Computer Modeling of Magnetic Properties of Disordered BCC Phase of Fe100-xMex Alloys (Me = Al, Ga, Ge)

Συγγραφείς: Загребин, Михаил Александрович, Маркович, Иван Алексеевич, Кузнецов, Андрей Сергеевич, Матюнина, Мария Викторовна, Бутаков, Анатолий Владимирович

Πηγή: Mathematics. Mechanics. Physics; Том 17, № 3 (2025); 47-54 ; Математика. Механика. Физика; Том 17, № 3 (2025); 47-54 ; 2409-6547 ; 2075-809Х

Θεματικοί όροι: Fe-based alloys, ab initio calculations, magnetic exchange interaction, Curie temperature, сплавы на основе Fe, первопринципные расчеты, магнитное обменное взаимодействие, температура Кюри

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://vestnik.susu.ru/mmph/article/view/15359/11294; https://vestnik.susu.ru/mmph/article/view/15359

Διαθεσιμότητα: https://vestnik.susu.ru/mmph/article/view/15359
https://doi.org/10.14529/mmph250305

Параметры магнитного обменного взаимодействия и температура Кюри в сплаве Fe75Ga25

Συγγραφείς: Matyunina, M.V., Zagrebin, M.A., Sokolovskiy, V.V., Buchelnikov, V.D.

Θεματικοί όροι: функции Ванье, Wannier functions, сплавы на основе Fe, первопринципные расчеты, температура Кюри, magnetic exchange parameters, Curie temperature, Fe-based alloys, УДК 537.611.2, параметры обменного взаимодействия, first principles calculations

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://dspace.susu.ru/xmlui/handle/00001.74/62828

Межзеренные границы: предсказание атомной структуры, фазовые превращения и влияние на прочность поликристаллов

Συγγραφείς: Mazitov, A., Oganov, A.

Θεματικοί όροι: ФАЗОВЫЕ ПРЕВРАЩЕНИЯ, КОМПЛЕКСИИ МЕЖЗЕРЕННЫХ ГРАНИЦ, AB INITIO CALCULATIONS, PHASE TRANSITIONS, GRAIN BOUNDARIES, GRAIN BOUNDARY COMPLEXIONS, ЭВОЛЮЦИОННЫЙ АЛГОРИТМ, МЕЖЗЕРЕННЫЕ ГРАНИЦЫ, CRYSTAL STRUCTURE PREDICTION, EVOLUTIONARY ALGORITHM, INTERATOMIC POTENTIALS, МАШИННОЕ ОБУЧЕНИЕ, MACHINE LEARNING, ПЕРВОПРИНЦИПНЫЕ РАСЧЕТЫ, МЕЖАТОМНЫЕ ПОТЕНЦИАЛЫ

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://elar.urfu.ru/handle/10995/119125

Electronic structure and optical properties of Ca2Si films grown on silicon different oriented substrates and calculated from first principles

Συγγραφείς: Galkin, Konstantin, Kropachev, Oleg, Maslov, Andrei, Chernev, Igor, Subbotin, Evgenii, Galkin, Nikolay, Alekseev, Aleksey, Migas, Dmitri

Πηγή: St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics, Vol 15, Iss 3.1 (2022)

Θεματικοί όροι: Ca2 Si films, оптические функции, Physics, QC1-999, optical functions, energy band structure, ab initio calculations, зонная структура, первопринципные расчеты, ca2 si films, silicon, Ca2Si films, кремний, пленки Ca2 Si, QA1-939, метод выращивания, growth method, публикации ученых, Mathematics

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://doaj.org/article/3335a83719bb467d9578789644ad6958

Numerical Study of Mechanical Properties of Nanoparticles of β-Type Ti-Nb Alloy under Conditions Identical to Laser Sintering. Multilevel Approach

Συγγραφείς: A. V. Ponomareva, A. Yu. Nikonov, Andrey I. Dmitriev, A. M. Zharmukhambetova

