Mathematical modelling of tri-layer dielectric OTFT based on pentacene semiconductor for enhancing the electrical characteristics

Συγγραφείς: D. Panghal, R. Yadav

Πηγή: Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики, Vol 23, Iss 3, Pp 473-482 (2024)

Θεματικοί όροι: otft, sio2, pei-ep, pom-h, подвижность, пороговое напряжение, Information technology, T58.5-58.64

Περιγραφή αρχείου: electronic resource

Relation: https://ntv.elpub.ru/jour/article/view/7; https://doaj.org/toc/2226-1494; https://doaj.org/toc/2500-0373

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://doaj.org/article/2aa1287dadb44fec88bdbbb72fae314c

Improvement of approaches to the composition, diagnosis and operation of solar modules under ununiform lighting conditions ; Совершенствование подходов к составлению, диагностике и эксплуатации солнечных модулей в условиях неоднородного освещения

Συγγραφείς: V. V. Zinovev, O. M. Mirsaetov, S. B. Kolesova, O. A. Bartenev, В. В. Зиновьев, О. М. Мирсаетов, С. Б. Колесова, О. A. Бартенев

Πηγή: Alternative Energy and Ecology (ISJAEE); № 2 (2023); 19-26 ; Альтернативная энергетика и экология (ISJAEE); № 2 (2023); 19-26 ; 1608-8298

Θεματικοί όροι: W-функция Ламберта, PV cell, variegated lighting of solar modules, threshold voltage of the reverse I–V characteristic, power losses, bypass diodes, Lambert W-function, фотоэлектрический преобразователь, неоднородное освещение, пороговое напряжение обратной ветви ВАХ, потери мощности, байпасный диод

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://www.isjaee.com/jour/article/view/2199/1795; Возобновляемые источники энергии России: ГИС [Электр. ресурс]. Режим доступа: gisre.ru. Дата обращ.: 01.11.2022.; Энергетическая стратегия Российской Федерации на период до 2035 года [Электр. ресурс]. Режим доступа: minenergo.gov.ru/node/1026. Дата обращ.: 01.11.2022.; Garcia-Sanchez, Francisco & Romero, Beatriz & Lugo, Denise & Del Pozo, Gonzalo & Arredondo, Belen & Liou, Jane & Ortiz-Conde, Adelmo. (2017). Modelling solar cell S-shaped I-V characteristics with DC lumped-parameter equivalent circuits a review. FACTA UNIVERSITATIS Series Electronics and Energetics. 30. 327-350.; Xiankun Gao, Yan Cui, Jianjun Hu, Guangyin Xu, Yongchang Yu. Lambert W-function based exact representation for double diode model of solar cells: Comparison on fitness and parameter extraction. Energy Conversion and Management, Volume 127, 2016, Pages 443-460.; Shu-xian Lun, Shuo Wang, Gui-hong Yang, Ting-ting Guo. A new explicit double-diode modeling method based on Lambert W-function for photovoltaic arrays. Solar Energy, Volume 116, 2015, Pages 69-82.; Bishop, J.W. Computer simulation of the effects of electrical mismatches in photovoltaic cell interconnection circuits // Bishop, J.W. / Solar Cells 25. – 1988. –P. 73-89.; Зиновьев, В.В. Математическая модель фотоэлектрического преобразователя с использованием W-функции Ламберта / В.В. Зиновьев, А.П. Бельтюков, О.А. Бартенев // Известия Института математики и информатики Удмуртского государственного университета. – 2016. – №2 (48). – С. 22-30.; Зиновьев, В.В. Моделирование солнечных преобразователей при неравномерной освещённости / В.В. Зиновьев, О.А. Бартенев, А.П. Бельтюков // Промышленная энергетика. - 2018. - Вып. 7. С. 58-67.; Зиновьев В.В. Диагностика промышленных солнечных модулей в областях прямой и обратной ветвей вольт-амперной характеристики при неоднородном освещении / В.В. Зиновьев, О.А. Бартенев // Промышленная энергетика. – 2020. – № 1. С. 56-62.; Зиновьев В.В. Двухдиодная модель солнечных преобразователей на основе W-функции Ламберта для прямой и обратной ветви вольт-амперной характеристики / В.В. Зиновьев, О.А. Бартенев // Промышленная энергетика. - 2020. - № 12. С. 33-39.; Fertig, Fabian & Rein, Stefan & Schubert, Martin & Warta, Wilhelm. (2011). Impact of junction break-down in multi-crystalline silicon solar cells on hot spot formation and module performance. Conference: 26th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition. 5-9 September 2011, Hamburg, Germany.; Способ составления солнечного модуля из фотоэлектрических преобразователей: заявка 2022128214 Рос. Федерация; приоритет 01.11.2022.; Солнечный модуль с блоком диагностики: заявка 2022128218 Рос. Федерация; приоритет 01.11.2022.; https://www.isjaee.com/jour/article/view/2199

