Математическое моделирование резистивного переключения в мемристоре на основе полной модели процессов массопереноса кислородных вакансий и ионов ; Mathematical modeling of memristor resistive switching based on mass transfer full model of oxygen vacancies and ions

Συγγραφείς: Ибрагим, А. Х. А., Бусыгин, А. Н., Удовиченко, С. Ю., Ebrahim, A. Kh. A., Busygin, A. N., Udovichenko, S. Yu.

Θεματικοί όροι: мемристор на основе оксида металла, кислородные вакансии и ионы, математическое моделирование, физическая модель массопереноса зарядов, вольт-амперная характеристика, резистивное переключение мемристора, metal oxide memristor, oxygen vacancies and ions, mathematical modeling, physical model of stationary mass transfer of charges, volt-ampere characteristic, resistive switching of the memristor

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: Вестник Тюменского государственного университета. Серия: Физико-математическое моделирование. Нефть, газ, энергетика. – 2022. – Т. 8, № 2(30)

Διαθεσιμότητα: https://elib.utmn.ru/jspui/handle/ru-tsu/18115
https://doi.org/10.21684/2411-7978-2022-8-2-198-214