Πηγή: Physical Mesomechanics. 2018. Vol. 21, № 1. P. 43-51

Θεματικοί όροι: упругие свойства, ЛАЗЕРНОЕ СПЕКАНИЕ, МОЛЕКУЛЯРНАЯ ДИНАМИКА, ADHESION PROPERTIES, 01 natural sciences, адгезионные свойства, ELASTIC PROPERTIES, УПРУГИЕ СВОЙСТВА, TITANIUM ALLOYS, ТИТАНОВЫЕ СПЛАВЫ, 0103 physical sciences, титановые сплавы, MOLECULAR DYNAMICS, лазерное спекание, молекулярная динамика, LASER SINTERING, ПЕРВОПРИНЦИПНЫЕ РАСЧЕТЫ, АДГЕЗИОННЫЕ СВОЙСТВА, FIRST PRINCIPLES CALCULATIONS

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://link.springer.com/article/10.1134/S102995991801006X/fulltext.html
https://link.springer.com/content/pdf/10.1134/S1029959918030128.pdf
https://link.springer.com/article/10.1134/S102995991801006X
https://cyberleninka.ru/article/n/numerical-study-of-mechanical-properties-of-nanoparticles-of-type-ti-nb-alloy-under-conditions-identical-to-laser-sintering-multilevel
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000628559

Численное моделирование физико-механических свойств сплава системы Ti-Nb медицинского назначения

Συγγραφείς: Саядян, Артем Каренович

Συνεισφορές: Грубова, Ирина Юрьевна

Θεματικοί όροι: ниобий, низкомодульные сплавы, первопринципные расчеты, механические свойства, сплавы титана, биосовместимость, TI-NB, low-modulus alloys, ab initio calculations, mechanical properties, titanium alloys, biocompatibility, 03.03.02, 669.293.018:669.295.5:519.876:615.4

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/71072

Διαθεσιμότητα: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/71072

Effect of diameter on lattice thermal conductivity of α-FeSi2 and ε-FeSi nanowires

Συγγραφείς: Balagan, Semyon, Galkin, Nikolay

Θεματικοί όροι: ab initio calculation, теплопроводность, nanowires, первопринципные расчеты, silicon, Fe silicides, thermal conductivity, силициды Fe, нанопроволоки, кремний

The quest for direct band beta iron disilicide: collaboration of theoretical and experimental approaches

Συγγραφείς: Balagan, Semyon, Shevlyagin, Alexander

Θεματικοί όροι: ab initio calculation, бета дисилицид Fe, первопринципные расчеты, silicon, beta Fe disilicide, кремний

Ab initio investigations of the electron-phonon interaction in the indium selenides

Πηγή: Scientific Herald of Uzhhorod University.Series Physics; Том 46 (2019); 40-47
Научный вестник Ужгородского университета. Серия Физика; Том 46 (2019); 40-47
Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика; Том 46 (2019); 40-47

Θεματικοί όροι: Селеніди індію, Електрон-фононна взаємодія, Першопринципні розрахунки, Спектральна функція Еліашберга, Селениды индия, Электрон-фононное взаимодействие, Первопринципные расчеты, Спектральная функция Элиашберга, Indium selenides, Electron-phonon interaction, first principles calculations, Eliashberg spectral function, 538.9

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://fizyka-visnyk.uzhnu.edu.ua/article/view/206976

MOLECULAR DYNAMIC MODELING OF THE INITIAL STAGES OF Si(111) SURFACE NITRIDIZATION IN NH₃ ATMOSPHERE ; МОЛЕКУЛЯРНО–ДИНАМИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ НАЧАЛЬНЫХ ЭТАПОВ ПРОЦЕССА НИТРИДИЗАЦИИ ПОВЕРХНОСТИ Si(111) В Атмосфере NH₃

