-
1Academic Journal
Συγγραφείς: A. V. Voitsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh, А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух
Συνεισφορές: Работа выполнена в рамках реализации ФЦП «Научные и научно
Πηγή: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; № 1 (2013); 38-45 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; № 1 (2013); 38-45 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2013-1
Θεματικοί όροι: гетероэпитаксиальная структура, mercury cadmium telluride, composition, graded− gap layer, теллурид кадмия ртути, состав, варизонный слой, барьерный слой, потенциальная яма
Περιγραφή αρχείου: application/pdf
Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/36/32; Овсюк, В. Н. Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона. / В. Н. Овсюк, Г. Л. Курышев, Ю. Г. Сидоров и др. – Новосибирск : Наука, 2001. – 376 с.; Войцеховский, А. В. Время жизни носителей заряда в структурах на основе Hg1-xCdxTe (x = 0,22), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии / А. В. Войцеховский, Ю. А. Денисов, А. П. Коханенко, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, В. Т. Либерман, Н. Н. Михайлов, Ю. Г. Сидоров // Физика и техника полупроводников. – 1997. – 7. – С. 774—776.; Войцеховский, А. В. Свойства МДП структур на основе варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, Ю. Г. Сидоров, В. В. Васильев // Там же. – 2008. – № 11. – С. 1327—1332.; Войцеховский, А. В. Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе варизонного n-HgCdTe (x = 0,21-0,23) / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, Ю. Г. Сидоров, В. В. Васильев, Т. И. Захарьяш, Ю. П. Машуков // Изв. вузов. Физика. – 2006. – № 10. – С. 70—80.; Goodwin, M. W. Metal-insulator-semiconductor properties of HgTe—CdTe superlattices» / M. W. Goodwin, M. A. Kinch, R. J. Koestner // J. Vacuum Sci. and Technol. – 1988. – V. 6, Iss. 4. – P. 2685—2692.; Мынбаев, К. Д. Фотолюминесценция наногетероструктур на основе CdHgTe / К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, В. И. Иванов-Омский, А. В. Шиляев, В. С. Варавин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, Ю. Г. Сидоров // Письма в ЖЭТФ. – 2010. – Т. 36, № 23. – С. 70—77.; Пат. 2373606 РФ, МПК H01L 31/0296. Фоточувствительная структура / Ю. Г. Сидоров, С. А. Дворецкий, В. С. Варавин, Н. Н. Михайлов; заявитель и патентообладатель ИФП СО РАН. – № 2008138804/28; Заявл. 29.09.2008; Опубл. 20.11.2009.; Войцеховский, А. В. Фотоэлектрические МДП-структуры из узкозонных полупроводников / А. В. Войцеховский, В. Н. Давыдов. – Томск : Радио и связь, 1990. – 327 с.; Voitsekhovskii, A. Influence of near-surface graded-gap layers on electrical characteristics of MIS-structures based on MBE grown HgCdTe / A. Voitsekhovskii, S. Nesmelov, S. Dzyadukh, V. Varavin, S. Dvoretskii, N. Mikhailov, Y. Sidorov, M. Yakushev // Opto-Electronics Rev. – 2010. – V. 18, N 3. – P. 259—262.; Войцеховский, А. В. Влияние сопротивления объема эпитаксиальной пленки на вольт-фарадные характеристики МДП-ст – № 6. – С. 31—37.; https://met.misis.ru/jour/article/view/36
-
2Dissertation/ Thesis
Συνεισφορές: ELAKPI
Θεματικοί όροι: optic fiber, гетероэпитаксиальная структура, волоконно-оптическая система передачи информации, гетероепітаксійна структура, laser diode, матрица фоточувствительных элементов, газофазная эпитаксия, лазерний діод, матриця фоточутливих елементів, heterostructure, рідиннофазна епітаксія, оптичне волокно, metal organic chemical vapor deposition, газофазна епітаксія, жидкофазная эпитаксия, liquid-phase epitaxy, photodiode, волоконно-оптична система передачі інформації, fiber-optic data transmission system, оптическое волокно, matrix of photosensitive elements, фотодиод, лазерный диод
Περιγραφή αρχείου: application/pdf
Σύνδεσμος πρόσβασης: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/43839
-
3Dissertation/ Thesis
Συγγραφείς: Воронько, Андрій Олександрович
Θεματικοί όροι: гетероепітаксійна структура, рідиннофазна епітаксія, волоконно-оптична система передачі інформації, газофазна епітаксія, лазерний діод, матриця фоточутливих елементів, оптичне волокно, heterostructure, liquid-phase epitaxy, fiber-optic data transmission system, metal organic chemical vapor deposition, laser diode, photodiode, matrix of photosensitive elements, optic fiber, гетероэпитаксиальная структура, жидкофазная эпитаксия, волоконно-оптическая система передачи информации, газофазная эпитаксия, лазерный диод, фотодиод, матрица фоточувствительных элементов, оптическое волокно, 621.382
Περιγραφή αρχείου: 22 с.; application/pdf
Relation: Воронько, А. О. Гетероструктури на основі твердих розчинів А3В5 для волоконно-оптичних систем передачі інформації : автореф. дис. … канд. техн. наук. : 05.27.01 - твердотільна електроніка / Воронько Андрій Олександрович. – Київ, 2021. – 22 с.; https://ela.kpi.ua/handle/123456789/43839
Διαθεσιμότητα: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/43839