A non-stationary model of mass transfer in a self-consistent electrical field for determining the influence of temperature on electrophysical properties of metal oxide memristors ; Нестационарная модель массопереноса зарядов в самосогласованном электрическом поле для определения влияния температуры на электрофизические свойства металлооксидного мемристора

Authors: A. N. Busygin, B. H. Gabdulin, S. Yu. Udovichenko, N. A. Shulaev, A. D. Pisarev, A. H. A. Ebrahim, А. Н. Бусыгин, Б. Х. Габдулин, С. Ю. Удовиченко, Н. А. Шулаев, А. Д. Писарев, А. Х. А. Ибрагим

Contributors: The study was conducted with the support of the Ministry of Education and Science of the Russian Federation within the framework of the state assignment (project FEWZ-2024-0020)., Исследование проведено при поддержке Минобрнауки РФ в рамках государственного задания (проект FEWZ-2024-0020).

Source: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 27, № 4 (2024); 324-329 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 27, № 4 (2024); 324-329 ; 2413-6387 ; 1609-3577

Subject Terms: вольт-амперная характеристика мемристора, physical model of charge mass transfer, oxygen vacancies and trapped electrons, current-voltage characteristic of a memristor, oxide film temperature, модель массопереноса зарядов, кислородные вакансии

Relation: Larentis S., Nardi F., Balatti S., David C. Gilmer D.C., Ielmini D. Resistive switching by voltage-driven ion migration in bipolar RRAM – Part II: Modeling. IEEE Transactions on Electron Devices. 2012; 59(9): 2468—4275. https://doi.org/10.1109/TED.2012.2202320; Kim S., Kim S-J., Kim K.M., Lee S.R., Chang M., Cho E., Kim Y.-B., Kim Ch.J., Chung U. –I., Yoo I.-K. Physical electro-thermal model of resistive switching in bi-layered resistance-change memory. Scientific Reports. 2013; 3: 1680. https://doi.org/10.1038/srep01680; Kim S., Choi S.H., Lu W. Comprehensive Physical model of dynamic resistive switching in an oxide memristor. Acsnano. 2014; 8(3): 2369—2376. https://doi.org/10.1021/nn405827t; Basnet P., Pahinkar D.G., West M.P., Perini C.J., Graham S., Vogel E.M. Substrate dependent resistive switching in amorphous-HfOx memristors: an experimental and computational investigation. Journal of Materials Chemistry C. 2020; 8(15): 5092—5101. https://doi.org/10.1039/c9tc06736a; Parit A.K., Yadav M.S., Gupta A.K., Mikhaylov A., Rawat B. Design and modeling of niobium oxide-tantalum oxide based self-selective memristor for large-scale crossbar memory. Chaos, Solitons and Fractals. 2021; 145(10-12): 110818. https://doi.org/10.1016/j.chaos.2021.110818; Busygin A., Udovichenko S., Ebrahim A., Bobylev A., Gubin A. Mathematical model of metal-oxide memristor resistive switching based on full physical model of heat and mass transfer of oxygen vacancies and ions. Physica Status Solidi (A) Applications and Materials. 2023; 220(11): 2200478. https://doi.org/10.1002/pssa.202200478; Chernov A.A., Islamov D.R., Pik’nik A.A., Perevalov T.V., Gritsenko V.A. Three-dimensional non-linear complex model of dynamic memristor switching. ECS Transactions. 2017; 75(32): 95—104. https://doi.org/10.1149/07532.0095; Kuzmichev D.S., Markeev A.M. Neuromorphic properties of forming-free non-filamentary TiN/Ta2O5/Ta structures with an asymmetric current-voltage characteristic. Nanobiotechnology Reports. 2021; 16(6): 804—810. https://doi.org/10.1134/S2635167621060136; https://met.misis.ru/jour/article/view/636

Availability: https://met.misis.ru/jour/article/view/636
https://doi.org/10.17073/1609-3577j.met202411.636

Влияние допирования наночастиц диоксида церия ионами редкоземельных металлов на биокаталитическую активность

Authors: Ofitserova, N. Yu., Bazhukova, I. N.

