Control of Yellow Photoluminescence in AlGaN/GaN Heterostructures ; КОНТРОЛЬ «ЖЕЛТОЙ» ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN/GaN

Authors: N. B. Gladysheva, V. V. Gruzdov, M. E. Gusev, Yu. V. Kolkovskii, Yu. A. Kontsevoi, E. F. Pevtsov, Н. Б. Гладышева, В. В. Груздов, М. Е. Гусев, Ю. В. Колковский, Ю. А. Концевой, Е. Ф. Певцов

Source: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 18, № 2 (2015); 146-148 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 18, № 2 (2015); 146-148 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2015-2

Subject Terms: гетероструктуры AlGaN/GaN/SiC и AlGaN/GaN/Al2O3, rapid photoluminescence control, photoluminescence mapping, AlGaN/GaN/SiC and AlGaN/GaN/Al2O3 heterostructures, «экспересс−контроль» фотолюминесценции, построение «карт» фотолюминесценции

File Description: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/172/161; Suski, T. Mechanism of yellow luminescence in GaN / T. Suski, P. Perlin, H. Teisseyre, M. Leszczyński, I. Grzegory, J. Jun, M. Boćkowski, S. Porowski, T. D. Moustakas // Appl. Phys. Lett. − 1995. − V. 67, N 15. − С. 2188—2190.; Kikkawa, T. High performance and high reliability AlGaN/ GaN HEMTs / T. Kikkawa, K. Makiyama, T. Ohki, M. Kanamura, K. Imanishi, N. Hara, K. Joshin // Phys. status solidi (a). − 2009. − V. 206, Iss. 6, P. 1135—1144. DOI:10.1002/pssa.200880983; Jessen, G. H. Ohmic contact characterization of AlGaN/GaN device layers with spatially localized LEEN spectroscopy / G. H. Jessen, B. D. White, S. T. Bradley, P. E. Smith, L. J. Brillson, J. E. van Nostrand, R. Fitch, G. D. Via, J. K. Gillespie, R. W. Dettmer, J. S. Sewell // Solid−State Electronics. − 2002. − V. 46, Iss. 9. − P. 1427—1431. DOI:10.1016/S0038−1101(02)00075−8; https://met.misis.ru/jour/article/view/172

Availability: https://met.misis.ru/jour/article/view/172
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-2-146-148