Διαθεσιμότητα: https://www.isjaee.com/jour/article/view/2199
https://doi.org/10.15518/isjaee.2023.02.019-026

ВЛИЯНИЕ ЭФФЕКТИВНОЙ ДЛИНЫ КАНАЛА НА СДВИГ ПОРОГОВОГО НАПРЯЖЕНИЯ И ПЛОТНОСТЬ ПОВЕРХНОСТНОГО СОСТОЯНИЯ: STUDY OF THE INFLUENCE OF THE EFFECTIVE CHANNEL LENGTH ON THE SHIFT OF THE THRESHOLD VOLTAGE AND THE DENSITY OF THE SURFACE STATE DEPENDING ON THE VALVE MATERIAL

Πηγή: Вестник Академии наук Чеченской Республики.

Θεματικοί όροι: деградация, мышьяк, пороговое напряжение, инжекция, горячие носители, длина канала, кремний

Assessment of the Influence of External Factors on the Parameters of Bistable Switching Devices Based on Amorphous Semiconductors ; Оценка влияния внешних факторов на параметры бистабильных переключающих устройств на базе аморфных полупроводников ; ОЦІНЮВАННЯ ВПЛИВУ ЗОВНІШНІХ ФАКТОРІВ НА ПАРАМЕТРИ БІСТАБІЛЬНИХ ПЕРЕМИКАЛЬНИХ ПРИСТРОЇВ НА БАЗІ АМОРФНИХ НАПІВПРОВІДНИКІВ

Συγγραφείς: Кичак, В. М., Вовк, В. Л., Барабан, І. О.

Πηγή: Visnyk of Vinnytsia Politechnical Institute; No. 3 (2021); 113-119 ; Вестник Винницкого политехнического института; № 3 (2021); 113-119 ; Вісник Вінницького політехнічного інституту; № 3 (2021); 113-119 ; 1997-9274 ; 1997-9266 ; 10.31649/1997-9266-2021-156-3

Θεματικοί όροι: radiation resistance, amorphous semiconductors, delay time, mobility of charge carriers, threshold voltage, радиационная стойкость, аморфные полупроводники, время задержки, подвижность носителей заряда, пороговое напряжение, радіаційна стійкість, аморфні напівпровідники, час затримки, рухливість носіїв заряду, порогова напруга

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://visnyk.vntu.edu.ua/index.php/visnyk/article/view/2636/2496; https://visnyk.vntu.edu.ua/index.php/visnyk/article/view/2636

Διαθεσιμότητα: https://visnyk.vntu.edu.ua/index.php/visnyk/article/view/2636
https://doi.org/10.31649/1997-9266-2021-156-3-113-119

Диагностика промышленных солнечных модулей в областях прямой и обратной ветвей вольт-амперной характеристики при неоднородном освещении

Θεματικοί όροι: W-функция Ламберта, байпасные диоды, неоднородное освещение солнечных модулей, цифровое устройство автоматической записи кривой ВАХ, потери мощности, солнечная энергетика, пороговое напряжение обратной ветви ВАХ

СНИЖЕНИЕ ВЛИЯНИЯ ЭФФЕКТОВ ГОРЯЧИХ НОСИТЕЛЕЙ НА ПАРАМЕТРЫ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ: REDUCING THE INFLUENCE OF HOT CARRIERS EFFECTS ON TIR TRANSISTOR PARAMETERS

Πηγή: Вестник Академии наук Чеченской Республики.