Subject Terms: MIXED VALENCE STATES, ДОПИРОВАНИЕ, MULTI-ENZYMATIC ACTIVITY, КИСЛОРОДНЫЕ ВАКАНСИИ, CERIUM DIOXIDE NANOPARTICLES, OXYGEN VACANCIES, РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ, DOPING, НАНОЧАСТИЦЫ ДИОКСИДА ЦЕРИЯ, RARE-EARTH ELEMENTS, СМЕШАННЫЕ ВАЛЕНТНЫЕ СОСТОЯНИЯ, МУЛЬТИФЕРМЕНТАТИВНАЯ АКТИВНОСТЬ

File Description: application/pdf

Access URL: http://elar.urfu.ru/handle/10995/119892

МЕССБАУЭРОВСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ВАЛЕНТНЫХ СОСТОЯНИЙ Fe И КИСЛОРОДНЫХ ВАКАНСИЙ В Са-ЗАМЕЩЕННОМ ОРТОФЕРРИТЕ La1-xCaxFeO3- (x = 0, 0.3, 0.5, 0.7, 1.0)

Subject Terms: МЕССБАУЭРОВСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ, ВАЛЕНТНЫЕ СОСТОЯНИЯ, КИСЛОРОДНЫЕ ВАКАНСИИ, 0.7, 1.0), 0.3, Са-ЗАМЕЩЕННЫЙ ОРТОФЕРРИТ La1-xCaxFeO3- (x = 0, 0.5, Fe

Atomic and electronic structure of YFeO3 surface with oxygen vacancies

Authors: Gnidenko, Anton, Chigrin, Pavel

Source: St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics, Vol 15, Iss 3.1 (2022)

Subject Terms: ортоферрит иттрия, Physics, QC1-999, surface effects, теория функционала плотности, oxygen vacancies, метод псевдопотенциалов, pseudopotential method, кислородные вакансии, QA1-939, yttrium orthoferrite, поверхностные эффекты, Mathematics, density functional theory

Access URL: https://doaj.org/article/991e525b78a34926a4e525faadf5b11d

Features of water vapor adsorption and desorption on the surface of non-stoichiometric tin dioxide films ; Особенности адсорбции и десорбции водяных паров на поверхности пленок нестехиометрического диоксида олова

Authors: D. V. Adamchuck, V. K. Ksenevich, N. A. Poklonski, A. I. Kavaleu, Д. В. Адамчук, В. К. Ксеневич, Н. А. Поклонский, А. И. Ковалев

Contributors: This work was supported by the Belarusian National Research Programme “Convergence- 2020” (subprogram “Integration”, task No. 3.3.1), the State Committee on Science and Technology of the Republic of Belarus (grant No. Ф19ЛИТГ-001), the Research Council of Lithuania (grant No. S-LB-19-5), and by the EU Programme H2020-MSCA-RISE-2015 (grants No. 691010 HUNTER and No. 871284 SSHARE)., Работа выполнена в рамках задания 3.3.1 ГПНИ «Конвергенция-2020» (подпрограмма «Объединение»), белорусско-литовского проекта (№ Ф19ЛИТГ-001 и № S-LB-19-5), финансируемого ГКНТ Республики Беларусь и Научным советом Литвы и проектов № 691010 HUNTER и № 871284 SSHARE программы ЕС H2020-MSCA-RISE-2015.

Source: Proceedings of the National Academy of Sciences of Belarus. Physics and Mathematics Series; Том 56, № 1 (2020); 102-113 ; Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук; Том 56, № 1 (2020); 102-113 ; 2524-2415 ; 1561-2430 ; 10.29235/1561-2430-2020-56-1

Subject Terms: десорбция, oxygen vacancies, water vapor, adsorption, desorption, кислородные вакансии, водяной пар, адсорбция

