RESEARCH OF TRANSPORT PROPERTIES OF ELECTRONS IN NITRIDES INDIUM AND GALLIUM

Συγγραφείς: Saurova, Tetiana, Semenovskaya, Elena, Emelianov, Maksim

Πηγή: Вестник Киевского политехнического института. Серия приборостроение; № 60(2) (2020); 32-39
Bulletin of Kyiv Polytechnic Institute. Series Instrument Making; № 60(2) (2020); 32-39
Вісник Київського політехнічного інституту. Серія Приладобудування; № 60(2) (2020); 32-39

Θεματικοί όροι: indium nitride, gallium nitride, scattering rate, electron drift mobility, relaxation equation method, нітрид індію, нітрид галію, розсіювання, дрейфова рухливість електронів, метод релаксаційних рівнянь, нитрид индия, нитрид галлия, рассеяние, дрейфовая подвижность электронов, метод релаксационных уравнений, 7. Clean energy

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://visnykpb.kpi.ua/article/download/221422/221161
http://visnykpb.kpi.ua/article/view/221422
http://visnykpb.kpi.ua/article/download/221422/221161
http://visnykpb.kpi.ua/article/view/221422

Формирование и исследование Холловских датчиков магнитного поля на основе тонких плёнок InSb/GaAs

Θεματικοί όροι: метод импульсного лазерного осаждения, высокая подвижность электронов, магнитное поле, низкое удельное сопротивление, на основе тонких плёнок InSb/GaAs, возможность получения слоёв вырожденного InSb, Холловские датчики

Monte Carlo Simulation of Flash Memory Elements’ Electrophysical Parameters ; Моделирование электрофизических параметров элементов флеш-памяти методом Монте-Карло

Συγγραφείς: O. G. Zhevnyak, V. M. Borzdov, A. V. Borzdov, A. N. Petlitsky, О. Г. Жевняк, В. М. Борздов, А. В. Борздов, А. Н. Петлицкий

Πηγή: Devices and Methods of Measurements; Том 13, № 4 (2022); 276-280 ; Приборы и методы измерений; Том 13, № 4 (2022); 276-280 ; 2414-0473 ; 2220-9506 ; 10.21122/2220-9506-2022-13-4

Θεματικοί όροι: метод Монте-Карло, electron mobility, electron scattering, tunneling current, Monte Carlo method, подвижность электронов, рассеяние электронов, туннельный ток

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: https://pimi.bntu.by/jour/article/view/790/639; De Salvo B. Silicon Non-Volatile Memories: paths of innovation. London: Wiley-ISTE, 2013, 234 p.; Keyes R.W. Physical limits of silicon transistors and circuits. Rep. Prog. Phys., 2005, vol. 68, pp. 2701– 2746. DOI:10.1088/0034-4885/68/12/R01; Gerardi C., Ancarani V., Portoghese R., Giuffrida S., Bileci M., Bimbo G., Brafa O., Mello D., Ammendola G., Tripiciano E., Puglisi R., Lombardo S.A. Nanocrystal Memory Cell Integration in a Stand-Alone 16-Mb NOR Flash Device. IEEE Trans. Electron Devices, 2007, vol. 54, no. 6, pp. 1376–1383. DOI:10.1109/TED.2007.895868; Govoreanu B., Wellekens D., Haspeslagh L., Brunco D.P., De Vos J., Aguado D. Ruiz, Blomme P., Van der Zanden K., Van Houdt J. Performance and Reliability of HfAlOx-based Interpolary Dielectrics for FloatingGate Flash Memory. Solid-State Electron., 2008, vol. 52, no. 4, pp. 557–563. DOI:10.1016/j.sse.2008.01.012; Zhevnyak O.G., Borzdov V.M., Borzdov A.V. Simulation of drain depth effect on parasitic currents in flash-memory cells. Eurasian Union of Scientists. Series: technical, physical and mathematical sciences, 2021, vol. 1, no. 12, pp. 58–61. DOI:10.31618/ESU.2413-9335.2021.1.93.1542; Boukhobza J., Olivier P. Flash Memory Integration. Performance and Energy Considerations. London: ISTE press Ltd. Publ., 2017, 250 p.; Borzdov V.M., Zhevnyak O.G., Komarov F.F., Galenchik V.O. Monte Carlo simulation of device structures of integrated electronics. Minsk: BSU, 2007, 175 p.; Chau Q. An efficient numerical approach to studying impact ionization in sub-micrometer devices. J. Comput. Electron., 2014, no. 13, pp. 329–337. DOI:10.1007/s10825-013-0536-x; Jacoboni C., Lugli P. The Monte Carlo method for semiconductor device simulation. Wien–New York: Springer, 2012, 359 p.; Moglestue C. Monte Carlo Simulation of Semiconductor Devices. Wien: Springer, 2013, 334 p.; https://pimi.bntu.by/jour/article/view/790

Διαθεσιμότητα: https://pimi.bntu.by/jour/article/view/790
https://doi.org/10.21122/2220-9506-2022-13-4-276-280

Дослідження транспортних властивостей електронів у нітридах індію і галію

Συνεισφορές: ELAKPI

Θεματικοί όροι: electron drift mobility, relaxation equation method, метод релаксаційних рівнянь, indium nitride, нитрид индия, розсіювання, дрейфова рухливість електронів, нитрид галлия, scattering rate, рассеяние, дрейфовая подвижность электронов, метод релаксационных уравнений, gallium nitride, нітрид індію, нітрид галію

