Search Results - "ФОТОПРИЕМНОЕ УСТРОЙСТВО"

1

Academic Journal

Impact of substrate sulphide passivation on photoluminescent properties of InAs autoepitaxial layers ; Влияние сульфидной пассивации подложки на фотолюминесцентные свойства автоэпитаксиальных слоев InAs

Authors: D. V. Kolyada, D. D. Firsov, O. S. Komkov, A. V. Solomonov, Д. В. Коляда, Д. Д. Фирсов, О. С. Комков, А. В. Соломонов

Contributors: The authors express their gratitude to A.S. Petrov for providing samples and to P.S. Shilov for assistance in processing the samples., Авторы выражают благодарность А.С. Петрову за предоставленные образцы и П.С. Шилову за помощь в обработке образцов.

Source: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 27, № 3 (2024); 271-277 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 27, № 3 (2024); 271-277 ; 2413-6387 ; 1609-3577

Subject Terms: инфракрасное фотоприемное устройство, autoepitaxial layer, photoluminescence, sulfidisation, interzone transition, bound excitons, donor-acceptor pairs, infrared photodetector, автоэпитаксиальный слой, фотолюминесценция, сульфидизация, межзонный переход, связанные экситоны, донорно-акцепторные пары

File Description: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/581/460; Zhijian Shen, Jinshan Yao, Jian Huang, Zhecheng Dai, Luyu Wang, Fengyu Liu, Xinbo Zou, Bo Peng, Weimin Liu, Hong Lu, Baile Chen. High-speed mid-wave infrared uni-traveling carrier photodetector with inductive peaked dewar packaging. Journal of Lightwave Technology. 2023; 42(5): 1504—1510. https://doi.org/10.1109/JLT.2023.3322967; Kovtonyuk N.F., Misnik V.P., Sokolov A.V. Sensitivity of insulator-semiconductor structures to time-dependent light fluxes. Semiconductors. 2005; 39: 1290—1293. https://doi.org/10.1134/1.2128452; Blain T., Shulyak V., Im Sik Han, Hopkinson M., Jo Shien Ng, Chee Hing Tan. Low noise equivalent power inas avalanche photodiodes for infrared few-photon detection. IEEE Transactions on Electron Devices. 2024; 71(5): 3039—3044. https://doi.org/10.1109/TED.2024.3373373; Komkov O.S., Firsov D.D., Kovalishina E.A. Petrov A.S. Determination of the indium arsenide autoepitaxial layers’ thickness by Fourier-Transform Infrared Spectroscopy. Russian Microelectronics. 2015; 44: 575—578. https://doi.org/10.1134/S1063739715080156; Львова Т.В., Седова И. В., Дунаевский М. С., Карпенко А.Н., Улин В.П., Иванов С.В., Берковиц В.Л. Сульфидная пассивация подложек InAs(100) в растворах Na2S. Физика твердого тела. 2009; 51(6): 1055—1061.; Vurgaftman I., Meyer J.R., Ram-Mohan L.R. Band parameters for III–V compound semiconductors and their alloys. Journal of Applied Physics. 2001; 89(11): 5815—5875. https://doi.org/10.1063/1.1368156; Böer K.W., Pohl U.W. Excitons. In: Semiconductor Physics. Cham: Springer; 2023. 1419 p. https://doi.org/10.1007/978-3-031-18286-0_14; Sumikura H., Shinya A., Notomi M. Time-resolved mid-infrared photoluminescence spectroscopy of an undoped InAs substrate. Applied Physics Letters. 2024; 124(5): 052105. https://doi.org/10.1063/5.0188326; Gladkov P., Nohavica D., Šourek Z., Litvinchuk A.P., Iliev M.N. Growth and characterization of InAs layers obtained by liquid phase epitaxy from Bi solvents. Semiconductor Science and Technology. 2006; 21(4): 544—549. https://doi.org/10.1088/0268-1242/21/4/022; Firsov D.D., Komkov O.S., Petrov A.S. Photoluminescence of undoped InAs autoepitaxial layers. Journal of Physics: Conference Series. 2015; 643(1): 012051. https://doi.org/10.1088/1742-6596/643/1/012051; Voronina T.I., Lagunova T.S., Moiseev K.D., Rozov A.E., Sipovskaya M.A., Stepanov M.V., Sherstnev V.V., Yakovlev Yu.P. Electrical properties of epitaxial indium arsenide and narrow band solid solutions based on it. Semiconductors. 1999; 33: 719—725. https://doi.org/10.1134/1.1187768; Баранов А.Н., Воронина Т.И., Гореленок А.А., Лагунова Т.С., Литвак А.М., Сиповская М.А., Старосельцева С.П., Тихомирова В.А., Шерстнев В.В. Исследование структурных дефектов в эпитаксиальных слоях арсенида индия. Физика и техника полупроводников. 1992; 26(9): 1612—1624. https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/23914; Voronina T.I., Zotova N.V., Kizhayev S.S., Molchanov S.S., Yakovlev Yu.P. Luminescence properties of InAs layers and p–n structures grown by metallorganic chemical vapor deposition. Semiconductors. 1999; 33: 1062—1066. https://doi.org/10.1134/1.1187865; Fang Z.M., Ma K.Y., Cohen R.M., Stringfellow G.B. Effect of growth temperature on photoluminescence of InAs grown by organometallic vapor phase epitaxy. Applied Physics Letters. 1991; 59(12): 1446—1448. https://doi.org/10.1063/1.105283; Lacroix Y., Tran C.A., Watkins S.P., Thewalt M.L.W. Low-temperature photoluminescence of epitaxial InAs. Journal of Applied Physics. 1996; 80(11): 6416—6424. https://doi.org/10.1063/1.363660; Криволапчук В.В., Мездрогина М.М., Полетаев Н.К. Влияние корреляции между подсистемами мелких и глубоких метастабильных уровней на экситонные спектры фотолюминесценции в n-типе GaAs. Физика твердого тела. 2003; 45(1): 29—32. https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/4472; Zhilyaev Yu.V., Nasonov A.V., Raevski S.D., Rodin S.N., Shcheglov M.P., Davydov V.Yu. Bulk gallium nitride: preparation and study of properties. Physica Status Solidi (a). 2003; 195(1): 122—126. https://doi.org/10.1002/pssa.200306284; Tetyorkin V., Sukach A., Tkachuk A. Infrared photodiodes on II-VI and III-V narrow-gap semiconductors. In: Ilgu Yun (Ed.) Photodiodes from fundamentals to applications. Rijeka: IntechOpen; 2012. P. 378. http://dx.doi.org/10.5772/52930; https://met.misis.ru/jour/article/view/581