Συγγραφείς: K. K. Abgaryan, Yu. G. Evtushenko, I. V. Mutigullin, S. I. Uvarov, К. К. Абгарян, Ю. Г. Евтушенко, И. В. Мутигуллин, С. И. Уваров

Συνεισφορές: Russian Scientific Foundation (Project No. 14–11–00782), Российский научный фонд (№ 14−11−00782 )

Πηγή: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 18, № 4 (2015); 267-272 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 18, № 4 (2015); 267-272 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2015-4

Θεματικοί όροι: нитридизация, first principles calculations, silicon, ammonia, nitridization, molecular dynamics, первопринципные расчеты, потенциал межатомного взаимодействия, кремний, аммиак

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/225/190; Abgaryan, K. K. The simulation of the nitridation of the sapphire surface (001) / K. Abgaryan, D. Bazanov, I. Mutigillin // Mater. XXI Internat. Conf. «Interaction of ions with the surface» (ISI−2013). − Yaroslavl, 2013. − V. 2. − P. 99—103.; Абгарян, К. К. Исследование адсорбции атомарного азота на поверхности Al2O3 (0001) / К. К. Абгарян, Д. И. Бажанов, И. В. Мутигуллин // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. − 2013. − № 1. − С. 80—85. DOI:10.7868/ S0207352813010022; Hohenberg, P. Inhomogeneous electron gas / P. Hohenberg, W. Kohn // Phys. Rev. − 1964. − V. 136. − P. B864. DOI:10.1103/PhysRev.136.B864; Kohn, W. Self−consistent equations including exchange and correlation effects / W. Kohn, L. J. Sham // Phys. Rev. − 1965. − V. 140. − P. A1133−A1138. DOI:10.1103/PhysRev.140.A1133; Мансуров, В. Г. Образование упорядоченной фазы (88) SiN и аморфной фазы Si3N4 на поверхности (111)Si в потоке аммиака / В. Г. Мансуров, Ю. Г. Галицын, Т. В. Малин, К. С. Журавлев // Тез. докл. XII Российской конференции по физике полупроводников. − М. : Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, 2015. − C. 456.; Wang, X.−S. Nitridation of Si(111) / X.−S. Wang, G. Zhai, J.−S. Yang, L. Wang, Y. Hu, Z. Li, J. C. Tang, K. K. Fung, N. Cue // Surf. Sci. − 2001. − V. 494, N 2. − P. 83—94. DOI:10.1016/S00396028(01)01409-1; Абгарян, К. К. Применение оптимизационных методов для решения задач параметрической идентификации потенциалов межатомного взаимодействия / К. К. Абгарян, М. А. Посыпкин // Ж. вычисл. матем. и матем. физ. − 2014. − Т. 54, № 12. − С. 1994— 2001.; Абгарян, К. К. Математическое моделирование процессов формирования кластеров точечных дефектов на базе молекулярно−динамического подхода / К. К. Абгарян, О. В. Володина, С. И. Уваров // Известия вузов. Материалы электрон. техники. − 2015. − Т. 18, № 1. − С. 31—42. DOI:10.17073/1609-35772015-1-37-42; Евтушенко Ю. Г. Параллельный поиск глобального экстремума функций многих переменных / Ю. Г. Евтушенко, В. У. Малкова, А. А. Станевичюс // Ж. вычисл. матем. и матем. физ. − 2009. − Т. 49, № 2. − С. 255—269.; Tersoff, J. Empirical interatomic potential for silicon with improved elastic properties / J. Tersoff // Phys. Rev. B. − 1988. − V. 38, iss. 14. − P. 9902—9905. DOI:10.1103/PhysRevB.38.9902; VASP. http://cms.mpi.univie.ac.at/vasp/; Евтушенко, Ю. Г. Оптимизация и быстрое автоматическое дифференцирование / Ю. Г. Евтушенко. − Препринт ВЦ РАН, 2013. − 144 с.; Panteleev, A. V. Optimization methods in examples and tasks / A. V. Panteleev, T. A. Letova − Moscow : Heigh school, 2005. − 544 p.; Powell, D. Elasticity, lattice dynamics and parameterisation techniques for the Tersoff potential applied to elemental and type III−V semiconductors: Ph.D. thesis / D. Powell. − University of Sheffield, 2006.; Зализняк, В. Е. Основы вычислительной физики. Ч. 2. Введение в метод частиц / В. Е. Зализняк. − М.; Ижевск: НИЦ «Регулярная и хаотическая динамика»; Институт компьютерных исследований, 2006. − С. 26—45.; Кривцов, А. М. Метод частиц и его использование в механике деформируемого твердого тела / А. М. Кривцов, Н. В. Кривцова // Дальневосточный математический журнал ДВО РАН. − 2002. − Т. 3, № 2. − С. 254—276.; https://met.misis.ru/jour/article/view/225