File Description: application/pdf

Relation: https://vestifm.belnauka.by/jour/article/view/509/423; Shankar, P. Gas sensing mechanism of metal oxides: The role of ambient atmosphere, type of semiconductor and ga ses -A review / P. Shankar, J. B. B. Rayappan // Sci. Lett. – 2015. – Vol. 4. – P. 126.; Yuliarto, B. SnO 2 Nanostructure as Pollutant Gas Sensors: Synthesis, Sensing Performances, and Mechanism / B. Yuliarto, G. Gumilar, N. L. W. Septiani // Adv. Mater. Sci. Eng. – 2015. – Vol. 2015. – ArticleID 694823. – P. 1–14. https://doi.org/10.1155/2015/694823; Das, S. SnO 2 : A comprehensive review on structures and gas sensors / S. Das, V. Jayaraman // Prog. Mater Sci. – 2014. – Vol. 66. – P. 112–255. https://doi.org/10.1016/j.pmatsci.2014.06.003; Ippommatsu, M. Sensing mechanism of SnO 2 gas sensors / M. Ippommatsu, H. Sasaki, H. Yanagida // J. Mater. Sci. – 1990. – Vol. 25, № 1. – P. 259–262. https://doi.org/10.1007/BF00544217; Davydov, S. Adsorption of Oxygen Molecules and Carbon Monoxide Molecules on Tin Dioxide / S. Davydov, V. Moshnikov, A. Fedotov // Tech. Phys. – 2006. – Vol. 51. – P. 139–141. https://doi.org/10.1134/S1063784206010221; Kílíç, C. Origins of coexistence of conductivity and transparency in SnO 2 / C. Kílíç, A. Zunger // Phys. Rev. Lett. – 2002. – Vol. 88, № 9. – P. 095501. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.88.095501; Effect of Humid Aging on the Oxygen Adsorption in SnO 2 Gas Sensors / K. Suematsu [et al.] // Sensors. – 2018. – Vol. 18, № 1. – P. 254. https://doi.org/10.3390/s18010254; Structural motifs of water on metal oxide surfaces / R. Mu [et al.] // Chem. Soc. Rev. – 2017. – Vol. 46, № 7. – P. 1785– 1806. https://doi.org/10.1039/c6cs00864j; First-principles study of the water adsorption on anatase(101) as a function of the coverage / R. Martinez-Casado [et al.] // J. Phys. Chem. C. – 2018. – Vol. 122, № 36. – P. 20736–20744. https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.8b05081; Oxygen Vacancies as Active Sites for Water Dissociation on Rutile TiO 2 (110) / R. Schaub [et al.] // Phys. Rev. Lett. – 2001. – Vol. 87, № 26. – P. 266104. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.87.266104; Wang, J. G. Oxidation state of oxide supported nanometric gold / J. G. Wang, B. Hammer // Top. Catal. – 2007. – Vol. 44, № 1/2. – P. 49–56. https://doi.org/10.1007/s11244-007-0277-9; Role of water vapour in the interaction of SnO 2 gas sensors with CO and CH 4 / R. Ionescu [et al.] // Sensors and Actuators B: Chemical. – 1999. – Vol. 61, № 1. – P. 39–42. https://doi.org/10.1016/S0925-4005(99)00277-4; Competitive Adsorption of O 2 and H 2 O at the Neutral and Defective SnO 2 (110) Surface / B. Slater [et al.] // MRS Online Proceedings Library Archive. – 2000. – Vol. 658. https://doi.org/10.1557/proc-658-gg9.33; A computational chemist approach to gas sensors: Modeling the response of SnO 2 to CO, O 2 , and H 2 O Gases / J.-M. Ducéré [et al.] // J. Comput. Chem. – 2012. – Vol. 33, № 3. – P. 247–258.https://doi.org/10.1002/jcc.21959; Zakaryan, H. Adsorption of the H and H 2 O on SnO 2 Surfaces in an O 2 Environment: Density Functional Theory Study / H. Zakaryan // Armenian J. Phys. – 2016. – Vol. 9, № 4. – P. 283–293.; Malyshev, V. V. Response of semiconducting metal oxides to water vapor as a result of water molecules chemical transformations on catalytically active surfaces / V. V. Malyshev // Russ. J. Phys. Chem. A.