. – 1975. – Vol. 18, № 10. – P. 827–831. https://doi.org/10.1016/0038-1101(75)90002-7; Poklonski, N. A. High-Frequency Capacitor with Working Substance “Insulator-Undoped Silicon-Insulator” / N. A. Poklonski, I. I. Anikeev, S. A. Vyrko // Приборы и методы измерений. – 2022. – Т. 13, № 4. – С. 247–255. https://doi.org/10.21122/2220-9506-2022-13-4-247-255; Прибылов, Н. Н. Электрические потери в высокоомном кремнии с глубокими уровнями / Н. Н. Прибылов, Е. И. Прибылова // Физика и техника полупроводников. – 1996. – Т. 30, вып. 4. – С. 635–639.; Radiation effects in semiconductors / ed. K. Iniewski. – Boca Raton: CRC Press, 2011. – xvi + 416 p. https://doi.org/10.1201/9781315217864; Claeys, C. Radiation effects in advanced semiconductor materials and devices / C. Claeys, E. Simoen. – Berlin; Heidelberg: Springer, 2002. – xxii + 402 p. https://doi.org/10.1007/978-3-662-04974-7; Biosensors and bioelectronics / eds.: C. Karunakaran, K. Bhargava, R. Benjamin. – Amsterdam: Elsevier, 2015. – xii + 332 p. https://doi.org/10.1016/C2014-0-03790-2; Plonsey, R. Bioelectricity: a quantitative approach / R. Plonsey, R. C. Barr. – New York: Springer, 2007. – xiv + 528 p. https://doi.org/10.1007/978-0-387-48865-3; Bioelectronics: from theory to applications / eds.: I. Willner, E. Katz. – Weinheim: Wiley, 2005. – xviii + 476 p. https://doi.org/10.1002/352760376X; Rawlins, J. C. Basic AC circuits / J. C. Rawlins. – Boston: Newnes, 2000. – x + 542 p. https://doi.org/10.1016/B978-075067173-6/50006-7; Rahmani-Andebili, M. AC electrical circuit analysis: practice problems, methods, and solutions / M. RahmaniAndebili. – Cham: Springer, 2021. – x + 230 p. https://doi.org/10.1007/978-3-030-60986-3; Krupski, J. Interfacial capacitance / J. Krupski // Phys. Status Solidi B. – 1990. – Vol. 157, № 1. – P. 199–207. https://doi.org/10.1002/pssb.2221570119; Rahmani-Andebili, M. DC electrical circuit analysis: practice problems, methods, and solutions / M. RahmaniAndebili. – Cham: Springer, 2020. – x + 262 p. https://doi.org/10.1007/978-3-030-50711-4; Maddock, R. J. Electronics for engineers / R. J. Maddock, D. M. Calcutt. – Harlow: Longman, 1994. – xiv + 720 p.; Impedance spectroscopy: theory, experiment, and applications / eds.: E. Barsoukov, J. R. Macdonald. – Hoboken: Wiley, 2018. – xviii + 528 p. https://doi.org/10.1002/9781119381860; Tooley, M. Electronic circuits: fundamentals and applications / M. Tooley. – London: Routledge, 2020. – xii + 510 p. https://doi.org/10.1201/9780367822651; Pollak, M. Low-frequency conductivity due to hopping processes in silicon / M. Pollak, T. H. Geballe // Phys. Rev. – 1961. – Vol. 122, № 6. – P. 1742–1753. https://doi.org/10.1103/PhysRev.122.1742; Long, A. R. Frequency-dependent loss in amorphous semiconductors / A. R. Long // Adv. Phys. – 1982. – Vol. 31, № 5. – P. 553–637. https://doi.org/10.1080/00018738200101418; Castro, R. High-frequency conductivity of amorphous and crystalline Sb2Te3 thin films / R. Castro, A. Kononov, N. Anisimova // Coatings. – 2023. – Vol. 13, № 5. – P. 950 (1–10). https://doi.org/10.3390/coatings13050950; Elliott, S. R. A.c. conduction in amorphous chalcogenide and pnictide semiconductors / S. R. Elliott // Adv. Phys. – 1987. – Vol. 36, № 2. – P. 135–218. https://doi.org/10.1080/00018738700101971; Климкович, Б. В. Прыжковая электропроводность на переменном токе ковалентных полупроводников с глубокими дефектами / Б. В. Климкович, Н. А. Поклонский, В. Ф. Стельмах // Физика и техника полупроводников. – 1985. – Т. 19, вып. 5. – С. 848–852.; AC conductivity of undoped a-Si:H and µc-Si:H in connection with morphology and optical degradation / M. Yamazaki [et al.] // Jpn. J. Appl. Phys. – 1989. – Vol. 28, № 4R. – P. 577–585. https://doi.org/10.1143/JJAP.28.577; Chen, B. Development of thick film PECVD amorphous silicon with low stress for MEMS applications / B. Chen, F. E. H. Tay, C. Iliescu // Proc. SPIE. – 2008. – Vol. 7269. – P. 72690M (1–11). https://doi.org/10.1117/12.810441; https://vestifm.belnauka.by/jour/article/view/782
-
3Academic Journal
Subject Terms: удельная емкость, удельная электрическая емкость, азотная кислота, нановолокна углеродные, химическая обработка, электрическая емкость углеродных нановолокон, дихромовая кислота, углеродные нановолокна
File Description: application/pdf
Access URL: https://elib.belstu.by/handle/123456789/53646
-
4Conference
Subject Terms: электрическая емкость, температура, defect, electrical conductivity, дефекты, single core electrical wire, электропроводность, электрические провода, capacitance, temperature
File Description: application/pdf
Access URL: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/64375
-
5Academic Journal
Contributors: This work was supported by the Belarusian National Research Program "Materials Science New Materials and Technologies" and Grant for Young Researchers by the Ministry of Education of the Republic of Belarus.
Source: Devices and Methods of Measurements; Том 13, № 4 (2022); 247-255 ; Приборы и методы измерений; Том 13, № 4 (2022); 247-255 ; 2414-0473 ; 2220-9506 ; 10.21122/2220-9506-2022-13-4
Subject Terms: трехслойный плоский электрический конденсатор, silicon dioxide, capacitance, three-layer flat capacitor, диоксид кремния, электрическая емкость
File Description: application/pdf
Relation: https://pimi.bntu.by/jour/article/view/786/635; Poklonski N.A., Vyrko S.A. Nonlinear screening of the field of a dopant ion on the metal side of the Mott phase transition in semiconductors. Phys. Solid State, 2002, vol. 44, no. 7, pp. 1235-1240. DOI:10.1134/1.1494615; Monakhov A.M., Rogachev A.A. 0scillations of the electrostatic potential of semiconductors in the case of screening of an external electric field by nonequilibrium charge carriers. Sov. Phys. Solid State, 1988, vol. 30, no. 4, pp. 666-670.; Furgel' I.A., Shapiro M.M. Charge distribution and structure of inhomogeneous plasma confined by unlike-charge planes. J. Eng. Phys. Thermophys., 1993, vol. 64, no. 5, pp. 492-496. DOI:10.1007/BF00862642; Pribylov N.N., Pribylova E.I. Electrical losses in high-resistivity silicon with deep levels. Semiconductors, 1996, vol. 30, no. 4, pp. 344-346.; Poklonski