Διαθεσιμότητα: https://met.misis.ru/jour/article/view/225
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-4-267-272

Межзеренные границы: предсказание атомной структуры, фазовые превращения и влияние на прочность поликристаллов ; Grain Boundaries: Atomic Structure Prediction, Phase Transitions and Effect on Strength of Polycrystals

Συγγραφείς: Мазитов, А. Б., Оганов, А. Р., Mazitov, A., Oganov, A.

Θεματικοί όροι: МЕЖЗЕРЕННЫЕ ГРАНИЦЫ, ЭВОЛЮЦИОННЫЙ АЛГОРИТМ, МЕЖАТОМНЫЕ ПОТЕНЦИАЛЫ, МАШИННОЕ ОБУЧЕНИЕ, ПЕРВОПРИНЦИПНЫЕ РАСЧЕТЫ, ФАЗОВЫЕ ПРЕВРАЩЕНИЯ, КОМПЛЕКСИИ МЕЖЗЕРЕННЫХ ГРАНИЦ, GRAIN BOUNDARIES, EVOLUTIONARY ALGORITHM, CRYSTAL STRUCTURE PREDICTION, INTERATOMIC POTENTIALS, MACHINE LEARNING, AB INITIO CALCULATIONS, PHASE TRANSITIONS, GRAIN BOUNDARY COMPLEXIONS

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: XXI международная научно-техническая Уральская школа-семинар металловедов-молодых ученых. — Екатеринбург, 2022; http://elar.urfu.ru/handle/10995/119125

Διαθεσιμότητα: http://elar.urfu.ru/handle/10995/119125

ПЕРВОПРИНЦИПНЫЕ РАСЧЕТЫ ФОНОННЫХ СПЕКТРОВ КРИСТАЛЛОВ ХАЛЬКОПИРИТА CuAlS2 И CuAlSe2

Θεματικοί όροι: первопринципные расчеты, динамика решетки, фононные спектры, халькопирит

Диффузия водорода в альфа-фазе титана: расчеты из первых принципов

Συγγραφείς: Ши, Юй

Συνεισφορές: Святкин, Леонид Александрович

Θεματικοί όροι: система титан-водород, первопринципные расчеты, теплота образования, диффузия водорода, коэффициент диффузии, titanium-hydrogen system, first-principles calculations, heat of formation, diffusion of hydrogen, diffusion coefficient, 03.03.02, 669.295:669.788.019.234

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/47567

Διαθεσιμότητα: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/47567

Диффузия водорода в палладии: рас-четы из первых принципов

Συγγραφείς: Е, Даньдань

Συνεισφορές: Святкин, Леонид Александрович

Θεματικοί όροι: палладий, водород, первопринципные расчеты, параметр решётки, диффузионный барьер, коэффициент диффузии, palladium, hydrogen, first-principles calculations, lattice parameter, diffusion barrier, diffusion coefficient, 03.03.02, 669.234:669.788:544.034

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/47508

Διαθεσιμότητα: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/47508

Ultrathin Cr and Fe monosilicides on Si(111) substrate: formation, optical and thermoelectrical properties