– 2008. – Vol. 82, № 13. – P. 2329– 2339. https://doi.org/10.1134/s0036024408130293; Адамчук, Д. B. Управление электрическими и оптическими параметрами активных элементов датчиков влажности на основе пленок оксидов олова переменного состава / Д. B. Адамчук, В. К. Ксеневич // Приборы и методы измерений. – 2019. – Т. 10, № 2. – P. 138–150. https://doi.org/10.21122/2220-9506-2019-10-2-138-150; Fabrication and characterization of transparent tin dioxide films with variable stoichiometric composition. / V. K. Ksenevich [et al.] // Acta Phys. Pol. A. – 2015. – Vol. 128, № 5. – P. 861–863. https://doi.org/10.12693/aphyspola.128.861; Nonstoichiometric tin oxide films: study by x-ray diffraction, raman scattering and electron paramagnetic resonance / V. K. Ksenevich [et al.] // Lithuanian J. Phys. – 2019. – Vol. 59, № 4. – P. 179–185.; Импедансная спектроскопия поликристаллических пленок диоксида олова / Д. В. Адамчук [и др.] // Приборы и методы измерений. – 2016. – Т. 7, № 3. – С. 312–321. https://doi.org/10.21122/2220-9506-2016-7-3-312-321; Boroojerdian, P. Structural and Optical Study of SnO Nanoparticles Synthesized Using Microwave – Assisted Hydrothermal Route / P. Boroojerdian // Int. J. Nanosci. Nanotechnol. – 2013. – Vol. 9, № 2. – P. 95–100.; Gardiner, D. J. Practical Raman Spectroscopy / D. J. Gardiner, P. R. Graves. – Berlin; Heidelberg: Springer-Verlag. – 1989. – 157 p. https://doi.org/10.1007/978-3-642-74040-4; The complete Raman spectrum of nanometric SnO 2 particles / A. Diéguez [et al.] // J. Appl. Phys. – 2001. – Vol. 90, № 3. – P. 1550–1557. https://doi.org/10.1063/1.1385573; Identification of oxygen vacancy types from Raman spectra of SnO 2 nanocrystals / L. Z. Liu [et al.] // J. Raman Spectroscopy. – 2012. – Vol. 43, № 10. – P. 1423–1426. https://doi.org/10.1002/jrs.4078; Batzill, M. The surface and materials science of tin oxide / M. Batzill, U. Diebold // Prog. Surf. Sci. – 2005. – Vol. 79, № 2. – P. 47–154. https://doi.org/10.1016/j.progsurf.2005.09.002; Calculated static and dynamic properties of -Sn and Sn-O compounds / E. L. Peltzer y Blancá [et al.] // Phys. Rev. B. – 1993. – Vol. 48, № 21. – P. 15712–15718. https://doi.org/10.1002/jrs.4078; Exploring Resonance Raman Spectroscopy / D. Tuschel [et al.] // Spectroscopy. – 2018. – Vol. 33, № 12. – P. 12–19.; Heiland, G. Physical and Chemical Aspects of Oxidic Semiconductor Gas Sensors / G. Heiland, D. Kohl // Chemical Sensor Technology. – Elsevier, 1988. – Vol. 1. – P. 15–38. https://doi.org/10.1016/B978-0-444-98901-7.50007-5; Gercher, V. A. Water adsorption on stoichiometric and defective SnO 2 (110) surfaces / V. A. Gercher, D. F. Cox // Surf. Sci. – 1995. – Vol. 322, № 1/3. – P. 177–184. https://doi.org/10.1016/0039-6028(95)90028-4; Site-selectively grown SnO 2 NWs networks on micromembranes for efficient ammonia sensing in humid conditions / J. Samà [et al.] // Sensors and Actuators B: Chemical. – 2016. – Vol. 232. – P. 402–409. https://doi.org/10.1016/j.snb.2016.03.091; https://vestifm.belnauka.by/jour/article/view/509