Θεματικοί όροι: isolated gate field effect transistors, деградация, МДП-транзистор, азотирование, oxidation, окисление, hot carriers, 7. Clean energy, пороговое напряжение, nitriding, горячие носители, threshold voltage, degradation

Improvement of Radiation Stability of Energy-dependent Storage Devices Based on Chalcogenide Glassy Semiconductors ; Повышение радиационной устойчивости энергонезависимых запоминающих устройств на базе халькогенидных стеклообразных полупроводников ; ПІДВИЩЕННЯ РАДІАЦІЙНОЇ СТІЙКОСТІ ЕНЕРГОНЕЗАЛЕЖНИХ ЗАПАМ’ЯТОВУВАЛЬНИХ ПРИСТРОЇВ НА БАЗІ ХАЛЬКОГЕНІДНИХ СКЛОПОДІБНИХ НАПІВПРОВІДНИКІВ

Συγγραφείς: Кичак, В. М., Слободян, І. В., Вовк, В. Л.

Πηγή: Visnyk of Vinnytsia Politechnical Institute; No. 4 (2019); 116-123 ; Вестник Винницкого политехнического института; № 4 (2019); 116-123 ; Вісник Вінницького політехнічного інституту; № 4 (2019); 116-123 ; 1997-9274 ; 1997-9266 ; 10.31649/1997-9266-2019-145-4

Θεματικοί όροι: chalcogenide glassy semiconductors, radiation stability, dose of irradiation, non-volatile storage, access memory, phase transition, amorphus semiconductors, threshold voltage, physical model of the memory cell, switching delay time, халькогенидные стекловидные полупроводники, радиационная устойчивость, энергонезависимая память, фазовые переходы, аморфные полупроводники, доза облучения, пороговое напряжение, физическая модель ячейки памяти, время задержки переключения, халькогенідні склоподібні напівпровідники, радіаційна стійкість, енергонезалежна пам'ять, фазові переходи, аморфні напівпровідники, доза опромінення, порогова напруга, фізична модель комірки пам’яті, час затримки перемикання

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://visnyk.vntu.edu.ua/index.php/visnyk/article/view/2394/2313; https://visnyk.vntu.edu.ua/index.php/visnyk/article/view/2394

Διαθεσιμότητα: https://visnyk.vntu.edu.ua/index.php/visnyk/article/view/2394
https://doi.org/10.31649/1997-9266-2019-145-4-116-123

IMPROVED PROCESS FLOW FOR FORMATION OF BIPOLAR STATIC INDUCTION TRANSISTOR ; УСОВЕРШЕНСТВОВАННЫЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ МАРШРУТ ФОРМИРОВАНИЯ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА СО СТАТИЧЕСКОЙ ИНДУКЦИЕЙ

Συγγραφείς: N. L. Lagunovich, Н. Л. Лагунович

Πηγή: Science & Technique; Том 17, № 1 (2018); 72-78 ; НАУКА и ТЕХНИКА; Том 17, № 1 (2018); 72-78 ; 2414-0392 ; 2227-1031 ; 10.21122/2227-1031-2018-17-1

Θεματικοί όροι: пороговое напряжение, process flow, physic-topological simulation, device-process simulation, “virtual production”, channel stopper, metal contact, threshold voltage, технологический маршрут, физико-топологическое моделирование, приборно-технологическое моделирование, «виртуальное производство», охранное кольцо, металлический контакт