N.A., Anikeev I.I., Vyrko S.A. Low-frequency admittance of capacitor with working substance "insulator-partially disordered semiconductor-insulator". Devices and Methods of Measurements, 2021, vol. 12, no. 3, pp. 202-210. DOI:10.21122/2220-9506-2021-12-3-202-210; Vostokov N.V., Shashkin V.I. Admittance and nonlinear capacitance of a multilayer metal-semiconductor structure. Semiconductors, 2008, vol. 42, no. 7, pp. 783-787. DOI:10.1134/S1063782608070063; Bondarenko V.B., Filimonov A.V. 0n a chaotic potential at the surface of a compensated semiconductor under conditions of the self-assembly of electrically active defects. Semiconductors, 2015, vol. 49, no. 9, pp. 1187-1190. DOI:10.1134/S1063782615090080; Bondarenko V.B., Filimonov A.V. Criterion for strong localization on a semiconductor surface in the Thomas-Fermi approximation. Semiconductors, 2017, vol. 51, no. 10, pp. 1321-1325. DOI:10.1134/S1063782617100062; Tsurikov D.E., Yafyasov A.M. Differential capacitance of a semiconductor film. Semiconductors, 2010, vol. 44, no. 10, pp. 1292-1296. DOI:10.1134/S106378261010009X; Kovalevskaya T.E., 0vsyuk V.N. 0n the potential distribution in a thin semiconductor layer. Semiconductors, 1996, vol. 30, no. 10, pp. 910-912.; Gubanov A.I., Davydov S.Yu. Calculation of contact potential for a thin semiconductor film. Sov. Phys. Semicond., 1971, vol. 5, no. 2, pp. 322-323.; Djurić Z., Smiljanić M. Static characteristics of metal-insulator-semiconductor-insulator-metal (MISIM) structures I. Electric field and potential distributions. Solid-State Electron. 1975, vol. 18, no. 10, pp. 817-825. DOI:10.1016/0038-1101(75)90001-5; Djurić Z., Smiljanić M., Tjapkin D. Static characteristics of the metal-insulator-semiconductor-insulatormetal (MISIM) structure II. Low frequency capacitance. Solid-State Electron., 1975, vol. 18, no. 10, pp. 827-831. DOI:10.1016/0038-1101(75)90002-7; Brazhe R.A. Electrodynamic convection of free charge carriers in semiconductors. Phys. Solid State, 1997, vol. 39, no. 2, pp. 245-247. DOI:10.1134/1.1130128; Maddock R.J., Calcutt D.M. Electronics for Engineers. Harlow, Longman, 1994, xiv+720 p.; Impedance Spectroscopy: Theory, Experiment, and Applications, ed. by E. Barsoukov, J.R. Macdonald. Hoboken, Wiley, 2018, xviii+528 p.; Tooley M. Electronic Circuits: Fundamentals and Applications. London, Routledge, 2020, XII+510 p.; Berman L.S., Klinger P.M., Fistul' V.I. Determination of the parameters of deep centers in an overcompensated semiconductor from the temperature dependence of the capacitance and active conductance. Sov. Phys. Semicond., 1989, vol. 23, no. 11, pp. 1206-1208.; Grundmann M. The Physics of Semiconductors. An Introduction Including Nanophysics and Applications. Cham, Springer, 2021, xxxviii+890 p. DOI:10.1007/978-3-030-51569-0; Poklonski N.A., Vyrko S.A., Podenok S.L. Statisticheskaya fizika poluprovodnikov [Statistical physics of semiconductors]. Moscow, KomKniga Publ., 2005, 264 p.; Blakemore J.S. Semiconductor Statistics. New York, Dover, 2002, xviii+382 p.; Shockley W. Electrons and Holes in