Availability: https://vestifm.belnauka.by/jour/article/view/509
https://doi.org/10.29235/1561-2430-2020-56-1-102-113

Нестационарная модель массопереноса кислородных вакансий и захваченных электронов для определения влияния температуры на электрофизические свойства металлооксидного мемристора ; A nonstationary model of mass transfer of oxygen vacancies and trapped electrons for determination of temperature influence on properties of a metal oxide memristor

Authors: Бусыгин, А. Н., Габдулин, Б. Х., Удовиченко, С. Ю., Шулаев, Н. А., Писарев, А. Д., Ибрагим, А. Х. А., Busygin, A. N., Gabdulin, B. H., Udovichenko, S. Yu., Shulaev, N. A., Pisarev, A. D., Ebrahim, A. H. A.

Subject Terms: одномерная модель, нестационарный тепло- и массоперенос, оксид металла, кислородные вакансии, захваченные электроны, вольт-амперная характеристика, мемристор, температура оксидного слоя, one-dimensional model, nonstationary heat and mass transfer, metal oxide, oxygen vacancies, trapped electrons, current-voltage characteristic, memristor, oxide layer temperature

File Description: application/pdf

Relation: Вестник Тюменского государственного университета. Серия: Физико-математическое моделирование. Нефть, газ, энергетика. — 2024. — Т. 10, № 3 (39)

Availability: https://elib.utmn.ru/jspui/handle/ru-tsu/37905
https://doi.org/10.21684/2411-7978-2024-10-3-37-49

Nanoelectronic devices with memory-effect of electromigration of oxygen vacancies in complex oxides of transition metals

Authors: Belogolovskii, M. А., Larkin, S. Y.

Source: Electronics and Communications; Том 18, № 2 (2013); 9-15
Электроника и Связь; Том 18, № 2 (2013); 9-15
Електроніка та Зв'язок; Том 18, № 2 (2013); 9-15

Subject Terms: 0103 physical sciences, nanotechnology, memristor, resistive switching, complex oxides, oxygen vacancies, нанотехнології, мемристор, резистивні перемикання, складні оксиди, кисневі вакансії, 01 natural sciences, нанотехнологии, резистивные переключения, сложные оксиды, кислородные вакансии

File Description: application/pdf

Access URL: https://ui.adsabs.harvard.edu/abs/2013E&C....18b...9B/abstract
http://elc.kpi.ua/old/article/view/173993

Impurity influence on oxygen diffusion in Al2O3

Authors: Bakulin, Alexander V., Matyskina, E. V., Kulkova, Svetlana E.

Source: AIP Conference Proceedings. 2022. Vol. 2509. P. 020016-1-020016-4

Subject Terms: кислородные вакансии, 0103 physical sciences, оксид алюминия, 02 engineering and technology, коэффициент диффузии, 0210 nano-technology, 01 natural sciences

Access URL: https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000900991

Влияние допирования наночастиц диоксида церия ионами редкоземельных металлов на биокаталитическую активность ; Effect of Cerium Dioxide Nanoparticles Doping with Rare Earth Metal Ions on the Biocatalytic Activity

Authors: Офицерова, Н. Ю., Бажукова, И. Н., Ofitserova, N. Yu., Bazhukova, I. N.

Subject Terms: НАНОЧАСТИЦЫ ДИОКСИДА ЦЕРИЯ, МУЛЬТИФЕРМЕНТАТИВНАЯ АКТИВНОСТЬ, КИСЛОРОДНЫЕ ВАКАНСИИ, СМЕШАННЫЕ ВАЛЕНТНЫЕ СОСТОЯНИЯ, ДОПИРОВАНИЕ, РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ, CERIUM DIOXIDE NANOPARTICLES, MULTI-ENZYMATIC ACTIVITY, OXYGEN VACANCIES, MIXED VALENCE STATES, DOPING, RARE-EARTH ELEMENTS

File Description: application/pdf

Relation: Актуальные проблемы развития естественных наук : сборник статей участников XXV Областного конкурса научно-исследовательских работ «Научный Олимп» по направлению «Естественные науки». — Екатеринбург, 2022; http://elar.urfu.ru/handle/10995/119892

Availability: http://elar.urfu.ru/handle/10995/119892

Математическое моделирование резистивного переключения в мемристоре на основе полной модели процессов массопереноса кислородных вакансий и ионов ; Mathematical modeling of memristor resistive switching based on mass transfer full model of oxygen vacancies and ions

Authors: Ибрагим, А. Х. А., Бусыгин, А. Н., Удовиченко, С. Ю., Ebrahim, A. Kh. A., Busygin, A. N., Udovichenko, S. Yu.

Subject Terms: мемристор на основе оксида металла, кислородные вакансии и ионы, математическое моделирование, физическая модель массопереноса зарядов, вольт-амперная характеристика, резистивное переключение мемристора, metal oxide memristor, oxygen vacancies and ions, mathematical modeling, physical model of stationary mass transfer of charges, volt-ampere characteristic, resistive switching of the memristor

File Description: application/pdf

Relation: Вестник Тюменского государственного университета. Серия: Физико-математическое моделирование. Нефть, газ, энергетика. – 2022. – Т. 8, № 2(30)

Availability: https://elib.utmn.ru/jspui/handle/ru-tsu/18115
https://doi.org/10.21684/2411-7978-2022-8-2-198-214