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://sat.bntu.by/jour/article/view/1317/1236; Дудар, Н. Л. Моделирование кремниевого транзистора со статической индукцией / Н. Л. Дудар // Доклады Белор. гос. ун-та информатики и радиоэлектроники. 2005. № 2 (10). C. 79–85.; Исмаилов, Т. А. Технологическое решение по улучшению параметров кристалла биполярного со статической индукцией транзистора / Т. А. Исмаилов, А. Р. Шахмаева, П. Р. Захарова // Вестник Дагест. гос. техн. ун-та. 2011. Т. 20, № 1. С. 6–11.; Silvaco [Electronic Resource]. Mode of access: http://www.silvaco.com/products/tcad.html.; Компьютерная программа MOD-1D: св-во о гос. рег. № 742 Респ. Беларусь / Н. Л. Лагунович; заявитель ОАО «ИНТЕГРАЛ», № t 20140041; зап. в Реестре, зарегистрированных в Нац. центре интеллект. собств. комп. программ 10.03.2015.; МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов / под ред. П. Антонетти [и др.]: пер. с англ. М.: Радио и связь, 1988. 490 с.; Gummel, H. K. A Self Consistent Iterative Scheme for One-Dimentional Steady State Transistor Calculations / H. K. Gummel // IEEE Trans. Electron. Dev. 1964. Vol. ED-11, No 10. P. 455–465. DOI:10.1109/t-ed.1964.15364.; Польский, Б. С. Численное моделирование полупроводниковых приборов / Б. С. Польский. Рига: Зинатне, 1986. 168 с.; Автоматизация проектирования БИС: в 6 кн. / под ред. Г. Г. Казеннова. М.: Высш. шк., 1990. Кн. 5: Физикотопологическое моделирование структур элементов БИС / В. Я. Кремлев. 144 с.; Нелаев, В. В. Основы САПР в микроэлектронике / В. В. Нелаев, В. Р. Стемпицкий. Минск: БГУИР, 2008. 220 с.; Самарский, А. А. Методы решения сеточных уравнений / А. А. Самарский, Е. С. Николаев. М.: Наука, 1978. 532 с.; https://sat.bntu.by/jour/article/view/1317

Διαθεσιμότητα: https://sat.bntu.by/jour/article/view/1317
https://doi.org/10.21122/2227-1031-2018-17-1-72-78

СООТНОШЕНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ОРГАНИЗМА ЧЕЛОВЕКА ПО НАИБОЛЕЕ ВЕРОЯТНЫМ ПУТЯМ ТОКА

Θεματικοί όροι: electrical current path, threshold current, frequency of current, electrical parameters, пороговый ток, электрические параметры, 7. Clean energy, путь тока, пороговое напряжение, threshold voltage, частота тока

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://research-journal.org/technical/sootnoshenie-elektricheskix-parametrov-organizma-cheloveka-po-naibolee-veroyatnym-putyam-toka/
https://research-journal.org/wp-content/uploads/2018/06/6-1-72.pdf#page=33
https://cyberleninka.ru/article/n/sootnoshenie-elektricheskih-parametrov-organizma-cheloveka-po-naibolee-veroyatnym-putyam-toka

Акустический скважинный глубиномер

Συγγραφείς: Терентьева, Оксана Юрьевна

Συνεισφορές: Шульгина, Юлия Викторовна

Θεματικοί όροι: акустический глубиномер, эхо-импульс, глубина скважины, двухчастотный метод прихода импульса, пороговое напряжение компаратора, acoustic depth gauge, echo-pulse, hole depth, dual-frequency sensing method, comparator threshold voltage, 11.03.04, 622.016.25:531.719.35.082.4

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: Терентьева О. Ю. Акустический скважинный глубиномер : бакалаврская работа / О. Ю. Терентьева; Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Инженерная школа неразрушающего контроля и безопасности (ИШНКБ), Отделение электронной инженерии (ОЭИ); науч. рук. Ю. В. Шульгина. — Томск, 2018.; http://earchive.tpu.ru/handle/11683/48917

Διαθεσιμότητα: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/48917

АППРОКСИМАЦИЯ ТЕМПЕРАТУРНЫХ ЗАВИСИМОСТЕЙ ОСНОВНЫХ ПАРАМЕТРОВ МОП-ТРАНЗИСТОРОВ ДЛЯ ИНЖЕНЕРНЫХ ПРИЛОЖЕНИЙ

Συγγραφείς: Пилипенко, А.