Συγγραφείς: Galkin, Konstantin, Chernev, Igor, Subbotin, Evgenii, Maslov, Andrei, Kropachev, Oleg, Goroshko, Dmitrii, Balagan, Semyon, Argunov, Efim, Gutakovsky, Anton

Θεματικοί όροι: crystal structure, ab initio calculation, теплопроводность, оптические функции, optical functions, первопринципные расчеты, silicon, power factor, фактор мощности, 7. Clean energy, thermoelectric properties, кремний, ультратонкие пленки, Cr and Fe monosilicides, моносилициды Cr и Fe, ultrathin films, thermal conductivity, термоэлектрические свойства, кристаллическая структура

ПЕРВОПРИНЦИПНЫЕ РАСЧЕТЫ ОБМЕННОГО ИНТЕГРАЛА СИСТЕМЫ CO/CU(100)

Συγγραφείς: МАМОНОВА М.В., АНДРИЯНОВ Н.С.

Θεματικοί όροι: ПЕРВОПРИНЦИПНЫЕ РАСЧЕТЫ,УЛЬТРАТОНКИЕ ПЛЕНКИ,ОБМЕННЫЙ ИНТЕГРАЛ,МЕЖСЛОЕВАЯ РЕЛАКСАЦИЯ,AB INITIO CALCULATIONS,ULTRATHIN FILMS,THE EXCHANGE INTEGRAL,INTERLAYER RELAXATION

Περιγραφή αρχείου: text/html

Διαθεσιμότητα: http://cyberleninka.ru/article/n/pervoprintsipnye-raschety-obmennogo-integrala-sistemy-co-cu-100
http://cyberleninka.ru/article_covers/16906011.png

Атомная и электронная структуры системы никель-водород: расчеты из первых принципов

Συγγραφείς: У Мэняо

Συνεισφορές: Святкин, Леонид Александрович

Θεματικοί όροι: никель, водород, первопринципные расчеты, атомная структура, плотность валентного заряда, nickel, hydrogen, first-principle calculations, atomic structure, valence charge density, 03.03.02, 66.243:539.1:544.16

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/39345

Διαθεσιμότητα: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/39345

Study of Optimization Options for Second Generation Solar Cell Materials by Multilevel Modeling ; ИССЛЕДОВАНИЕ ПУТЕЙ ОПТИМИЗАЦИИ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ СОЛНЕЧНЫХ БАТАРЕЙ ВТОРОГО ПОКОЛЕНИЯ МЕТОДОМ МНОГОУРОВНЕВОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ

Συγγραφείς: D. N. Krasikov, A. A. Knizhnik, A. V. Gavrikov, B. V. Potapkin, Д. Н. Красиков, А. В. Книжник, А. В. Гавриков, Б. В. Потапкин

Πηγή: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 18, № 1 (2015); 43-47 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 18, № 1 (2015); 43-47 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; undefined

Θεματικοί όροι: солнечные элементы, кинетический метод Монте–Карло, первопринципные расчеты, квазихимическая модель дефектов, II–VI полупроводники, дефекты в кристаллах