Semiconductors: With Applications to Transistor Electronics. New York, R.E. Krieger Pub. Co., 1976, xxiv+558 p.; Marshak A.H. 0n the inappropriate use of the intrinsic level as a measure of the electrostatic potential in semiconductor devices. IEEE Electron Dev. lett., 1985, vol. 6, no. 3, pp. 128-129. DOI:10.1109/EDL.1985.26069; Adachi S. Properties of Group-IV, III-V and IIVI Semiconductors. Chichester, Wiley, 2005, xviii+388 p. DOI:10.1002/0470090340; Madelung 0. Semiconductors: Data Handbook Berlin, Springer, 2004, xiv+692 p. DOI:10.1007/978-3-642-18865-7; Handbook Series on Semiconductor Parameters. Vol. 1: Si, Ge, C (Diamond), GaAs, GaP, GaSb, InAs, InP, InSb, ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev, M. Shur. Singapore, World Scientific, 1996, xiv+218 p. DOI:10.1142/2046-vol1; Couderc R., Armara M., Lemiti M. Reassessment of the intrinsic carrier density temperature dependence in crystalline silicon. J. Appl. Phys., 2014, vol. 115, no. 9, pp. 093705 (1-5). DOI:10.1063/1.4867776; Green M.A. Intrinsic concentration, effective densities of states, and effective mass in silicon. J. Appl. Phys., 1990, vol. 67, no. 6, pp. 2944-2954. DOI:10.1063/1.345414; Stepanov G.V., Shevchenko 0.F., Luk'yanov A.E., Mukailov N.S., Urazgil'din I.F., Krokhina E.A. Study of phenomena occurring upon electrical breakdown over the surface of silicon and in the interior of silicon dioxide. Bull. Acad Sci. USSR. Phys. Ser., 1982, vol. 46, no. 12, pp. 123-127.; Krause H. Trap induction and breakdown mechanism in Si02 films. Phys. Status Solidi A, 1985, vol. 89, no. 1, pp. 353-362. DOI:10.1002/pssa.2210890137; Chen I.C., Holland S.E., Hu C. Electrical breakdown in thin gate and tunneling oxides. IEEE Trans. Electron. Dev., 1985, vol. 32, no. 2, pp. 413-422. DOI:10.1109/T-ED.1985.21957; https://pimi.bntu.by/jour/article/view/786
-
6Academic Journal
Authors: Глеб Александрович Кошкин
Source: Ползуновский вестник, Vol 2, Iss 4, Pp 118-124 (2022)
Subject Terms: пьезоэлектрическое покрытие, фосфатное связующее, фосфатная краска, пьезоэлектрический композит, цирконат-титанат свинца, ортофосфорная кислота, пассивация, электрическая ёмкость, диэлектрические потери, поляризация, пьезомодуль, Technology
Relation: https://ojs.altstu.ru/index.php/PolzVest/article/view/217; https://doaj.org/toc/2072-8921; https://doaj.org/article/27680d3d9e2f46dcac61605d77aa9eca
-
7Academic Journal
Source: Ползуновский вестник. :82-87
Subject Terms: контроль, электрическая емкость, электроискровой метод контроля, изоляция кабельных изделий, диэлектрическая проницаемость, электрическое поле, дефект, электроемкостной метод контроля, электрическая прочность изоляции
Access URL: https://cyberleninka.ru/article/n/obnaruzhenie-defektov-tipa-vozdushnaya-polost-prielektricheskom-kontrole-izolyatsii-kabelnyhizdeliy-v-oblasti-slabyh-i-silnyh-poley/pdf
https://cyberleninka.ru/article/n/obnaruzhenie-defektov-tipa-vozdushnaya-polost-prielektricheskom-kontrole-izolyatsii-kabelnyhizdeliy-v-oblasti-slabyh-i-silnyh-poley -
8Academic Journal
Authors: Bezprozvannych, G. V., Roginskiy, A. V.