Θεματικοί όροι: МОП-ТРАНЗИСТОР, УДЕЛЬНАЯ КРУТИЗНА, ПОРОГОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ, ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ, АППРОКСИМАЦИЯ, КРИОГЕННЫЕ ТЕМПЕРАТУРЫ

Περιγραφή αρχείου: text/html

Διαθεσιμότητα: http://cyberleninka.ru/article/n/approksimatsiya-temperaturnyh-zavisimostey-osnovnyh-parametrov-mop-tranzistorov-dlya-inzhenernyh-prilozheniy
http://cyberleninka.ru/article_covers/15739416.png

МОДЕЛИРОВАНИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛА В РАБОЧЕЙ ОБЛАСТИ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА СО СТРУКТУРОЙ «ГЕРМАНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ»: АНАЛИТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ И ЕЕ ПРИЛОЖЕНИЯ

Συγγραφείς: Масальский, Н.

Θεματικοί όροι: СТРУКТУРА «ГЕРМАНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ»,ДВУХЗАТВОРНЫЙ ПОЛЕВОЙ НАНОТРАНЗИСТОР,АНАЛИТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ,РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ПОТЕНЦИАЛА,ПОРОГОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ,ПОДПОРОГОВЫЙ НАКЛОН, structure "germanium on an insulator", double gate field nanotransistor, analytical model, potential distribution, threshold voltage, subthreshold slope

Περιγραφή αρχείου: text/html

Διαθεσιμότητα: http://cyberleninka.ru/article/n/modelirovanie-raspredeleniya-potentsiala-v-rabochey-oblasti-polevogo-tranzistora-so-strukturoy-germaniy-na-izolyatore-analiticheskaya
http://cyberleninka.ru/article_covers/15735349.png

ІОН-СЕЛЕКТИВНІ ПОЛЬОВІ ТРАНЗИСТОРИ РОЗРАХУНОК ПОРОГОВОЇ НАПРУГИ

Συγγραφείς: Прищепа, М., Лозовий, С.

Θεματικοί όροι: ion-selective field-effect transistor(ISFET), ион-селективный полевой транзистор (ИСПТ), ионный состав раствора, пороговое напряжение, іон-селективний польовий транзистор (ІСПТ), йонний склад розчи-ну, порогова напруга

Περιγραφή αρχείου: text/html

Διαθεσιμότητα: http://cyberleninka.ru/article/n/ion-selektivni-polovi-tranzistori-rozrahunok-porogovoyi-naprugi
http://cyberleninka.ru/article_covers/15687154.png

Электрооптика нематической ячейки на основе кремния, обработанного плазмой

Συγγραφείς: Кучеев, С. И., Тучина, Ю. С.

Θεματικοί όροι: физика, физика твердого тела, кристаллография, электрооптика, нематические ячейки, материаловедение, кремний, плазма, нематики, светочувствительность, пороговое напряжение

Relation: http://dspace.bsu.edu.ru/handle/123456789/53346

Διαθεσιμότητα: http://dspace.bsu.edu.ru/handle/123456789/53346

ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ЗАРОЖДЕНИЯ ТРЕЩИН КОРРОЗИОННОГО РАСТРЕСКИВАНИЯ ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ В МАЛОУГЛЕРОДИСТЫХ НИЗКОЛЕГИРОВАННЫХ СТАЛЯХ

Συγγραφείς: Болдин, Максим, Нохрин, Алексей, Чувильдеев, Владимир, Чегуров, Михаил, Бутусова, Елена, Степанов, Сергей, Козлова, Наталия, Лопатин, Юрий, Котков, Дмитрий

Θεματικοί όροι: КОРРОЗИОННОЕ РАСТРЕСКИВАНИЕ ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ, СТАЛЬ, ИНКУБАЦИОННЫЙ ПЕРИОД, ПОРОГОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ, МИКРОПЛАСТИЧЕСКАЯ ДЕФОРМАЦИЯ, ПРЕДЕЛ МАКРОУПРУГОСТИ, ГРАНИЦА ЗЕРНА, СТАРЕНИЕ

Περιγραφή αρχείου: text/html

Διαθεσιμότητα: http://cyberleninka.ru/article/n/issledovanie-protsessa-zarozhdeniya-treschin-korrozionnogo-rastreskivaniya-pod-napryazheniem-v-malouglerodistyh-nizkolegirovannyh
http://cyberleninka.ru/article_covers/14591887.png

ЗАЩИТА ОТ АВАРИЙНЫХ РЕЖИМОВ УЧАСТКОВОЙ СЕТИ С МНОГОДВИГАТЕЛЬНЫМ ЧАСТОТНО-РЕГУЛИРУЕМЫМ ЭЛЕКТРОПРИВОДОМ

Συγγραφείς: Бабокин, Г., Селин, О.