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/154/146; Green, M. A. Solar cell efficiency tables (version 42) / M. A. Green, K. Emery, Y. Hishikawa, W. Warta, E. D. Dunlop // ProgressinPhotovoltaicsResearchandApplications.−2013.−V. 21. − P. 827—837.; Perdew,J.P.Generalizedgradientapproximationmadesimple / J. P. Perdew, K. Burke, M. Ernzerhof // Phys. Rev. Lett. − 1996. − V. 77, N 18. − P. 3865—3868.; Kohn,W.Self−consistentequationsincludingexchangeand correlation effects / W. Kohn, L. J. Sham // Phys. Rev. A. − 1965. − V. 140, N 4. − P. 1133—1138.; Blöchl, P. E. Projector augmented−wave method / P. E. Blöchl // Phys. Rev. B. − 1994. − V. 50, N 4. − P. 17953—17979.; Kresse, G. Efficient iterative schemes for ab initio total− energy calculations using a plane−wave basis set / G. Kresse, J. Furthmuller // Phys. Rev. B. − 1996. − V. 54. − P. 11169—11186.; Brebrick, R. High temperature thermodynamic data for CdTe(c) / R. Brebrick // J. Phase Equilibria and Diffusion. − 2010. − V. 31, N 3. − P. 260—269.; Krukau,A.V.Influenceoftheexchangescreeningparameter on the performance of screened hybrid functionals / A. V. Krukau, O. A. Vydrov, A. F. Izmaylov, G. E. Scuseria // J. Chemi. Phys. − 2006. − V. 125. − P. 224106.; Grill, R. Point defects and diffusion in cadmium telluride / R. Grill, A. Zappettini // Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials. − 2004. − V. 48/49. − P. 209—244.; Krasikov, D. Why shallow defect levels alone do not cause high resistivity in CdTe / D. Krasikov, A. Knizhnik, B. Potapkin, T. Sommerer // Semiconductor Science and Technology. − 2013. − V. 28. − P. 125019.; Franc, J. Galvanomagnetic properties of CdTe below and above the melting point / J. Franc, P. Höschl, R. Grill, L. Turjanska, E. Belas, P. Moravec // J. Electronic Materials. − 2001. − V. 30, N 6. − P. 595—602.; Grill, R. Chemical diffusion in CdTe : Cl / R. Grill, B. Nahlovskyy, E. Belas, M. Bugar, P. Moravec, P. Höschl // Semiconductor Science and Technology. − 2010. − V. 25. − P. 045019.; Popovych,V.D.Theeffectofchlorinedopingconcentration on the quality of CdTe single crystals grown by the modified physical vapor transport method / V. D. Popovych, I. S. Virt, F. F. Sizov, V. V. Tetyorkin,Z.F.Tsybrii(Ivasiv),L.O.Darchuk,O.A.Parfenjuk, M. I. Ilashchuk // J. Cryst. Growth. − 2007. − V. 308. − P. 63—70.; Shin, H.−Y. Temperature−gradient−solution grown CdTe crystals for γ−ray detectors / H.−Y. Shin, C.−Y. Sun // J. Cryst. Growth. − 1998. − V. 186. − P. 67—78.; https://met.misis.ru/jour/article/view/154

Διαθεσιμότητα: https://met.misis.ru/jour/article/view/154
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-1-43-47

Theoretical Investigation of Electronic and Structural Properties of AlN Thin Films ; ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ И ГЕОМЕТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ТОНКИХ ПЛЕНОК AlN

Συγγραφείς: K. K. Abgaryan, D. I. Bazhanov, I. V. Mutigullin, К. К. Абгарян, Д. И. Бажанов, И. В. Мутигуллин

Πηγή: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 18, № 1 (2015); 48-51 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 18, № 1 (2015); 48-51 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; undefined

Θεματικοί όροι: первопринципные расчеты, semiconductor heterostructures, first principles calculations, полупроводниковые гетероструктуры