Source: Electrical engineering & Electromechanics, Iss 1, Pp 17-20 (2018)
Electrical Engineering & Electromechanics; № 1 (2018): Electrical Engineering & Electromechanics №1 2018; 17-20
Электротехника и Электромеханика; № 1 (2018); 17-20
Електротехніка і Електромеханіка; № 1 (2018): Електротехніка і Електромеханіка №1 2018; 17-20Subject Terms: electrical capacitance, 621.319, resonance frequency, thermosetting composite insulation, 02 engineering and technology, 01 natural sciences, 7. Clean energy, TK1-9971, replacement circuit, 0103 physical sciences, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, термореактивная композитная изоляция, асинхронный тяговый двигатель, диэлектрическая спектроскопия, схема замещения, электрическая емкость, тангенс угла диэлектрических потерь, резонансная частота, Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering, dielectric loss tangent, dielectric spectroscopy, induction traction motor
File Description: application/pdf
Access URL: http://eie.khpi.edu.ua/article/download/2074-272X.2018.1.02/117723
https://doaj.org/article/c2744622c15a41aead5df01591170ae1
https://cyberleninka.ru/article/n/dielectric-spectroscopy-of-casing-thermosetting-composite-electrical-insulation-system-of-induction-traction-electric-machines/pdf
https://cyberleninka.ru/article/n/dielectric-spectroscopy-of-casing-thermosetting-composite-electrical-insulation-system-of-induction-traction-electric-machines
http://eie.khpi.edu.ua/article/view/2074-272X.2018.1.02 -
9Academic Journal
Authors: A. M. Vorobei, D. V. Rymarev, A. L. Potapov, M. V. Davydov, S. S. Stebunov
Source: Doklady Belorusskogo gosudarstvennogo universiteta informatiki i radioèlektroniki, Vol 0, Iss 6, Pp 24-30 (2019)
Subject Terms: моделирование, электрическая емкость, встречно-штыревой датчик, гипергидроз, Electronics, TK7800-8360
File Description: electronic resource
-
10Conference
Authors: Ли Кэянь, Исмагилов, Артем
Contributors: Вавилова, Галина Васильевна
Subject Terms: контроль, дефекты, провода, электрическая емкость
Relation: Научная инициатива иностранных студентов и аспирантов российских вузов : сборник докладов IX Всероссийской научно-практической конференции, Томск, 24-26 апреля 2019 г. — Томск, 2019.; http://earchive.tpu.ru/handle/11683/56562
Availability: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/56562
-
11Conference
Contributors: Вавилова, Галина Васильевна
Subject Terms: контроль, электрическая емкость, дефекты, провода
Access URL: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/56562
-
12Academic Journal
Source: Electrification of Transport; № 15 (2018); 19-22
Электрификация транспорта; № 15 (2018); 19-22
Електрифікація транспорту; № 15 (2018); 19-22Subject Terms: компьютерное моделирование, электромагнитные процессы, параметры электрической цепи, тяговый трансформатор, современный электроподвижной состав, высокая частота, электрическая емкость, Matlab, Simulink, електромагнітні процеси, параметри електричного кола, комп'ютерне моделювання, тяговий трансформатор, сучасний електрорухомий склад, висока частота, електрична ємність, computer simulation, electromagnetic processes, parameters of electric circuit, traction transformer, modern electric rolling stock, high frequency, electrical capacity, Matlab, Simulink
Access URL: http://etr.diit.edu.ua/article/view/155342
-
13Conference
Authors: Мазиков, С. В.