Θεματικοί όροι: МНОГОДВИГАТЕЛЬНЫЙ ЧАСТОТНО-РЕГУЛИРУЕМЫЙ ЭЛЕКТРОПРИВОД,АВАРИЙНЫЙ РЕЖИМ,КОРОТКОЕ ЗАМЫКАНИЕ,ПОРОГОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ,ВРЕМЯ СРАБАТЫВАНИЯ

Περιγραφή αρχείου: text/html

Διαθεσιμότητα: http://cyberleninka.ru/article/n/zaschita-ot-avariynyh-rezhimov-uchastkovoy-seti-s-mnogodvigatelnym-chastotno-reguliruemym-elektroprivodom
http://cyberleninka.ru/article_covers/14024987.png

Вольтамперная характеристика InGaTe 2

Πηγή: Известия Томского политехнического университета.

Θεματικοί όροι: ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ, РЕНТГЕНОФАЗОВЫЙ АНАЛИЗ, ТОНКИЕ ПЛЕНКИ, S-ОБРАЗНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА, ПОРОГОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ, ЦЕПОЧЕЧНАЯ СТРУКТУРА, СОЕДИНЕНИЯ INGATE 2

Περιγραφή αρχείου: text/html

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://cyberleninka.ru/article/n/voltampernaya-harakteristika-ingate-2
http://cyberleninka.ru/article_covers/15966556.png

Определение взаимосвязи порогового напряжения РУО и достоверности обнаружения протяженных объектов

Πηγή: Электротехнические и информационные комплексы и системы.

Θεματικοί όροι: УСТРОЙСТВО ОБНАРУЖЕНИЯ, ЗАДАЧА ОБНАРУЖЕНИЯ И РАЗЛИЧЕНИЯ СИГНАЛОВ, ПРОТЯЖЕННЫЙ ОБЪЕКТ, ЗОНДИРУЮЩИЙ СИГНАЛ, ОТНОШЕНИЕ ПРАВДОПОДОБИЯ, ПОРОГОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ, КРИТЕРИЙ НЕЙМАНА -ПИРСОНА, NEUMANN PEARSON'S CRITERION

Περιγραφή αρχείου: text/html

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://cyberleninka.ru/article_covers/15711868.png
http://cyberleninka.ru/article/n/opredelenie-vzaimosvyazi-porogovogo-napryazheniya-ruo-i-dostovernosti-obnaruzheniya-protyazhennyh-obektov

Динамика переключения элемента резистивной памяти

Θεματικοί όροι: материалы конференций, резистивная память, SPICE моделирование, пороговое напряжение

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://openrepository.ru/article?id=215564

Моделирование распределения потенциала в рабочей области полевого транзистора со структурой «Германий на изоляторе»: аналитическая модель и ее приложения

Πηγή: Программные продукты и системы.

Θεματικοί όροι: СТРУКТУРА «ГЕРМАНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ», ДВУХЗАТВОРНЫЙ ПОЛЕВОЙ НАНОТРАНЗИСТОР, АНАЛИТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ, РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ПОТЕНЦИАЛА, ПОРОГОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ, ПОДПОРОГОВЫЙ НАКЛОН, structure 'germanium on an insulator'

Περιγραφή αρχείου: text/html

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://cyberleninka.ru/article/n/modelirovanie-raspredeleniya-potentsiala-v-rabochey-oblasti-polevogo-tranzistora-so-strukturoy-germaniy-na-izolyatore-analiticheskaya
http://cyberleninka.ru/article_covers/15735349.png