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/155/147; Абгарян,К.К.Применениеоптимизационныхметодовдля моделирования многослойных полупроводниковых наносистем / К. К. Абгарян // Тр. Ин−та системного анализа Рос. акад. наук. Динамика неоднородных систем. − 2010. − Т. 53(3).; Meng,W.J.GrowthofaluminumnitridethinfilmsonSi(111) and Si(001): Structural characteristics and development of intrinsic stress / W. J. Meng, J. A. Sell, T. A. Perry, L. E. Rehn, P. M. Baldo // J. Appl. Phys. − 1994. − V. 75. − P. 3446—3456.; Blöchl, P. E. Projector augmented−wave method / P. E. Blöchl // Phys. Rev. − 1994. − V. 50, N 24. − P. 17953—17979.; Kresse, G. Efficient iterative schemes for ab initio total− energy calculations using a plane−wave basis set / G. Kresse, J. Furthmuller // Phys. Rev. B. − 1996. − V. 54. − P. 11169—11186.; Monkhorst,H.SpecialpointsforBrillouin−zoneintegrations / H. Monkhorst, J. Pack // Phys. Rev. B. −1976. − V. 13. − P. 5188.; Kukushkin, S. A. Substrates for epitaxy of gallium nitride: new materials and techniques / S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, V. N. Bessolov, B. K. Medvedev, V. K. Nevolin, K. A. Tcarik // Rev. Adv. Mater. Sci. − 2008. − V. 17. − P. 1—32.; Litvinov,D.Transmissionelectronmicroscopyinvestigation of AlN growth on Si(111) / D. Litvinov, D. Gerthsen, R. Vöhringer, D. Z. Hu, D. M. Schaadt // J. Cryst. Growth. − 2012. − V. 338. − P. 283—290.; Batyrev,I.AbinitiocalculationsontheAl2O3(0001)surface/ I.Batyrev,A.Alavi,M.W.Finnis//FaradayDiscuss.−1999−V. 114. − P. 33—43.; Holec,D.SurfaceenergiesofAlNallotropesfromfirstprinciples/D.Holec,P.H.Mayrhofer//ScriptaMaterialia.−2012.−V. 67. − P. 760—762.; Zhu,D.Low−costhigh−efficiencyGaNLEDonlarge−area Si substrate / D. Zhu, C. J. Humphreys // Proc. CS MANTECH Conf. − New Orleans (Louisiana, USA), 2013. − P. 269—272.; https://met.misis.ru/jour/article/view/155

Διαθεσιμότητα: https://met.misis.ru/jour/article/view/155
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-1-48-51

Mathematical Modeling of Point Defect Cluster Formation in Silicon Based on Molecular Dynamic Approach ; МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ КЛАСТЕРОВ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ НА БАЗЕ МОЛЕКУЛЯРНО–ДИНАМИЧЕСКОГО ПОДХОДА

Συγγραφείς: K. K. Abgaryan, O. V. Volodina, S. I. Uvarov, К. К. Абгарян, О. В. Володина, С. И. Уваров

Πηγή: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 18, № 1 (2015); 37-42 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 18, № 1 (2015); 37-42 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; undefined

Θεματικοί όροι: дефекты в кристаллах, molecular dinamic, first principles calculations, сlasters of point defects, III−V semiconductors, defects in crystals, молекулярно− динамический подход, первопринципные расчеты, потенциал межатомного взаимодействия, кластеры точечных дефектов, III—V полупроводники

