FEATURES of VOLT-FARAD DEPENDENCE OF NONIDEAL HETEROJUNCTIONS BARRIER CAPACITY

Συγγραφείς: Borschak, V. A., Kutalova, M. I., Zatovskaya, N. P., Vilinskaya, L. N., Karpenko, A. O.

Πηγή: Photoelectronics; No. 25 (2016); 109-113
Photoelectronics; № 25 (2016); 109-113

Θεματικοί όροι: стрибкова провідність, volt-farad characteristic, вольт-фарадная характеристика, nonideal heterojunctin, неидеальный гетеропереход, вольт-фарадна характеристика, прыжковая проводимость, неідеальний гетероперехід

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://photoelectronics.onu.edu.ua/article/view/157643

INVESTIGATION OF CHEMICAL AND PHASE COMPOSITION OF CdS-Cu2S SENSORIC LAYERS

Συγγραφείς: V. A. Borschak, Iе. V. Brytavskyi, M. I. Kutalova

Πηγή: Photoelectronics; № 24 (2015); 72-76

Θεματικοί όροι: nonideal heterojunction, image sensor, phase composition, XRD, неидеальный гетеропереход, сенсор зображений, фазовый состав, рентгеноструктурный анализ, неідеальний гетероперехід, сенсор зображень, фазовий склад, рентгеноструктурний аналіз

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://photoelectronics.onu.edu.ua/article/view/158110

CdS-Cu2 S HETEROJUNCTION BARRIER PROPERTIES CHARACTERIZATION BY BELIV

Πηγή: Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 10, № 3 (2013); 82-87
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 10, № 3 (2013); 82-87
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 10, № 3 (2013); 82-87

Θεματικοί όροι: методика BELIV, неідеальний гетероперехід, сенсор зображень, неидеальный гетеропереход, сенсор изображений, BELIV methodic, nonideal heterojunction, image sensor

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://semst.onu.edu.ua/article/view/110464

EXPERIMENTAL INVESTIGATIONS OF THE OPEN-CIRCUIT EMF OF THE IMAGE SENSOR ON THE BASIS OF NONIDEAL HETEROJUNCTION CdS-Cu2 S

Πηγή: Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 9, № 1 (2012); 42-47
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 9, № 1 (2012); 42-47
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 9, № 1 (2012); 42-47

Θεματικοί όροι: сенсор, неідеальний гетероперехід, туннельно-стрибковий механізм струмопереносу, неидеальный гетеропереход, туннельно-прыжковый механизм токопереноса, sensor, nonideal heterojunction, tunnel jumping current carry

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://semst.onu.edu.ua/article/view/112796