ИЗУЧЕНИЕ ОКИСЛИТЕЛЬНОЙ СПОСОБНОСТИ НАНОРАЗМЕРНЫХ КАТАЛИЗАТОРОВ НА ОСНОВЕ CEO2 В ПРОЦЕССЕ КАТАЛИТИЧЕСКОЙ РЕАКЦИИ

Authors: Альперович, Игорь, Смоленцев, Николай, Сафонова, Ольга, ВАН БОКХОВЕН ДЖЕРОЕН АНТОН, Солдатов, Александр

Subject Terms: РЕНТГЕНОВСКАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ПОГЛОЩЕНИЯ, КАТАЛИЗАТОРЫ НА ОСНОВЕ ЦЕРИЯ, КИСЛОРОДНЫЕ ВАКАНСИИ

File Description: text/html

Availability: http://cyberleninka.ru/article/n/izuchenie-okislitelnoy-sposobnosti-nanorazmernyh-katalizatorov-na-osnove-ceo2-v-protsesse-kataliticheskoy-reaktsii
http://cyberleninka.ru/article_covers/15490364.png

К ВОПРОСУ О ПРИРОДЕ ФЕРРОМАГНЕТИЗМА В ОКСИДНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ, ЛЕГИРОВАННЫХ 3D-ЭЛЕМЕНТАМИ

Authors: Ачкеев, Андрей, Вахитов, Искандер, Хайбуллин, Рустам

Subject Terms: МАГНИТОРАЗБАВЛЕННЫЕ ОКСИДНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ, ФЕРРОМАГНЕТИЗМ, КИСЛОРОДНЫЕ ВАКАНСИИ, УЗКИЕ ДЕФЕКТНЫЕ ЗОНЫ, КРИТЕРИЙ СТОНЕРА

File Description: text/html

Availability: http://cyberleninka.ru/article/n/k-voprosu-o-prirode-ferromagnetizma-v-oksidnyh-poluprovodnikah-legirovannyh-3d-elementami
http://cyberleninka.ru/article_covers/15126761.png

ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНАЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ РЕЛАКСАЦИЯ В СМЕСЕВОМ МАГНИТОЭЛЕКТРИЧЕСКОМ КОМПОЗИТЕ 0,9PBZR0,53TI0,47O3 - 0,1MN0,4ZN0,6FE2O4

Authors: Гриднев, С., Калгин, А.

Subject Terms: ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ РЕЛАКСАЦИЯ, КИСЛОРОДНЫЕ ВАКАНСИИ, ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ, ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОТЕРИ, ПРОВОДИМОСТЬ

File Description: text/html

Availability: http://cyberleninka.ru/article/n/vysokotemperaturnaya-dielektricheskaya-relaksatsiya-v-smesevom-magnitoelektricheskom-kompozite-0-9pbzr0-53ti0-47o3-0-1mn0-4zn0-6fe2o4
http://cyberleninka.ru/article_covers/14013839.png

Наноэлектронные устройства с памятью на основе эффекта электромиграции кислородных вакансий в сложных оксидах переходных металлов

Authors: Belogolovskii, M. A., Larkin, S. Y.

Contributors: ELAKPI

Subject Terms: сложные оксиды, nanotechnology, resistive switching, мемристор, oxygen vacancies, кислородные вакансии, complex oxides, резистивные переключения, нанотехнології, нанотехнологии, резистивні перемикання, складні оксиди, кисневі вакансії, memristor

File Description: application/pdf

Access URL: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/3629

Изучение окислительной способности наноразмерных катализаторов на основе CeO2 в процессе каталитической реакции

Source: Инженерный вестник Дона.

Subject Terms: РЕНТГЕНОВСКАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ПОГЛОЩЕНИЯ, КАТАЛИЗАТОРЫ НА ОСНОВЕ ЦЕРИЯ, КИСЛОРОДНЫЕ ВАКАНСИИ, 7. Clean energy

File Description: text/html

Access URL: http://cyberleninka.ru/article_covers/15490364.png
http://cyberleninka.ru/article/n/izuchenie-okislitelnoy-sposobnosti-nanorazmernyh-katalizatorov-na-osnove-ceo2-v-protsesse-kataliticheskoy-reaktsii

К ВОПРОСУ О ПРИРОДЕ ФЕРРОМАГНЕТИЗМА В ОКСИДНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ, ЛЕГИРОВАННЫХ 3D-ЭЛЕМЕНТАМИ // Ученые записки КФУ. Физико-математические науки 2012 том154 N3

Source: ELIB18156088-2012-154-3-2

Subject Terms: магниторазбавленные оксидные полупроводники, narrow defect bands, узкие дефектные зоны, кислородные вакансии, Stoner criterion, oxide-diluted magnetic semiconductors, ferromagnetism, ферромагнетизм, критерий Стонера, oxygen vacancies

Access URL: https://openrepository.ru/article?id=145874

К вопросу о природе ферромагнетизма в оксидных полупроводниках, легированных 3d-элементами

Source: Ученые записки Казанского университета. Серия Физико-математические науки.