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/153/145; Fedina,L.I.Electronmicroscopydataforthresholdenergyof point defect creation in silicon. / L. I. Fedina, A. L. Aseev, S. G. Denisenko, L. S. Smirnov // Materials Science Forum: Defects in Semiconductors. Edit. by H. J. Bardeleben. 1986. V. 10−12. − P. 1123—1128.; Aseev, A. L. Clusters of interstitial atoms in silicon and germanium / A. L. Aseev, L. I. Fedina, D. Hoehl, H. Barsch. − Berlin : Acad. Verlag, 1994. − 152 p.; Fedina,L.TheintrinsicpointdefectclusteringinSi:Astudy by HVEM and HREM in situ electron irradiation / L. Fedina, A. Gutakovskii, A. Aseev, J. Van Landuyt, J. Vanhellemont. − Novosibirsk : Kluwer Intern. Publish, 1997. − P. 63—92.; Al−Mushadani, O. K. Free−energy calculations of intrinsic point defects in silicon / O. K. Al−Mushadani, R. J. Needs // Phys. Rev. B. − 2003. − V. 68, iss. 23. − P. 235205.; Goedecker, S. A fourfold coordinated point defect in silicon / S. Goedecker, T. Deutsch, L. Billard // Phys. Rev. Lett. − 2002. − V. 88. − P. 235501.; Hohenberg, P. Inhomogeneous electron gas / P. Hohenberg, W. Kohn // Phys. Rev. B. − 1964. − V. 136, iss. 3. – P. B864.; Kohn, W. Self−consistent equations including exchange and correlationeffects/W.Kohn,L.J.Sham//Phys.Rev.−1965.−V. 140. − P. A1133—A1138.; Tang,M.Intrinsicpointdefectsincrystallinesilicon:Tight− binding molecular dynamics studies of self−diffusion, interstitial− vacancy recombination and formation volumes / M. Tang, L. Colombo, J. Zhu, T. Diaz de la Rubia // Phys. Rev. B. − 1997. − V. 55, iss. 21. − P. 14279—14289.; Fedina, L. I. Extended defects formation in Si crystals by clustering of intrinsic point defects studied by in−situ electron irradiation in an HREM / L. I. Fedina, A. K. Gutakovskii, L. A. Aseev, J. van Landuyt, J. Vanhellemont // Phys. status solidi (a). − 1999. − V. 171, iss. 1. − P. 147—157.; Fedina, L. I. Precision measurements of nanostructure parameters / L. I. Fedina, D. V. Sheglov, A. K. Gutakovskii, S. S. Kosolobov, A. V. Latyshev // Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. −2010. −V. 46, N 4. − P. 301—311.; Watkins, G. D. In radiation effects in semiconductors / G. D. Watkins. − N. Y. : Plenum Press Inc., 1968. − P. 67; VASP—http://cms.mpi.univie.ac.at/vasp/; Abgaryan, K. K. Optimization methods as applied to parametric identification of interatomic potentials / K. K. Abgaryan, M. A. Posypkin // Computational Mathematics and Mathematical Physics. − 2014. − V. 54, N 12. − P. 1994—2001.; Tersoff, J. Empirical interatomic potential for silicon with improvedelasticproperties/J.Tersoff//Phys.Rev.B.−1988.−V. 38. − P. 9902—9905.; Абгарян, К. К. Программный комплекс для решения задач параметрической идентификации потенциалов межатомного взаимодействия / К. К. Абгарян, М. А. Посыпкин // Internat. J. Open Information Technologies. − 2014. − No 10. − C. 14—20.; Хук,P.Прямойпоискрешениядлячисловыхистатических проблем / P. Хук, Т. А. Дживс. − M. : Мир, 1961. − С. 212—219.; Powell,D.Elasticity,latticedynamicsandparameterisation techniques for the Tersoff potential applied to elemental and type III—V semiconductors : dis. − University of Sheffield, 2006.; Абгарян, К. К. Применение параллельных вычислений и метода молекулярной динамики для моделирования роста многослойных полупроводниковых наноструктур / К. К. Абгарян, Н. В. Быков, И. В. Мутигуллин // Материалы IX Междунар. конф. по неравновесным процессам в соплах и струях (NPNJ 2012). − М. : Изд−во МАИ, 2012. − С. 457—459.; Haile, J. M. Molecular dynamics simulation. elementary methods / J. M. Haile. − N. Y.; Chichester; Brisbane; Toronto; Singapore : J. Wiley ans Sons Inc., 1992. − 505 p.; Rapaport, D. C. The art of molecular dynamics simulation / D. C. Rapaport. − Cambridge : Cambridge University Press, 1995. − 565 p.; Супрядкина, И. А. Теоретическое исследование ионно− индуцированных точечных дефектов и их комплексов в кремнии / И. А. Супрядкина, К. К. Абгарян, Д. И. Бажанов, И. В. Мутигуллин, Л. И. Федина / Материалы междунар. конф. ВИП. − Ярославль, 2013. − Т. 1. − С. 204—206.; https://met.misis.ru/jour/article/view/153

Διαθεσιμότητα: https://met.misis.ru/jour/article/view/153
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-1-37-42