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/40763

Влияние структурных дефектов на сверхвысокочастотные характеристики мощного нитрид – галлиевого транзистора с высокой подвижностью электронов

Συγγραφείς: Курбанова, Наталья

Συνεισφορές: Склярова, Елена Александровна

Θεματικοί όροι: моделирование, гетероструктурный транзистор, электрофизическая модель, структурные дефекты, высокая подвижность электронов, GaN HEMT, Silvaco TCAD, traps, current collapse, current-voltage characteristics, 03.06.01, 621.382.323-048.78:661.868.1'041

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: Курбанова Н. Влияние структурных дефектов на сверхвысокочастотные характеристики мощного нитрид – галлиевого транзистора с высокой подвижностью электронов : научный доклад / Н. Курбанова; Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Управление магистратуры, аспирантуры и докторантуры (УМАД), Отдел аспирантуры и докторантуры (ОАиД); науч. рук. Е. А. Склярова. — Томск, 2020.; http://earchive.tpu.ru/handle/11683/59736

Διαθεσιμότητα: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/59736

ПОДВИЖНОСТЬ ЭЛЕКТРОНОВ В КВАНТОВОЙ ПРОВОЛОКЕ С КРАЕВОЙ ДИСЛОКАЦИЕЙ ВО ВНЕШНЕМ МАГНИТНОМ ПОЛЕ

Συγγραφείς: Кревчик, Владимир, Калинин, Владимир, Калинин, Евгений

Θεματικοί όροι: КРАЕВАЯ ДИСЛОКАЦИЯ, ВРЕМЯ РЕЛАКСАЦИИ, ВНЕШНЕЕ МАГНИТНОЕ ПОЛЕ, КВАНТОВАЯ ПРОВОЛОКА, ПОДВИЖНОСТЬ ЭЛЕКТРОНОВ

Περιγραφή αρχείου: text/html

Διαθεσιμότητα: http://cyberleninka.ru/article/n/podvizhnost-elektronov-v-kvantovoy-provoloke-s-kraevoy-dislokatsiey-vo-vneshnem-magnitnom-pole
http://cyberleninka.ru/article_covers/15573194.png

Формирование многодоменной пространственной структуры в арсенид-галлиевом диоде Ганна как нелинейный феномен

Συγγραφείς: Усанов, Дмитрий, Горбатов, Сергей, Кваско, Владимир

Θεματικοί όροι: БЛИЖНЕПОЛЕВАЯ СВЧ-МИКРОСКОПИЯ, ДИОД ГАННА, ПОДВИЖНОСТЬ ЭЛЕКТРОНОВ, КОЭФФИЦИЕНТ ДИФФУЗИИ, ДОМЕН СИЛЬНОГО ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ

Περιγραφή αρχείου: text/html

Διαθεσιμότητα: http://cyberleninka.ru/article/n/formirovanie-mnogodomennoy-prostranstvennoy-struktury-v-arsenid-gallievom-diode-ganna-kak-nelineynyy-fenomen
http://cyberleninka.ru/article_covers/15812248.png

Влияние тонкой структуры электронного спектра на подвижность электронов в Mo и сплавах Mo-Re

Συγγραφείς: Tatiana Ignatyeva, A. Velikodnyy

Πηγή: East European Journal of Physics, Iss 991(1) (2012)

Θεματικοί όροι: подвижность электронов, критические энергии электронного спектра, край подвижности, локализация электронов, Physics, QC1-999

Περιγραφή αρχείου: electronic resource

Relation: http://periodicals.karazin.ua/eejp/article/view/13877; https://doaj.org/toc/2312-4334; https://doaj.org/toc/2312-4539

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://doaj.org/article/b388529910124a2aa61897c2b10c6b70

Подвижность электронов в квантовой проволоке с краевой дислокацией во внешнем магнитном поле

Πηγή: Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки.

Θεματικοί όροι: КРАЕВАЯ ДИСЛОКАЦИЯ, ВРЕМЯ РЕЛАКСАЦИИ, ВНЕШНЕЕ МАГНИТНОЕ ПОЛЕ, КВАНТОВАЯ ПРОВОЛОКА, ПОДВИЖНОСТЬ ЭЛЕКТРОНОВ

Περιγραφή αρχείου: text/html

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://cyberleninka.ru/article/n/podvizhnost-elektronov-v-kvantovoy-provoloke-s-kraevoy-dislokatsiey-vo-vneshnem-magnitnom-pole
http://cyberleninka.ru/article_covers/15573194.png

Low-temperature Minimum in the Electrical Resistivity of the Bi1.9Lu0.1Te3

Συγγραφείς: Ivanov, O.N., Yaprintsev, M.N., Lyubushkin, R.A., Soklakova, O.N.

Πηγή: Журнал нано-та електронної фізики, Vol 8, Iss 4, Pp 04036-1-04036-4 (2016)

Θεματικοί όροι: Electron mobility, Електричний опір, Электрическое сопротивление, Стрибкова провiднiсть, Прыжковая проводимость, Bi1, Physics, QC1-999, Рухливість електронiв, Hopping conductivit, Electrical resistivity, Hopping conductivity, Сплав Bi1.9Lu0.1Te3, 1Te3 alloy, Подвижность электронов, Сплав Bi1, 9Lu0

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://essuir.sumdu.edu.ua/bitstream/123456789/49683/1/Ivanov_Yaprintsev_Lyubushkin.pdf
https://doaj.org/article/824d4eaa755040b2b80ca3046ccc6760
https://jnep.sumdu.edu.ua/en/component/content/full_article/2053
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/49683