Subject Terms: МАГНИТОРАЗБАВЛЕННЫЕ ОКСИДНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ, ФЕРРОМАГНЕТИЗМ, КИСЛОРОДНЫЕ ВАКАНСИИ, УЗКИЕ ДЕФЕКТНЫЕ ЗОНЫ, КРИТЕРИЙ СТОНЕРА

File Description: text/html

Access URL: http://cyberleninka.ru/article/n/k-voprosu-o-prirode-ferromagnetizma-v-oksidnyh-poluprovodnikah-legirovannyh-3d-elementami
http://cyberleninka.ru/article_covers/15126761.png

Высокотемпературная диэлектрическая релаксация в смесевом магнитоэлектрическом композите 0,9PbZr0,53Ti0,47O3 - 0,1Mn0,4Zn0,6Fe2O4

Source: Вестник Воронежского государственного технического университета.

Subject Terms: ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ РЕЛАКСАЦИЯ, КИСЛОРОДНЫЕ ВАКАНСИИ, ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ, ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОТЕРИ, ПРОВОДИМОСТЬ

File Description: text/html

Access URL: http://cyberleninka.ru/article/n/vysokotemperaturnaya-dielektricheskaya-relaksatsiya-v-smesevom-magnitoelektricheskom-kompozite-0-9pbzr0-53ti0-47o3-0-1mn0-4zn0-6fe2o4
http://cyberleninka.ru/article_covers/14013839.png

Highly efficient photocatalysts based on SnO₂ nanoparticles with variable parameters for environmentally friendly utilisation of synthetic dye mixtures ; Высокоэффективные фотокатализаторы на основе наночастиц SnO₂ с варьируемыми параметрами для экологичной утилизации смесей синтетических красителей

Authors: Скрипкин Евгений Васильевич, Skripkin Evgenij Vasilevic

Contributors: Пулялина Александра Юрьевна, Pulalina Aleksandra Urevna, Подурец Анастасия Александровна, Podurec Anastasia Aleksandrovna

Subject Terms: наночастицы диоксида олова, фотокатализ, кислородные вакансии, органические красители, безотходная очистка, квантово-химические расчеты, SnO2 nanoparticles, oxygen vacancies, photocatalysis, organic dyes, eco-utilization, DFT calculations

Relation: 087709; http://hdl.handle.net/11701/46387

Availability: http://hdl.handle.net/11701/46387

Наноэлектронные устройства с памятью на основе эффекта электромиграции кислородных вакансий в сложных оксидах переходных металлов ; Наноелектронні пристрої з пам'яттю на основі ефекту електроміграції кисневих вакансій у складних оксидах перехідних металів ; Nanoelectronic devices with memory-effect of electromigration of oxygen vacancies in complex oxides of transition metals

Authors: Белоголовский, М. А., Ларкин, С. Ю., Білоголовський, М. А., Ларкін, С. Ю., Belogolovskii, M. A., Larkin, S. Y.

Source: Electronics and Communications : научно-технический журнал, № 2(73)

Subject Terms: нанотехнологии, мемристор, резистивные переключения, сложные оксиды, кислородные вакансии, нанотехнології, резистивні перемикання, складні оксиди, кисневі вакансії, nanotechnology, memristor, resistive switching, complex oxides, oxygen vacancies, 621.382: 539.292

File Description: С. 9-15; application/pdf

Relation: Белоголовский М. А. Наноэлектронные устройства с памятью на основе эффекта электромиграции кислородных вакансий в сложных оксидах переходных металлов / М. А. Белоголовский, С. Ю. Ларкин // Electronics and Communications : научно-технический журнал. – 2013. – № 2(73). – С. 9–15. – Библиогр.: 11 назв.; https://ela.kpi.ua/handle/123456789/3629

Availability: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/3629