Contributors: Вавилова, Галина Васильевна
Subject Terms: электронные ресурсы, кабельные изделия, электрическая емкость, электрические приводы, электропроводность, технологический контроль
Relation: Ресурсоэффективные системы в управлении и контроле: взгляд в будущее : сборник научных трудов V Международной конференции школьников, студентов, аспирантов, молодых ученых, г. Томск. 3-8 октября 2016 г. Т. 3. — Томск, 2016.; http://earchive.tpu.ru/handle/11683/36562
Availability: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/36562
-
14Conference
Subject Terms: электрические провода, электрическая емкость, измерительные преобразователи, проводимость, электропроводность, электрические методы
Relation: Journal of Physics: Conference Series. Vol. 671 : Innovations in Non-Destructive Testing (SibTest 2015). — Bristol, 2016.; http://earchive.tpu.ru/handle/11683/33770
-
15Conference
Subject Terms: качество, кабели, электрическая емкость, испытательные напряжения, программное обеспечение, Comsol Multiphysics
Relation: Journal of Physics: Conference Series. Vol. 671 : Innovations in Non-Destructive Testing (SibTest 2015). — Bristol, 2016.; http://earchive.tpu.ru/handle/11683/33763
-
16Report
Authors: Хмелёв, Владимир Андреевич
Contributors: Нестеренко, Тамара Георгиевна
Subject Terms: МЭМС - микроэлектромеханическая система, электродные структуры, гребенчатые структуры, электрическая емкость, краевые эффекты, MEMS, electrode structures, comb structures, electric capacity, edge effects, 12.03.01, 681.586.772'32-022.52
File Description: application/pdf
Relation: Хмелёв В. А. Разработка электродных структур микромеханических сенсоров : бакалаврская работа / В. А. Хмелёв; Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Инженерная школа неразрушающего контроля и безопасности (ИШНКБ), Отделение электронной инженерии (ОЭИ); науч. рук. Т. Г. Нестеренко. — Томск, 2019.; http://earchive.tpu.ru/handle/11683/55069
Availability: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/55069
-
17Report
Authors: Ермошин, Николай Иванович
Contributors: Гольдштейн, Александр Ефремович
Subject Terms: сопротивление изоляции, кабель, помеха, преобразователь сопротивления в напряжение, электрическая ёмкость, insulation resistance, cable, noise, resistance-to-voltage converter, the capacitance, 12.06.01, 620.179.1:621.315.211
File Description: application/pdf
Relation: Ермошин Н. И. Методы и средства контроля сопротивления изоляции кабельных изделий : научный доклад / Н. И. Ермошин; Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Управление магистратуры, аспирантуры и докторантуры (УМАД), Отдел аспирантуры и докторантуры (ОАиД); науч. рук. А. Е. Гольдштейн. — Томск, 2019.; http://earchive.tpu.ru/handle/11683/53535
Availability: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/53535
-
18Conference
Contributors: Вавилова, Галина Васильевна
Subject Terms: электрическая емкость, электрические приводы, электропроводность, электронные ресурсы, технологический контроль, кабельные изделия
Access URL: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/36562
-
19Academic Journal
Authors: Saitarly, Svitlana, Plavan, V., Pushkarev,Yuriy, Manoilenko, О., Dmytrenko, Inna, Пушкарьов, Юрій Миколайович, Пушкарев, Юрий Николаевич, Сайтарли, Світлана Вікторівна, Сайтарлы, Светлана Викторовна, Дмитренко, Інна Вікторівна, Дмитренко, Инна Викторовна
Subject Terms: ебонітові композиції, хімічна стійкість, електрична ємність, вулканізація покриття, фторлоновий наповнювач, эбонитовые композиции, вулканизация покрытия, химическая стойкость, фторлоновый наполнитель, электрическая емкость, ebonite compositions, chemical resistance, electrical capacitance, vulcanization of coating, ftorlon filler
Relation: Saitarly, S., Plavan, V., Pushkarev, Yu., Manoilenko О., Dmytrenko I. (2017). Eastern-Regulation of properties of ebonite compositions and vulcanized anticorrosive coatings using a ftorlon filler. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 3/6 (87), 29-35.; http://dspace.opu.ua/jspui/handle/123456789/5437
-
20Academic Journal
Authors: Velychko, O. (Oleh), Shevkun, S. (Sergii)
Source: Eastern-European Journal of Enterprise Technologies
Subject Terms: comparison of standards, metrological traceability, electrical capacitance, national metrology institute, calibration and measurement capabilities, UDC 389:14:621.317:354, звірення еталонів, метрологічна простежуваність, електрична ємність, національний метрологічний інститут, калібрувальні та вимірювальні можливості, сличения эталонов, метрологическая прослеживаемость, электрическая ёмкость, национальный метрологический институт, калибровочные и измерительные возможности, Indonesia
File Description: application/pdf