Electrically Tunable In-Plane Anisotropic Magnetoresistance in Topological Insulator BiSbTeSe2 Nanodevices

Συγγραφείς: Shun-Qing Shen, Yoshiyuki Kawazoe, Soon Khuen Cho, Sergey V. Eremeev, Azat Sulaev, Yuan Ping Feng, Lan Wang, Minggang Zeng, Weiguang Zhu, Lei Shen

Συνεισφορές: Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики металлов

Πηγή: Nano letters. 2015. Vol. 15, № 3. P. 2061-2066

Θεματικοί όροι: магнитные поля, магнетосопротивление анизотропное, 0103 physical sciences, топологические изоляторы, 02 engineering and technology, 0210 nano-technology, 01 natural sciences

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/25665017
https://pubs.acs.org/doi/10.1021/nl504956s
https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/nl504956s
http://ui.adsabs.harvard.edu/abs/2015NanoL..15.2061S/abstract
https://hub.hku.hk/handle/10722/211913
https://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/25665017
https://core.ac.uk/display/32234190
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000525709
http://hdl.handle.net/10722/211913